JPH0572737A - 化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法 - Google Patents
化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法Info
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- JPH0572737A JPH0572737A JP23488391A JP23488391A JPH0572737A JP H0572737 A JPH0572737 A JP H0572737A JP 23488391 A JP23488391 A JP 23488391A JP 23488391 A JP23488391 A JP 23488391A JP H0572737 A JPH0572737 A JP H0572737A
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- Japan
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- resist
- chemically amplified
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- amplified resist
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の第１は、高感度のレジストを提供す
ることを目的とする。 本発明の第２は、高精度のエネ
ルギー吸収体パターンを形成することを目的とする。 【構成】 本発明では、化学増幅型のレジストに中性塩
を添加したものをレジストとして用いるようにしてい
る。
ることを目的とする。 本発明の第２は、高精度のエネ
ルギー吸収体パターンを形成することを目的とする。 【構成】 本発明では、化学増幅型のレジストに中性塩
を添加したものをレジストとして用いるようにしてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学増幅型レジストお
よびこれを用いた露光用マスクの製造方法に係り、特に
化学増幅型レジストの組成に関する。
よびこれを用いた露光用マスクの製造方法に係り、特に
化学増幅型レジストの組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化および
高集積化への要求が高まるにつれて、パターンサイズは
ますます微細化しつつある。この微細化したパターンサ
イズに対応するために、光の波長が短く、精度の高いＸ
線リソグラフィの開発が行われている。Ｘ線リソグラフ
ィは等倍転写であり、Ｘ線マスクのＸ線吸収体パターン
のサイズは集積回路中の素子と同サイズにしなければな
らないため、マスク形成にはサブミクロン単位の超微細
加工技術が必要とされる。
高集積化への要求が高まるにつれて、パターンサイズは
ますます微細化しつつある。この微細化したパターンサ
イズに対応するために、光の波長が短く、精度の高いＸ
線リソグラフィの開発が行われている。Ｘ線リソグラフ
ィは等倍転写であり、Ｘ線マスクのＸ線吸収体パターン
のサイズは集積回路中の素子と同サイズにしなければな
らないため、マスク形成にはサブミクロン単位の超微細
加工技術が必要とされる。
【０００３】Ｘ線マスク製造の１つの工程であるレジス
トパターンの形成には、Ｘ線吸収体と同サイズの超微細
パターンの形成が必要であり、そのために高感度、高解
像度のレジストの開発が望まれている。
トパターンの形成には、Ｘ線吸収体と同サイズの超微細
パターンの形成が必要であり、そのために高感度、高解
像度のレジストの開発が望まれている。
【０００４】現在光露光用あるいは電子ビーム描画用の
高感度レジストとして、化学増幅型レジストの研究が盛
んである。中でも特に酸触媒反応を利用した化学増幅型
レジストが広く使用されている。
高感度レジストとして、化学増幅型レジストの研究が盛
んである。中でも特に酸触媒反応を利用した化学増幅型
レジストが広く使用されている。
【０００５】この化学増幅型レジストは樹脂、架橋剤、
酸発生剤からなる。そして光が照射されると、レジスト
中の樹脂が感光剤としてはたらき励起される。励起され
た樹脂との電子の交換によって酸発生剤よりハロゲン酸
が生成される。発生した酸は架橋剤に対して触媒として
