JPH0261622A - エレクトロクロミック素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミック素子の製造方法Info
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- JPH0261622A JPH0261622A JP63213094A JP21309488A JPH0261622A JP H0261622 A JPH0261622 A JP H0261622A JP 63213094 A JP63213094 A JP 63213094A JP 21309488 A JP21309488 A JP 21309488A JP H0261622 A JPH0261622 A JP H0261622A
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- ion
- insulating layer
- layer
- conductive insulating
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は全固体薄膜積層型エレクトロクロミック素子（
以下ＥＣＤと略記する）の製造方法に関する。
以下ＥＣＤと略記する）の製造方法に関する。
（従来の技術）
電気信号による可逆的な酸化還元反応の誘起で生ずる光
吸収変化は一般にエレクトロクロミック現象と呼ばれ、
この現象を用いた素子をＥＣＤとと称する。
吸収変化は一般にエレクトロクロミック現象と呼ばれ、
この現象を用いた素子をＥＣＤとと称する。
ＥＣＤは大別すると液体型と固体型に分類され、大型文
字板、セグメント等の表示素子やフィルタ、調光ミラー
、絞り等光調光素子への応用が期待されている。
字板、セグメント等の表示素子やフィルタ、調光ミラー
、絞り等光調光素子への応用が期待されている。
一例として全固体薄膜積層型ＥＣＤの従来の構成例を第
６図に示す。
６図に示す。
この素子は透明基体１上に、下部第一電極（表示電極）
２、第一エレクトロクロミック層（酸化着色層）３．イ
オン導伝絶縁層４．第二エレクトロクロミック層（還元
着色層）５及び上部第二電極（対向電極）６を順次積層
した構造を有し、前記酸化着色層３は、例えば、酸化イ
リジウム（ＩｒｅＸ） 、酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ
） ２１等の酸化発色性物質で構成され、イオン導電絶
縁層４は五酸化タンタル（Ｔａ２ｏｓ） 、酸化ジＪＬ
／：Ｔ 二’） ｂ （Ｚｒ０２）等の酸化物、弗化リ
チウム（ＬｉＦ） 、弗化マグネシウム（ＭｇＦ ２
）等の弗化物誘電体からなり、還元着色層５は三酸化タ
ングステン（ＷＯ３）等の還元発色性物質で構成されて
いる。又、透明基体１はガラス板、ポリイミド等透明樹
脂板等で構成され、第一電極２は、ＩＴＯ膜（Ｉｎ２Ｏ
，中にＳｎＯ，をドープしたもの）やネサ膜（Ｓｎ０２
）で構成される。
２、第一エレクトロクロミック層（酸化着色層）３．イ
オン導伝絶縁層４．第二エレクトロクロミック層（還元
着色層）５及び上部第二電極（対向電極）６を順次積層
した構造を有し、前記酸化着色層３は、例えば、酸化イ
リジウム（ＩｒｅＸ） 、酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ
） ２１等の酸化発色性物質で構成され、イオン導電絶
縁層４は五酸化タンタル（Ｔａ２ｏｓ） 、酸化ジＪＬ
／：Ｔ 二’） ｂ （Ｚｒ０２）等の酸化物、弗化リ
チウム（ＬｉＦ） 、弗化マグネシウム（ＭｇＦ ２
）等の弗化物誘電体からなり、還元着色層５は三酸化タ
ングステン（ＷＯ３）等の還元発色性物質で構成されて
いる。又、透明基体１はガラス板、ポリイミド等透明樹
脂板等で構成され、第一電極２は、ＩＴＯ膜（Ｉｎ２Ｏ
，中にＳｎＯ，をドープしたもの）やネサ膜（Ｓｎ０２
）で構成される。
