JPH0261823B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0261823B2 JPH0261823B2 JP57108360A JP10836082A JPH0261823B2 JP H0261823 B2 JPH0261823 B2 JP H0261823B2 JP 57108360 A JP57108360 A JP 57108360A JP 10836082 A JP10836082 A JP 10836082A JP H0261823 B2 JPH0261823 B2 JP H0261823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- attenuator
- compensated
- signal
- squelch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/03—Constructional details, e.g. casings, housings
- H04B1/036—Cooling arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はヘテロダイン送信装置において、送信
出力の温度補償を行あう温度補償減衰器に関す
る。
出力の温度補償を行あう温度補償減衰器に関す
る。
従来この種の温度補償を行なうとき、中間周波
帯に抵抗及びピンダイオードから構成される減衰
器を用い、電力増幅器の出力電力を検波した制御
信号によつて、上記ピンダイオードのバイアス電
流を変化させることによつて行なつていた。
帯に抵抗及びピンダイオードから構成される減衰
器を用い、電力増幅器の出力電力を検波した制御
信号によつて、上記ピンダイオードのバイアス電
流を変化させることによつて行なつていた。
しかしながら、このような構成の温度補償減衰
器は、リターンロスを十分とることができなかつ
た。またスケルチ発振器とのアイソレーシヨンを
とることが困難であつた。さらに、電力増幅器の
出力電力を検波して制御信号を発する制御部を必
要とし、実装空間が大きくなる欠点があつた。
器は、リターンロスを十分とることができなかつ
た。またスケルチ発振器とのアイソレーシヨンを
とることが困難であつた。さらに、電力増幅器の
出力電力を検波して制御信号を発する制御部を必
要とし、実装空間が大きくなる欠点があつた。
本発明の目的はヘテロダイン送信機において、
送信出力の温度補償を行う場合に、電力増幅器の
出力電力を検出する制御部を必要とせずに、なお
かつ、スケルチ時に信号との高アイソレーシヨン
を実現することができる温度補償減衰器を提供す
ることにある。
送信出力の温度補償を行う場合に、電力増幅器の
出力電力を検出する制御部を必要とせずに、なお
かつ、スケルチ時に信号との高アイソレーシヨン
を実現することができる温度補償減衰器を提供す
ることにある。
本発明によれば、送信出力レベルが所定の温度
特性を有し、温度補償された送信出力とスケルチ
信号発生回路からのスケルチ信号とを中間周波帯
で切替え、かつ中間周波をマイクロ波に変換し増
幅して送出するヘテロダイン送信機における送信
出力の温度補償を中間周波帯で行う温度補償減衰
器であつて、ピンダイオードを用いてπ形に構成
された減衰器を有し、該π形減衰器の前記ピンダ
イオードは、外部からの制御信号によつて、送信
出力時には低い抵抗値を呈して送信信号を所定レ
ベルで出力すべく機能し、スケルチ信号送信時に
は高い抵抗値を呈して前記送信信号に高い減衰量
を与えるとともに前記スケルチ信号発生回路との
アイソレーシヨンをよくするようにバイアスさ
れ、かつ前記π形減衰器にはそのピンダイオード
のバイアス電流が温度により変化してその抵抗値
が変化するような感熱素子を含む温度補償回路が
接続されていることを特徴とする温度補償減衰器
が得られる。
特性を有し、温度補償された送信出力とスケルチ
信号発生回路からのスケルチ信号とを中間周波帯
で切替え、かつ中間周波をマイクロ波に変換し増
幅して送出するヘテロダイン送信機における送信
出力の温度補償を中間周波帯で行う温度補償減衰
器であつて、ピンダイオードを用いてπ形に構成
された減衰器を有し、該π形減衰器の前記ピンダ
イオードは、外部からの制御信号によつて、送信
出力時には低い抵抗値を呈して送信信号を所定レ
ベルで出力すべく機能し、スケルチ信号送信時に
は高い抵抗値を呈して前記送信信号に高い減衰量
を与えるとともに前記スケルチ信号発生回路との
アイソレーシヨンをよくするようにバイアスさ
れ、かつ前記π形減衰器にはそのピンダイオード
のバイアス電流が温度により変化してその抵抗値
が変化するような感熱素子を含む温度補償回路が
接続されていることを特徴とする温度補償減衰器
が得られる。
以下図面を参照して詳細に説明する。
第１図は従来の温度補償減衰器付きヘテロダイ
ン送信機の構成を示したブロツク図である。図に
おいて、１は従来の温度補償減衰器、２はミキサ
ー、３は局部発振器、４はマイクロ波帯波器、
