JPH0425663B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0425663B2 JPH0425663B2 JP57097197A JP9719782A JPH0425663B2 JP H0425663 B2 JPH0425663 B2 JP H0425663B2 JP 57097197 A JP57097197 A JP 57097197A JP 9719782 A JP9719782 A JP 9719782A JP H0425663 B2 JPH0425663 B2 JP H0425663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- analysis
- output
- sample
- level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は走査形電子顕微鏡を用いた試料内部電
圧パターンの表示方法に関する。
圧パターンの表示方法に関する。
(2) 技術の背景
従来から集積回路の内部電圧パターンを走査形
電子顕微鏡で測定し、表示する技法が知られてい
るが、この従来の技法はそのエネルギー分析器へ
の分析電圧の印加が次に述べる如きものであつた
ため、表示される内部電圧パターンの電圧像を期
待通りに得られず、その改善方が要望されてい
る。
電子顕微鏡で測定し、表示する技法が知られてい
るが、この従来の技法はそのエネルギー分析器へ
の分析電圧の印加が次に述べる如きものであつた
ため、表示される内部電圧パターンの電圧像を期
待通りに得られず、その改善方が要望されてい
る。
(3) 従来技術と問題点
即ち、従来における集積回路の内部電圧パター
ンの表示方式は走査形電子顕微鏡内のエネルギー
分析器を用いて分析曲線を忠実に求め、そのシフ
ト量から集積回路の内部電圧を算定し、次いで、
その内部電圧を二値化して表示するというもので
ある。この方式においては、エネルギー分析器の
分析電圧を固定しておいて、現われるコントラス
ト像を電圧像としているため、集積回路の材料、
形状効果の影響が内部電圧パターンに現われてし
まうのを避けることが出来なかつた。又、分析曲
線を忠実に求めるのには時間を要し、従つて、表
示までの時間がかゝるという不具合もあつた。
ンの表示方式は走査形電子顕微鏡内のエネルギー
分析器を用いて分析曲線を忠実に求め、そのシフ
ト量から集積回路の内部電圧を算定し、次いで、
その内部電圧を二値化して表示するというもので
ある。この方式においては、エネルギー分析器の
分析電圧を固定しておいて、現われるコントラス
ト像を電圧像としているため、集積回路の材料、
形状効果の影響が内部電圧パターンに現われてし
まうのを避けることが出来なかつた。又、分析曲
線を忠実に求めるのには時間を要し、従つて、表
示までの時間がかゝるという不具合もあつた。
(4) 発明の目的
本発明は上述したような従来技法の有する技術
的課題に鑑みて創案されたもので、その目的は材
料、形状効果が現われず、測定の簡略化、高速化
を達成しつゝ試料の内部電圧パターンを表示しう
る試料内部電圧パターンの表示方法を提供するこ
とにある。
的課題に鑑みて創案されたもので、その目的は材
料、形状効果が現われず、測定の簡略化、高速化
を達成しつゝ試料の内部電圧パターンを表示しう
る試料内部電圧パターンの表示方法を提供するこ
とにある。
(5) 発明の構成
そして、この目的を達成する第１の発明は、電
子光学鏡筒からの電子ビームを試料に照射しつ
つ、該試料に低レベルの基準電圧を印加した状態
において、エネルギー分析器へ印加される分析電
圧を変えたときに、その分析電圧と上記試料から
放出された２次電子を受けて上記エネルギー分析
器から出力される出力電圧との関係として得られ
る第１の分析曲線L1、及び電子光学鏡筒からの
電子ビームを上記試料に照射しつつ、上記試料に
高レベルの基準電圧を印加した状態において、上
記エネルギー分析器へ印加される分析電圧を変え
たときに、その分析電圧と上記試料から放出され
た２次電子を受けて上記エネルギー分析器から出
力される出力電圧との関係として得られる第２の
分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01、V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧とから中間スライスレベルを
決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧を二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことから構成される。
子光学鏡筒からの電子ビームを試料に照射しつ
つ、該試料に低レベルの基準電圧を印加した状態
において、エネルギー分析器へ印加される分析電
