JPH0261736B2 - - Google Patents
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- JPH0261736B2 JPH0261736B2 JP58089308A JP8930883A JPH0261736B2 JP H0261736 B2 JPH0261736 B2 JP H0261736B2 JP 58089308 A JP58089308 A JP 58089308A JP 8930883 A JP8930883 A JP 8930883A JP H0261736 B2 JPH0261736 B2 JP H0261736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- plasma etching
- film
- radiation
- resists
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は写真製版技術を用いて放射線感知レジ
ストのパターンを設けたフイルムを含むプラズマ
エツチングに耐性を有するマスクを基板上に形
成する方法に関するものである。
ストのパターンを設けたフイルムを含むプラズマ
エツチングに耐性を有するマスクを基板上に形
成する方法に関するものである。
従来技術
プラズマ エツチングの技術についてはよく知
られており、一般に半導体装置の製造に際し使用
されている。これに関する参考文献としては、例
えば、フイリツプス テクニカル レビユー、
Vol.38、1978／79、No.７／８の200ないし210ペー
ジに掲載されているカルター（Kalter）および
フアン デ ベン（van de Ven）による論文
“IC技術におけるプラズマ エツチング（Plasma
Etching in IC technology）”がある。本明細書
において、プラズマ エツチングなる語句はいわ
ゆるイオン反応エツチングを含む広い意味で使用
するものとする。
られており、一般に半導体装置の製造に際し使用
されている。これに関する参考文献としては、例
えば、フイリツプス テクニカル レビユー、
Vol.38、1978／79、No.７／８の200ないし210ペー
ジに掲載されているカルター（Kalter）および
フアン デ ベン（van de Ven）による論文
“IC技術におけるプラズマ エツチング（Plasma
Etching in IC technology）”がある。本明細書
において、プラズマ エツチングなる語句はいわ
ゆるイオン反応エツチングを含む広い意味で使用
するものとする。
半導体工業に一般に使用されている放射線感知
レジストは種々の形の放射線に感度を有する。例
えば、ある種のレジストは可視光線に感知し、ま
た、あるレジストはＸ線に感ずるが、他のレジス
トは、例えば、電子のような荷電粒子のビームの
形状を有する放射線に感度を有する。したがつ
て、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤で現
像するステツプを含むいわゆる写真製版技術を用
いて、基板上にあるレジスト フイルムにパター
ンを設け、爾後のプラズマ エツチング処理に耐
えるようなマスクを形成することが可能となる。
レジストは種々の形の放射線に感度を有する。例
えば、ある種のレジストは可視光線に感知し、ま
た、あるレジストはＸ線に感ずるが、他のレジス
トは、例えば、電子のような荷電粒子のビームの
形状を有する放射線に感度を有する。したがつ
て、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤で現
像するステツプを含むいわゆる写真製版技術を用
いて、基板上にあるレジスト フイルムにパター
ンを設け、爾後のプラズマ エツチング処理に耐
えるようなマスクを形成することが可能となる。
放射線感知レジストはポジテイブ（陽画）作用
レジストまたはネガテイブ（陰画）作用レジスト
に分類される。ポジテイブ作用レジストを放射線
にさらした場合は、これらの露光部分は選択的に
取除くことができる。これは、さらされた部分は
現像液内で可溶性となり、さらされない部分は不
溶性のまま保持されることによる。これに反し
て、ネガテイブ作用レジストの場合は、さらされ
た部分が不溶性となり、さらされない部分が可溶
性となる。一般に、ポジテイブ作用レジストの方
がネガテイブ作用レジストより良好な解像度を与
える。したがつて、これらのプラズマ エツチン
グに対する耐蝕性の点では、通常ネガテイブ作用
レジストに劣つているにも拘らず、小型化との両
立性の観点もあり、半導体工業分野においては、
集積回路の製造に際して、ポジテイブ作用レジス
トを選択する傾向が強い。この不充分な耐蝕性の
問題に対処するため、通常は、比較的厚いレジス
ト層（標準的には0.5ないし1μｍの範囲）を用い
て不所望の腐蝕を補償するようにしているが、残
念なことには、レジストの厚みを大きくするにし
たがつて解像度が劣化するという難点が生じてく
る。
レジストまたはネガテイブ（陰画）作用レジスト
に分類される。ポジテイブ作用レジストを放射線
にさらした場合は、これらの露光部分は選択的に
取除くことができる。これは、さらされた部分は
現像液内で可溶性となり、さらされない部分は不
溶性のまま保持されることによる。これに反し
て、ネガテイブ作用レジストの場合は、さらされ