働き架橋反応を起こしながら拡散する。そしてこの触媒
反応は加熱することによって加速される。このようにし
て架橋された領域はアルカリ現像液に対して不溶性とな
ってパターンを形成する。
酸発生剤からなる。そして光が照射されると、レジスト
中の樹脂が感光剤としてはたらき励起される。励起され
た樹脂との電子の交換によって酸発生剤よりハロゲン酸
が生成される。発生した酸は架橋剤に対して触媒として
働き架橋反応を起こしながら拡散する。そしてこの触媒
反応は加熱することによって加速される。このようにし
て架橋された領域はアルカリ現像液に対して不溶性とな
ってパターンを形成する。
【０００６】この化学増幅型レジストは、従来のレジス
トに比べてレジストの感度はかなり向上している。しか
しながら、超微細レジストパターンの形成においては、
感度の不足による様々な障害が生じている。このような
感度の不足によりレジストが十分に感光せず、レジスト
の下部においては現像速度が低下するため、レジストの
形状が矩形とならないこと、あるいはレジストの基部が
裾をひくこと、等が問題となっている。このように超微
細パターン形成に対して現在のレジストには改良の余地
があり、高感度、高解像度のレジストの開発が望まれて
いる。
トに比べてレジストの感度はかなり向上している。しか
しながら、超微細レジストパターンの形成においては、
感度の不足による様々な障害が生じている。このような
感度の不足によりレジストが十分に感光せず、レジスト
の下部においては現像速度が低下するため、レジストの
形状が矩形とならないこと、あるいはレジストの基部が
裾をひくこと、等が問題となっている。このように超微
細パターン形成に対して現在のレジストには改良の余地
があり、高感度、高解像度のレジストの開発が望まれて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、化学増幅
型レジストの出現によって感度は向上したものの、化学
増幅型レジストを用いても、超微細パターンの形成には
感度の不足による様々な障害が生じている。
型レジストの出現によって感度は向上したものの、化学
増幅型レジストを用いても、超微細パターンの形成には
感度の不足による様々な障害が生じている。
【０００８】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、化学増幅型レジストの感度を向上させるとともに、
さらにこのレジストを用いて高精度のマスクを提供する
ことを目的とする。
で、化学増幅型レジストの感度を向上させるとともに、
さらにこのレジストを用いて高精度のマスクを提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、酸触
媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に中性塩
を添加し、それによってレジストの感度を向上するよう
にしている。
媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に中性塩
を添加し、それによってレジストの感度を向上するよう
にしている。
【００１０】また本発明の方法では、露光光を選択する
マスクパターンの形成に際し、パターン形成用のレジス
トとして、樹脂と、架橋剤と、酸発生剤と、中性塩とを
含有した化学増幅型レジストを塗布したのち、この化学
増幅型レジストをパターン露光し、さらに熱処理を行っ
た後、現像を行うことによって形成したレジストパター
ンを用いるようにしている。
マスクパターンの形成に際し、パターン形成用のレジス
トとして、樹脂と、架橋剤と、酸発生剤と、中性塩とを
含有した化学増幅型レジストを塗布したのち、この化学
増幅型レジストをパターン露光し、さらに熱処理を行っ
た後、現像を行うことによって形成したレジストパター
ンを用いるようにしている。
【００１１】
【作用】本発明者らは、酸触媒反応系に中性塩を添加す
ることにより、触媒反応が促進される点に着目し、酸触
媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に適性量
の中性塩を添加した。これにより、酸による触媒反応が
促進され、架橋反応の速度が高くなるため、レジストの
高感度化をはかることができた。
ることにより、触媒反応が促進される点に着目し、酸触
媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に適性量
