JPH0578805B2 - - Google Patents
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- JPH0578805B2 JPH0578805B2 JP59094058A JP9405884A JPH0578805B2 JP H0578805 B2 JPH0578805 B2 JP H0578805B2 JP 59094058 A JP59094058 A JP 59094058A JP 9405884 A JP9405884 A JP 9405884A JP H0578805 B2 JPH0578805 B2 JP H0578805B2
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なエレクトロクロミツク（以
下、「エレクトロクロミツク」をECと略す）表示
装置に関する。 〔従来の技術〕 乾電池程度の電圧を印加することによつて発色
し、逆電圧を印加することによつて元の無色透明
に消色するEC表示装置（以下、ECDと略す）は、
日の字型のセブンセグメントを用いた数字その他
の表示手段、反射率可能なミラー、透過光量可変
な窓、透過光量制御装置などに利用すべく実用化
にむけて盛んに研究されている。その１つとして
WO3，MoO3等の還元発色性EC物質を用いた
ECDがある（特公昭52−46098号参照）。 これらのEC物質が発色するには、電子（e-）
とカチオン（X+）の同時注入が必要とされ、発
色・消色に伴う反応式は次のように信じられてい
る。 消色時：WO3＋ne-＋nX+ ↓↑ ↓↑ 発色時：XnWO3 そして、カチオン（X+）としては、イオン半
径の小さく移動の容易なH+が主として使用され
ている。これらのカチオンは常時カチオンである
必要はなく、電圧が印加され電場が形成されたと
きカチオンが生ずればよいので、特にH+の場合
に水がカチオン供給源として利用される。水は電
場の中で H2Ｏ→H+＋OH- に従つて分解する。水は極く微量で十分であるら
しく、大気中から自然にWO3層に取り込まれる
量の水分でしばしば間に合う。 従つて、カチオンがH+の場合には、 (1) 発色時に、 （陰極側）WO3＋ne-＋nH+→HnWO3 nH2Ｏ→nH+＋nOH- （陽極側）ｎ（OH-）→ｎ／2H2Ｏ＋（ｎ／４）
O2↑＋ne- という反応が推定され、 (2) 消色時に、 （陽極側）HnWO3→WO3＋ne-＋nH+ （陰極側）ne-＋nH+→ｎ／2H2↑ という反応が生じるものと推定される。 これらの式からも明らかであるが、現実にも特
公昭52−46098号は駆動により水が消費されるの
で大気中から速やかに水が供給されないと発色し
なくなり、また、駆動に伴つてO2ガスやH2ガス
が放出されるので層間剥離を生じるという欠点が
あつた。 そのため、WO3層の隣に「イオン良導体であ
る電子絶縁層と水酸化イリジウムとの２層」を設
けた全固体型ECDが提案された（特開昭56−
4679号参照）。このECDは、第３図に示すよう
に、５層構造のものである。このECDでは、水
酸化イリジウム層を電解酸化還元層として使用
し、WO3の発色時に、陽極側で
下、「エレクトロクロミツク」をECと略す）表示
装置に関する。 〔従来の技術〕 乾電池程度の電圧を印加することによつて発色
し、逆電圧を印加することによつて元の無色透明
に消色するEC表示装置（以下、ECDと略す）は、
日の字型のセブンセグメントを用いた数字その他
の表示手段、反射率可能なミラー、透過光量可変
な窓、透過光量制御装置などに利用すべく実用化
にむけて盛んに研究されている。その１つとして
WO3，MoO3等の還元発色性EC物質を用いた
ECDがある（特公昭52−46098号参照）。 これらのEC物質が発色するには、電子（e-）
とカチオン（X+）の同時注入が必要とされ、発
色・消色に伴う反応式は次のように信じられてい
る。 消色時：WO3＋ne-＋nX+ ↓↑ ↓↑ 発色時：XnWO3 そして、カチオン（X+）としては、イオン半
径の小さく移動の容易なH+が主として使用され
ている。これらのカチオンは常時カチオンである
必要はなく、電圧が印加され電場が形成されたと
きカチオンが生ずればよいので、特にH+の場合
に水がカチオン供給源として利用される。水は電
場の中で H2Ｏ→H+＋OH- に従つて分解する。水は極く微量で十分であるら
しく、大気中から自然にWO3層に取り込まれる
量の水分でしばしば間に合う。 従つて、カチオンがH+の場合には、 (1) 発色時に、 （陰極側）WO3＋ne-＋nH+→HnWO3 nH2Ｏ→nH+＋nOH- （陽極側）ｎ（OH-）→ｎ／2H2Ｏ＋（ｎ／４）
O2↑＋ne- という反応が推定され、 (2) 消色時に、 （陽極側）HnWO3→WO3＋ne-＋nH+ （陰極側）ne-＋nH+→ｎ／2H2↑ という反応が生じるものと推定される。 これらの式からも明らかであるが、現実にも特
公昭52−46098号は駆動により水が消費されるの
で大気中から速やかに水が供給されないと発色し
なくなり、また、駆動に伴つてO2ガスやH2ガス
が放出されるので層間剥離を生じるという欠点が
あつた。 そのため、WO3層の隣に「イオン良導体であ
る電子絶縁層と水酸化イリジウムとの２層」を設
けた全固体型ECDが提案された（特開昭56−