この様な構成のＥＣＤは、第一電極２と第二電極６との
間に電圧を印加することによって、電気化学反応が誘起
され着色又は消色を行う。
間に電圧を印加することによって、電気化学反応が誘起
され着色又は消色を行う。
例えば、酸化着色層３をＩｒｅ、で、そして還元着色層
５をＷＯ３で構成し、第一電極２側をプラス（◆）、第
二電極６側をマイナス（−）に印加すると、ＩｒｅＸ層
及びＷＯ３層は夫々、 Ｉｒ０１Ｉ＋ｙＨ２０，，１−＋ ＩｒＯ，（ＯＨ）、
＋ｙＨ” ＋ｙｅ−ＷＯ，＋ｙＨ” ＋ｙｅ ４ Ｈ
，１０゜（但し、１１□Ｏａｄは素子中に含まれる吸着
水を示す。） なる反応により、着色種Ｉｒｅ、、（ＯＨ） 、及び１
１，４．０３が生成して発色し、電界を逆転することに
より上記と逆の反応が起こり消色するものと考えられて
いる。
５をＷＯ３で構成し、第一電極２側をプラス（◆）、第
二電極６側をマイナス（−）に印加すると、ＩｒｅＸ層
及びＷＯ３層は夫々、 Ｉｒ０１Ｉ＋ｙＨ２０，，１−＋ ＩｒＯ，（ＯＨ）、
＋ｙＨ” ＋ｙｅ−ＷＯ，＋ｙＨ” ＋ｙｅ ４ Ｈ
，１０゜（但し、１１□Ｏａｄは素子中に含まれる吸着
水を示す。） なる反応により、着色種Ｉｒｅ、、（ＯＨ） 、及び１
１，４．０３が生成して発色し、電界を逆転することに
より上記と逆の反応が起こり消色するものと考えられて
いる。
この着消色反応において、イオン導伝絶縁層４は、Ｈ２
Ｏ，ｄの供給源であると同時に、着色種の再結合による
逆反応を防ぐこと、換言すればイオンの導通と電子のブ
ロッキングを行うという働きを有する。
Ｏ，ｄの供給源であると同時に、着色種の再結合による
逆反応を防ぐこと、換言すればイオンの導通と電子のブ
ロッキングを行うという働きを有する。
ＥＣＤとしての性能は上記イオン導伝絶縁層の１１２０
ａＪが多いほど向上する。そこで特性のよいＥ ＣＩ）
を得るためには水を上記イオン導伝絶縁層内にＭ極的に
取り入れる必要がある。この方法の１つは、上記イオン
導伝絶縁層形成後、高湿度雰囲気にＥＣＤを放置する方
法があり、又、別の方法は、水の蒸気圧下で上記イオン
導伝絶縁層を形成する方法がある。
ａＪが多いほど向上する。そこで特性のよいＥ ＣＩ）
を得るためには水を上記イオン導伝絶縁層内にＭ極的に
取り入れる必要がある。この方法の１つは、上記イオン
導伝絶縁層形成後、高湿度雰囲気にＥＣＤを放置する方
法があり、又、別の方法は、水の蒸気圧下で上記イオン
導伝絶縁層を形成する方法がある。
（発明が解決しようといている問題点）しかしながら、
上記イオン導伝絶縁層中へ水の導入を行うと、膜が膨潤
してしまい、機械的強度が大きく低下してしまうという
欠点、換言すると、その後の膜形成プロセス、特に上部
第二電極形成プロセスにおいて、第二電極である１７０
層の内部応力により、膜剥離が生じてしまうという欠点
をもっていた。特にイオン導伝絶縁層にＴａ２Ｏ。
上記イオン導伝絶縁層中へ水の導入を行うと、膜が膨潤
してしまい、機械的強度が大きく低下してしまうという
欠点、換言すると、その後の膜形成プロセス、特に上部
第二電極形成プロセスにおいて、第二電極である１７０
層の内部応力により、膜剥離が生じてしまうという欠点
をもっていた。特にイオン導伝絶縁層にＴａ２Ｏ。
層を用いると、酸化着色層であるＩｒ匹層との付着があ
まりよくなく、この膜剥離は顕著に生じてしまう。
まりよくなく、この膜剥離は顕著に生じてしまう。
従って本発明は、上記膜剥離を抑え、且つ水を充分に含
み着色濃度変化の大きいＥＣＤを提供することを目的と
する。
み着色濃度変化の大きいＥＣＤを提供することを目的と
する。
（問題点を解決するための手段）
上記目的は以下の本発明によって達成された。
すなわち、本発明は、下部第一電極と上部第二電極とか
らなる一対の電極間に、酸化着色層、イオン導伝絶縁層
及び還元着色層が介在してなる全固体７＃膜積層型エレ
クトロクロミック素子において、第一電極上に形成した
酸化着色層の表面にイオンボンバードメント処理を施し
