JPH026126A - 透明導電性積層体 - Google Patents
透明導電性積層体Info
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- JPH026126A JPH026126A JP63157565A JP15756588A JPH026126A JP H026126 A JPH026126 A JP H026126A JP 63157565 A JP63157565 A JP 63157565A JP 15756588 A JP15756588 A JP 15756588A JP H026126 A JPH026126 A JP H026126A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はエレクトロルミネッセンス素子やエレクトロ
クロミック素子などを用いた表示装置におけると記各素
子の透明電極として有用な透明導電性積層体に関する。
クロミック素子などを用いた表示装置におけると記各素
子の透明電極として有用な透明導電性積層体に関する。
エレクトロルミネッセンス素子やエレクトロクロミック
素子などでは、その少なくとも表示側に透明電極を用い
ているが、かかる透明電極として、従来では、透明プラ
スチックフィルムからなる基材フィルム上に酸化インジ
ウム、酸化スズなどの透明導電性薄膜を設けた透明導電
性積層体が多く用いられている。
素子などでは、その少なくとも表示側に透明電極を用い
ているが、かかる透明電極として、従来では、透明プラ
スチックフィルムからなる基材フィルム上に酸化インジ
ウム、酸化スズなどの透明導電性薄膜を設けた透明導電
性積層体が多く用いられている。
このような透明導電性積層体は、たとえば有機分散型エ
レクトロルミネッセンス素子では、この積層体の透明導
電性薄膜上にリード電極用の銀ペーストと有機分散型発
光体層用材料を順次スクリーン印刷し、各印刷後に所要
の加熱乾燥を経て所定パターンのリード電極および発光
体層を形成し、さらにこの発光体層上に適宜の絶縁層(
誘電体層)を介して背面電極を積層することにより、エ
レクトロルミネッセンス素子を構成させるようにしてい
る。
レクトロルミネッセンス素子では、この積層体の透明導
電性薄膜上にリード電極用の銀ペーストと有機分散型発
光体層用材料を順次スクリーン印刷し、各印刷後に所要
の加熱乾燥を経て所定パターンのリード電極および発光
体層を形成し、さらにこの発光体層上に適宜の絶縁層(
誘電体層)を介して背面電極を積層することにより、エ
レクトロルミネッセンス素子を構成させるようにしてい
る。
しかるに、上記従来の透明導電性積層体は、熱的ストレ
スにより収縮する傾向があり、この収縮が前記リード電
極や発光体層を形成する際の加熱乾燥工程などで起こる
結果、スクリーン印刷に微妙なずれをきたし、精密なパ
ターン形成が望まれるエレクトロルミネッセンス素子な
どの表示装置、特に大型の表示装置において表示性能の
低下を招いていた。
スにより収縮する傾向があり、この収縮が前記リード電
極や発光体層を形成する際の加熱乾燥工程などで起こる
結果、スクリーン印刷に微妙なずれをきたし、精密なパ
ターン形成が望まれるエレクトロルミネッセンス素子な
どの表示装置、特に大型の表示装置において表示性能の
低下を招いていた。
また、上記従来の透明導電性積層体は、そのヘイズ値が
高く、エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置で
は視認性の低下をきたし、これがやはり表示性能を低下
させる原因となっていた。
高く、エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置で
は視認性の低下をきたし、これがやはり表示性能を低下
させる原因となっていた。
したがって、この発明は、ヘイズ値が低くてかつ上述の
如き加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロル
ミネッセンス素子やエレクトロクロミック素子などの透
明電極に適用したとき従来のものに比し表示性能にはる
かにすぐれる表示装置を付与しうる透明導電性積層体を
提供することを目的としている。
