JPH0261224B2 - - Google Patents

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JPH0261224B2
JPH0261224B2 JP58023143A JP2314383A JPH0261224B2 JP H0261224 B2 JPH0261224 B2 JP H0261224B2 JP 58023143 A JP58023143 A JP 58023143A JP 2314383 A JP2314383 A JP 2314383A JP H0261224 B2 JPH0261224 B2 JP H0261224B2
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JP
Japan
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transistor
voltage
battery
base
oscillation
Prior art date
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JP58023143A
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English (en)
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JPS59148533A (ja
Inventor
Takio Maekawa
Osamu Yanoo
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP2314383A priority Critical patent/JPS59148533A/ja
Publication of JPS59148533A publication Critical patent/JPS59148533A/ja
Publication of JPH0261224B2 publication Critical patent/JPH0261224B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、急速充電回路に関するものである。
[背景技術] 従来の充電回路は、第1図のように、トランジ
スタQ0のコレクタにトランスT′の1次コイルL10
を接続し、ベースにトランスT′の2次コイルL20
をベースを順バイアスする極性に接続して発振回
路を形成し、トランスT′の3次コイルL30の両端
に整流ダイオードD10と電池Bの直列回路を接続
して発振回路の出力を3次コイルL30より得て整
流ダイオードD10で整流して電池Bを充電してい
た。R10は発振起動抵抗、C10は発振用コンデン
サ、D20はトランジスタQ0の逆バイアス用ダイオ
ード、C20,R30はスパイク電圧吸収用のコンデン
サ、抵抗R20は電流制限抵抗であり、SWは負荷
Lをオン、オフするスイツチである。DBはダイ
オードブリツジ、Eは交流電源である。
このものにあつては、トランスT′に3個のコ
イルL10,L20,L30を必要とするため、トランス
T′および回路が複雑になつて小型化に不向きで
ある上、トランスT′のコイルが細いため断線不
良が発生しやすく、又、各コイルの極性処理を誤
つたりしてトランスT′の信頼性が低いという欠
点を有していた。
また、トランスT′のコイルが3巻線あるため
第1図に示すコイルL10,L30の結合係数が悪くな
り、リーケージインダクタンスが増大し、トラン
ジスタQ0がカツトオフしたときのスパイク電圧
が非常に高くなり、そのため、トランジスタQ0
のコレクタ・エミツタ間電圧VCEの耐圧を上げた
り、スパイク電圧を吸収するための抵抗R30、コ
ンデンサC20等の部品が必要となり、安価で小型
のものが作成できないという問題があつた。
そこで、第1図に示す回路を改良したのが第2
図に示す回路であり、この回路では、発振用トラ
ンスのコイルを2巻線として、損失がなく損失対
策をする必要がない小型で安価な急速充電回路構
成としている。
すなわち、この他の従来例では、第2図に示す
ように、発振回路、被充電用電池Bを含む充電ブ
ロツクと、充電制御ブロツクとから構成されてい
る。充電ブロツクは以下のように構成されてい
る。トランジスタQのコレクタに発振用のトラン
スTの1次コイルL1を接続し、トランジスタQ