１次いでその上にイオン導伝絶縁層の一部を形成し、更
にその表面にイオンボンバードメント処理を施した後、
残りのイオン導伝絶縁層を形成することを特徴とするエ
レクトロクロミック素子の製造方法である。
らなる一対の電極間に、酸化着色層、イオン導伝絶縁層
及び還元着色層が介在してなる全固体７＃膜積層型エレ
クトロクロミック素子において、第一電極上に形成した
酸化着色層の表面にイオンボンバードメント処理を施し
１次いでその上にイオン導伝絶縁層の一部を形成し、更
にその表面にイオンボンバードメント処理を施した後、
残りのイオン導伝絶縁層を形成することを特徴とするエ
レクトロクロミック素子の製造方法である。
（作 用）
本発明によれば、一対の電極間に酸化着色層、イオン導
伝絶縁層及び還元着色層が介在してなる全固体薄膜積層
型ＥＣＤの製造過程において、上記酸化着色層の表面を
イオンボンバードメント処理し、且つ上記イオン導伝絶
縁層の一部形成後にその表面をイオンボンバードメント
処理するか、更に加えてイオン導伝絶縁層形成後にその
表面をイオンボンバードメント処理することにより、酸
化着色層／イオン導伝絶縁層の付着強度を向上させ、素
子内に十分な水を採り込んでも膜剥離が無く、且つ従来
よりも着色濃度変化の大きなＥＣＤが提供される。
伝絶縁層及び還元着色層が介在してなる全固体薄膜積層
型ＥＣＤの製造過程において、上記酸化着色層の表面を
イオンボンバードメント処理し、且つ上記イオン導伝絶
縁層の一部形成後にその表面をイオンボンバードメント
処理するか、更に加えてイオン導伝絶縁層形成後にその
表面をイオンボンバードメント処理することにより、酸
化着色層／イオン導伝絶縁層の付着強度を向上させ、素
子内に十分な水を採り込んでも膜剥離が無く、且つ従来
よりも着色濃度変化の大きなＥＣＤが提供される。
尚、本発明の好ましい実施態様では、イオン導伝絶縁層
の形成後、該イオン導伝絶縁層の表面にイオンボンバー
ドメント処理を施すのが好ましく、又、イオンボンバー
ドメント処理のボンバードガスとして、アルゴン、酸素
或はアルゴンと酸素との混合ガスを使用し、ガス分圧１
乃至１５Ｐａ及び検力電力１．５ｗ−ｈｒ乃至１２０ｗ
−ｈｒの条件で行なうことが好ましく、又、残りのイオ
ン導伝絶縁層形成時に水を導入するのが好ましく、更に
水の導入を水分圧１乃至４Ｘ１０−２Ｐａの水蒸気圧で
行うのが好ましい。
の形成後、該イオン導伝絶縁層の表面にイオンボンバー
ドメント処理を施すのが好ましく、又、イオンボンバー
ドメント処理のボンバードガスとして、アルゴン、酸素
或はアルゴンと酸素との混合ガスを使用し、ガス分圧１
乃至１５Ｐａ及び検力電力１．５ｗ−ｈｒ乃至１２０ｗ
−ｈｒの条件で行なうことが好ましく、又、残りのイオ
ン導伝絶縁層形成時に水を導入するのが好ましく、更に
水の導入を水分圧１乃至４Ｘ１０−２Ｐａの水蒸気圧で
行うのが好ましい。
（実施例）
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例１
第１図に本発明の製造方法にて作成したＥＣＤの構成図
を示す。
を示す。
図中１１は透明基体、１２はＩＴＯ透明電極、１３は酸
化着色層である■ｒＯ，，層、１４（１４ａ、１４ｂ）
はイオン導伝絶縁層であるＴａ、０．層、１５は還元着
色層である１ｔｏ３層、１６は上部ＩＴＯ透明電極、Ｂ
はイオンボンバードメント処理が施された表面を示す。
化着色層である■ｒＯ，，層、１４（１４ａ、１４ｂ）
はイオン導伝絶縁層であるＴａ、０．層、１５は還元着
色層である１ｔｏ３層、１６は上部ＩＴＯ透明電極、Ｂ
はイオンボンバードメント処理が施された表面を示す。
第１図のＥＣＤは透明基体１１の上に透明電極であるＩ
ＴＯ層を１，０００人の厚みに形成し、その上に反応性
スパッタリング法を用いて酸化イリジウム（ＩｒｅＸ）
層を２５０人の厚みに形成し、その表面をアルゴンイオ
ンを用いてイオンボンバードメント処理を施した後、電
子ビーム蒸着法でＴａ２０５層を５００人の厚みに形成