た部分が不溶性となり、さらされない部分が可溶
性となる。一般に、ポジテイブ作用レジストの方
がネガテイブ作用レジストより良好な解像度を与
える。したがつて、これらのプラズマ エツチン
グに対する耐蝕性の点では、通常ネガテイブ作用
レジストに劣つているにも拘らず、小型化との両
立性の観点もあり、半導体工業分野においては、
集積回路の製造に際して、ポジテイブ作用レジス
トを選択する傾向が強い。この不充分な耐蝕性の
問題に対処するため、通常は、比較的厚いレジス
ト層（標準的には0.5ないし1μｍの範囲）を用い
て不所望の腐蝕を補償するようにしているが、残
念なことには、レジストの厚みを大きくするにし
たがつて解像度が劣化するという難点が生じてく
る。
高解像度の利点を保持しながら、プラズマ エ
ツチングに対するポジテイブ レジストの耐蝕性
を改善するため、各種のプラズマ エツチング
システムや新しいポジテイブ レジスト材料に関
し種々提案がなされており、例えば、日本国電気
化学協会；固体回路科学および技術（Solid−
State Science and Technology）、1980年２月
号、491ないし497ページに掲載されているハラダ
カツヒロの論文“プラズマ エツチングに耐性
を有するポジテイブ レジストを改善するための
添加剤（Additives that Improve Positive
Resist Durability for Plasma Etching）”にお
いて、著者は、例えば、不純物除去剤（ラジカル
スカベンジヤ）または遊離基、すなわち、１，
１ジエフエニル−２−ピクリルヒドラジルおよび
ガルビノオキシルまたはプラスチツク酸化防止
剤、すなわち、２，４，６−トリタートブチルフ
エノールのような添加剤を含有させることによ
り、従来のポジテイブ レジストの耐蝕性を改善
しうる旨主張している。しかし、残念ながら、ハ
ラダの技術により耐蝕性を改善する方法は、しば
しば、レジストの感度のような他の重要な特性を
犠性にするという難点がある。
ツチングに対するポジテイブ レジストの耐蝕性
を改善するため、各種のプラズマ エツチング
システムや新しいポジテイブ レジスト材料に関
し種々提案がなされており、例えば、日本国電気
化学協会；固体回路科学および技術（Solid−
State Science and Technology）、1980年２月
号、491ないし497ページに掲載されているハラダ
カツヒロの論文“プラズマ エツチングに耐性
を有するポジテイブ レジストを改善するための
添加剤（Additives that Improve Positive
Resist Durability for Plasma Etching）”にお
いて、著者は、例えば、不純物除去剤（ラジカル
スカベンジヤ）または遊離基、すなわち、１，
１ジエフエニル−２−ピクリルヒドラジルおよび
ガルビノオキシルまたはプラスチツク酸化防止
剤、すなわち、２，４，６−トリタートブチルフ
エノールのような添加剤を含有させることによ
り、従来のポジテイブ レジストの耐蝕性を改善
しうる旨主張している。しかし、残念ながら、ハ
ラダの技術により耐蝕性を改善する方法は、しば
しば、レジストの感度のような他の重要な特性を
犠性にするという難点がある。
発明の構成
写真製版技術を用いて放射線感知レジストのパ
ターンを設けたフイルムを含むプラズマ エツチ
ングに耐性を有するマスクを基板上に形成するた
めの本発明方法によるときは、パターンを設けた
該フイルムを一酸化炭素プラズマにさらし、パタ
ーンを設けた該フイルムの表面にプラズマ エツ
チングに対する耐性を高めた領域を形成させるス
テツプを含むことを特徴とする。
ターンを設けたフイルムを含むプラズマ エツチ
ングに耐性を有するマスクを基板上に形成するた
めの本発明方法によるときは、パターンを設けた
該フイルムを一酸化炭素プラズマにさらし、パタ
ーンを設けた該フイルムの表面にプラズマ エツ
チングに対する耐性を高めた領域を形成させるス
テツプを含むことを特徴とする。
本願出願人は、一酸化炭素プラズマにレジスト
をさらすことが爾後のエツチング処理に対するレ
ジスト マスクの耐蝕性を高めるよう作用してい
るという事実を発見したことにより本発明を導い
たものである。この結果は、パターンを設けたレ
ジストを他のプラズマにさらすことにより、耐蝕
性（エツチ抵抗）が影響を受けることもなく、ま
たある場合には耐蝕性が害われることもないとい
う点で特に驚くべきことである。
をさらすことが爾後のエツチング処理に対するレ
ジスト マスクの耐蝕性を高めるよう作用してい
るという事実を発見したことにより本発明を導い
たものである。この結果は、パターンを設けたレ
ジストを他のプラズマにさらすことにより、耐蝕
性（エツチ抵抗）が影響を受けることもなく、ま
たある場合には耐蝕性が害われることもないとい
う点で特に驚くべきことである。
この方法で形成した表面領域の耐蝕性の増加は
レジスト ベース マスクのプラズマ エツチ
レートを顕著に減少させるので、解像度を増大さ
せるのに、例えば、0.4μｍ以下のさらに薄いレジ
ストを使用することができる。
レジスト ベース マスクのプラズマ エツチ
レートを顕著に減少させるので、解像度を増大さ
せるのに、例えば、0.4μｍ以下のさらに薄いレジ
ストを使用することができる。
本発明方法は、前述の従来技術と対比した場
合、新しい材料または新しいエツチング システ
