JPS646563B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS646563B2 JPS646563B2 JP8969683A JP8969683A JPS646563B2 JP S646563 B2 JPS646563 B2 JP S646563B2 JP 8969683 A JP8969683 A JP 8969683A JP 8969683 A JP8969683 A JP 8969683A JP S646563 B2 JPS646563 B2 JP S646563B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- diode
- temperature
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、PINダイオードを用いた定インピー
ダンス形の可変抵抗減衰回路に関する。特に、
PINダイオードに与えるバイアス電圧を温度補償
型にした可変抵抗減衰回路の改良に関する。
ダンス形の可変抵抗減衰回路に関する。特に、
PINダイオードに与えるバイアス電圧を温度補償
型にした可変抵抗減衰回路の改良に関する。
第1図は改良前の回路構成図である。定インピ
ーダンス抵抗減衰器1の入力端子1aには高周波
信号が入力し、減衰を受けて出力端子1bに送出
される。この定インピーダンス抵抗減衰器1は橋
絡T形の可変抵抗減衰器である。この定インピー
ダンス抵抗減衰器1には、その直列アームおよび
並列アームにそれぞれPINダイオード1cおよび
1dを備え、その直流バイアス電圧を与える回路
は、2個のコイル1fおよび1gにより直列に接
続されている。この直流バイアス電圧を与える電
源端子1hには直流バイアス電圧発生回路から直
流バイアス電圧が与えられ、上記2個のコイルの
接続点である制御端子1kには制御電圧が与えら
れる。
ーダンス抵抗減衰器1の入力端子1aには高周波
信号が入力し、減衰を受けて出力端子1bに送出
される。この定インピーダンス抵抗減衰器1は橋
絡T形の可変抵抗減衰器である。この定インピー
ダンス抵抗減衰器1には、その直列アームおよび
並列アームにそれぞれPINダイオード1cおよび
1dを備え、その直流バイアス電圧を与える回路
は、2個のコイル1fおよび1gにより直列に接
続されている。この直流バイアス電圧を与える電
源端子1hには直流バイアス電圧発生回路から直
流バイアス電圧が与えられ、上記2個のコイルの
接続点である制御端子1kには制御電圧が与えら
れる。
直流バイアス電圧発生回路は、定電流回路2に
より定電流があたえられたダイオード2と、その
端子電圧を増幅する増幅器4により構成される。
ダイオード2はその温度特性が定インピーダンス
抵抗減衰器1のPINダイオード1cおよび1dと
ほぼ等しいものが選ばれ、増幅器4はそのダイオ
ード3の端子電圧を2倍に増幅してバイアス電圧
とするように構成される。この2倍の値は、2個
のPINダイオード1cおよび1dが直流回路とし
ては直列に接続されているからである。
より定電流があたえられたダイオード2と、その
端子電圧を増幅する増幅器4により構成される。
ダイオード2はその温度特性が定インピーダンス
抵抗減衰器1のPINダイオード1cおよび1dと
ほぼ等しいものが選ばれ、増幅器4はそのダイオ
ード3の端子電圧を2倍に増幅してバイアス電圧
とするように構成される。この2倍の値は、2個
のPINダイオード1cおよび1dが直流回路とし
ては直列に接続されているからである。
端子1kの制御電圧は、端子6に与えられる電
圧と、上記ダイオード3の端子電圧を利得可変増
幅器8で増幅した電圧とを、加算回路9で加算し
て与える。
圧と、上記ダイオード3の端子電圧を利得可変増
幅器8で増幅した電圧とを、加算回路9で加算し
て与える。
このように構成された回路では、端子6に与え
る電圧により端子1kの電圧が変化して、PINダ
イオード1cおよび1dの等化抵抗値が変化し、
端子1aから端子1bに至る高周波信号の減衰量
が変化する。端子1hに与えられるバイアス電圧