圧を変えたときに、その分析電圧と上記試料から
放出された２次電子を受けて上記エネルギー分析
器から出力される出力電圧との関係として得られ
る第１の分析曲線L1、及び電子光学鏡筒からの
電子ビームを上記試料に照射しつつ、上記試料に
高レベルの基準電圧を印加した状態において、上
記エネルギー分析器へ印加される分析電圧を変え
たときに、その分析電圧と上記試料から放出され
た２次電子を受けて上記エネルギー分析器から出
力される出力電圧との関係として得られる第２の
分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01、V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧とから中間スライスレベルを
決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧を二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことから構成される。
第２の発明は、電子光学鏡筒からの電子ビーム
を試料に照射しつつ、該試料に低レベルの基準電
圧を印加した状態において、エネルギー分析器へ
印加される分析電圧を変えたときに、その分析電
圧と上記試料から放出された２次電子を受けて上
記エネルギー分析器から出力される出力電圧との
関係として得られる第１の分析曲線L1、及び電
子光学鏡筒からの電子ビームを上記試料に照射し
つつ、上記試料に高レベルの基準電圧を印加した
状態において、上記エネルギー分析器へ印加され
る分析電圧を変えたときに、その分析電圧と上記
試料から放出された２次電子を受けて上記エネル
ギー分析器から出力される出力電圧との関係とし
て得られる第２の分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01，V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧を各走査点毎に対応するメモ
リの位置に記憶した後、該メモリから読み出して
上記高レベル分析電圧V2印加時にエネルギー分
析器から得られる出力電圧と、上記低レベル分析
電圧V1印加時にエネルギー分析器から得られる
出力電圧とから中間スライスレベルを決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧の二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことから構成される。
を試料に照射しつつ、該試料に低レベルの基準電
圧を印加した状態において、エネルギー分析器へ
印加される分析電圧を変えたときに、その分析電
圧と上記試料から放出された２次電子を受けて上
記エネルギー分析器から出力される出力電圧との
関係として得られる第１の分析曲線L1、及び電
子光学鏡筒からの電子ビームを上記試料に照射し
つつ、上記試料に高レベルの基準電圧を印加した
状態において、上記エネルギー分析器へ印加され
る分析電圧を変えたときに、その分析電圧と上記
試料から放出された２次電子を受けて上記エネル
ギー分析器から出力される出力電圧との関係とし
て得られる第２の分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01，V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧を各走査点毎に対応するメモ
リの位置に記憶した後、該メモリから読み出して
上記高レベル分析電圧V2印加時にエネルギー分
析器から得られる出力電圧と、上記低レベル分析
電圧V1印加時にエネルギー分析器から得られる
出力電圧とから中間スライスレベルを決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧の二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことから構成される。
(6) 発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
第１図は本発明を実施する一実施例を示す。１
は走査形電子顕微鏡（その全体を図示せず）に設
けられる減速電界形エネルギー分析器で、これは
試料２から離隔してこれを覆うように設けられる
分析グリツド３と、２次電子検知器４とを有し、
分析グリツド３にはスイツチ５を介して分析グリ
ツド電圧源６，７，８が接続される。電圧源６，
７，８の電圧は夫々、V1，V2，V0で、V0は例え
ば第２図に示すように、試料（例えば、集積回
路）へ供給される基準電圧（例えば、０ボルト及
び５ボルト）での分析曲線L1，L2との交点P1，
P2から求められる分析グリツド電圧V01，V02間
の中点での中間分析グリツド電圧として求められ
る。又、V1，V2はいずれの基準電圧においても、