4679号参照）。このECDは、第３図に示すよう
に、５層構造のものである。このECDでは、水
酸化イリジウム層を電解酸化還元層として使用
し、WO3の発色時に、陽極側で
しかしながら、従来（第３図）のECDは、長
時間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも
色が残り、元の無色透明にならず、そのため発消
色のコントラストが低下することが判明した。 従つて、本発明の目的は、従来のECDの欠点、
つまり長時間の高温耐久性試験に供したときのコ
ントラストの低下を改善することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、鋭意研究の結果、水酸化又は酸
化イリジウム層とそれに隣接する第２電極層の２
層に代えて、「イリジウム金属それ自体又はその
酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と導電性
無機酸化物又は無機弗化物からなる透明固体分散
媒とで形成される透明分散層であつて、前記分散
質が前記透明固体分散媒中に極微粒状態で分散し
ている透明分散層であつて、かつ、真空薄膜形成
技術又は厚膜法により形成したもの」１層を第２
電極層として使用することによつて、目的が達成
されることを見い出し、本発明を成すに至つた。 よつて、本発明は、第一に、 「第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」を提供する。 また、第二に、本発明は、 「透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」 を提供する。 更にまた、本発明は、第三に、 「第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」 を提供する。 また、本発明は、第四に、 「第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 また、本発明は、第五に、 「透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 また、本発明は、第六に、 「第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 〔作用〕 第１電極層Ａ又は第３電極層Ｅのうち表示側に
使用されるものは透明でなければならないが、透
明電極材料としては、例えばSnO2，In2O3，ITO
（In2O3に５％程度のSnO2を混入させたもの）等
が使用される。 電極層Ａ又はＥの厚さとしては、透明度及び抵
抗にもよるが、一般には0.01〜0.5μｍである。 従つて、電極層Ａ又はＥは、一般には、真空蒸
着、反応性蒸着、イオンプレーテイング、反応性
イオンプレーテイング、スパツタリング等の真空
薄膜形成技術で作られるが、場合によつては有機
金属化合物例えば金属アルコラートまたはそのオ
リゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆる厚膜法で作つてもよい。 還元発色性EC層Ｂには既に知られているよう
に非晶質WO3又はMoO3が使用される。これらの
EC層は真空薄膜形成技術により、一般に0.01〜
数μｍの厚さに形成される。 透明イオン導電層Ｃは、本発明のECDにメモ
リ性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発
色状態が保持される性質をもたせるために必要に
応じて設けられるもので、その具体的材料として
は次のものが例示される。 少量の水分を含む酸化タンタル（Ta2O5）、
酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化ジルコニウム
（ZrO2）酸化チタン（TiO2）、酸化ハフニウム
（HfO2）、酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化ラ
ンタン（La2O3）、酸化珪素（SiO2）フツ化マ
グネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれ
らの混合物質； 塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリ
ウム、臭化カリウム、Na3Zr2Si2PO12，Na1+X
ZrSiXP3-XO12，Na5YSi4O12，RbAg4I5等の固
体電解質； 水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えば
メタクリル酸β−ヒドロキシエチルと２−アク
リルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸と
の共重合体、含水メタクリル酸メチル共重合体
のような含水ビニル重合体、含水ポリエステル
など； 電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、酢酸、
酪酸、しゆう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなア
ルカリの水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウ
