JPH0261133B2 - - Google Patents
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- JPH0261133B2 JPH0261133B2 JP56165810A JP16581081A JPH0261133B2 JP H0261133 B2 JPH0261133 B2 JP H0261133B2 JP 56165810 A JP56165810 A JP 56165810A JP 16581081 A JP16581081 A JP 16581081A JP H0261133 B2 JPH0261133 B2 JP H0261133B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- electron beam
- detectors
- data
- edge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム露光装置におけるマーク
位置検出方法に関するものである。
位置検出方法に関するものである。
一般に、電子ビーム露光装置におけるマークの
位置検出は第１図ａに示すように、あらかじめ試
料上に設けられたマークを電子ビームで多数回走
査し、その時得られる後方散乱電子、いわゆる反
射電子を利用して上記のマークの位置を検出す
る。この反射電子を検出する検出器X+、X-は、
上記マークの対向する両端部の上方に位置するよ
うにそれぞれが配設され、その出力波形は、それ
ぞれ第１図ｂ，ｃに示すようにEx +、Ex -のよう
な波形となる。
位置検出は第１図ａに示すように、あらかじめ試
料上に設けられたマークを電子ビームで多数回走
査し、その時得られる後方散乱電子、いわゆる反
射電子を利用して上記のマークの位置を検出す
る。この反射電子を検出する検出器X+、X-は、
上記マークの対向する両端部の上方に位置するよ
うにそれぞれが配設され、その出力波形は、それ
ぞれ第１図ｂ，ｃに示すようにEx +、Ex -のよう
な波形となる。
従来からマークの位置検出では、第１図ｄに示
すように上記の２つの信号Ex +、Ex -の差、すな
わち差信号Esを作り、その差信号に対して適当な
スライスレベルSlh、Sllを設け、このSlh、SllがEs
をよぎる瞬間の位置（いわゆるエツジ情報）es1
〜es4を抽出し、その後４者の平均値を求め、も
つてマークのＸ方向の位置としていた。Ｙ方向の
位置も同様な方法により、ビームでマークをＹ方
向に走査しその結果得られる差信号を利用してマ
ークのＹ方向の位置を決定していた。
すように上記の２つの信号Ex +、Ex -の差、すな
わち差信号Esを作り、その差信号に対して適当な
スライスレベルSlh、Sllを設け、このSlh、SllがEs
をよぎる瞬間の位置（いわゆるエツジ情報）es1
〜es4を抽出し、その後４者の平均値を求め、も
つてマークのＸ方向の位置としていた。Ｙ方向の
位置も同様な方法により、ビームでマークをＹ方
向に走査しその結果得られる差信号を利用してマ
ークのＹ方向の位置を決定していた。
上記の説明からも分るように、従来では決定さ
れたマークの位置の検出精度は抽出されたマーク
のエツジ情報es1〜es4の精度（再現性）に依存す
る。ところでマークのエツジ情報はEsの波形の傾
斜が急峻な程精度がよくなる。ところが、従来で
は第１図ｄからも分るようにEx +、Ex -の波形の
傾斜がゆるやかな部分を利用してエツジ情報es1
〜es4を抽出する形となるため、差信号を利用し
たマークの位置決定の精度は悪くなる欠点を有す
る。
れたマークの位置の検出精度は抽出されたマーク
のエツジ情報es1〜es4の精度（再現性）に依存す
る。ところでマークのエツジ情報はEsの波形の傾
斜が急峻な程精度がよくなる。ところが、従来で
は第１図ｄからも分るようにEx +、Ex -の波形の
傾斜がゆるやかな部分を利用してエツジ情報es1
〜es4を抽出する形となるため、差信号を利用し
たマークの位置決定の精度は悪くなる欠点を有す
る。
本発明は、かゝる点に着目してなされたもので
あり、高精度なマーク位置検出を可能ならしめる
電子ビーム露光装置におけるマーク位置検出方法
を提供するものである。
あり、高精度なマーク位置検出を可能ならしめる
電子ビーム露光装置におけるマーク位置検出方法
を提供するものである。
上記目的を達成するために、本発明では、試料
上に設けた位置合せ用マークを電子ビームで走査
して、該マークから二次的に放出される電子を、
光軸に対して対称的に配設された検出手段により
検出し、該検出手段からの合成出力信号の出力波
形のうち、急峻な波形部分から得られる位置デー
タ（エツジ情報）だけを選択的に抽出し、これを
利用することによりマークの位置を決定するよう
に構成したものである。
上に設けた位置合せ用マークを電子ビームで走査
して、該マークから二次的に放出される電子を、
光軸に対して対称的に配設された検出手段により
検出し、該検出手段からの合成出力信号の出力波