ムを必要とせず、それどころか、本来、半導体工
業でよく知られている処理ステツプおよび材料を
使用しているに過ぎない。プラズマ エツチ速度
を減少させる利点は、レジストがポジテイブ作用
レジストの場合、特に重要であるが、本発明方法
はネガテイブ作用レジストの場合にも使用するこ
とができる。
合、新しい材料または新しいエツチング システ
ムを必要とせず、それどころか、本来、半導体工
業でよく知られている処理ステツプおよび材料を
使用しているに過ぎない。プラズマ エツチ速度
を減少させる利点は、レジストがポジテイブ作用
レジストの場合、特に重要であるが、本発明方法
はネガテイブ作用レジストの場合にも使用するこ
とができる。
実施例
以下図面により本発明を説明する。
添付図は図示を明瞭にするため実物のスケール
に比例しないスケールで表示してある。
に比例しないスケールで表示してある。
また、以下の記述は、半導体ウエハ処理に使用
される一般の写真製版技術用として適するフオト
マスクの製造に関するものである。
される一般の写真製版技術用として適するフオト
マスクの製造に関するものである。
まず、例えば、一般のスパツタリング技術を用
いて、アルミノ珪酸塩または合成石英の基板１上
に、標準的に0.1μｍの厚みを有するクロム層２を
析出させる。次いで、該クロム層２上に、英国特
許GB1445345号およびGB1500541号に記載され
ているような交差結合ポジテイブ作用レジストの
フイルムを設ける。この場合、例えば、ポリ−
（メチル メタクリレート−コ−メタクリツク
アシド）およびポリ−（メチル メタクリルレー
ト−２−メタクリロイル クロライド）の混合物
により形成したレジストは電子放射線に感知する
ので、既知の電子ビーム写真製版技術を用いてレ
ジスト フイルムにパターンを設けることができ
る。このように、電子ビームにさらした後には、
パターンを設けたレジスト フイルム３が残るよ
うなレジスト フイルムが生成される。
いて、アルミノ珪酸塩または合成石英の基板１上
に、標準的に0.1μｍの厚みを有するクロム層２を
析出させる。次いで、該クロム層２上に、英国特
許GB1445345号およびGB1500541号に記載され
ているような交差結合ポジテイブ作用レジストの
フイルムを設ける。この場合、例えば、ポリ−
（メチル メタクリレート−コ−メタクリツク
アシド）およびポリ−（メチル メタクリルレー
ト−２−メタクリロイル クロライド）の混合物
により形成したレジストは電子放射線に感知する
ので、既知の電子ビーム写真製版技術を用いてレ
ジスト フイルムにパターンを設けることができ
る。このように、電子ビームにさらした後には、
パターンを設けたレジスト フイルム３が残るよ
うなレジスト フイルムが生成される。
次いで、レジスト フイルム３を一般のプラズ
マ エツチング装置内で0.4トル、100ワツトの一
酸化炭素プラズマに５分間さらす。驚いたこと
に、この処理は、パターンを設けたレジスト フ
イルム３の表面上に、爾後のプラズマ エツチン
グ ステツプに対して増大した耐蝕性を有する領
域を形成させる。この結果は、前述したように、
本願出願人が他のプラズマを用いて実施した同一
処理では、マスクの耐蝕性（エツチ抵抗）の増大
をはかることはできず、ある場合には、このよう
な処理により耐蝕性が害われることさえあつたと
いう事実から考えると、特に驚くべきことであ
る。
マ エツチング装置内で0.4トル、100ワツトの一
酸化炭素プラズマに５分間さらす。驚いたこと
に、この処理は、パターンを設けたレジスト フ
イルム３の表面上に、爾後のプラズマ エツチン
グ ステツプに対して増大した耐蝕性を有する領
域を形成させる。この結果は、前述したように、
本願出願人が他のプラズマを用いて実施した同一
処理では、マスクの耐蝕性（エツチ抵抗）の増大
をはかることはできず、ある場合には、このよう
な処理により耐蝕性が害われることさえあつたと
いう事実から考えると、特に驚くべきことであ
る。
次のステツプはプラズマ エツチングによりク
ロム層２にパターンを設けるステツプを含む。こ
のステツプにおいて、パターンを設けたレジスタ
フイルム３は表面領域４とともにクロム層２の下
方にある部分をマスクする働きをする。実際に、
プラズマ エツチに耐性を有する表面領域４の耐
蝕性はマスクの耐蝕性を２倍だけ増加させうるこ
とが分つている。クロムは、例えば、一酸化アル
ゴンまたは一酸化炭素のような坦体ガス３のうち
四塩化炭素１ないし酸素１を含む0.5トル、400ワ
ツトのプラズマ中で10分間エツチングを行うよう
にするを可とする。
ロム層２にパターンを設けるステツプを含む。こ
のステツプにおいて、パターンを設けたレジスタ
フイルム３は表面領域４とともにクロム層２の下
方にある部分をマスクする働きをする。実際に、
プラズマ エツチに耐性を有する表面領域４の耐
蝕性はマスクの耐蝕性を２倍だけ増加させうるこ
とが分つている。クロムは、例えば、一酸化アル
ゴンまたは一酸化炭素のような坦体ガス３のうち
四塩化炭素１ないし酸素１を含む0.5トル、400ワ
ツトのプラズマ中で10分間エツチングを行うよう
にするを可とする。
次に、蒸気状硝酸を用いてパターンを設けたレ
ジスト フイルム３を表面領域４とともに取除
き、ガラス基板１上にパターンを設けた半透明ク
ロム層２を含むフオトマスクを残存させる。
ジスト フイルム３を表面領域４とともに取除