ム、塩化カリウム、硫酸リチウムのような固体
強電解質の水溶液； 半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲ
ル化剤例えばポリビニルアルコール、CMC、
寒天、ゼラチン等でゲル化させたもの； などが挙げられる。 透明イオン導電層Ｃは、電子の移動は阻止する
が、イオンの移動は自由であり、結局、絶縁体で
はなく良導体である。 透明イオン導電層Ｃは、真空薄膜形成技術、厚
膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成さ
れる。Ｃ層の厚さは材料によつて0.001μｍ〜１mm
位まで様々となる。 本発明の第２電極層Ｄ１は、透明分散層Ｄ１か
らなり、これは、イリジウム金属それ自体又はそ
の酸化物もしくは水酸化物からなる分散質Ｄ１１
と透明固体分散媒Ｄ１２とからなる。分散質Ｄ１
１としては、なかでも酸化物もしくは水酸化物が
好ましい。 分散媒Ｄ１２としては、SnO2，In2O3，
ITO，ZnO等の透明導電性無機酸化物、
MgF2，CaF2等の透明無機弗化物等が使用され
る。これらの中でも、SnO2，In2O3，ITO，ZnO
は、好ましいものである。 このような透明分散層Ｄ１の製造法は、真空薄
膜形成技術又は厚膜法に限られる。具体的な方法
を例示すれば次の通りである。以下の説明では、
M1は分散質Ｄ１１を構成する金属単体を、M1Ｏ
はその酸化物を意味し、M2は分散媒Ｄ１２を構
成する金属単体を、M2Ｏはその酸化物を、M2Ｆ
は弗化物を意味する。 （） 抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波加熱
又はレーザービーム加熱による真空蒸着： （−ａ） 非反応性の場合 蒸発源材料として M1，M1Ｏ M2Ｏ，M2Ｆ を使用する。 尚、M1であるIrは、蒸着直後は活性状態にあ
るので大気中に曝しただけでM1Ｏに変わること
がある。 （−ｂ） 反応性の場合 O2ガスの存在下に活性化手段（例えば高周波
印加又は加熱）と共に、 蒸発源材料として M1，M1Ｏ M2，M2Ｏ，M2Ｆ を使用する。 （） 高周波スパツタリング： （−ａ） 非反応性の場合 不活性ガスの存在下に、多元又は複合ターゲツ
トとして、 M1，M1Ｏ M2Ｏ を使用する。 （−ｂ） 反応性の場合 O2ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在
下に、多元又は複合ターゲツトとして、 M1，M1Ｏ M2，M2Ｏ を使用する。 （） 直流スパツタリング： O2ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在
下に、多元又は複合ターゲツトとして、 M1 M2 を使用する。 （） その他 前記（），（），（）のいずれかの方法で、
M1とM2との混合金属薄膜を形成した後、加熱例
えば250〜300℃に加熱することにより酸化して、
M1とM2Ｏとの分散層Ｄ１又はM1Ｏ，M2Ｏとの
分散層Ｄ１に変える。この方法が可能なM2とし
ては、Sn，In、などが挙げられる。 なお、先にM1Ｏは酸化物を意味すると述べた
が、水がM1Ｏの近くに存在する場合には、M1
Ｏ・H2ＯはM1（OH）とも書けることから理解さ
れるように、酸化物ではなく水酸化物とも受け取
れる。従つて、分散質Ｄ１１を構成する金属の酸
化物と水酸化物とは厳密に区別されるものではな
い。 ともかく分散質Ｄ１１は透明分散媒Ｄ１２中に
極微粒状態で分散していることが必要で、そのた
めに分散層Ｄ１の製造には、上述の真空薄膜形成
技術を利用することが必要である。さもなけれ
ば、厚膜法で分散層Ｄ１を形成する。この方法
は、有機金属化合物例えば金属アルコラート又は
そのオリゴマーの混合液を塗布し、焼成して被膜
を形成するものである。これにより、透明な分散
層Ｄ１が形成される。 透明分散層Ｄ１の膜厚としては、一般に0.005μ
ｍ〜１mm位あれば十分である。 先に述べたように還元発色性EC層Ｂの発色に
はカチオンが必要であり、層Ｂ、層Ｃ及び層Ｄ１
の少なくとも１層にはカチオンまたは電圧印加に
よりカチオンを放出するカチオン供給源を含ませ
ることが必要であるが、層Ｂおよび層Ｄ１に含ま
せる場合にはカチオンは実用上プロトン（H+）
に限られ、カチオン供給源は実用上、水（H2Ｏ）
に限られる。水の場合には、ECDの製造時に格
別含有させることをしなくとも、しばしば大気中
から自然に層中に侵入する。 反射型のECDを所望の場合には、本発明では、
第１電極層Ａ又は第３電極層Ｅのいずれかを反射
性の導電性材料例えば、Al，Ag，Auなどで構成
することもできる。さもなければ、透明電極材料
を用いて、その背後に反射層を付加すればよい。 ECDは薄い板状に形成されるので、しばしば
基板上に形成されるが、基板は、どの電極側に配
置してもよい。 こうして本発明のECDが構成される。本発明
のECDは、一般には電極層Ａ、還元発色性EC層
Ｂ、場合によりイオン導電層Ｃ及び第２電極層Ｄ
１を順次積層してなる３層又は４層構造からなる
が、第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すような構造であ
つてもよい。図中、Ｅは第３電極層（補助電極）