のベースにはトランスTの2次コイルL2を順バ
イアスする極性に接続してある。トランスTは1
次コイルL1と2次コイルL2とからなる2巻線の
ものを用いている。2次コイルL2の両端には、
電池Bと整流用ダイオードD2との直列回路が接
続してある。Eは交流電源、D1は電源整流用ダ
イオードである。ここでは、半波整流している
が、全波整流を行つても良い。C1は雑音防止用
コンデンサ、R1は発振起動用抵抗、R2はベース
順バイアス制限抵抗、R3は充電電流制限抵抗、
C2は発振用コンデンサ、D3は通電表示用発光ダ
イオード、SWはスイツチで、電池Bと負荷Lと
の間に挿入接続してある。
充電制御ブロツクは、基準電圧V1を発生させ
る基準電圧発生ブロツク1、基準電圧V1と電池
Bの電圧とを比較する電池電圧比較ブロツク2、
電池Bの電圧が基準電圧V1より高い場合にトラ
ンジスタQのベース電流をバイパスさせて発振を
停止せしめる発振起動電流バイパスブロツク3と
から構成されている。
今、交流電源EをダイオードD1により半波
(あるいは全波)整流した電源により、抵抗R1
通してトランジスタQにベース電流を供給する
と、コレクタ電流iCが1次コイルL1を通して流れ
始め、1次コイルL1に電圧が発生する。この電
圧により2次コイルL2にトランジスタQを順バ
イアスするような電圧が発生してトランジスタQ
は急速にオンになつてコレクタ電流iCは、iC
(VL1/X1)tによつて増加する。尚、VL1は1次
コイルL1への印加電圧、X1は1次コイルL1のイ
ンダクタンスである。そして、iC=hFE・IB(hFE
トランジスタQの電流増幅率、IBはベース電流)
になるまで増加すると、1次コイルL1での電流
変化が止まる。すると、更に電流を流そうとして
1次コイルL1での発生電圧の極性が反転し、こ
の電圧が前述のように2次コイルL2に誘起され、
トランジスタQを逆バイアスしてトランジスタQ
はオフになる。このとき、2次コイルL2に発生
する電圧をダイオードD2を通して電池Bを充電
する。同様に発光ダイオードD3に電流を分流さ
せて、発光ダイオードD3を点灯させて通電表示
を行う。
ここで、電池Bに流れる電流iは、i=−
(V2/X2)tによつて流れる。ここで、V2はト
ランジスタQのオフ時に発生する1次コイルL1
の電圧のL2/L1であり、X2は2次コイルL2のイ
ンダクタンスである。そして、1次コイルL1
蓄積されたエネルギーが放出されると、前述と同
様にして再度発振が開始されて発振を続ける。抵
抗R3は、トランジスタQがオンになり流れる電
流iCによつてR3×iCの電位でトランジスタQのベ
ース電位を制御し、1次コイルL1に蓄積される
エネルギーを調整して充電電流iの制御を行うも
のである。第3図a〜dは上述の動作における各
部の電圧電流波形を示すものであり、同図aはト
ランジスタQのコレクタ・エミツタ間電圧VCE
同図bはトランジスタQのベース・エミツタ間電
圧、同図cはトランジスタQのコレクタ電流iC
同図dは電池Bの充電電流である。
以上によつて電池Bが充電されていくと、電池
Bの電圧は第4図に示すような特性を示す。電池
Bを急速充電する場合には、容量の80〜100%の
所で充電をストツプしてやらないと、電池Bは過
充電領域に入り、電池Bの劣化を生じる。それを
制御するための充電制御が必要であり、これが第
2図に示す充電制御ブロツクである。基準電圧発
生ブロツク1にて直流の基準電圧V1を発生させ、
電池電圧比較ブロツク2にて基準電圧V1と電池
電圧VBとを比較してゆき、V1>VBのときは、発
振起動電流バイパスブロツク3は動作せず、上述
の動作を繰り返して充電電流は流れ続ける。そし
て、V1≦VBとなると、発振起動電流バイパスブ
ロツク3が動作して、トランジスタQの起動電流
をトランジスタQに流さず、発振起動電流バイパ
スブロツク3にてバイパスさせて、トランジスタ
Qの発振を停止させ、電池Bへの充電をストツプ
させて過充電を防止するものである。尚、第2図
に示す回路において、電池Bがオープンになると
いつた異常時は、トランジスタQと電池Bとが直
列に接続されているために、発振起動電流が流れ
ず、発振を開始しない。従つて、回路が破壊され
るということはない。
この従来例では、第2図に示すような構成とす
ることにより、第1図の場合と比べて、充電ブロ
ツクのトランスTを1次コイルL1と2次コイル
L2との2巻線として、3巻線より少なくなつて、
トランスTの作成が容易となり、信頼性が向上