形のうち、急峻な波形部分から得られる位置デー
タ（エツジ情報）だけを選択的に抽出し、これを
利用することによりマークの位置を決定するよう
に構成したものである。
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
第２図は、第１図に示した検出器X+、X-から
の出力信号Ex +、Ex -の和（合成）信号Eaの波形
図を示す。図において、ea1〜ea8は、この和信号
Eaに対して適当なスライスレベルSlh、Sllを設け、
このSlh、SllがEaをよぎる瞬間の位置（エツジ情
報）を示す。
の出力信号Ex +、Ex -の和（合成）信号Eaの波形
図を示す。図において、ea1〜ea8は、この和信号
Eaに対して適当なスライスレベルSlh、Sllを設け、
このSlh、SllがEaをよぎる瞬間の位置（エツジ情
報）を示す。
このようにして抽出されるエツジ情報ea1〜ea8
のうち、Ex +、Ex -（第１図参照）の波形の急峻な
部分を利用したエツジ情報ea5〜ea8、ゆるやかな
部分を利用したエツジ情報はea1〜ea4と、両者混
在するため単純にこれらのエツジ情報全てを利用
してマークの位置を決定したのでは、その精度は
悪くなる。そこで、本発明ではEaの波形の急峻
な部分からのエツジ情報だけを利用してマークの
位置を決定するようにしたもので、そのため方法
として下記の２通りがある。
のうち、Ex +、Ex -（第１図参照）の波形の急峻な
部分を利用したエツジ情報ea5〜ea8、ゆるやかな
部分を利用したエツジ情報はea1〜ea4と、両者混
在するため単純にこれらのエツジ情報全てを利用
してマークの位置を決定したのでは、その精度は
悪くなる。そこで、本発明ではEaの波形の急峻
な部分からのエツジ情報だけを利用してマークの
位置を決定するようにしたもので、そのため方法
として下記の２通りがある。
第一は、第３図ａに示すように、段差マークの
幅ｄを狭め、その上を電子ビームで走査して得ら
れる検出器X+、X-からの各出力信号Ex′+、Ex′-
（第３図ｂ，ｃ）の和信号Ea′（第３図ｄ）の波形
のうち、急峻な波形部分から得られるエツジ情報
ea′1〜ea′2だけを抽出して、マークの位置を決定
する方法である。
幅ｄを狭め、その上を電子ビームで走査して得ら
れる検出器X+、X-からの各出力信号Ex′+、Ex′-
（第３図ｂ，ｃ）の和信号Ea′（第３図ｄ）の波形
のうち、急峻な波形部分から得られるエツジ情報
ea′1〜ea′2だけを抽出して、マークの位置を決定
する方法である。
この時の幅d′は、主に入射電子のエネルギーに
よつて決定されるが、例えば、加速電圧30kVの
電子線露光装置では5μｍ以下が有効である。
よつて決定されるが、例えば、加速電圧30kVの
電子線露光装置では5μｍ以下が有効である。
第二は、第２図のエツジ情報のうちea1〜ea4と
ea5〜ea8の位置の再現性の違いを利用してea5〜
ea8のエツジ情報だけをデータ処理して抽出し、
その後、ea5〜ea8の平均値を求めるマークの位置
を決定する方法である。つまり段差マークをｎ回
走査して得られる各エツジ情報のライン間のバラ
ツキをみると、ea1i〜ea4i（ｉ＝１〜ｎ）はそれぞ
れ各ライン間のバラツキが大きいが、ea5i〜ea8iは
それぞれ各ライン間のバラツキが上記のea1i〜ea4i
のバラツキに比較して小さい。そこで両者のこの
バラツキの違いを利用すると、ea1i〜ea4iとea5i〜
ea8iの分離は可能となる。
ea5〜ea8の位置の再現性の違いを利用してea5〜
ea8のエツジ情報だけをデータ処理して抽出し、
その後、ea5〜ea8の平均値を求めるマークの位置
を決定する方法である。つまり段差マークをｎ回
走査して得られる各エツジ情報のライン間のバラ
ツキをみると、ea1i〜ea4i（ｉ＝１〜ｎ）はそれぞ
れ各ライン間のバラツキが大きいが、ea5i〜ea8iは
それぞれ各ライン間のバラツキが上記のea1i〜ea4i
のバラツキに比較して小さい。そこで両者のこの
バラツキの違いを利用すると、ea1i〜ea4iとea5i〜
ea8iの分離は可能となる。
なお、以上述べた２方法において使用するスラ
イスレベルは、例えばマーク検出信号の最大値、
最小値およびマークの基板部分を反映した信号値
（ベースレベル）の３者で決定し、第２図に示し
たSlh、Sll、あるいは第３図ｄに示したSll′を求め
ることができる。これらのスライスレベルをどの
ように使用するかは検出対象マークの形状、マー
ク検出信号の利用法などにより決められる。
イスレベルは、例えばマーク検出信号の最大値、
最小値およびマークの基板部分を反映した信号値
（ベースレベル）の３者で決定し、第２図に示し
たSlh、Sll、あるいは第３図ｄに示したSll′を求め
ることができる。これらのスライスレベルをどの
ように使用するかは検出対象マークの形状、マー
ク検出信号の利用法などにより決められる。
また、本発明では、対象マークが第４図に示す
ような凸形状の場合には、検出器X+、X-からの