如き加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロル
ミネッセンス素子やエレクトロクロミック素子などの透
明電極に適用したとき従来のものに比し表示性能にはる
かにすぐれる表示装置を付与しうる透明導電性積層体を
提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段1
この発明者らは、上記の目的を達成するための鋭意検討
の過程において、まず従来の透明導電性積層体のヘイズ
値と加熱による収縮が基材フィルムとして用いる透明プ
ラスチックフィルムに起因する、つまりこのフィルム中
の滑剤などの添加剤成分が光の拡散を招いてフィルム自
体のヘイズ値が高くなり、またこのフィルムが熱収縮を
起こしやすいものであることを知った。
の過程において、まず従来の透明導電性積層体のヘイズ
値と加熱による収縮が基材フィルムとして用いる透明プ
ラスチックフィルムに起因する、つまりこのフィルム中
の滑剤などの添加剤成分が光の拡散を招いてフィルム自
体のヘイズ値が高くなり、またこのフィルムが熱収縮を
起こしやすいものであることを知った。
そこで、この知見をもとにさらに上記プラスチックフィ
ルムの材料構成やフィルム作製法などの因子につき試行
錯誤的な実験検討を加えた結果、上記プラスチックフィ
ルムとして上述の因子などにて決定される特定のヘイズ
値および熱収縮率を有するものを用いることにより、つ
まりこのフィルムを基材フィルムとしてこの上に透明導
電性薄膜を形成することにより、ヘイズ値が低くてかつ
加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロルミネ
ッセンス素子やエレクトロクロミック表示素子などの透
明電極として有用な透明導電性積層体が得られるもので
あることを知り、この発明を完成するに至った。
ルムの材料構成やフィルム作製法などの因子につき試行
錯誤的な実験検討を加えた結果、上記プラスチックフィ
ルムとして上述の因子などにて決定される特定のヘイズ
値および熱収縮率を有するものを用いることにより、つ
まりこのフィルムを基材フィルムとしてこの上に透明導
電性薄膜を形成することにより、ヘイズ値が低くてかつ
加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロルミネ
ッセンス素子やエレクトロクロミック表示素子などの透
明電極として有用な透明導電性積層体が得られるもので
あることを知り、この発明を完成するに至った。
すなわち、この発明は、ヘイズ値が1%以下で、かつ1
50℃、30分の加熱条件での熱収縮率が0.5%以下
である透明プラスチックフィルムの少なくとも片面に透
明導電性薄膜が形成されてなる透明導電性積層体に係る
ものである。
50℃、30分の加熱条件での熱収縮率が0.5%以下
である透明プラスチックフィルムの少なくとも片面に透
明導電性薄膜が形成されてなる透明導電性積層体に係る
ものである。
この発明において使用する透明プラスチックフィルムは
、上述のとおり、ヘイズ値が1%以下で、かつ150℃
で30分間加熱したときの熱収縮率が縦横共に0.5%
以下となるものであり、従来の透明導電性積層体に用い
られていた透明プラスチックフィルムのヘイズ値および
上記同様の熱収縮率がそれぞれ約2〜4%および約2〜
5%であったのに較べて、ヘイズ値が低(てかつ加熱に
よる収縮が非常に抑えられたものであることを特徴とし
ている。
、上述のとおり、ヘイズ値が1%以下で、かつ150℃
で30分間加熱したときの熱収縮率が縦横共に0.5%
以下となるものであり、従来の透明導電性積層体に用い
られていた透明プラスチックフィルムのヘイズ値および
上記同様の熱収縮率がそれぞれ約2〜4%および約2〜
5%であったのに較べて、ヘイズ値が低(てかつ加熱に
よる収縮が非常に抑えられたものであることを特徴とし
ている。
なお、上記のヘイズ値は、フィルムに可視光を照射した
ときの全透過光に対する拡散透過光の割業株式会社製の
オートマチックデジタルヘーズメータ(NDH−20D
)を用いて行い、下記の式;にしたがって算出した。こ
のヘイズ値が小さいほどフィルムの透明性にすぐれてい
ることを意味している。
ときの全透過光に対する拡散透過光の割業株式会社製の
オートマチックデジタルヘーズメータ(NDH−20D