５は電力増幅器、６はスケルチ信号発生器、７，
８は制御部を示している。温度補償減衰器１は、
抵抗R1，R2，R3，R4，R5、コンデンサC1，C2、
ピンダイオードD1、コイルL1から構成されてい
る。
ン送信機の構成を示したブロツク図である。図に
おいて、１は従来の温度補償減衰器、２はミキサ
ー、３は局部発振器、４はマイクロ波帯波器、
５は電力増幅器、６はスケルチ信号発生器、７，
８は制御部を示している。温度補償減衰器１は、
抵抗R1，R2，R3，R4，R5、コンデンサC1，C2、
ピンダイオードD1、コイルL1から構成されてい
る。
第１図を参照すると、このような構成の装置に
おいて送信出力の温度変化を補償するには、ま
ず、制御部７は、電力増幅器５の出力電力を検波
した制御信号を温度補償減衰器１へ出力し、この
制御信号によつてピンダイオードD1に流れるバ
イアス電流を変化させて行なう。しかしながら、
ピンダイオードD1の抵抗分のみを変えることに
より温度補償を行なつていたため、温度が変化し
た時に定抵抗回路を構成することが困難であり、
温度補償減衰器１の入力端子及び電力増幅器５の
出力端子におけるリターンロスを十分にとること
ができなかつた。また、制御部８からの制御信号
によつてスケルチ信号発生器６はスケルチ信号を
出力するが、このとき温度補償減衰器１は高抵抗
とならないためにスケルチ信号発生器６とのアイ
ソレーシヨンをとることが困難であつた。さら
に、スケルチ信号発生器６用の制御部８の他に上
述した温度補償減衰器１用の制御部７を必要とす
るために、実装空間が大きくなる欠点があつた。
おいて送信出力の温度変化を補償するには、ま
ず、制御部７は、電力増幅器５の出力電力を検波
した制御信号を温度補償減衰器１へ出力し、この
制御信号によつてピンダイオードD1に流れるバ
イアス電流を変化させて行なう。しかしながら、
ピンダイオードD1の抵抗分のみを変えることに
より温度補償を行なつていたため、温度が変化し
た時に定抵抗回路を構成することが困難であり、
温度補償減衰器１の入力端子及び電力増幅器５の
出力端子におけるリターンロスを十分にとること
ができなかつた。また、制御部８からの制御信号
によつてスケルチ信号発生器６はスケルチ信号を
出力するが、このとき温度補償減衰器１は高抵抗
とならないためにスケルチ信号発生器６とのアイ
ソレーシヨンをとることが困難であつた。さら
に、スケルチ信号発生器６用の制御部８の他に上
述した温度補償減衰器１用の制御部７を必要とす
るために、実装空間が大きくなる欠点があつた。
第２図は本発明による温度補償減衰器付ヘテロ
ダイン送信機の一実施例の構成を示したブロツク
図である。図において第１図と同一記号のものは
同一の構成を有するものであり、１′は本発明の
温度補償減衰器、９は制御部を示している。温度
補償減衰器１′は、抵抗R11，R12，R13、コンデ
ンサC11，C12、ピンダイオードD11，D12，D13、
サーミスタT11から構成されている。よつて、こ
の実施例では、ピンダイオードD11，D12，D13に
より構成されており、温度補償減衰器１′におけ
る中間周波信号の減衰量とピンダイオードD11，
D12，D13の抵抗分との関係は、第３図に表わさ
れる。このπ形減衰器を構成するピンダイオード
D11，D12、及びD13の各々は、後述するように、
制御部９からの制御信号によつて、送信出力時に
は低い抵抗値を、スケルチ動作時には高い抵抗値
を持つようにバイアスされる。また、このπ形減
衰器には、その減衰量の温度による変化量を温度
補償するために、サーミスタT11、抵抗R12、及
び抵抗R13からなる温度補償回路が接続されてい
る。
ダイン送信機の一実施例の構成を示したブロツク
図である。図において第１図と同一記号のものは
同一の構成を有するものであり、１′は本発明の
温度補償減衰器、９は制御部を示している。温度
補償減衰器１′は、抵抗R11，R12，R13、コンデ
ンサC11，C12、ピンダイオードD11，D12，D13、
サーミスタT11から構成されている。よつて、こ
の実施例では、ピンダイオードD11，D12，D13に
より構成されており、温度補償減衰器１′におけ
る中間周波信号の減衰量とピンダイオードD11，
D12，D13の抵抗分との関係は、第３図に表わさ
れる。このπ形減衰器を構成するピンダイオード
D11，D12、及びD13の各々は、後述するように、
制御部９からの制御信号によつて、送信出力時に
は低い抵抗値を、スケルチ動作時には高い抵抗値
を持つようにバイアスされる。また、このπ形減
衰器には、その減衰量の温度による変化量を温度
補償するために、サーミスタT11、抵抗R12、及
び抵抗R13からなる温度補償回路が接続されてい
る。
通常の送信信号出力時、制御部９は温度補償減
衰器１′に制御信号（負レベル）を出力している。
すなわち、ピンダイオードD11，D12、及びD13の
各々は、順方向にバイアスされ、低い抵抗値を有
する。このとき、ピンダイオードD11の抵抗分
は、サーミスタT11、抵抗R13を通つて印加され