である。 このECDに1.0〜1.8ボルト程度の直流電圧を印
加すると0.01〜数秒で青色に発色し、この発色状
態はＣ層が存在する場合には電圧印加を止めても
比較的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加す
ると、発色に要した時間よりやや短時間で元の無
色透明に戻る。時間は多少かかるが、第１、第２
電極間を短絡しても消色する。 以下、実施例により、本発明を具体的に説明す
る。 （実施例 １） ガラス基板Ｓを用意し、その上に下記条件： 蒸発源：金属Sn、金属Irの２元系 真空度：５×10-6Torr O2分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、酸化
イリジウムを分散質Ｄ１１とし酸化スズを分散媒
Ｄ１２とする膜厚700Åの透明分散層Ｄ１からな
る第２電極層Ｄ１を形成させた。この電極層Ｄ１
は、20重量％の分散質Ｄ１１を含み、シート抵抗
は500Ω／□であつた。 次にその上に下記条件： 蒸発源：Ta2O5 真空度：５×10-6Torr O2分圧：４×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明イオン
導電層Ｃを形成させた。 その上に更に下記条件： 蒸発源：WO3 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：４×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明な非晶
質WO3層Ｂを形成させた。 最後にWO3（Ｂ）の上に下記条件： 蒸発源：In2O3とSnO2との混合物 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：３×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、膜厚
2500Åの透明な電極層Ａを形成させた。 こうして、第１図に示す構造を有するECDが
得られた。このECDをエポキシ樹脂で封止した
後、第１電極層Ａと第２電極層Ｄ１間に1.4ボル
トの発色電圧を印加すると、400msecで青色に発
色し、発色時の透過率（Tc）は波長λ＝600nm
で20％であり、この発色状態は電圧印加を止めて
も保持された。次に−1.4ボルトの消色電圧を印
加すると、350msecで元の無色透明に戻り、消色
時の透過率（Tb）は85％であつた。 （実施例 ２） 実施例１で用いたガラス基板Ｓを用意し、その
上に下記条件： 蒸発源：In2O3とSnO2との混合焼結体（ITO）
と金属Irとの複合ターゲツト 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：５×10-3Torr 基板温度：室温 の下に高周波スパツタリングにより、金属イリジ
ウムを分散質Ｄ１１とし、In2O3とSnO2との混合
物を分散媒Ｄ１２とする膜厚約500Åの透明分散
層Ｄ１からなる第２電極層Ｄ１を形成させた。こ
の電極層Ｄ１は、30重量％の分散質Ｄ１１を含
み、シート抵抗は150Ω／□であつた。 以下、実施例１と同様に透明イオン導電層Ｃ、
WO3層Ｂ及び透明な第１電極層Ａを順次積層し
て透過型ECDを作成した。 エポキシ樹脂で封止後、発消色テストを行う
と、＋1.4Vで250msec、Tc＝25％であり、−1.4V
で250msec、Tb＝75％（λ＝600nm）であつた。 （比較例 １） 膜厚0.15μｍのITOからなる透明な第２電極層
Ｄの形成されたガラス基板Ｓを用意し、その電極
層Ｄの上に下記条件： 蒸発源：金属Ir 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、膜厚
700Åの透明な酸化イリジウム層（D0：分散媒を
含まない）を形成させた。 その後、実施例１と同様に層Ｃ、層Ｂ、層Ａを
順次積層することにより第３図に示すような
ECDを作成し同様に封止した。得られたECDは
発色電圧印加前から、やや褐色に着色しており、
大気中で±1.5ボルトの0.5Hz交流電圧を500分印
加しても、完全には無色透明にならなかつた。消
色した後、発消色テストを行つたところ、
150msecでTc＝15％、100msecでTb＝50％であ
つた。 （高温耐久性試験） 実施例１，２及び比較例１で作成した封止
ECDを、コントラスト比を求めた上で80℃、200
時間の高温耐久性試験に供し、その後コントラス
ト比を求めた。この結果を下記第１表に示す。
尚、コントラスト比は次のように求めた。 コントラスト比＝log（T1／T2） T1＝消色時の飽和透過率（％） T2＝発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ＝600nm
時間の高温耐久性試験に供した場合、消色時にも
色が残り、元の無色透明にならず、そのため発消
色のコントラストが低下することが判明した。 従つて、本発明の目的は、従来のECDの欠点、
つまり長時間の高温耐久性試験に供したときのコ
ントラストの低下を改善することにある。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは、鋭意研究の結果、水酸化又は酸
化イリジウム層とそれに隣接する第２電極層の２
層に代えて、「イリジウム金属それ自体又はその
酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と導電性
無機酸化物又は無機弗化物からなる透明固体分散
媒とで形成される透明分散層であつて、前記分散
質が前記透明固体分散媒中に極微粒状態で分散し
ている透明分散層であつて、かつ、真空薄膜形成
技術又は厚膜法により形成したもの」１層を第２
電極層として使用することによつて、目的が達成
されることを見い出し、本発明を成すに至つた。 よつて、本発明は、第一に、 「第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」を提供する。 また、第二に、本発明は、 「透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」 を提供する。 更にまた、本発明は、第三に、 「第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものであることを特徴とするエ
レクトロクロミツク表示装置」 を提供する。 また、本発明は、第四に、 「第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 また、本発明は、第五に、 「透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 また、本発明は、第六に、 「第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置」を提供する。 〔作用〕 第１電極層Ａ又は第３電極層Ｅのうち表示側に
使用されるものは透明でなければならないが、透
明電極材料としては、例えばSnO2，In2O3，ITO
（In2O3に５％程度のSnO2を混入させたもの）等
が使用される。 電極層Ａ又はＥの厚さとしては、透明度及び抵
抗にもよるが、一般には0.01〜0.5μｍである。 従つて、電極層Ａ又はＥは、一般には、真空蒸
着、反応性蒸着、イオンプレーテイング、反応性
イオンプレーテイング、スパツタリング等の真空
薄膜形成技術で作られるが、場合によつては有機
金属化合物例えば金属アルコラートまたはそのオ
リゴマーの溶液を塗布し、焼成して被膜を形成す
る、いわゆる厚膜法で作つてもよい。 還元発色性EC層Ｂには既に知られているよう
に非晶質WO3又はMoO3が使用される。これらの
EC層は真空薄膜形成技術により、一般に0.01〜
数μｍの厚さに形成される。 透明イオン導電層Ｃは、本発明のECDにメモ
リ性即ち発色させた後、電圧印加を止めても、発
色状態が保持される性質をもたせるために必要に
応じて設けられるもので、その具体的材料として
は次のものが例示される。 少量の水分を含む酸化タンタル（Ta2O5）、
酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化ジルコニウム
（ZrO2）酸化チタン（TiO2）、酸化ハフニウム
（HfO2）、酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化ラ
ンタン（La2O3）、酸化珪素（SiO2）フツ化マ
グネシウム、リン酸ジルコニウムあるいはこれ
らの混合物質； 塩化ナトリウム、塩化カリウム、臭化ナトリ
ウム、臭化カリウム、Na3Zr2Si2PO12，Na1+X
ZrSiXP3-XO12，Na5YSi4O12，RbAg4I5等の固
体電解質； 水又はプロトン供給源含有合成樹脂、例えば
メタクリル酸β−ヒドロキシエチルと２−アク
リルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸と
の共重合体、含水メタクリル酸メチル共重合体
のような含水ビニル重合体、含水ポリエステル
など； 電解液、例えば硫酸、塩酸、リン酸、酢酸、
酪酸、しゆう酸のような酸またはその水溶液、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなア
ルカリの水溶液、塩化ナトリウム、塩化リチウ
ム、塩化カリウム、硫酸リチウムのような固体
強電解質の水溶液； 半固体ゲル電解質、例えば電解質水溶液をゲ
ル化剤例えばポリビニルアルコール、CMC、
寒天、ゼラチン等でゲル化させたもの； などが挙げられる。 透明イオン導電層Ｃは、電子の移動は阻止する
が、イオンの移動は自由であり、結局、絶縁体で
はなく良導体である。 透明イオン導電層Ｃは、真空薄膜形成技術、厚
膜法、封入、注入、塗布、その他の手段で形成さ
れる。Ｃ層の厚さは材料によつて0.001μｍ〜１mm
位まで様々となる。 本発明の第２電極層Ｄ１は、透明分散層Ｄ１か
らなり、これは、イリジウム金属それ自体又はそ
の酸化物もしくは水酸化物からなる分散質Ｄ１１
と透明固体分散媒Ｄ１２とからなる。分散質Ｄ１
１としては、なかでも酸化物もしくは水酸化物が
好ましい。 分散媒Ｄ１２としては、SnO2，In2O3，
ITO，ZnO等の透明導電性無機酸化物、
MgF2，CaF2等の透明無機弗化物等が使用され
る。これらの中でも、SnO2，In2O3，ITO，ZnO
は、好ましいものである。 このような透明分散層Ｄ１の製造法は、真空薄
膜形成技術又は厚膜法に限られる。具体的な方法
を例示すれば次の通りである。以下の説明では、