)を用いて行い、下記の式;にしたがって算出した。こ
のヘイズ値が小さいほどフィルムの透明性にすぐれてい
ることを意味している。
また、上記の熱収縮率は、縦横共に50ttxの大きさ
に切断した試験フィルムを用いて、加熱試験後に縦横の
寸法を測定し、これと加熱試験前の寸法との差を収縮長
さとして、下記の式;にしたがって縦横の熱収縮率を算
出したものである。この明細書において、縦横の表示を
せず、ただ単に熱収縮率が0.5%以下というときは、
縦方向および横方向共に0.5%以下の熱収縮率である
ことを意味している。
に切断した試験フィルムを用いて、加熱試験後に縦横の
寸法を測定し、これと加熱試験前の寸法との差を収縮長
さとして、下記の式;にしたがって縦横の熱収縮率を算
出したものである。この明細書において、縦横の表示を
せず、ただ単に熱収縮率が0.5%以下というときは、
縦方向および横方向共に0.5%以下の熱収縮率である
ことを意味している。
一般に、透明プラスチックフィルムは、プラスチック素
材を押出加工などの公知の各種加工手段でフィルム成形
したのち、延伸加工などの所要の工程を経てつ(られて
いるが、上記のプラスチック素材には種々の目的で滑剤
や触媒、促進剤などの添加剤が添加されることが多い。
材を押出加工などの公知の各種加工手段でフィルム成形
したのち、延伸加工などの所要の工程を経てつ(られて
いるが、上記のプラスチック素材には種々の目的で滑剤
や触媒、促進剤などの添加剤が添加されることが多い。
この発明の上記透明プラスチックフィルムは、たとえば
上記の添加剤成分のうち、酸化チタンや炭酸カルシウム
の如き滑剤などを極力少なくし、かつこの成形材料を用
いて上記公知の方法で作製された加工フィルム(これは
市販フィルムであってもよい)にさらに特定の熱固定を
施すことにより、得ることができる。
上記の添加剤成分のうち、酸化チタンや炭酸カルシウム
の如き滑剤などを極力少なくし、かつこの成形材料を用
いて上記公知の方法で作製された加工フィルム(これは
市販フィルムであってもよい)にさらに特定の熱固定を
施すことにより、得ることができる。
上記の熱固定とは、プラスチック素材の融点に近い温度
まで加熱し、テンションをかけたまま徐冷、つまりゆっ
くりと室温まで冷却するものである。加熱温度はプラス
チック素材により異なるがら一概には決められないが、
一般には180〜220℃の範囲とするのがよく、最も
代表的なプラスチック素材として知られるポリエチレン
テレフタレートでは特に190〜200℃の範囲が好適
である。加熱時間は通常1〜10分間程度で充分である
。
まで加熱し、テンションをかけたまま徐冷、つまりゆっ
くりと室温まで冷却するものである。加熱温度はプラス
チック素材により異なるがら一概には決められないが、
一般には180〜220℃の範囲とするのがよく、最も
代表的なプラスチック素材として知られるポリエチレン
テレフタレートでは特に190〜200℃の範囲が好適
である。加熱時間は通常1〜10分間程度で充分である
。
この発明に使用可能なプラスチック素材としては、上述
のポリエチレンテレフタレートをはシメとするポリエス
テルのほか、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイ
ミド、トリアセテートなどが挙げられ、100℃以上の
耐熱性を有するものが好ましく用いられる。
のポリエチレンテレフタレートをはシメとするポリエス
テルのほか、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイ
ミド、トリアセテートなどが挙げられ、100℃以上の
耐熱性を有するものが好ましく用いられる。
この発明の透明プラスチックフィルムは、ヘイズ値およ
び150℃、30分の加熱条件での熱収縮率が前記要件
を満足する限り、上述とは異なる方法で作製されたもの
であってもよい。フィルムの厚みも特に限定されるもの
ではないが、一般には50〜2001IM程度の厚みを
有しているのが好ましい。
び150℃、30分の加熱条件での熱収縮率が前記要件
を満足する限り、上述とは異なる方法で作製されたもの
であってもよい。フィルムの厚みも特に限定されるもの
ではないが、一般には50〜2001IM程度の厚みを
有しているのが好ましい。
この発明において上記の透明プラスチックフィルムから