エネルギー分析器１の出力に変化を生ぜしめない
電圧領域での分析グリツド電圧として求められ
る。
は走査形電子顕微鏡（その全体を図示せず）に設
けられる減速電界形エネルギー分析器で、これは
試料２から離隔してこれを覆うように設けられる
分析グリツド３と、２次電子検知器４とを有し、
分析グリツド３にはスイツチ５を介して分析グリ
ツド電圧源６，７，８が接続される。電圧源６，
７，８の電圧は夫々、V1，V2，V0で、V0は例え
ば第２図に示すように、試料（例えば、集積回
路）へ供給される基準電圧（例えば、０ボルト及
び５ボルト）での分析曲線L1，L2との交点P1，
P2から求められる分析グリツド電圧V01，V02間
の中点での中間分析グリツド電圧として求められ
る。又、V1，V2はいずれの基準電圧においても、
エネルギー分析器１の出力に変化を生ぜしめない
電圧領域での分析グリツド電圧として求められ
る。
検知器４の出力はアナログ−デイジタル（Ａ−
Ｄ）変換器９を経てスイツチ１０へ接続されてい
る。Ａ−Ｄ変換器９には、走査形電子顕微鏡のス
キヤンゼネレータ１１へ供給されるクロツク信号
（CLK）が供給されて試料２の走査と同期するよ
うに構成されている。スイツチ１０は図示の如く
スイツチ５と連動するように構成されている。ス
イツチ１０の出力接点１２，１３，１４は各別
に、メモリ１５，１６，１７へ接続されている。
これらのメモリは試料２の各走査点と１対１の対
応関係にあつてその走査点で得られるデイジタル
値を記憶するように構成されている。
Ｄ）変換器９を経てスイツチ１０へ接続されてい
る。Ａ−Ｄ変換器９には、走査形電子顕微鏡のス
キヤンゼネレータ１１へ供給されるクロツク信号
（CLK）が供給されて試料２の走査と同期するよ
うに構成されている。スイツチ１０は図示の如く
スイツチ５と連動するように構成されている。ス
イツチ１０の出力接点１２，１３，１４は各別
に、メモリ１５，１６，１７へ接続されている。
これらのメモリは試料２の各走査点と１対１の対
応関係にあつてその走査点で得られるデイジタル
値を記憶するように構成されている。
メモリ１５，１６の対応する出力は演算回路１
８を経て比較回路１９へ接続され、メモリ１７の
出力は又比較回路へ接続される。演算回路１８は
メモリ１５，１６の対応する出力を夫々、D1，
D2とすると、D1＋D2／２なる演算をなす。
８を経て比較回路１９へ接続され、メモリ１７の
出力は又比較回路へ接続される。演算回路１８は
メモリ１５，１６の対応する出力を夫々、D1，
D2とすると、D1＋D2／２なる演算をなす。
比較回路１９の出力は表示メモリ２０へ接続さ
れており、比較回路１９の二値化信号は試料２の
各走査点に対応する表示メモリの記憶位置に記憶
される。表示メモリ２０はその読出しと同期して
いる表示装置２１へ接続されている。
れており、比較回路１９の二値化信号は試料２の
各走査点に対応する表示メモリの記憶位置に記憶
される。表示メモリ２０はその読出しと同期して
いる表示装置２１へ接続されている。
EBは走査形電子顕微鏡のスキヤンゼネレータ
１１の走査制御の下に試料２上へ照射される電子
ビームを表わしている。
１１の走査制御の下に試料２上へ照射される電子
ビームを表わしている。
次に、上記構成装置の動作を説明する。
電子ビームEBによる試料、例えば集積回路２
の走査に先立つて、先ず、分析グリツド電圧源６
がスイツチ５を経て分析グリツド３に接続され
る。分析グリツド電圧V1が分析グリツド３に印
加されている状態において、試料２が電子ビーム
EBによつて走査される。この走査はクロツク信
号によつて制御され、これによつて各走査点が摘
出され、その走査によつて放出される２次電子が
２次電子検出器４によつて検出され、そのアナロ
グ信号がＡ−Ｄ変換器９によつてデイジタル化さ
れる。そのデイジタル値はメモリ１５の、試料の
走査領域の各走査点と１対１の対応を有する記憶
位置に記憶される。この記憶動作は各走査点毎に
生ぜしめられていく。
の走査に先立つて、先ず、分析グリツド電圧源６
がスイツチ５を経て分析グリツド３に接続され
る。分析グリツド電圧V1が分析グリツド３に印
加されている状態において、試料２が電子ビーム
EBによつて走査される。この走査はクロツク信
号によつて制御され、これによつて各走査点が摘
出され、その走査によつて放出される２次電子が
２次電子検出器４によつて検出され、そのアナロ
グ信号がＡ−Ｄ変換器９によつてデイジタル化さ
れる。そのデイジタル値はメモリ１５の、試料の
走査領域の各走査点と１対１の対応を有する記憶
位置に記憶される。この記憶動作は各走査点毎に
生ぜしめられていく。
この記憶動作の終了後、分析グリツド電圧源７
を分析グリツド３へ接続させるスイツチ５の切換
え、並びにＡ−Ｄ変換器９の出力をメモリ１６へ
接続させるスイツチ１０の切換えを生じさせて分
析グリツド電圧V1で行つた記憶動作を分析グリ
ツド電圧V2についても生じさせる。