の中性塩を添加した。これにより、酸による触媒反応が
促進され、架橋反応の速度が高くなるため、レジストの
高感度化をはかることができた。
【００１２】また、本発明の方法では、Ｘ線、電子ビー
ム光等の露光光を用いたパターン露光のためのマスクの
エネルギー吸収体パターンを形成するに際し、酸触媒反
応を利用した化学増幅型レジストの成分中に適性量の中
性塩を添加したものをレジストとして用いてパターン露
光を行うことにより、架橋反応の速度が高くなって、レ
ジスト感度は大幅に向上するため、垂直かつ寸法誤差の
ないレジストパターンを形成することができ、これによ
って高精度のマスクを形成することができる。
ム光等の露光光を用いたパターン露光のためのマスクの
エネルギー吸収体パターンを形成するに際し、酸触媒反
応を利用した化学増幅型レジストの成分中に適性量の中
性塩を添加したものをレジストとして用いてパターン露
光を行うことにより、架橋反応の速度が高くなって、レ
ジスト感度は大幅に向上するため、垂直かつ寸法誤差の
ないレジストパターンを形成することができ、これによ
って高精度のマスクを形成することができる。
【００１３】ここで用いる中性塩としては、ＮａＣｌ，
ＫＣｌ，ＬｉＣｌ，ＢａＣｌ2 ，ＳｎＣｌ2 ，ＮａＮＯ
3 ，ＫＮＯ3 ，Ｎａ2 ＳＯ4 等を用いるのが望ましい。
ＫＣｌ，ＬｉＣｌ，ＢａＣｌ2 ，ＳｎＣｌ2 ，ＮａＮＯ
3 ，ＫＮＯ3 ，Ｎａ2 ＳＯ4 等を用いるのが望ましい。
【００１４】また、中性塩の添加によっておきるＮａ，
Ｋ等による下地基板の汚染は、Ｎａ，Ｋ等のＸ線透過率
が高いことから、マスクの製造に際して何等障害となる
ことはない。
Ｋ等による下地基板の汚染は、Ｎａ，Ｋ等のＸ線透過率
が高いことから、マスクの製造に際して何等障害となる
ことはない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明実施例のＸ線マスクの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【００１７】ここではＸ線吸収体パターンの形成に、酸
触媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に中性
塩を添加したものを用いことを特徴とするものである。
触媒反応を利用した化学増幅型レジストの成分中に中性
塩を添加したものを用いことを特徴とするものである。
【００１８】製造に際してはまず、高周波加熱方式のＬ
ＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコ―
ティングしたサセプタ上に、両面研磨を行った厚さ６０
０μm 、面方位（１００）の３インチＳｉ基板１を設置
し、１００℃においてＨＣ１ガスによりＳｉ基板の気相
エッチングを施すことにより、Ｓｉ基板上に存在する自
然酸化膜及び重金属類の汚染物を除去した。これによ
り、Ｓｉ基板の表面マスク清浄化処理が完了する。
ＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉＣをコ―
ティングしたサセプタ上に、両面研磨を行った厚さ６０
０μm 、面方位（１００）の３インチＳｉ基板１を設置
し、１００℃においてＨＣ１ガスによりＳｉ基板の気相
エッチングを施すことにより、Ｓｉ基板上に存在する自
然酸化膜及び重金属類の汚染物を除去した。これによ
り、Ｓｉ基板の表面マスク清浄化処理が完了する。
【００１９】次いで、図１(a) に示す如く、シリコン原
料としてシラン（ＳｉＨ4 ）、炭素原料としてアセチレ
ン（Ｃ2 Ｈ2）、キャリアガスとして水素（Ｈ2 ）ガ
ス、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）を供給しつつ、
基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板１上にＳｉＣ膜２を
１μｍ堆積する。
料としてシラン（ＳｉＨ4 ）、炭素原料としてアセチレ
ン（Ｃ2 Ｈ2）、キャリアガスとして水素（Ｈ2 ）ガ
ス、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）を供給しつつ、
基板温度１１００℃にて、Ｓｉ基板１上にＳｉＣ膜２を
１μｍ堆積する。
【００２０】この後、さらに、Ｓｉ基板１の裏面に電子
ビームを用いた真空蒸着装置を用いて、Ｓｉ基板１の裏