し、再びその表面をアルゴンイオンでボンバードメント
処理した後、残りのＴａ２０Ｂ層を２，５００人の厚み
に蒸着して、その上に電子ビーム蒸着でＷＯ２層を４．
０００人の厚みに、更に反応性ＲＦイオンブレーティン
グ法でＩＴＯ層を１，２００人の厚みに積層したもので
ある。
ＴＯ層を１，０００人の厚みに形成し、その上に反応性
スパッタリング法を用いて酸化イリジウム（ＩｒｅＸ）
層を２５０人の厚みに形成し、その表面をアルゴンイオ
ンを用いてイオンボンバードメント処理を施した後、電
子ビーム蒸着法でＴａ２０５層を５００人の厚みに形成
し、再びその表面をアルゴンイオンでボンバードメント
処理した後、残りのＴａ２０Ｂ層を２，５００人の厚み
に蒸着して、その上に電子ビーム蒸着でＷＯ２層を４．
０００人の厚みに、更に反応性ＲＦイオンブレーティン
グ法でＩＴＯ層を１，２００人の厚みに積層したもので
ある。
尚、１４ｂ層には、Ｔａ２Ｏ，層を蒸着後、数時間真空
槽内に放置することで膜中に水が取り込まれる。１３層
の表面のイオンボンバードメント処理は、上部Ｔａ２０
５層の機械的付着力を高めるため、又、１４Ｂ層の表面
のイオンボンバードメント処理は水を含み込んだ上部の
２，５００人の厚みのＴａ２０５層の付着力を高める効
果がある。
槽内に放置することで膜中に水が取り込まれる。１３層
の表面のイオンボンバードメント処理は、上部Ｔａ２０
５層の機械的付着力を高めるため、又、１４Ｂ層の表面
のイオンボンバードメント処理は水を含み込んだ上部の
２，５００人の厚みのＴａ２０５層の付着力を高める効
果がある。
又、イオンボンバードメント処理は、真空槽を６Ｘ１０
−’Ｐａまで引き、アルゴンガスを６．６５１’ａまで
導入し、Ｉｒｅ、層表面はＤＣバイアス４５０Ｖ、イオ
ン電流ＩＡ及びボンバードメント処理時間１５秒間の条
件で、又、その他は４５０ｖ、３Ａ及び５分間の条件で
真空槽内にグロー放電を起させることにより行った。
−’Ｐａまで引き、アルゴンガスを６．６５１’ａまで
導入し、Ｉｒｅ、層表面はＤＣバイアス４５０Ｖ、イオ
ン電流ＩＡ及びボンバードメント処理時間１５秒間の条
件で、又、その他は４５０ｖ、３Ａ及び５分間の条件で
真空槽内にグロー放電を起させることにより行った。
以上のような方法で作製した本発明のＥＣＤは素子内に
充分水を含み込んだうえ、膜剥離も生しなかった。膜剥
離を防ぐためＥＣＤ内の水量を低く抑えた従来のＥＣＤ
と本発明のＥＣＤの＋１．５ｖ印加時の着色濃度変化を
第２図に示す。
充分水を含み込んだうえ、膜剥離も生しなかった。膜剥
離を防ぐためＥＣＤ内の水量を低く抑えた従来のＥＣＤ
と本発明のＥＣＤの＋１．５ｖ印加時の着色濃度変化を
第２図に示す。
ここで第２図（ａ）は本発明のＥＣＤ、（ｂ）は従来の
ＥＣＤの着色濃度変化を示す。又、イオンボンバードメ
ント処理を行なわないで（ａ）と同様のプロセスを経て
作成したＥＣＤは膜剥離を生じてしまった。
ＥＣＤの着色濃度変化を示す。又、イオンボンバードメ
ント処理を行なわないで（ａ）と同様のプロセスを経て
作成したＥＣＤは膜剥離を生じてしまった。
実施例２
第３図に本発明の他の実施例のＥＣＤの構成図を示す。
実施例１と同様にＩ「０や層と５００人の厚みの１８２
０５層の表面に前者はアルゴンガス圧６．６５Ｐａ、Ｄ
Ｃ４５０Ｖ、ＩＡ及び５分間で、後者はアルゴンガス圧
６．６５Ｐａ％ＤＣバイアス４５０Ｖ、イオン電流３Ａ
及びボンバードメント処理時間５分間の条件でイオンボ
ンバードメント処理を施した。その後真空槽に水を２．
７Ｘ １０−２Ｐａまで導入した雰囲気下で電子ビーム
蒸着法にてＴａ２０６層を２，５００人の厚みに蒸着し
、ＷＯ，層及び１７０層を逐次積層して本発明のＥＣＤ
を作成した。
０５層の表面に前者はアルゴンガス圧６．６５Ｐａ、Ｄ
Ｃ４５０Ｖ、ＩＡ及び５分間で、後者はアルゴンガス圧
６．６５Ｐａ％ＤＣバイアス４５０Ｖ、イオン電流３Ａ
及びボンバードメント処理時間５分間の条件でイオンボ
ンバードメント処理を施した。その後真空槽に水を２．