は、この2個のPINダイオード1cおよび1dの
温度特性を補償するように、バイアス電圧発生回
路から与えられ、端子1kに与える制御電圧も増
幅器8から与えられる電圧により温度補償される
優れた回路である。
る電圧により端子1kの電圧が変化して、PINダ
イオード1cおよび1dの等化抵抗値が変化し、
端子1aから端子1bに至る高周波信号の減衰量
が変化する。端子1hに与えられるバイアス電圧
は、この2個のPINダイオード1cおよび1dの
温度特性を補償するように、バイアス電圧発生回
路から与えられ、端子1kに与える制御電圧も増
幅器8から与えられる電圧により温度補償される
優れた回路である。
この回路の制御電圧に対する減衰量の特性を第
2図に示す。この第2図から分るように、この減
衰量の特性は減衰量が約4dBから約18dBまでは、
制御電圧に対してよい直線性を示すが、減衰量の
小さい範囲では直線性が悪い。すなわち、この回
路は約4dBの基本的な損失を与えないと、制御電
圧に対する減衰量の直線性が得られない欠点があ
る。
2図に示す。この第2図から分るように、この減
衰量の特性は減衰量が約4dBから約18dBまでは、
制御電圧に対してよい直線性を示すが、減衰量の
小さい範囲では直線性が悪い。すなわち、この回
路は約4dBの基本的な損失を与えないと、制御電
圧に対する減衰量の直線性が得られない欠点があ
る。
本発明はこれを改良するもので、減衰量の小さ
い範囲でも制御電圧に対して減衰量の変化が直線
的である可変抵抗減衰回路を提供することを目的
とする。
い範囲でも制御電圧に対して減衰量の変化が直線
的である可変抵抗減衰回路を提供することを目的
とする。
本発明は、上記加算回路の出力に第一の抵抗器
と、第二の抵抗器およびダイオードの直列回路と
で構成された分圧回路を備え、 上記制御電圧がこの分圧回路から与えられるよ
うに構成して、減衰量の変化特性を減衰量の小さ
い範囲まで拡大することを特徴とする。
と、第二の抵抗器およびダイオードの直列回路と
で構成された分圧回路を備え、 上記制御電圧がこの分圧回路から与えられるよ
うに構成して、減衰量の変化特性を減衰量の小さ
い範囲まで拡大することを特徴とする。
第3図は本発明第一実施例回路の構成図であ
る。定インピーダンス抵抗減衰器1の入力端子1
aに与えられる高周波信号は、出力端子1bに減
衰を受けて現れる。この定インピーダンス抵抗減
衰器1は橋路T形の抵抗減衰器により構成され、
その直列アームおよび並列アームにはそれぞれ
PINダイオード1cおよび1dが挿入され、この
PINダイオード1cおよび1dには端子1hから
直流バイアス電圧が与えられている。このバイア
ス電圧は、定電流回路2で駆動されたダイオード
3の端子電圧を増幅器4で増幅することにより得
られ、PINダイオード1cおよび1dの温度特性
を補償するように構成されている。ダイオード3
はその温度特性がPINダイオード1cおよび1d
とほぼ等しい特性のものが選ばれる。増幅器4
は、PINダイオード1cおよび1dが2個直列に
接続されているので、利得が2倍に設定される。
る。定インピーダンス抵抗減衰器1の入力端子1
aに与えられる高周波信号は、出力端子1bに減
衰を受けて現れる。この定インピーダンス抵抗減
衰器1は橋路T形の抵抗減衰器により構成され、
その直列アームおよび並列アームにはそれぞれ
PINダイオード1cおよび1dが挿入され、この
PINダイオード1cおよび1dには端子1hから
直流バイアス電圧が与えられている。このバイア
ス電圧は、定電流回路2で駆動されたダイオード
3の端子電圧を増幅器4で増幅することにより得
られ、PINダイオード1cおよび1dの温度特性
を補償するように構成されている。ダイオード3
はその温度特性がPINダイオード1cおよび1d
とほぼ等しい特性のものが選ばれる。増幅器4
は、PINダイオード1cおよび1dが2個直列に
接続されているので、利得が2倍に設定される。
一方、定インピーダンス抵抗減衰器1のPINダ
イオード1cおよび1dには、コイル1fおよび
1gの接続点に接続された端子1kから制御電圧
が与えられる。この制御電圧は、端子6の電圧に