なる基材フィルムの少なくとも片面に形成される透明導
電性薄膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、これら
の混合酸化物、酸化スズと酸化アンチモンとの混合酸化
物などからなる酸化物薄膜、金、銀、銅、白金、パラジ
ウム、アルミニウム、インジウム、スズ、カドミウム、
亜鉛などの金属薄膜、または上記の酸化物薄膜と金属薄
膜とを好ましくはこの順に積層した積層薄膜などが挙げ
られる。これらの中でも、酸化インジウムと酸化スズと
の混合酸化物薄膜上にパラジウム薄膜を積層してなる積
層薄膜が、透明性、導電性およびフィルム基材への密着
性の点で、最も好ましい。
なる基材フィルムの少なくとも片面に形成される透明導
電性薄膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、これら
の混合酸化物、酸化スズと酸化アンチモンとの混合酸化
物などからなる酸化物薄膜、金、銀、銅、白金、パラジ
ウム、アルミニウム、インジウム、スズ、カドミウム、
亜鉛などの金属薄膜、または上記の酸化物薄膜と金属薄
膜とを好ましくはこの順に積層した積層薄膜などが挙げ
られる。これらの中でも、酸化インジウムと酸化スズと
の混合酸化物薄膜上にパラジウム薄膜を積層してなる積
層薄膜が、透明性、導電性およびフィルム基材への密着
性の点で、最も好ましい。
これら各薄膜の形成手段は任意であり、公知の薄膜形成
技術、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法などの方法を任意に採用することがで
きる。膜厚としては、酸化物薄膜では通常100〜1,
000λ、金属薄膜では通常10〜200Aとするのが
よく、個々の薄膜形成材料に応じて透明性を保有しかつ
薄膜形成後の表面電気抵抗が通常100〜1,000Ω
/口の範囲となるように適宜設定される。
技術、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法などの方法を任意に採用することがで
きる。膜厚としては、酸化物薄膜では通常100〜1,
000λ、金属薄膜では通常10〜200Aとするのが
よく、個々の薄膜形成材料に応じて透明性を保有しかつ
薄膜形成後の表面電気抵抗が通常100〜1,000Ω
/口の範囲となるように適宜設定される。
第1図は、以との構成要素からなるこの発明の透明導電
性積層体の一例を示したもので、図中、1は前記した特
定の透明プラスチックフィルム、2はこのフィルム1の
片面に形成された酸化物薄膜2aと金属薄膜2bとの積
層薄膜からなる透明導電性薄膜である。
性積層体の一例を示したもので、図中、1は前記した特
定の透明プラスチックフィルム、2はこのフィルム1の
片面に形成された酸化物薄膜2aと金属薄膜2bとの積
層薄膜からなる透明導電性薄膜である。
第2図は、上記第1図の透明導電性積層体をエレクトロ
ルミネッセンス素子の透明電極として応用した例を示し
たものである。すなわち、透明プラスチックフィルム1
と透明導電性薄膜2とからなる透明導電性積層体3の上
記薄膜2上にリード電極用の銀ペーストと有機分散型発
光体層用材料を順次スクリーン印刷し、各印刷後に所要
の加熱乾燥を経て所定パターンのリード電極4および発
光体層5を形成し、さらにこの発光体層5上に絶縁層(
誘電体層)6を介して背面電極7を積層することにより
、エレクトロルミネッセンス素子を構成させるようにし
たものである。
ルミネッセンス素子の透明電極として応用した例を示し
たものである。すなわち、透明プラスチックフィルム1
と透明導電性薄膜2とからなる透明導電性積層体3の上
記薄膜2上にリード電極用の銀ペーストと有機分散型発
光体層用材料を順次スクリーン印刷し、各印刷後に所要
の加熱乾燥を経て所定パターンのリード電極4および発
光体層5を形成し、さらにこの発光体層5上に絶縁層(
誘電体層)6を介して背面電極7を積層することにより
、エレクトロルミネッセンス素子を構成させるようにし
たものである。
このように構成されるエレクトロルミネッセンス素子に
おいては、用いる透明導電性積層体3がその透明プラス
チックフィルム1の低熱収縮性(こ起因して加熱による
収縮を引き起こしにくいものであるために、リード電極