面に膜厚０．１μm のＣｒ膜３を堆積した。
ビームを用いた真空蒸着装置を用いて、Ｓｉ基板１の裏
面に膜厚０．１μm のＣｒ膜３を堆積した。
【００２１】そして、図１(b) に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術により中央部に直径２０mmの開口
部を有するレジストパターン４を形成する。
ォトリソグラフィ技術により中央部に直径２０mmの開口
部を有するレジストパターン４を形成する。
【００２２】次いで、図１(c) に示すように、このレジ
ストパターン４をマスクとして、硝酸第２セリウムアン
モニウム溶液を用いた液相エッチングによりＣｒ膜３に
開口部を形成した。
ストパターン４をマスクとして、硝酸第２セリウムアン
モニウム溶液を用いた液相エッチングによりＣｒ膜３に
開口部を形成した。
【００２３】この後、図１(d) に示すように、マグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、ＳｉＣ膜２の裏
面側に、Ｘ線吸収体として膜厚０．５μｍのＷ膜５を堆
積する。ここでスパッタリング条件としては、電力を１
ｋｗとし、ガス圧力を密度の大きいＷ膜を形成できる低
圧力側で、応力が０となる３mTorr となるようにした。
このようにして形成したＷ膜５の応力はシリコン基板１
の反りから測定した結果、３×１０7 N/m2 であった。
次にＷ膜５内にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋｅＶ，
３×１０15atoms/cm2 のドーズ量でイオン注入を行い応
力を０にする。この後、Ｗ膜５上にスパッタリング法に
よりＡｌ2 Ｏ3膜６を５０nm堆積させた。
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、ＳｉＣ膜２の裏
面側に、Ｘ線吸収体として膜厚０．５μｍのＷ膜５を堆
積する。ここでスパッタリング条件としては、電力を１
ｋｗとし、ガス圧力を密度の大きいＷ膜を形成できる低
圧力側で、応力が０となる３mTorr となるようにした。
このようにして形成したＷ膜５の応力はシリコン基板１
の反りから測定した結果、３×１０7 N/m2 であった。
次にＷ膜５内にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋｅＶ，
３×１０15atoms/cm2 のドーズ量でイオン注入を行い応
力を０にする。この後、Ｗ膜５上にスパッタリング法に
よりＡｌ2 Ｏ3膜６を５０nm堆積させた。
【００２４】そして図１(e) に示すように、シリコンか
らなる補強枠７とマスク支持体であるシリコン基板１を
直接接合により接合した。このとき補強枠７は弾性体で
ある厚さ１mmのバイトン製ゴムを敷いたステージ上に保
持し、１．０ｋｇ／cm2 の加圧力を１分間加えた。
らなる補強枠７とマスク支持体であるシリコン基板１を
直接接合により接合した。このとき補強枠７は弾性体で
ある厚さ１mmのバイトン製ゴムを敷いたステージ上に保
持し、１．０ｋｇ／cm2 の加圧力を１分間加えた。
【００２５】次に図１(f) に示すように、Ｗ膜５上に、
電子ビームレジスト８として、ＮａＣｌを１５％添加し
たＳＡＬ６０１と指称される化学増幅型レジストを、膜
厚０．５μm 塗布し、Ｎ2 雰囲気中で１３０℃に加熱し
てレジスト中の溶媒を除去した。次に電子ビーム描画装
置によりレジスト８をドーズ量８μＣ／cm2 で描画し
た。そしてＮ2 雰囲気中で１３０℃に加熱し、架橋剤の
酸触媒反応を促進した後、現像を行い所望のパターン
（最小線幅０．１５μm ）を形成した。
電子ビームレジスト８として、ＮａＣｌを１５％添加し
たＳＡＬ６０１と指称される化学増幅型レジストを、膜
厚０．５μm 塗布し、Ｎ2 雰囲気中で１３０℃に加熱し
てレジスト中の溶媒を除去した。次に電子ビーム描画装
置によりレジスト８をドーズ量８μＣ／cm2 で描画し
た。そしてＮ2 雰囲気中で１３０℃に加熱し、架橋剤の
酸触媒反応を促進した後、現像を行い所望のパターン
（最小線幅０．１５μm ）を形成した。
【００２６】次に、図１(g) に示すように、ＥＣＲプラ
ズマエッチング装置によりＣｌ2 ＋Ｈ2 をエッチングガ
スとして用いて、レジスト８をマスクとしてＡｌ2 Ｏ3
膜６をエッチングした。
ズマエッチング装置によりＣｌ2 ＋Ｈ2 をエッチングガ
スとして用いて、レジスト８をマスクとしてＡｌ2 Ｏ3