７Ｘ １０−２Ｐａまで導入した雰囲気下で電子ビーム
蒸着法にてＴａ２０６層を２，５００人の厚みに蒸着し
、ＷＯ，層及び１７０層を逐次積層して本発明のＥＣＤ
を作成した。
本実施例のＥＣＤの着色特性を第５図（ｂ）に示した。
尚、比較として、第５図（ａ）に実施例１のＥＣＤの着
色特性を示した。Ｔａ、０５層中の水量が実施例２より
多いためＥＣＤの特性は向上している。本実施例におい
ても膜剥離は生じていない。
色特性を示した。Ｔａ、０５層中の水量が実施例２より
多いためＥＣＤの特性は向上している。本実施例におい
ても膜剥離は生じていない。
実施例３
第４図に本発明の他の実施例のＥＣＤの構成図を示す。
本実施例では、Ｉｒｈ層と５００人の厚みのＴａ２Ｏ，
層に加えて、２，５００人の厚みのＴａ２Ｏ，層の表面
針３ケ所にイオンボンバードメント処理を施している。
層に加えて、２，５００人の厚みのＴａ２Ｏ，層の表面
針３ケ所にイオンボンバードメント処理を施している。
尚、２，５００人の厚みのＴａ、０５層の蒸着は実施例
２と同様に２．７×１０”’Ｐａの水蒸気圧下で行なっ
ている。
２と同様に２．７×１０”’Ｐａの水蒸気圧下で行なっ
ている。
本実施例により作成したＥＣＤの着色特性を第５図（ｅ
）に示した。本実施例においても水を導入したにもかか
わらず、膜剥離が生じていない。
）に示した。本実施例においても水を導入したにもかか
わらず、膜剥離が生じていない。
（発明の効果）
以上説明したように、全固体薄膜積層型ＥＣＤの製造過
程において、酸化着色層及びイオン導伝絶縁層の一部、
更に場合によってはこれらに加えて、イオン導伝絶縁層
上部の表面の２又は３ケ所にイオンボンバードメント処
理を施すことにより、膜剥離を生ぜず、且つ従来よりも
ＥＣＤ内に多くの水を含み込んだ着色濃度の高いＥＣＤ
が提供できるようになった。
程において、酸化着色層及びイオン導伝絶縁層の一部、
更に場合によってはこれらに加えて、イオン導伝絶縁層
上部の表面の２又は３ケ所にイオンボンバードメント処
理を施すことにより、膜剥離を生ぜず、且つ従来よりも
ＥＣＤ内に多くの水を含み込んだ着色濃度の高いＥＣＤ
が提供できるようになった。
第１図は本発明のＥＣＤの構成図、第２図は第１図の構
成のＥＣＤの着色特性、第３図、第４図は本発明の他の
実施例の構成図、第５図は第３図、第４図の構成のＥＣ
Ｄの着色特性、第６図は従来の全固体薄膜積層型ＥＣＤ
の構成図を示す。 ！、１１．３１．４１・・・・・・透明基体２．１２．
３２．４２−−−−−・第一電極３．１３．３３．４３
・・・・・・酸化着色層４．１４．３４．４４・・・・
・・イオン導伝絶縁層５．１５．３５．４５−−−−−
還元着色層６．１６．３６．４６−・・・・・第二電極
（ＩＴＯ）第１図
成のＥＣＤの着色特性、第３図、第４図は本発明の他の
実施例の構成図、第５図は第３図、第４図の構成のＥＣ
Ｄの着色特性、第６図は従来の全固体薄膜積層型ＥＣＤ
の構成図を示す。 ！、１１．３１．４１・・・・・・透明基体２．１２．
３２．４２−−−−−・第一電極３．１３．３３．４３
・・・・・・酸化着色層４．１４．３４．４４・・・・
・・イオン導伝絶縁層５．１５．３５．４５−−−−−
還元着色層６．１６．３６．４６−・・・・・第二電極
（ＩＴＯ）第１図
Claims (5)
- （１）下部第一電極と上部第二電極とからなる一対の電
極間に、酸化着色層、イオン導伝絶縁層及び還元着色層
が介在してなる全固体薄膜積層型エレクトロクロミック
素子において、第一電極上に形成した酸化着色層の表面
にイオンボンバードメント処理を施し、次いでその上に
イオン導伝絶縁層の一部を形成し、更にその表面にイオ
ンボンバードメント処理を施した後、残りのイオン導伝
絶縁層を形成することを特徴とするエレクトロクロミッ
ク素子の製造方法。 - （２）イオン導伝絶縁層の形成後、該イオン導伝絶縁層
の表面にイオンボンバードメント処理を施す請求項１に