各出力波形はE″x +、E″x -で示され、その和信号は
Ea″のようになるので、スライスレベルはSl″hに
する必要がある。さらにまた、対象マークの形状
が第５図ａ，ｂに示す如く多数個並んでいる場合
であつても、本発明を適用して有効なことは云う
までもない。
ような凸形状の場合には、検出器X+、X-からの
各出力波形はE″x +、E″x -で示され、その和信号は
Ea″のようになるので、スライスレベルはSl″hに
する必要がある。さらにまた、対象マークの形状
が第５図ａ，ｂに示す如く多数個並んでいる場合
であつても、本発明を適用して有効なことは云う
までもない。
第６図は、本発明の一実施例の具体的構成を示
すブロツク図である。図において、１は電子ビー
ム、２は試料上に設けられた位置合せ用マーク
で、例えば図示の如き段差マーク、３は電子ビー
ム照射によつてマーク２から二次的に放出される
電子、例えば反射電子を検出する検出器、４は電
流−電圧変換器、５，６は電子ビームをＸ方向あ
るいはＹ方向に走査するためのＸ、Ｙ偏向器、
７，８はデイジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ変
換器）、９は和信号Ea′を作成する加算器、１０は
アナログ−デイジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）、
１１は入力信号のデータの確立のためのラツチメ
モリ、１２，１３は偏向データを一時記憶するレ
ジスタ、１４はエツジ部分を抽出するための比較
器、１５はスライスレベルを記憶するレジスタ、
１６はエツジ部分が抽出された時の位置情報（い
わゆるエツジ情報）、すなわちＸ、Ｙの偏向位置
を記憶するためのメモリ、１７はマークの位置を
決定するための演算回路、１８は本回路系を制御
するための制御回路である。なお、検出器３は、
図では一方向のみに配設された一対の検出器しか
示していないが、本実施例では、光軸に対して対
称的に位置するように、Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ一
対の検出器が配設されている。また、マーク２
は、必ずしも図示の如き段差形状でなくてもよ
く、エツジ情報が得られる形状であれば適用可能
である。
すブロツク図である。図において、１は電子ビー
ム、２は試料上に設けられた位置合せ用マーク
で、例えば図示の如き段差マーク、３は電子ビー
ム照射によつてマーク２から二次的に放出される
電子、例えば反射電子を検出する検出器、４は電
流−電圧変換器、５，６は電子ビームをＸ方向あ
るいはＹ方向に走査するためのＸ、Ｙ偏向器、
７，８はデイジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ変
換器）、９は和信号Ea′を作成する加算器、１０は
アナログ−デイジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）、
１１は入力信号のデータの確立のためのラツチメ
モリ、１２，１３は偏向データを一時記憶するレ
ジスタ、１４はエツジ部分を抽出するための比較
器、１５はスライスレベルを記憶するレジスタ、
１６はエツジ部分が抽出された時の位置情報（い
わゆるエツジ情報）、すなわちＸ、Ｙの偏向位置
を記憶するためのメモリ、１７はマークの位置を
決定するための演算回路、１８は本回路系を制御
するための制御回路である。なお、検出器３は、
図では一方向のみに配設された一対の検出器しか
示していないが、本実施例では、光軸に対して対
称的に位置するように、Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ一
対の検出器が配設されている。また、マーク２
は、必ずしも図示の如き段差形状でなくてもよ
く、エツジ情報が得られる形状であれば適用可能
である。
本実施例で電子ビームをＸ方向に走査するに
は、制御回路１８からレジスタ１２，１３に偏向
データを順次転送し、そのデータを７，８でＤ／
Ａ変換し、ビームを目的の位置に次々移動させる
ことにより上記の走査を行なう。また和信号
Ea′の取込みは上記の各点のビームの位置移動に
同期してEa′信号をＡ／Ｄ変換し、デイジタル化
し、順次ラツチメモリ１１に一時記憶する。この
デイジタル信号を比較器１４でスライスレベル
Sll′と比較しエツジ部分に相当する信号100を検出
する。上記のSll′はあらかじめ制御回路１８より
レジスタ１５に転送されている。100の信号が検
出されると、その信号に同期してその時のビーム
の偏向データ１０１，１０２をメモリ１６に取込
む。
は、制御回路１８からレジスタ１２，１３に偏向
データを順次転送し、そのデータを７，８でＤ／
Ａ変換し、ビームを目的の位置に次々移動させる
ことにより上記の走査を行なう。また和信号
Ea′の取込みは上記の各点のビームの位置移動に
同期してEa′信号をＡ／Ｄ変換し、デイジタル化
し、順次ラツチメモリ１１に一時記憶する。この
デイジタル信号を比較器１４でスライスレベル