4や発光体層5などのスクリーン印刷にほとんどずれが
みられず、かつ上記フィルムのヘイズ値が低くて視認性
の悪化もないことから、この素子を表示装置に組み込ん
だとき非常にすぐれた表示性能が得られる。
おいては、用いる透明導電性積層体3がその透明プラス
チックフィルム1の低熱収縮性(こ起因して加熱による
収縮を引き起こしにくいものであるために、リード電極
4や発光体層5などのスクリーン印刷にほとんどずれが
みられず、かつ上記フィルムのヘイズ値が低くて視認性
の悪化もないことから、この素子を表示装置に組み込ん
だとき非常にすぐれた表示性能が得られる。
〔発明の効果1
以上のように、この発明によれば、ヘイズ値が低くてか
つ加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロルミ
ネッセンス素子やエレクトロクロミック素子などの透明
電極に適用したとき従来のものに比しはるかに表示性能
にすぐれる表示装置を付与しうる透明導電性積層体を提
供することができる。
つ加熱による収縮を引き起こしにくい、エレクトロルミ
ネッセンス素子やエレクトロクロミック素子などの透明
電極に適用したとき従来のものに比しはるかに表示性能
にすぐれる表示装置を付与しうる透明導電性積層体を提
供することができる。
[実施例]
つぎに、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例
厚さ75/”のポリエチレンテレフタレートフィルム〔
帝人■製のテトロンフィルム、0タイプ;ヘイズ値0.
3%〕を用い、このフィルムを200℃で3分間加熱し
たのち、テンションをかけたまま徐冷した。得られたフ
ィルムは、150℃、30分の加熱条件での熱収縮率が
縦方向で0.4%、横方向で0.1%であった。
帝人■製のテトロンフィルム、0タイプ;ヘイズ値0.
3%〕を用い、このフィルムを200℃で3分間加熱し
たのち、テンションをかけたまま徐冷した。得られたフ
ィルムは、150℃、30分の加熱条件での熱収縮率が
縦方向で0.4%、横方向で0.1%であった。
つぎに、スパッタ装置の基板側に上記の低熱収縮フィル
ムを基材フィルムとして取り付け、スパッタ電極上にイ
ンジウム90重量%とスズ10重量%とからなる合金タ
ーゲットを装着し、1×1O−3Paまで真空引きを行
ったうえで、アルゴンガスを100CC/分、酸素ガス
を15CC/分流入させて、装置内を4X10 Pa
に保った。この状態で上記のスパッタ電極に直流電圧4
00Vを印加してグロー放電させ、30秒間スパッタリ
ングを行うことにより、つまり反応性マグネトロシスバ
ッタリングを行うことにより、低収縮フィルムの片面に
酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化物からなる厚さ
が20OAの酸化物薄膜を形成した。
ムを基材フィルムとして取り付け、スパッタ電極上にイ
ンジウム90重量%とスズ10重量%とからなる合金タ
ーゲットを装着し、1×1O−3Paまで真空引きを行
ったうえで、アルゴンガスを100CC/分、酸素ガス
を15CC/分流入させて、装置内を4X10 Pa
に保った。この状態で上記のスパッタ電極に直流電圧4
00Vを印加してグロー放電させ、30秒間スパッタリ
ングを行うことにより、つまり反応性マグネトロシスバ
ッタリングを行うことにより、低収縮フィルムの片面に
酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化物からなる厚さ
が20OAの酸化物薄膜を形成した。
ついで、上記のスパッタ装置をそのまま用いて、ターゲ
ットをパラジウムに変え、かつアルゴンガスのみを流入
させるようにした以外は、上記と同様にして3秒間スパ
ッタリングを行うことにより、酸化物薄膜上に厚さが2
OAのパラジウム薄膜からなる金属薄膜を形成した。
ットをパラジウムに変え、かつアルゴンガスのみを流入
させるようにした以外は、上記と同様にして3秒間スパ
ッタリングを行うことにより、酸化物薄膜上に厚さが2
OAのパラジウム薄膜からなる金属薄膜を形成した。
このようにして得られたポリエチレンテレフタレートか
らなる透明プラスチックフィルムとこの上の上記酸化物
薄膜および上記金属薄膜からなる透明導電性薄膜とで構
成された第1図に示す構造の透明導電性積層体は、その