を分析グリツド３へ接続させるスイツチ５の切換
え、並びにＡ−Ｄ変換器９の出力をメモリ１６へ
接続させるスイツチ１０の切換えを生じさせて分
析グリツド電圧V1で行つた記憶動作を分析グリ
ツド電圧V2についても生じさせる。
その終了後、分析グリツド電圧源８を分析グリ
ツド３へ接続させるスイツチ５の切換え、並びに
Ａ−Ｄ変換器９の出力をメモリ１７へ接続させる
スイツチ１０の切換えを生じさせて上述の分析グ
リツド電圧について生じさせたと同様の記憶動作
を分析グリツド電圧V0についても生じさせる。
ツド３へ接続させるスイツチ５の切換え、並びに
Ａ−Ｄ変換器９の出力をメモリ１７へ接続させる
スイツチ１０の切換えを生じさせて上述の分析グ
リツド電圧について生じさせたと同様の記憶動作
を分析グリツド電圧V0についても生じさせる。
これらの記憶動作終了後、メモリ１５，１６，
１７から夫々の対応する記憶位置から記憶されて
いるデイジタル値を読み出し、メモリ１５，１６
からデイジタル値について演算回路１８で上述の
ような相加平均値（スライスレベル）を求めると
共に、メモリ１７からのデイジタル値がそのスラ
イスレベルを超えているか否かを比較回路１９で
判定する。もし超えているならば、その走査点は
“０”に二値化され、逆ならば、“１”に二値化さ
れる。
１７から夫々の対応する記憶位置から記憶されて
いるデイジタル値を読み出し、メモリ１５，１６
からデイジタル値について演算回路１８で上述の
ような相加平均値（スライスレベル）を求めると
共に、メモリ１７からのデイジタル値がそのスラ
イスレベルを超えているか否かを比較回路１９で
判定する。もし超えているならば、その走査点は
“０”に二値化され、逆ならば、“１”に二値化さ
れる。
このような二値化におけるスライスレベルは各
走査点における分析グリツド電圧V1，V2につき
得られる値の相加平均としているから、その値の
二値化を誤ることを防止しうる。これを具体的に
説明すると、例えば、走査点が標準的なものであ
る場合には、その分析曲線は第２図の実線L1（０
ボルト）、L2（５ボルト）の如くなり、これから
上述の如く求められるスライスレベルも50％固定
スライスレベルL3と同じになる。そして、分析
グリツド電圧V0におけるメモリ１７から比較回
路１９へ供給されるデイジタル値がSM0であるな
らば、比較回路１９からの二値化出力は“０”と
なるが、メモリ１７から比較回路１９へ供給され
るデイジタル値がSM5であるならば、二値化出力
は“１”となり、その二値化に誤動作は生じな
い。
走査点における分析グリツド電圧V1，V2につき
得られる値の相加平均としているから、その値の
二値化を誤ることを防止しうる。これを具体的に
説明すると、例えば、走査点が標準的なものであ
る場合には、その分析曲線は第２図の実線L1（０
ボルト）、L2（５ボルト）の如くなり、これから
上述の如く求められるスライスレベルも50％固定
スライスレベルL3と同じになる。そして、分析
グリツド電圧V0におけるメモリ１７から比較回
路１９へ供給されるデイジタル値がSM0であるな
らば、比較回路１９からの二値化出力は“０”と
なるが、メモリ１７から比較回路１９へ供給され
るデイジタル値がSM5であるならば、二値化出力
は“１”となり、その二値化に誤動作は生じな
い。
これに対し、走査点が凹凸を含み、２次電子の
放出し易い非標準的な点である場合には、その分
析曲線は第２図の点線L4の如くなる。この場合
におけるスライスレベルはL5の如くになるから、
たとえ分析電圧V0におけるメモリ１７からのデ
イジタル値がS′Mの如く大きな値になつたとして
も、その値を誤つて“０”と二値化することなく
“１”と正しく二値化することが出来る。曲線L4
の如きシフトは材料によつても生ぜしめられる。
放出し易い非標準的な点である場合には、その分
析曲線は第２図の点線L4の如くなる。この場合
におけるスライスレベルはL5の如くになるから、
たとえ分析電圧V0におけるメモリ１７からのデ
イジタル値がS′Mの如く大きな値になつたとして
も、その値を誤つて“０”と二値化することなく
“１”と正しく二値化することが出来る。曲線L4
の如きシフトは材料によつても生ぜしめられる。
このように、二値化は３つの分析グリツド電圧
についての測定から得られるから、その手段の簡
略化を得つゝ、二値化の高速化を達成し得る。
についての測定から得られるから、その手段の簡
略化を得つゝ、二値化の高速化を達成し得る。
上述のようにして得られる二値信号は、その二
値化と同期している表示メモリ２０へ記憶されて
表示装置２１に表示される。
値化と同期している表示メモリ２０へ記憶されて
表示装置２１に表示される。
(7) 発明の効果
以上要するに、本発明によれば、試料の材料、
形状効果の影響を排除しつゝ回路の簡略化、処理
の高速化の達成の下で試料の内部電圧パターンを
表示し得る。
形状効果の影響を排除しつゝ回路の簡略化、処理