き、ガラス基板１上にパターンを設けた半透明ク
ロム層２を含むフオトマスクを残存させる。
また、上述したと同じ方法を用いて、既知の電
子ビーム画像投写技術に使用する光電陰極マスク
を製造することもできる。この場合には、基板１
を石英により形成し、表面層２もクロムにより形
成するを可とするが、基板のさらされた表面部分
およびパターンを設けたクロム層は、マスクが後
方から紫外線を多量に浴びた際に、電子源として
作動しうる沃化セシウムのような光電陰極材料で
被覆することが望ましい。
子ビーム画像投写技術に使用する光電陰極マスク
を製造することもできる。この場合には、基板１
を石英により形成し、表面層２もクロムにより形
成するを可とするが、基板のさらされた表面部分
およびパターンを設けたクロム層は、マスクが後
方から紫外線を多量に浴びた際に、電子源として
作動しうる沃化セシウムのような光電陰極材料で
被覆することが望ましい。
本発明方法は半導体ウエハを処理するのに直接
使用することができる。この場合、基板１はそれ
自体を半導体ウエハにより形成し、表面層２に爾
後の処理ステツプに対して半導体表面をマスクし
て、例えば、酸化物のような材料の層により形成
するを可とする。
使用することができる。この場合、基板１はそれ
自体を半導体ウエハにより形成し、表面層２に爾
後の処理ステツプに対して半導体表面をマスクし
て、例えば、酸化物のような材料の層により形成
するを可とする。
本発明は本明細書記載の実施例に限定されるも
のでなく、本発明は他の変形をも包含するもので
ある。
のでなく、本発明は他の変形をも包含するもので
ある。
発明の要約
本発明は基板１上にある放射線感知レジスト
フイルム３に写真製版技術を用いてパターンを設
けることによりプラズマ エツチング処理に耐性
を有するマスクを形成する方法に関するもので、
一酸化炭素プラズマにさらすことによりマスクの
耐蝕性（エツチ抵抗）を増大させ、パターンを設
けたフイルムの表面にプラズマ エツチングに対
する耐性を高めた領域４を形成させるようにした
ものである。この方法は、例えば、クロム被覆ガ
ラス基板を用いてフオトマスクを製造するのに使
用することができ、もしくは半導体ウエハ基板１
上における半導体ウエハの製造中に使用すること
もできる。
フイルム３に写真製版技術を用いてパターンを設
けることによりプラズマ エツチング処理に耐性
を有するマスクを形成する方法に関するもので、
一酸化炭素プラズマにさらすことによりマスクの
耐蝕性（エツチ抵抗）を増大させ、パターンを設
けたフイルムの表面にプラズマ エツチングに対
する耐性を高めた領域４を形成させるようにした
ものである。この方法は、例えば、クロム被覆ガ
ラス基板を用いてフオトマスクを製造するのに使
用することができ、もしくは半導体ウエハ基板１
上における半導体ウエハの製造中に使用すること
もできる。
第１図および第２図は本発明方法を用いて基板
上にプラズマ エツチに耐性を有するマスクを形
成する場合の各ステツプを示す断面図である。 １……基板、２……クロム層（表面層）、３…
…パターンを設けたレジスト フイルム、４……
表面領域。
上にプラズマ エツチに耐性を有するマスクを形
成する場合の各ステツプを示す断面図である。 １……基板、２……クロム層（表面層）、３…
…パターンを設けたレジスト フイルム、４……
表面領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 写真製版技術を用いて放射線感知レジストの
パターンを設けたフイルムを含むプラズマエツチ
ングに耐性を有するマスクを基板上に形成する方
法において、パターンを設けた該フイルムを一酸
化炭素プラズマにさらし、パターンを設けた該フ
イルムの表面にプラズマエツチングに対する耐性
を高めた領域を形成させるステツプを含むことを
特徴とするプラズマ エツチングに耐性を有する
レジストマスクを形成する方法。 ２ 該放射線感知レジストをポジテイブ作用レジ
ストとしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３ 該放射線感知レジストを交差結合ポジテイブ
作用共重合体レジストにより形成したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載
の方法。 ４ 該放射線感知レジストをポリ−（メチルメタ
クリレート−コ−メタリツク アシツド）および
ポリ−（メチル メタクリレート−コ−メタクリ
ロイル クロライド）の混合物により形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方
法。 ５ 該レジスト フイルムの厚さを0.4μｍより小
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第４項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8215432 | 1982-05-26 | ||
| GB08215432A GB2121198A (en) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | Plasma-etch resistant mask formation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154A JPS59154A (ja) | 1984-01-05 |