膜６をエッチングした。
【００２７】そして図１(h) に示すように、エッチング
ガスとしてＳＦ6 およびＣＨＦ3 をエッチングガスとし
て用いた異方性エッチングによりＡｌ2 Ｏ3 膜６をマス
クとしてＷ膜５をパターニングする。印加電力は２００
Ｗ，放電圧力は２０mTorr とした。
ガスとしてＳＦ6 およびＣＨＦ3 をエッチングガスとし
て用いた異方性エッチングによりＡｌ2 Ｏ3 膜６をマス
クとしてＷ膜５をパターニングする。印加電力は２００
Ｗ，放電圧力は２０mTorr とした。
【００２８】次に、図１(i) に示すように、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム溶液によりＣｒ膜３
をマスクとしてシリコン基板１を液相でエッチングし除
去した。これにより、直径３０mmの開口部を形成するこ
とができた。
熱した濃度３０％の水酸化カリウム溶液によりＣｒ膜３
をマスクとしてシリコン基板１を液相でエッチングし除
去した。これにより、直径３０mmの開口部を形成するこ
とができた。
【００２９】以上の工程により形成したＸ線マスクのＸ
線吸収体パターンの形状をＳＥＭにより観察したとこ
ろ、０．１５μm のライン＆スペースが良好に形成され
ており、エッジラフネスもなく、垂直形状のＷパターン
となっていた。またＸ線マスクのパターン位置ずれを測
定すべく、２０mm×２０mmの測定領域における十字パタ
ーンのバックエッチ前と後との位置ずれを、ニコン社製
「光波３ｌ」と指称されているレーザ干渉測長器によっ
て測定した結果、検出限界である０．０１μm （３σ）
以下という格段に小さい値を達成することができた。
線吸収体パターンの形状をＳＥＭにより観察したとこ
ろ、０．１５μm のライン＆スペースが良好に形成され
ており、エッジラフネスもなく、垂直形状のＷパターン
となっていた。またＸ線マスクのパターン位置ずれを測
定すべく、２０mm×２０mmの測定領域における十字パタ
ーンのバックエッチ前と後との位置ずれを、ニコン社製
「光波３ｌ」と指称されているレーザ干渉測長器によっ
て測定した結果、検出限界である０．０１μm （３σ）
以下という格段に小さい値を達成することができた。
【００３０】次に、この中性塩添加による効果を調べる
ため、まず、化学増幅型レジストＸＰ８８４３中にＮａ
Ｃｌを０〜３０％添加したものを、シリコン基板表面に
膜厚５μm となるように塗布した。
ため、まず、化学増幅型レジストＸＰ８８４３中にＮａ
Ｃｌを０〜３０％添加したものを、シリコン基板表面に
膜厚５μm となるように塗布した。
【００３１】ついでこのレジストに波長３１３nmのＵＶ
光を１秒間照射し、現像液に対する溶解速度の測定を行
った。
光を１秒間照射し、現像液に対する溶解速度の測定を行
った。
【００３２】この結果を図２に示す。図２から、酸触媒
による架橋反応がＮａＣｌの添加によって促進され、濃
度１０％で最大となるのがわかる。
による架橋反応がＮａＣｌの添加によって促進され、濃
度１０％で最大となるのがわかる。
【００３３】このように適性量の中性塩を添加すること
により、架橋反応の速度が高くなるため、レジスト感度
は大幅に向上する。
により、架橋反応の速度が高くなるため、レジスト感度
は大幅に向上する。
【００３４】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、ＳＡＬ６０１のような電子ビ
ームレジストに限定されるものではなく、光露光用レジ
ストＸＰ８８４３等、酸触媒反応を利用した化学増幅型
レジストならば適用可能である。また、マスクもＸ線マ
スクの他、フォトマスク，ＥＢ転写マスク等他のもので
もよい。さらにまた、マスクの形成に限定されることな
く、Ｎａ，Ｋ等のイオンの影響の無いデバイスの製造工
程等であれば、他の処理工程にも適用可能である。
るものではない。例えば、ＳＡＬ６０１のような電子ビ
ームレジストに限定されるものではなく、光露光用レジ
ストＸＰ８８４３等、酸触媒反応を利用した化学増幅型
レジストならば適用可能である。また、マスクもＸ線マ
スクの他、フォトマスク，ＥＢ転写マスク等他のもので
もよい。さらにまた、マスクの形成に限定されることな
く、Ｎａ，Ｋ等のイオンの影響の無いデバイスの製造工
程等であれば、他の処理工程にも適用可能である。
【００３５】また、添加する中性塩としてもＮａＣｌに
限定されることなく、ＫＣｌ等他の中性塩を用いるよう
にしてもよい。