し、また、トランスTを小型化できてコストダウ
ンを図ることができる。更に、トランスTは1次
コイルL1と2次コイルL2だけからなつているた
め、コイルのリーケージインダクタンスが減少
し、1次コイルL1に発生する逆起電圧が小さく
なり、そのエネルギーを吸収するための1次コイ
ルに並列に用いていた抵抗、コンデンサが不要と
なり、また、トランジスタの耐圧の低いものが使
用でき、より小型で安価な回路を構成することが
できる。
ところが、第2図の回路においても以下のよう
な問題を有している。すなわち、トランジスタQ
がオンしているときのキヤリア蓄積効果により、
トランジスタQのオンからオフへの移行時間が遅
くなり、トランジスタQの発生する損失が大きい
という問題がある。
また、スイツチSWオンで、電池Bが過放電さ
れ、電池電圧が低いと発振開始電圧が下がり、充
電電流が極端に多くなり、回路の発熱があるとい
う問題もあつた。すなわち、第2図の従来の回路
においては、ダイオードD1で整流された電圧か
ら抵抗R1を通してトランジスタQにベース電流
が流れて始めて発振を開始する。その電圧は電池
Bの電圧VBと、トランジスタQのベース・エミ
ツタ間電圧VBEの電圧の和で決まる。発振開始電
圧をVsとすれば、Vs=VB+VBEであり、VBEは一
定であるが、電池電圧VBが変化すれば、発振開
始電圧Vsも変化する。従つて、電池電圧VBが低
いと、発振開始電圧Vsが下がることになる。そ
して、第2図において、電池Bが負荷Lに接続さ
れ、そのまま放置されて、過放電されると、電池
電圧VBはほとんど0Vになつてしまう。その状態
で充電されると、Vs≒VBEとなつてしまい、正常
な時より発振開始電圧Vsが低下することになる。
そして、発振開始電圧が低いと、その分取り出
せる発振回路の出力が増大し、整流ダイオード
D2の定格オーバーにより、発熱したり、破壊し
たりする問題につながるものであり、その出力で
電池電圧が正常な約1.2〜1.3Vまで復帰してくる
間の時間、若しくは電池の異常でシヨートの電池
を充電した場合、上記の問題が発生し、更には充
電器の破壊につながる問題を有している。
[発明の目的] 本発明は、上述の点に鑑みて提供したものであ
つて、トランジスタの損失を少なくすると共に、
発振開始電圧の低下を防止して極端な充電電流の
増加をなくした急速充電回路を提供することを目
的としたものである。
[発明の開示] 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第5図に具体回路図を示し、トランスTの2
次コイルL2と整流ダイオードD2と電池Bとの直
列回路を、トランジスタQのベース・エミツタ及
び抵抗R3とに並列に接続し、また充電電流整流
用ダイオードD4をトランジスタQのベース・エ
ミツタと抵抗R3との回路に並列に接続したもの
である。尚、同一符号を示す部材は第2図の場合
と同様の働きをなす。また、電池Bの負極は回路
全体のアースラインに接続してあり、トランジス
タQのエミツタは、抵抗R3を介してアースライ
ンに接続してある。
ここで、トランジスタQがオフして、2次コイ
ルL2のエネルギーを、ダイオードD2,D4で整流
して電池Bに充電する時、ダイオードD4の順方
向降下電圧VfによつてトランジスタQのベー
ス・エミツタ間が逆バイアスされ、トランジスタ
Qがオンしているときのキヤリア蓄積を速く打ち
消せるため、トランジスタQのオンからオフへの
移行時間が速くなり、トランジスタQで発生する
損失が少ないという長所がある。第6図aはトラ
ンジスタQのベース・エミツタ間電圧VCE、同図
bはトランジスタQのコレクタ電流を夫々示すも
のであるが、図中のt1の期間においてVCE×iC
損失が発生するため、この期間(時間)は短いほ
どよい。従つて、キヤリア蓄積を速く打ち消して
トランジスタQをオンからオフへ速く移行させる
ことで、トランジスタQの損失を少なくさせるこ
とができる。
また、第2図においては、スイツチSWがオン
されて電池Bが過放電され、電池電圧VBが低い
と、発振開始電圧が下がり充電電流iが極端に多
くなり、回路の発熱等があるが、第5図に示す実
施例では、発振開始電圧の低下を防止しているた
め、極端な充電電流の増加もなく安全である。
以下に電池電圧VBが低くても発振開始電圧が
下がらない、つまり、電池電圧VBの影響を受け
ない理由について説明する。すなわち、第5図に
おいて、抵抗R1を介して入力電圧が印加された
場合、電池Bの内部抵抗等により、ダイオード