記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - （３）イオンボンバードメント処理を、ボンバードガス
として、アルゴン、酸素或はアルゴンと酸素との混合ガ
スを使用し、ガス分圧１乃至１５Ｐａ及び投力電力１．
５ｗ・ｈｒ乃至１２０ｗ・ｈｒの条件で行なう請求項１
に記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - （４）残りのイオン導伝絶縁層形成時に水を導入する請
求項１に記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。 - （５）水の導入を水分圧１乃至４×１０＾−＾２Ｐａの
水蒸気圧で行う請求項４に記載のエレクトロクロミック
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213094A JP2707113B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213094A JP2707113B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261622A true JPH0261622A (ja) | 1990-03-01 |
| JP2707113B2 JP2707113B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=16633462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63213094A Expired - Fee Related JP2707113B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | エレクトロクロミック素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707113B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112259594A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 色阻结构、显示面板及显示装置 |
| US11966139B2 (en) | 2020-07-31 | 2024-04-23 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic element, and method for driving the same |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63213094A patent/JP2707113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11966139B2 (en) | 2020-07-31 | 2024-04-23 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic element, and method for driving the same |
| CN112259594A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 色阻结构、显示面板及显示装置 |
| CN112259594B (zh) * | 2020-10-23 | 2024-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 色阻结构、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2707113B2 (ja) | 1998-01-28 |
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