の高速化の達成の下で試料の内部電圧パターンを
表示し得る。
第１図は本発明を実施する装置構成図、第２図
は第１図装置の動作を説明するための特性曲線図
である。 図において、１はエネルギー分析器、５，１０
はスイツチ、６，７，８は分析グリツド電圧源、
９はＡ−Ｄ変換器、１５，１６，１７はメモリ、
１８は演算回路、１９は比較回路、２０は表示メ
モリ、２１は表示装置である。
は第１図装置の動作を説明するための特性曲線図
である。 図において、１はエネルギー分析器、５，１０
はスイツチ、６，７，８は分析グリツド電圧源、
９はＡ−Ｄ変換器、１５，１６，１７はメモリ、
１８は演算回路、１９は比較回路、２０は表示メ
モリ、２１は表示装置である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子光学鏡筒からの電子ビームを試料に照射
しつつ、該試料に低レベルの基準電圧を印加した
状態において、エネルギー分析器へ印加される分
析電圧を変えたときに、その分析電圧と上記試料
から放出された２次電子を受けて上記エネルギー
分析器から出力される出力電圧との関係として得
られる第１の分析曲線L1、及び電子光学鏡筒か
らの電子ビームを上記試料に照射しつつ、上記試
料に高レベルの基準電圧を印加した状態におい
て、上記エネルギー分析器へ印加される分析電圧
を変えたときに、その分析電圧と上記試料から放
出された２次電子を受けて上記エネルギー分析器
から出力される出力電圧との関係として得られる
第２の分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01、V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧とから中間スライスレベルを
決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧の二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことを特徴とする試料内部電圧パターンの表示方
法。 ２ 電子光学鏡筒からの電子ビームを試料に照射
しつつ、該試料に低レベルの基準電圧を印加した
状態において、エネルギー分析器へ印加される分
析電圧を変えたときに、その分析電圧と上記試料
から放出された２次電子を受けて上記エネルギー
分析器から出力される出力電圧との関係として得
られる第１の分析曲線L1、及び電子光学鏡筒か
らの電子ビームを上記試料に照射しつつ、上記試
料に高レベルの基準電圧を印加した状態におい
て、上記エネルギー分析器へ印加される分析電圧
を変えたときに、その分析電圧と上記試料から放
出された２次電子を受けて上記エネルギー分析器
から出力される出力電圧との関係として得られる
第２の分析曲線L2とを測定し、 上記第１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲
線L2双方の低分析電圧側において上記出力電圧
に変化が現れず平坦状態となるときの分析電圧と
して求められる低レベル分析電圧V1と、上記第
１の分析曲線L1及び上記第２の分析曲線L2双方
の高分析電圧側において上記出力電圧に変化が現
れず平坦状態となるときの分析電圧として求めら
れる高レベル分析電圧V2と、上記第１の分析曲
線L1及び上記第２の分析曲線L2と上記低分析電
圧側及び上記高分析電圧側での平坦状態となる出
力電圧の中間に位置するスライスレベルとの交点
における各分析電圧V01，V02の値から求められ
る中間分析電圧V0とを決定し、 電子ビームによつて走査される試料の各走査点
において、上記エネルギー分析器に印加される分
析電圧を上記低レベル分析電圧V1と、上記中間
分析電圧V0と、上記高レベル分析電圧V2とを順
次に切り換え、 上記高レベル分析電圧V2の印加時にエネルギ
ー分析器から得られる出力電圧と、上記低レベル
分析電圧V1の印加時に上記エネルギー分析器か
ら得られる出力電圧を各走査点毎に対応するメモ
リの位置に記憶した後、該メモリから読み出して
上記高レベル分析電圧V2印加時にエネルギー分
析器から得られる出力電圧と、上記低レベル分析
電圧V1印加時にエネルギー分析器から得られる
出力電圧とから中間スライスレベルを決定し、 該中間スライスレベルと上記中間分析電圧V0
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出
力電圧とを比較して上記試料の内部電圧の二値化
出力を得、 この二値化出力を表示メモリに記憶した後、そ
の二値化パターンを表示装置の表示面に表示する
ことを特徴とする試料内部電圧パターンの表示方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097197A JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097197A JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214259A JPS58214259A (ja) | 1983-12-13 |