限定されることなく、ＫＣｌ等他の中性塩を用いるよう
にしてもよい。
【００３６】さらにまた、Ｘ線吸収体もＷに限らず、Ｔ
ａ，Ｍｏ及びこれらの窒化物及び炭化物を用いることも
できる。Ｘ線透過性薄膜としてＳｉＣ膜を用いたが、Ｓ
ｉＮx ，ＢＮ，ボロンド―プしたＳｉ基板を用いること
ができる。
ａ，Ｍｏ及びこれらの窒化物及び炭化物を用いることも
できる。Ｘ線透過性薄膜としてＳｉＣ膜を用いたが、Ｓ
ｉＮx ，ＢＮ，ボロンド―プしたＳｉ基板を用いること
ができる。
【００３７】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
で、種々変形して実施することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、化学増幅型レジストに中性塩を添加することによ
り、感度が大幅に向上し、垂直かつ寸法誤差のないレジ
ストパターンを形成することができ、これによって高精
度のマスクを形成することが可能となる。
ば、化学増幅型レジストに中性塩を添加することによ
り、感度が大幅に向上し、垂直かつ寸法誤差のないレジ
ストパターンを形成することができ、これによって高精
度のマスクを形成することが可能となる。
【図１】本発明実施例のＸ線マスクの製造工程を示す図
【図２】本発明による中性塩の添加量とレジストの溶解
速度との関係を測定した結果を示す図
速度との関係を測定した結果を示す図
１ Ｓｉ基板 ２ ＳｉＣ膜 ３ Ｃｒ膜 ４ レジストパターン ５ Ｗ膜 ６ Ａｌ2 Ｏ3 膜 ７ 補強枠 ８ 電子ビームレジスト
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂と、架橋剤と、酸発生剤と、中性塩
とを含有したことを特徴とする化学増幅型レジスト。 - 【請求項２】 マスク支持体上に、露光光を選択するマ
スクパターンを形成する吸収体パターン形成工程とを含
み、 前記マスクパターン形成工程が、 パターン形成用のレジストとして、樹脂と、架橋剤と、
酸発生剤と、中性塩とを含有した化学増幅型レジストを
塗布する塗布工程と、 前記化学増幅型レジストをパターン露光する露光工程と
熱処理を行う熱処理工程と、 現像工程とを含むことを特徴とする露光用マスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488391A JPH0572737A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488391A JPH0572737A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572737A true JPH0572737A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16977819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23488391A Pending JPH0572737A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 化学増幅型レジストおよびこれを用いた露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619522A3 (en) * | 1993-04-02 | 1995-07-26 | Ibm | Positive photoresist composition with an acid generating substance by exposure and its application. |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23488391A patent/JPH0572737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619522A3 (en) * | 1993-04-02 | 1995-07-26 | Ibm | Positive photoresist composition with an acid generating substance by exposure and its application. |
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