表面電気抵抗が300Ω/口、550nmでの光透過率
が8296、ヘイズ値が0,8%であり、また150℃
、30分の加熱条件での熱収縮率が縦方向で0.4%、
横方向で0.1%であった。
らなる透明プラスチックフィルムとこの上の上記酸化物
薄膜および上記金属薄膜からなる透明導電性薄膜とで構
成された第1図に示す構造の透明導電性積層体は、その
表面電気抵抗が300Ω/口、550nmでの光透過率
が8296、ヘイズ値が0,8%であり、また150℃
、30分の加熱条件での熱収縮率が縦方向で0.4%、
横方向で0.1%であった。
つぎに、この透明導電性積層体を用いて以下の方法でエ
レクトロルミネッセンス素子を作製した。
レクトロルミネッセンス素子を作製した。
まず、上記積層体の透明導電性薄膜上に銀ペーストをス
クリーン印刷し、150℃で30分間加熱乾燥して厚さ
40μのリード電極を形成した。ついで、上記薄膜上に
バインダとしてのシアノエチルセルロースのアセトン溶
液にけい光体粉末を分散させてなる液をスクリーン印刷
し、60℃で120分間加熱したのち、150℃に昇温
しで2分間加熱し、厚さが60μの発光体層を形成した
。
クリーン印刷し、150℃で30分間加熱乾燥して厚さ
40μのリード電極を形成した。ついで、上記薄膜上に
バインダとしてのシアノエチルセルロースのアセトン溶
液にけい光体粉末を分散させてなる液をスクリーン印刷
し、60℃で120分間加熱したのち、150℃に昇温
しで2分間加熱し、厚さが60μの発光体層を形成した
。
なお、上記のけい光体粉末としては硫化亜鉛を主成分と
する粉末を用い、この粉末とシアノエチルセルロースと
の重量配合比は84:16とした。
する粉末を用い、この粉末とシアノエチルセルロースと
の重量配合比は84:16とした。
しかるのち、上記の発光体層上に上記と同じシアノエチ
ルセルロースのアセトン溶液にチタン酸バリウム粉末を
分散させたものを塗布した。なお、チタン酸バリウム粉
末とシアノエチルセルロースとの重量配合比は1:1と
した。その後、60℃で120分間加熱して大部分のア
セトンを除去したうえで、厚さ200μのアルミニウム
箔を載置し、このアルミニウム箔と一体に150℃に昇
温しで2分間加熱することにより、厚さが407”の絶
縁層を形成するとともに、この絶縁層上に背面電極とし
てのアルミニウム箔を密着一体化させた第2図に示す構
造のエレクトロルミネッセンス素子を得た。
ルセルロースのアセトン溶液にチタン酸バリウム粉末を
分散させたものを塗布した。なお、チタン酸バリウム粉
末とシアノエチルセルロースとの重量配合比は1:1と
した。その後、60℃で120分間加熱して大部分のア
セトンを除去したうえで、厚さ200μのアルミニウム
箔を載置し、このアルミニウム箔と一体に150℃に昇
温しで2分間加熱することにより、厚さが407”の絶
縁層を形成するとともに、この絶縁層上に背面電極とし
てのアルミニウム箔を密着一体化させた第2図に示す構
造のエレクトロルミネッセンス素子を得た。
この素子は、加熱工程での透明導電性積層体の熱収縮が
小さいため、リード電極や発光体層の印刷ずれが0.1
%以下に抑えられており、また表示側(透明電極側)の
透明性の低下もみられず、これを組み込んだ表示装置は
すぐれた表示性能を発揮するものであることが確認され
た。
小さいため、リード電極や発光体層の印刷ずれが0.1
%以下に抑えられており、また表示側(透明電極側)の
透明性の低下もみられず、これを組み込んだ表示装置は
すぐれた表示性能を発揮するものであることが確認され
た。
比較例
厚さ75/’Iのポリエチレンテレフタレートフイルム
[奇人■製のテトロンフィルム、Sタイプ;ヘイズ値2
%]をそのまま、つまり200℃、3分の熱固定処理を
施さないで用いた以外は、実施例と全く同様にして第1
図に示す構造の透明導電性積層体を得た。
[奇人■製のテトロンフィルム、Sタイプ;ヘイズ値2
%]をそのまま、つまり200℃、3分の熱固定処理を
施さないで用いた以外は、実施例と全く同様にして第1
図に示す構造の透明導電性積層体を得た。
なお、上記基材フィルムの150℃、30分の加熱条件
での熱収縮率は縦方向で3%、横方向で1.5%であっ
た。また、得られた積層体の表面電気抵抗は300Ω/
口、550nmでの光透過率は80%、ヘイズ値は2.