M1は分散質Ｄ１１を構成する金属単体を、M1Ｏ
はその酸化物を意味し、M2は分散媒Ｄ１２を構
成する金属単体を、M2Ｏはその酸化物を、M2Ｆ
は弗化物を意味する。 （） 抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波加熱
又はレーザービーム加熱による真空蒸着： （−ａ） 非反応性の場合 蒸発源材料として M1，M1Ｏ M2Ｏ，M2Ｆ を使用する。 尚、M1であるIrは、蒸着直後は活性状態にあ
るので大気中に曝しただけでM1Ｏに変わること
がある。 （−ｂ） 反応性の場合 O2ガスの存在下に活性化手段（例えば高周波
印加又は加熱）と共に、 蒸発源材料として M1，M1Ｏ M2，M2Ｏ，M2Ｆ を使用する。 （） 高周波スパツタリング： （−ａ） 非反応性の場合 不活性ガスの存在下に、多元又は複合ターゲツ
トとして、 M1，M1Ｏ M2Ｏ を使用する。 （−ｂ） 反応性の場合 O2ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在
下に、多元又は複合ターゲツトとして、 M1，M1Ｏ M2，M2Ｏ を使用する。 （） 直流スパツタリング： O2ガス（不活性ガスを加えてもよい）の存在
下に、多元又は複合ターゲツトとして、 M1 M2 を使用する。 （） その他 前記（），（），（）のいずれかの方法で、
M1とM2との混合金属薄膜を形成した後、加熱例
えば250〜300℃に加熱することにより酸化して、
M1とM2Ｏとの分散層Ｄ１又はM1Ｏ，M2Ｏとの
分散層Ｄ１に変える。この方法が可能なM2とし
ては、Sn，In、などが挙げられる。 なお、先にM1Ｏは酸化物を意味すると述べた
が、水がM1Ｏの近くに存在する場合には、M1
Ｏ・H2ＯはM1（OH）とも書けることから理解さ
れるように、酸化物ではなく水酸化物とも受け取
れる。従つて、分散質Ｄ１１を構成する金属の酸
化物と水酸化物とは厳密に区別されるものではな
い。 ともかく分散質Ｄ１１は透明分散媒Ｄ１２中に
極微粒状態で分散していることが必要で、そのた
めに分散層Ｄ１の製造には、上述の真空薄膜形成
技術を利用することが必要である。さもなけれ
ば、厚膜法で分散層Ｄ１を形成する。この方法
は、有機金属化合物例えば金属アルコラート又は
そのオリゴマーの混合液を塗布し、焼成して被膜
を形成するものである。これにより、透明な分散
層Ｄ１が形成される。 透明分散層Ｄ１の膜厚としては、一般に0.005μ
ｍ〜１mm位あれば十分である。 先に述べたように還元発色性EC層Ｂの発色に
はカチオンが必要であり、層Ｂ、層Ｃ及び層Ｄ１
の少なくとも１層にはカチオンまたは電圧印加に
よりカチオンを放出するカチオン供給源を含ませ
ることが必要であるが、層Ｂおよび層Ｄ１に含ま
せる場合にはカチオンは実用上プロトン（H+）
に限られ、カチオン供給源は実用上、水（H2Ｏ）
に限られる。水の場合には、ECDの製造時に格
別含有させることをしなくとも、しばしば大気中
から自然に層中に侵入する。 反射型のECDを所望の場合には、本発明では、
第１電極層Ａ又は第３電極層Ｅのいずれかを反射
性の導電性材料例えば、Al，Ag，Auなどで構成
することもできる。さもなければ、透明電極材料
を用いて、その背後に反射層を付加すればよい。 ECDは薄い板状に形成されるので、しばしば
基板上に形成されるが、基板は、どの電極側に配
置してもよい。 こうして本発明のECDが構成される。本発明
のECDは、一般には電極層Ａ、還元発色性EC層
Ｂ、場合によりイオン導電層Ｃ及び第２電極層Ｄ
１を順次積層してなる３層又は４層構造からなる
が、第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すような構造であ
つてもよい。図中、Ｅは第３電極層（補助電極）
である。 このECDに1.0〜1.8ボルト程度の直流電圧を印
加すると0.01〜数秒で青色に発色し、この発色状
態はＣ層が存在する場合には電圧印加を止めても
比較的長時間保持され、同程度の逆電圧を印加す
ると、発色に要した時間よりやや短時間で元の無
色透明に戻る。時間は多少かかるが、第１、第２
電極間を短絡しても消色する。 以下、実施例により、本発明を具体的に説明す
る。 （実施例 １） ガラス基板Ｓを用意し、その上に下記条件： 蒸発源：金属Sn、金属Irの２元系 真空度：５×10-6Torr O2分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、酸化
イリジウムを分散質Ｄ１１とし酸化スズを分散媒
Ｄ１２とする膜厚700Åの透明分散層Ｄ１からな
る第２電極層Ｄ１を形成させた。この電極層Ｄ１
は、20重量％の分散質Ｄ１１を含み、シート抵抗
は500Ω／□であつた。 次にその上に下記条件： 蒸発源：Ta2O5 真空度：５×10-6Torr O2分圧：４×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明イオン
導電層Ｃを形成させた。 その上に更に下記条件： 蒸発源：WO3 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：４×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に真空蒸着により、膜厚5000Åの透明な非晶