Sll′と比較しエツジ部分に相当する信号100を検出
する。上記のSll′はあらかじめ制御回路１８より
レジスタ１５に転送されている。100の信号が検
出されると、その信号に同期してその時のビーム
の偏向データ１０１，１０２をメモリ１６に取込
む。
以上述べた方法により必要なＸ、Ｙ方向のエツ
ジ情報を取込む。このようにして必要な走査回数
が終了するとメモリ１６には各走査ラインン毎に
抽出されたマークのエツジ情報が記憶されている
ので、制御回路１８はマークの位置を算出するマ
ーク位置決定回路に指令を送り、処理対象マーク
の位置を決定する。
ジ情報を取込む。このようにして必要な走査回数
が終了するとメモリ１６には各走査ラインン毎に
抽出されたマークのエツジ情報が記憶されている
ので、制御回路１８はマークの位置を算出するマ
ーク位置決定回路に指令を送り、処理対象マーク
の位置を決定する。
すなわち、位置決定回路１７では制御回路１８
の指令を受けるとメモリ１６にストアされている
エツジデータ群を並びかえる。つまり、検出され
たエツジデータを各走査線上の位置に並びかえ
る。この時エツジデータの処理法として前述した
第１の方法を採用すると、各ラインで検出された
エツジデータの数が、例えば第３図ｄの例の如く
２個であることをチエツクし、もし２個と等しく
ない場合は、そのラインに属している全データを
除去する。その後、残つた全エツジデータの単純
平均を求め、マークの位置とする。
の指令を受けるとメモリ１６にストアされている
エツジデータ群を並びかえる。つまり、検出され
たエツジデータを各走査線上の位置に並びかえ
る。この時エツジデータの処理法として前述した
第１の方法を採用すると、各ラインで検出された
エツジデータの数が、例えば第３図ｄの例の如く
２個であることをチエツクし、もし２個と等しく
ない場合は、そのラインに属している全データを
除去する。その後、残つた全エツジデータの単純
平均を求め、マークの位置とする。
また、エツジデータの処理法として前述した第
２の方法を採用すると、整列されたエツジデータ
群は再現性のよいデータ群と再現性の余りよくな
いデータ群とに分けられる。次に、各ラインで検
出されたエツジデータの数が、例えば６個である
ことを確認し、もし６個と等しくない場合は、そ
のライン属している全データを除去する。残つた
データ群に対して相互の相関をみるためコンボリ
ユーシヨン処理を行なう。その時のコンボリユー
シヨン処理を行なう時の積分の範囲は再現性のよ
いエツジデータ群の分散の２〜６倍程度に決定さ
れる。そのあと新たなスライスレベルを設けて再
現性のよいデータ群だけを抽出する。その後、各
データ群内で単純平均を行ない、各群から１個の
代表エツジデータを抽出し、最後に、それらの代
表エツジデータの個数をチエツク後単純平均を求
めマークの位置とする。
２の方法を採用すると、整列されたエツジデータ
群は再現性のよいデータ群と再現性の余りよくな
いデータ群とに分けられる。次に、各ラインで検
出されたエツジデータの数が、例えば６個である
ことを確認し、もし６個と等しくない場合は、そ
のライン属している全データを除去する。残つた
データ群に対して相互の相関をみるためコンボリ
ユーシヨン処理を行なう。その時のコンボリユー
シヨン処理を行なう時の積分の範囲は再現性のよ
いエツジデータ群の分散の２〜６倍程度に決定さ
れる。そのあと新たなスライスレベルを設けて再
現性のよいデータ群だけを抽出する。その後、各
データ群内で単純平均を行ない、各群から１個の
代表エツジデータを抽出し、最後に、それらの代
表エツジデータの個数をチエツク後単純平均を求
めマークの位置とする。
以上述べたように、本発明によれば、光軸に対
して対称的に配設された少なくとも一対の検出器
からの合成出力信号に基づき、その出力波形の急
峻な波形部分から得られる位置データを利用する
ことにより、マークの位置を極めて高精度に検出
できるものであり、電子線描画装置等をはじめと
する荷電粒子線諸装置に適用してその効果は大き
い。なお、上記実施例では、電子ビーム照射によ
つてマークから放出される反射電子の検出を主体
に説明したが、本質的には、二次電子、透過電子
等に対しても本発明は適用可能である。また、そ
れを検出する検出器については、必ずしも上記実
施例の如くＸ、Ｙ方向にそれぞれ一対ずつ設ける
必要はなく、光軸に対して軸対称に環状形検出器
を設けることによつても可能であり、その場合に
は第６図中の加算器９は不要となる。
して対称的に配設された少なくとも一対の検出器
からの合成出力信号に基づき、その出力波形の急
峻な波形部分から得られる位置データを利用する
ことにより、マークの位置を極めて高精度に検出
できるものであり、電子線描画装置等をはじめと
する荷電粒子線諸装置に適用してその効果は大き
い。なお、上記実施例では、電子ビーム照射によ
つてマークから放出される反射電子の検出を主体
に説明したが、本質的には、二次電子、透過電子
等に対しても本発明は適用可能である。また、そ
れを検出する検出器については、必ずしも上記実