る順方向バイアス電流によつて決定される。一
方、ピンダイオードD12，D13の抵抗分は、抵抗
R12を通つて印加される順方向バイアス電流及び
ピンダイオードD11に印加される電流による電圧
降下分により決定される。よつて、抵抗R11，
R12，R13の組合せにより、ピンダイオードD12，
D13の抵抗分は、ピンダイオードD11のバイアス
電流を制御するだけで決定できる。したがつて、
制御部９により第３図に示される減衰量でのピン
ダイオードD11，D12，D13の抵抗分を得るように
ピンダイオードD11，D12，D13のバイアス電流を
決定すると共に、温度による減衰量の変化量をサ
ーミスタT11と抵抗R12，R13により構成される温
度補償回路によつて温度補償することにより、即
ち、ピンダイオードD11のバイアス電流をバイア
ス回路であるサーミスタT11によつて制御するこ
とにより、送信信号出力の温度による変化を温度
補償減衰器１′の減衰量を変化させることにより
中間周波信号出力レベルを制御し、ミキサー２、
マイクロ波帯波器４、電力増幅器５を通つて出
力される中間周波出力を、一定レベルに制御する
ことができる。
衰器１′に制御信号（負レベル）を出力している。
すなわち、ピンダイオードD11，D12、及びD13の
各々は、順方向にバイアスされ、低い抵抗値を有
する。このとき、ピンダイオードD11の抵抗分
は、サーミスタT11、抵抗R13を通つて印加され
る順方向バイアス電流によつて決定される。一
方、ピンダイオードD12，D13の抵抗分は、抵抗
R12を通つて印加される順方向バイアス電流及び
ピンダイオードD11に印加される電流による電圧
降下分により決定される。よつて、抵抗R11，
R12，R13の組合せにより、ピンダイオードD12，
D13の抵抗分は、ピンダイオードD11のバイアス
電流を制御するだけで決定できる。したがつて、
制御部９により第３図に示される減衰量でのピン
ダイオードD11，D12，D13の抵抗分を得るように
ピンダイオードD11，D12，D13のバイアス電流を
決定すると共に、温度による減衰量の変化量をサ
ーミスタT11と抵抗R12，R13により構成される温
度補償回路によつて温度補償することにより、即
ち、ピンダイオードD11のバイアス電流をバイア
ス回路であるサーミスタT11によつて制御するこ
とにより、送信信号出力の温度による変化を温度
補償減衰器１′の減衰量を変化させることにより
中間周波信号出力レベルを制御し、ミキサー２、
マイクロ波帯波器４、電力増幅器５を通つて出
力される中間周波出力を、一定レベルに制御する
ことができる。
次にスケルチ信号送信時について説明する。こ
のとき、制御部９により、スケルチ発振回路６を
動作させると共に温度補償減衰器１′に流れる電
流を制限する。即ち、制御信号を送出しないこの
ように、制御部９は減衰器１′へ制御信号を送出
しないので、ピンダイオードD11，D12，D13は無
電位となるために、それぞれ高抵抗となり、温度
補償減衰器１′は高い減衰量を持つ減衰器となる。
そのため、入力された中間周波信号は温度補償減
衰器１′にて減衰し、中間周波信号に変わつてス
ケルチ発振器６からのスケルチ信号は、ミキサー
２、マイクロ波帯波器４、電力増幅器５を通つ
て、送信機から出力される。
のとき、制御部９により、スケルチ発振回路６を
動作させると共に温度補償減衰器１′に流れる電
流を制限する。即ち、制御信号を送出しないこの
ように、制御部９は減衰器１′へ制御信号を送出
しないので、ピンダイオードD11，D12，D13は無
電位となるために、それぞれ高抵抗となり、温度
補償減衰器１′は高い減衰量を持つ減衰器となる。
そのため、入力された中間周波信号は温度補償減
衰器１′にて減衰し、中間周波信号に変わつてス
ケルチ発振器６からのスケルチ信号は、ミキサー
２、マイクロ波帯波器４、電力増幅器５を通つ
て、送信機から出力される。
以上の説明で明らかなように、本発明によれ
ば、送信出力の温度変化分と逆特性をとるように
減衰器を設定しているため、送信機の送信出力を
温度変化に対して常に一定に保つことができる。
またスケルチ信号送信時、温度補償減衰器が高抵
抗となるので、スケルチ発振器と温度補償減衰器
とのアイソレーシヨンを十分にとることができ
る。さらに、従来の温度補償減衰器の制御部は、
増幅器の電力を検波するものを用いていたので実
装空間が大きくなつたのに対し、本発明の温度補
償減衰器の制御部は、スケルチ発振器の制御部と
同一化され回路が簡略化できる効果がある。
ば、送信出力の温度変化分と逆特性をとるように
減衰器を設定しているため、送信機の送信出力を
温度変化に対して常に一定に保つことができる。
またスケルチ信号送信時、温度補償減衰器が高抵
抗となるので、スケルチ発振器と温度補償減衰器
とのアイソレーシヨンを十分にとることができ
る。さらに、従来の温度補償減衰器の制御部は、
増幅器の電力を検波するものを用いていたので実
装空間が大きくなつたのに対し、本発明の温度補
償減衰器の制御部は、スケルチ発振器の制御部と
同一化され回路が簡略化できる効果がある。