質WO3層Ｂを形成させた。 最後にWO3（Ｂ）の上に下記条件： 蒸発源：In2O3とSnO2との混合物 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：３×10-4Torr 基板温度：150℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、膜厚
2500Åの透明な電極層Ａを形成させた。 こうして、第１図に示す構造を有するECDが
得られた。このECDをエポキシ樹脂で封止した
後、第１電極層Ａと第２電極層Ｄ１間に1.4ボル
トの発色電圧を印加すると、400msecで青色に発
色し、発色時の透過率（Tc）は波長λ＝600nm
で20％であり、この発色状態は電圧印加を止めて
も保持された。次に−1.4ボルトの消色電圧を印
加すると、350msecで元の無色透明に戻り、消色
時の透過率（Tb）は85％であつた。 （実施例 ２） 実施例１で用いたガラス基板Ｓを用意し、その
上に下記条件： 蒸発源：In2O3とSnO2との混合焼結体（ITO）
と金属Irとの複合ターゲツト 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：５×10-3Torr 基板温度：室温 の下に高周波スパツタリングにより、金属イリジ
ウムを分散質Ｄ１１とし、In2O3とSnO2との混合
物を分散媒Ｄ１２とする膜厚約500Åの透明分散
層Ｄ１からなる第２電極層Ｄ１を形成させた。こ
の電極層Ｄ１は、30重量％の分散質Ｄ１１を含
み、シート抵抗は150Ω／□であつた。 以下、実施例１と同様に透明イオン導電層Ｃ、
WO3層Ｂ及び透明な第１電極層Ａを順次積層し
て透過型ECDを作成した。 エポキシ樹脂で封止後、発消色テストを行う
と、＋1.4Vで250msec、Tc＝25％であり、−1.4V
で250msec、Tb＝75％（λ＝600nm）であつた。 （比較例 １） 膜厚0.15μｍのITOからなる透明な第２電極層
Ｄの形成されたガラス基板Ｓを用意し、その電極
層Ｄの上に下記条件： 蒸発源：金属Ir 真空度：５×10-6Torr Ar分圧：３×10-4Torr 基板温度：20℃ の下に高周波イオンプレーテイングにより、膜厚
700Åの透明な酸化イリジウム層（D0：分散媒を
含まない）を形成させた。 その後、実施例１と同様に層Ｃ、層Ｂ、層Ａを
順次積層することにより第３図に示すような
ECDを作成し同様に封止した。得られたECDは
発色電圧印加前から、やや褐色に着色しており、
大気中で±1.5ボルトの0.5Hz交流電圧を500分印
加しても、完全には無色透明にならなかつた。消
色した後、発消色テストを行つたところ、
150msecでTc＝15％、100msecでTb＝50％であ
つた。 （高温耐久性試験） 実施例１，２及び比較例１で作成した封止
ECDを、コントラスト比を求めた上で80℃、200
時間の高温耐久性試験に供し、その後コントラス
ト比を求めた。この結果を下記第１表に示す。
尚、コントラスト比は次のように求めた。 コントラスト比＝log（T1／T2） T1＝消色時の飽和透過率（％） T2＝発色時の飽和透過率（％） 測定波長λ＝600nm
【表】
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば、製造後に着色の
ない無色透明なECDが得られ、しかも高温耐久
性試験後にコントラストの低下の極めて少ない
ECDが得られる。また、従来の水酸化イリジウ
ム層が不要であるので、ECD全体の構造が簡単
になる。高価なイリジウムの使用量も減るので安
価になる利点もある。
ない無色透明なECDが得られ、しかも高温耐久
性試験後にコントラストの低下の極めて少ない
ECDが得られる。また、従来の水酸化イリジウ
ム層が不要であるので、ECD全体の構造が簡単
になる。高価なイリジウムの使用量も減るので安
価になる利点もある。
第１図は、本発明の実施例１にかかるECDの
概略断面図である。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本
発明の他の実施例にかかるECDの概略断面図で
ある。第３図は、従来のECDの概略断面図であ
る。 主要部分の符号の説明、Ａ……第１電極層、Ｂ
……還元発色性EC層、Ｃ……透明イオン導電層、
Ｄ１……透明分散層＝本発明の第２電極層、Ｄ…
…従来の第２電極層、D0……水酸化（酸化）イ
リジウム層、Ｅ……第３電極層。
概略断面図である。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本
発明の他の実施例にかかるECDの概略断面図で
ある。第３図は、従来のECDの概略断面図であ
る。 主要部分の符号の説明、Ａ……第１電極層、Ｂ
……還元発色性EC層、Ｃ……透明イオン導電層、
Ｄ１……透明分散層＝本発明の第２電極層、Ｄ…
…従来の第２電極層、D0……水酸化（酸化）イ
リジウム層、Ｅ……第３電極層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。 ２ 透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。 ３ 第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とで形