| JPH0425663B2 true JPH0425663B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=14185865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097197A Granted JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214259A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006795A (en) * | 1985-06-24 | 1991-04-09 | Nippon Telephone and Telegraph Public Corporation | Charged beam radiation apparatus |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097197A patent/JPS58214259A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58214259A (ja) | 1983-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4989082A (en) | Image processing system for comparing a test article with a master article to determine that an object is correctly located on the test article | |
| US4531060A (en) | Positioning method | |
| JP5286004B2 (ja) | 基板の検査装置、および、基板の検査方法 | |
| JPS6240146A (ja) | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 | |
| US4486777A (en) | Defect detecting apparatus and method | |
| JPH0526136B2 (ja) | ||
| JP4062527B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ検査装置 | |
| JPH0425663B2 (ja) | ||
| JPS5853504B2 (ja) | 集積回路装置の試験方法 | |
| JPH0582606A (ja) | 半導体集積回路試験装置 | |
| JP2571110B2 (ja) | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法およびその装置 | |
| US4642566A (en) | Method for the registration and representation of signals in the interior of integrated circuits by considering edge steepness and apparatus for implementing the method | |
| JPS5960579A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JPH0820237B2 (ja) | 電子顕微鏡用画像計測・検査装置 | |
| JPS6176903A (ja) | 部品検査装置 | |
| JPS61290313A (ja) | 立体形状測定装置 | |
| JPH0329867A (ja) | 電子ビーム装置による電圧分布像の観測法 | |
| JPS59177846A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
| JP2594194B2 (ja) | 元素マッピング装置 | |
| JPS60142527A (ja) | 回路パタ−ン検査装置 | |
| JPS62191Y2 (ja) | ||
| JPS54130891A (en) | Tomograph using analogue picture memory | |
| JPH0356877A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JPH041458B2 (ja) | ||
| JPS59110286A (ja) | 欠陥チヤンネルによる映像の改善方法 |