D2と電池電圧VBの合計電圧の方が、トランジス
タQのベース・エミツタ間電圧VBEより大きいた
め、入力電圧がトランジスタQのベース・エミツ
タ間電圧VBEを越えた時点で発振開始となる。つ
まり、発振回路の発振開始電圧は電池電圧VB
影響を受けない。また、電池Bがシヨートしてい
る場合、ダイオードD2の順方向降下電圧により、
トランジスタQのベース電位が低く抑えられ、ト
ランジスタQは発振を開始しない。ここで、例え
ば、整流ダイオードD2に順方向降下電圧の低い
シヨツトキーバリアダイオードを使用した場合に
は、このダイオードの順方向降下電圧は、バイポ
ーラ型のトランジスタQのベース・エミツタ間電
圧VBEより小さいため、シヨートされた電池Bを
充電する場合においても、トランジスタQのベー
ス電位が上昇しないため、発振の開始を確実に防
止できて、安全に保つことが可能となる。
ここで、本実施例ではダイオードD4によりト
ランジスタQのベース・エミツタ間を逆バイアス
してキヤリア蓄積を早く打ち消すようにしている
が、このダイオードD4により逆バイアスが制限
されてダイオードが存在しない従来例よりかえつ
て逆バイアスが小さくなり、ダイオードD4によ
る効果が不明ではないか、という疑問が生じる虞
れがある。そこで、この疑問を解消するために以
下に説明する。
すなわち、第2図に示す従来例の場合、トラン
ジスタQの逆バイアス電圧は、ダイオードD2
電池電圧VBの電圧となり、本発明のダイオード
D4に対して大きくなり、その分トランジスタQ
のベース・エミツタ間の逆バイアスが深くなる。
しかしながら、逆バイアスを深くかけると、次の
トランジスタQをオンさせるための順バイアス電
流も大きくする必要がある。従つて、従来例で
は、逆バイアス電圧は電池電圧VBの影響を受け
てしまうことになる。
また、電池電圧VBが上昇するにつれて、逆バ
イアスの電圧は大きくなつていくが、トランジス
タQの順バイアスは、従来例においては、2次コ
イルL2と抵抗R2で決まり、電池電圧VBに関係な
く一定になつているため、トランジスタQのター
ンオンのスピードが遅くなつてしまい、トランジ
スタQの発熱が大きくなつてしまいという問題を
有している。本発明の場合は、順バイアスは従来
例と同様、2次コイルL2と抵抗R2で決まり一定
である上に、トランジスタQの逆バイアスは上述
のようにダイオードD4で一定に制限されるため、
電池電圧VBの影響を受けず、上記のように問題
が改善されることになる。
更に、充電される電池の本数が増加して、電池
電圧VBが増加すると、逆バイアス時にトランジ
スタQのエミツタ、ベース間の耐圧(約7V)を
オーバーしてしまうため、それだけのために、従
来例において保護用の素子(ダイオード)が、ト
ランジスタQのエミツタ、ベース間に必要にな
る。しかし、本発明では、ダイオードD4でその
役割を兼ねているために、安価に充電器が作成で
きるという特徴をもつている。
更に、第2図に示す従来例の回路では、トラン
ジスタQのオン時間は、従来例の動作説明の項で
説明したように、2次コイルL2とトランジスタ
QのhFEで決まり、これは、電池電圧VBの影響を
受けないが、第3図dに示す充電電流iは次式の
ように表せることから、電池電圧VBの変化によ
るオフ時間toffへの影響が大きい。
i=−(VB+VD2)/L2toff ただし、VBは電池電圧、VD2はダイオードD2
順方向降下電圧、L2は2次コイルL2のインダク
タンス、toffはトランジスタQのオフ時間であ
る。ここで、例えば、ダイオードD2にシヨツト
キーバリアダイオードを使用するとすれば、その
順方向降下電圧VD2は、約0.3〜0.4Vで、充電され
る電圧は1.0〜1.5Vまで変化するため、トランジ
スタQのオフ時間toffへの影響が大きい。従つ
て、電池電圧VBによつて発振周波数が変化し、
電池を充電する充電電流の変化が大きくなる。
本発明の場合は、トランジスタQのオン時間は
従来例と同様である。しかし、オフ時間は従来例
と異なり、電池電圧VBの影響は受けにくい。す
なわち、第5図から明らかなように、充電電流i
は、次式で示される。
i=−(VB+VD2+VD4)/L2toff ただし、VD4はダイオードD4の順方向降下電圧
である。従つて、上式から、ダイオードD4が入
つているため、充電電流iは、電池電圧VBの変
化がオフ時間への影響が従来例より少なく、電池
電圧VBの変化が充電電流iに与える影響が少な
いものである。
電池電圧VBは充電するにつれて電圧が変化す