2%であり、さらに150℃、30分の加熱条件での熱
収縮率は縦方向で2゜8%、横方向で1,4%であった
。
での熱収縮率は縦方向で3%、横方向で1.5%であっ
た。また、得られた積層体の表面電気抵抗は300Ω/
口、550nmでの光透過率は80%、ヘイズ値は2.
2%であり、さらに150℃、30分の加熱条件での熱
収縮率は縦方向で2゜8%、横方向で1,4%であった
。
つぎに、この透明導電性積層体を用いて実施例と同様に
してエレクトロルミネッセンス素子を作製したところ、
リード電極や発光体層の印刷ずれが2%と大きく、かつ
表示側の透明性が大きく損なわれており、これを組み込
んだ表示装置は実施例のものに比し表示性能に著しく劣
っていた。
してエレクトロルミネッセンス素子を作製したところ、
リード電極や発光体層の印刷ずれが2%と大きく、かつ
表示側の透明性が大きく損なわれており、これを組み込
んだ表示装置は実施例のものに比し表示性能に著しく劣
っていた。
第1図はこの発明の透明導電性積層体の一例を示す断面
図、第2図は上記積層体を用いて作製したエレクトロル
ミネッセンス素子の構成例を示す断面図である。 1・・・透明プラスチックフィルム、2 (2a、2b
)・・・透明導電性薄膜、3・・・透明導電性積層体特
許出願人 日東電気工業株式会社
図、第2図は上記積層体を用いて作製したエレクトロル
ミネッセンス素子の構成例を示す断面図である。 1・・・透明プラスチックフィルム、2 (2a、2b
)・・・透明導電性薄膜、3・・・透明導電性積層体特
許出願人 日東電気工業株式会社
Claims (1)
- (1)ヘイズ値が1%以下で、かつ150℃、30分の
加熱条件での熱収縮率が0.5%以下である透明プラス
チックフィルムの少なくとも片面に透明導電性薄膜が形
成されてなる透明導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157565A JP2545116B2 (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 透明導電性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157565A JP2545116B2 (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 透明導電性積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026126A true JPH026126A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2545116B2 JP2545116B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=15652462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63157565A Expired - Lifetime JP2545116B2 (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 透明導電性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545116B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145746A (en) * | 1990-10-26 | 1992-09-08 | Diafoil Company, Ltd. | Laminating material for safety glass |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874324A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-04 | Toray Ind Inc | 二軸延伸ポリエステルフィルムの熱処理方法 |
| JPS59158015A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルム |
| JPS60229009A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶電極用透明導電性フイルム |
| JPS61255847A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | コニカ株式会社 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPS6218254A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | 日東電工株式会社 | 積層体 |
| JPS62140828A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-24 | Diafoil Co Ltd | 透明導電フイルム用ポリエステルフイルム |
| JPS632129A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光情報記録媒体用保護フイルム |
-
1988
- 1988-06-25 JP JP63157565A patent/JP2545116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145746A (en) * | 1990-10-26 | 1992-09-08 | Diafoil Company, Ltd. | Laminating material for safety glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545116B2 (ja) | 1996-10-16 |
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