成される透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。 ４ 第１電極層、該電極層に隣接する還元発色性
エレクトロクロミツク層、及び、該エレクトロク
ロミツク層に直接に又は透明イオン導電層を介し
て隣接する第２電極層を積層してなり、かつ、前
記第１、第２電極層のうち少なくとも一方が透明
なエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。 ５ 透明な又は反射性の第１電極層、該電極層と
同一又は略同一平面上に、第１電極層とは絶縁さ
れた形で存在する第２電極層、前記第１電極層上
に形成された還元発色性エレクトロクロミツク
層、及び、前記エレクトロクロミツク層と前記第
２電極層の両者を覆う透明イオン導電層を積層し
てなるエレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。 ６ 第１電極層、該電極層と同一又は略同一平面
上に、第１電極層とは絶縁された形で存在する第
２電極層、前記第１電極層上に形成された還元発
色性エレクトロクロミツク層、前記エレクトロク
ロミツク層と前記第２電極層の両者を覆う透明イ
オン導電層、及び、前記イオン導電層の上に形成
された第３電極層を積層してなり、かつ、前記第
１又は第３電極層の少なくとも一方が透明である
エレクトロクロミツク表示装置において、 前記第２電極層が、イリジウム金属それ自体又
はその酸化物もしくは水酸化物からなる分散質と
無機弗化物からなる透明固体分散媒とで形成され
る透明分散層であり、 前記分散質が、前記透明固体分散媒中に極微粒
状態で分散しており、かつ 前記透明分散層が、真空薄膜形成技術又は厚膜
法により形成したものである ことを特徴とするエレクトロクロミツク表示装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094058A JPS60238818A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | エレクトロクロミック表示装置 |
| US06/722,390 US4652090A (en) | 1984-04-20 | 1985-04-12 | Dispersed iridium based complementary electrochromic device |
| DE3514281A DE3514281C2 (de) | 1984-04-20 | 1985-04-19 | Elektrochrome Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094058A JPS60238818A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | エレクトロクロミック表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60238818A JPS60238818A (ja) | 1985-11-27 |
| JPH0578805B2 true JPH0578805B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14099937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094058A Granted JPS60238818A (ja) | 1984-04-20 | 1984-05-11 | エレクトロクロミック表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60238818A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744549B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-06-01 | Dow Global Technologies Inc. | Electrochromic display device |
| JP5783044B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2015-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | 表示素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59180526A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-13 | Fujitsu Ltd | エレクトロクロミツク表示素子 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59094058A patent/JPS60238818A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60238818A (ja) | 1985-11-27 |
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