施例の如くＸ、Ｙ方向にそれぞれ一対ずつ設ける
必要はなく、光軸に対して軸対称に環状形検出器
を設けることによつても可能であり、その場合に
は第６図中の加算器９は不要となる。
第１図は、従来のマーク位置検出を説明する波
形図、第２図および第３図は、本発明の原理を説
明する図、第４図は、マークが凸状である場合に
おける適用例を説明する図、第５図は、複数個の
マークを示す図、第６図は、本発明の一実施例を
説明するブロツク図である。 図において、１……電子ビーム、２……マー
ク、３……検出器、５，６……Ｘ、Ｙ偏向器、９
……加算器、１１……ラツチメモリ、１４……比
較器、１６……メモリ、１７……演算回路、１８
……制御回路。
形図、第２図および第３図は、本発明の原理を説
明する図、第４図は、マークが凸状である場合に
おける適用例を説明する図、第５図は、複数個の
マークを示す図、第６図は、本発明の一実施例を
説明するブロツク図である。 図において、１……電子ビーム、２……マー
ク、３……検出器、５，６……Ｘ、Ｙ偏向器、９
……加算器、１１……ラツチメモリ、１４……比
較器、１６……メモリ、１７……演算回路、１８
……制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 試料上に設けた位置合せ用マークを電子ビー
ムで走査して、該マークから二次的に放出される
電子を、光軸に対して対称的に配設された少なく
とも一対の検出器により検出し、該検出器により
検出された信号の合成和信号とスライスレベルを
比較して求められる位置データから合成和信号の
出力波形のうち急峻な波形部分から得られる位置
データだけを選択的に抽出し、該選択的に抽出さ
れた位置データを基に該マークの位置を決定する
如くしたことを特徴とする電子ビーム露光装置に
おけるマーク位置検出方法。 ２ 上記マークを、5μｍ以下の幅を有する段差
マークを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子ビーム露光装置におけるマーク
位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165810A JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165810A JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867027A JPS5867027A (ja) | 1983-04-21 |
| JPH0261133B2 true JPH0261133B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15819419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165810A Granted JPS5867027A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495627U (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-19 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0643885B2 (ja) * | 1984-05-25 | 1994-06-08 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子マイクロプロ−ブ装置 |
| JP3453009B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置及びこの装置に於けるマーク位置検出方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534430A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Fujitsu Ltd | Positioning method in electron beam exposure |
| JPS56162837A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Nec Corp | Electron beam exposure device |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56165810A patent/JPS5867027A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0495627U (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5867027A (ja) | 1983-04-21 |
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