第１図は従来の温度補償減衰器付きヘテロダイ
ン送信機の構成を示したブロツク図、第２図は本
発明による温度補償減衰器付きヘテロダイン送信
機の一実施例の構成を示したブロツク図、第３図
は本発明による温度補償減衰器の減衰量に対する
ピンダイオードD11，D12，D13の抵抗分の値の関
係を表わすグラフである。である。 記号の説明：１は従来の温度補償減衰器、１′
は本発明の温度補償減衰器、２はミキサー、３は
局部発振器、４はマイクロ波帯波器、５は電力
増幅器、６はスケルチ信号発生器、７，８，９は
制御部、R1，R2，R3，R4，R5，R11，R12，R13
は抵抗、C1，C2，C11，C12はコンデンサ、D1，
D11，D12，D13はピンダイオード、L1はコイル、
T11はサーミスタをそれぞれあらわしている。
ン送信機の構成を示したブロツク図、第２図は本
発明による温度補償減衰器付きヘテロダイン送信
機の一実施例の構成を示したブロツク図、第３図
は本発明による温度補償減衰器の減衰量に対する
ピンダイオードD11，D12，D13の抵抗分の値の関
係を表わすグラフである。である。 記号の説明：１は従来の温度補償減衰器、１′
は本発明の温度補償減衰器、２はミキサー、３は
局部発振器、４はマイクロ波帯波器、５は電力
増幅器、６はスケルチ信号発生器、７，８，９は
制御部、R1，R2，R3，R4，R5，R11，R12，R13
は抵抗、C1，C2，C11，C12はコンデンサ、D1，
D11，D12，D13はピンダイオード、L1はコイル、
T11はサーミスタをそれぞれあらわしている。
Claims (1)
- １ 送信出力レベルが所定の温度特性を有し、温
度補償された送信出力とスケルチ信号発生回路か
らのスケルチ信号とを中間周波帯で切替え、かつ
中間周波をマイクロ波に変換し増幅して送出する
ヘテロダイン送信機における送信出力の温度補償
を中間周波帯で行う温度補償減衰器であつて、ピ
ンダイオードを用いてπ形に構成された減衰器を
有し、該π形減衰器の前記各ピンダイオードは、
外部からの制御信号によつて、送信出力時には低
い抵抗値を呈して送信信号を所定レベルで出力す
べく機能し、スケルチ信号送信時には高い抵抗値
を呈して前記送信信号に高い減衰量を与えるとと
もに前記スケルチ信号発生回路とのアイソレーシ
ヨンをよくするようにバイアスされ、かつ前記π
形減衰器にはそのピンダイオードのバイアス電流
が温度により変化してその抵抗値が変化するよう
な感熱素子を含む温度補償回路が接続されている
ことを特徴とする温度補償減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10836082A JPS58225732A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 温度補償減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10836082A JPS58225732A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 温度補償減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225732A JPS58225732A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0261823B2 true JPH0261823B2 (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14482756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10836082A Granted JPS58225732A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 温度補償減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225732A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314431A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | 送信電力制御回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575957Y2 (ja) * | 1978-09-28 | 1982-02-04 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10836082A patent/JPS58225732A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58225732A (ja) | 1983-12-27 |
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