るが、充電電流は、その影響を受けにくく、定電
流で充電する方が電池の劣化、シヨート、多セル
の場合の電池シヨートに安定である。そのために
も、本発明のダイオードD4があれば、充電電流
の電池電圧VBによる影響が従来例より改善され
ることになる。
[発明の効果] 本発明は上述のように、発振用トランスの1次
コイルをトランジスタのコレクタに接続するとと
もに、2次コイルの一端をトランジスタのベース
に接続し、該2次コイルの他端を整流素子を介し
て被充電用電池の正極に接続すると共に、該電池
の負極を回路全体のアースラインに接続し、上記
トランジスタのエミツタを上記アースラインに接
続し、上記トランジスタのオフ時に該トランジス
タのベース・エミツタ間を逆バイアスせしめるダ
イオードを、トランジスタのベース・エミツタ間
に接続した充電ブロツクと、前記電池の電圧を検
出して所定の電圧より高くなつた場合にトランジ
スタのベース電流をバイパスさせて充電ブロツク
の発振を停止せしめる充電制御ブロツクとを具備
しているものであるから、ダイオードの順方向降
下電圧によつてトランジスタのベース・エミツタ
間が逆バイアスされ、トランジスタがオンしてい
るときのキヤリア蓄積を速く打ち消すことができ
て、トランジスタのオンからオフへの移行時間が
速くなり、トランジスタで発生する損失が少ない
という効果を奏するものである。また、逆バイア
ス用のダイオードにより、電池電圧の影響を受け
ずにトランジスタを一定値で逆バイアスするた
め、逆バイアスが深くかかる従来例とは異なり、
トランジスタのターンオンのスピードも早くな
り、それに伴うトランジスタの発熱を防止でき、
また、電池の本数が増加して電池電圧が増加する
と、逆バイアス時にトランジスタのエミツタ、ベ
ース間の耐圧をオーバーしてしまうために、従来
ではその分の保護素子が必要となるが、本発明で
はダイオードによりその役割を兼ねていること
で、安価に構成でき、しかも、電池の充電時に
は、電池と、整流素子とダイオードとが直列接続
された形となつて、上述の充電電流の式から電池
電圧の変化による充電電流の変化を少なくして、
定電流に近い電流で充電できるため、電池の劣
化、シヨート、多セルの場合の電池シヨートに対
して安定である。また、整流素子と電池との合計
電圧の方が、トランジスタのベース・エミツタ間
電位より大きくなるため、入力電圧がトランジス
タのベース・エミツタ間電圧を越えた時点で発振
開始となることから、電池電圧の影響を受けず、
そのため、発振開始電圧は低下しないため、従来
のように極端な充電電流の増加もなく安全であ
る。更には、回路全体のアースラインに電池の負
極を接続しているため、電池電圧の検出等の充電
制御を行う場合には、アースラインが共通になる
ので、回路構成を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の具体回路図、第2図は他の従
来例の具体回路図、第3図は同上の動作波形図、
第4図は同上の電池の充電特性図、第5図は本発
明の実施例の具体回路図、第6図は同上の動作波
形図である。 Tはトランス、L1は1次コイル、L2は2次コ
イル、Qはトランジスタ、Bは電池、D4はダイ
オードである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 発振用トランスの1次コイルをトランジスタ
    のコレクタに接続するとともに、2次コイルの一
    端をトランジスタのベースに接続し、該2次コイ
    ルの他端を整流素子を介して被充電用電池の正極
    に接続すると共に、該電池の負極を回路全体のア
    ースラインに接続し、上記トランジスタのエミツ
    タを上記アースラインに接続し、上記トランジス
    タのオフ時に該トランジスタのベース・エミツタ
    間を逆バイアスせしめるダイオードを、トランジ
    スタのベース・エミツタ間に接続した充電ブロツ
    クと、前記電池の電圧を検出して所定の電圧より
    高くなつた場合にトランジスタのベース電流をバ
    イパスさせて充電ブロツクの発振を停止せしめる
    充電制御ブロツクとを具備して成る急速充電回
    路。
JP2314383A 1983-02-15 1983-02-15 急速充電回路 Granted JPS59148533A (ja)

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