| JPH0261736B2 true JPH0261736B2 (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=10530658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089308A Granted JPS59154A (ja) | 1982-05-26 | 1983-05-23 | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504574A (ja) |
| EP (1) | EP0095212B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59154A (ja) |
| DE (1) | DE3375839D1 (ja) |
| GB (1) | GB2121198A (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2121197A (en) * | 1982-05-26 | 1983-12-14 | Philips Electronic Associated | Plasma-etch resistant mask formation |
| US4601778A (en) * | 1985-02-25 | 1986-07-22 | Motorola, Inc. | Maskless etching of polysilicon |
| EP0238690B1 (en) * | 1986-03-27 | 1991-11-06 | International Business Machines Corporation | Process for forming sidewalls |
| JP2550982B2 (ja) * | 1987-04-06 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | レジストマスクの形成方法 |
| US5545290A (en) * | 1987-07-09 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching method |
| US4873176A (en) * | 1987-08-28 | 1989-10-10 | Shipley Company Inc. | Reticulation resistant photoresist coating |
| US5912187A (en) * | 1993-12-30 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of fabricating circuits |
| US6540928B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-04-01 | Unaxis Usa Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| US6547975B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-04-15 | Unaxis Usa Inc. | Magnetic pole fabrication process and device |
| US20030003374A1 (en) * | 2001-06-15 | 2003-01-02 | Applied Materials, Inc. | Etch process for photolithographic reticle manufacturing with improved etch bias |
| US7183201B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers |
| WO2003021659A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| WO2003089990A2 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| WO2004086143A2 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US20040192058A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pre-etching plasma treatment to form dual damascene with improved profile |
| US7077973B2 (en) * | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
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| US7521000B2 (en) * | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
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