上記ダイオード3の端子電圧を増幅する増幅器8
の出力電圧を加算回路9で加算した電圧が与えら
れる。増幅器8は利得可変として、この利得を変
化させることにより、制御電圧の温度補償の効果
を加減する。
イオード1cおよび1dには、コイル1fおよび
1gの接続点に接続された端子1kから制御電圧
が与えられる。この制御電圧は、端子6の電圧に
上記ダイオード3の端子電圧を増幅する増幅器8
の出力電圧を加算回路9で加算した電圧が与えら
れる。増幅器8は利得可変として、この利得を変
化させることにより、制御電圧の温度補償の効果
を加減する。
ここで本発明の特徴とするところは、加算回路
9の出力に、第一の抵抗器11と、第二の抵抗器
12およびダイオード13の直列回路による分岐
回路を挿入し、定インピーダンス抵抗減衰器1の
制御電圧入力端子1kにはこの分岐回路の分岐電
圧を与えるように構成したところにある。このダ
イオード13は、この例では、加算回路9の出力
電圧により順方向にバイアスされるように接続さ
れていて、加算回路9の出力電圧が約0.6Vにな
ると導通状態になる。すなわち、加算回路9の出
力電圧が0Vから0.6Vまでは、ダイオード13は
開放状態であつて、加算回路9の出力電圧は抵抗
器11を介して端子1kに与えられるが、この出
力電圧が0.6Vを越えると、ダイオード13が導
通状態になり、抵抗器11および12による分岐
回路が作用して、その分岐電圧が端子1kに与え
られることになる。したがつて、第2図に示す制
御電圧に対する減衰量の特性は、制御電圧が約
0.6Vのところで折れ曲がり、全体の傾斜が緩や
かになつて制御電圧の低い範囲、すなわち減衰量
の小さい範囲からその直線性が良くなる。
9の出力に、第一の抵抗器11と、第二の抵抗器
12およびダイオード13の直列回路による分岐
回路を挿入し、定インピーダンス抵抗減衰器1の
制御電圧入力端子1kにはこの分岐回路の分岐電
圧を与えるように構成したところにある。このダ
イオード13は、この例では、加算回路9の出力
電圧により順方向にバイアスされるように接続さ
れていて、加算回路9の出力電圧が約0.6Vにな
ると導通状態になる。すなわち、加算回路9の出
力電圧が0Vから0.6Vまでは、ダイオード13は
開放状態であつて、加算回路9の出力電圧は抵抗
器11を介して端子1kに与えられるが、この出
力電圧が0.6Vを越えると、ダイオード13が導
通状態になり、抵抗器11および12による分岐
回路が作用して、その分岐電圧が端子1kに与え
られることになる。したがつて、第2図に示す制
御電圧に対する減衰量の特性は、制御電圧が約
0.6Vのところで折れ曲がり、全体の傾斜が緩や
かになつて制御電圧の低い範囲、すなわち減衰量
の小さい範囲からその直線性が良くなる。
第4図は本発明の第二実施例回路の構成図であ
る。この回路は上記第一実施例で説明した回路の
ダイオード13に並列に、サーミスタ14を接続
したところに特徴があり、その他の構成は上記第
一実施例と同様である。このサーミスタ13の値
は抵抗器11または12の値よりかなり大きい値
が選ばれる。このサーミスタ14はダイオード1
3が開放状態にあるとき、すなわち加算回路9の
出力電圧が低い範囲で作用し、この範囲で増幅器
8から与えられる電圧の温度補償の効果が薄くな
るところを補う効果がある。
る。この回路は上記第一実施例で説明した回路の
ダイオード13に並列に、サーミスタ14を接続
したところに特徴があり、その他の構成は上記第
一実施例と同様である。このサーミスタ13の値
は抵抗器11または12の値よりかなり大きい値
が選ばれる。このサーミスタ14はダイオード1
3が開放状態にあるとき、すなわち加算回路9の
出力電圧が低い範囲で作用し、この範囲で増幅器
8から与えられる電圧の温度補償の効果が薄くな
るところを補う効果がある。
以上説明したように、本発明によれば、温度補
償特性の優れた定インピーダンス可変抵抗減衰回
路の特性を生かしながら、減衰量の小さい範囲か
ら制御電圧に対する減衰量の変化が直線的である
可変抵抗減衰回路が得られる。
償特性の優れた定インピーダンス可変抵抗減衰回
路の特性を生かしながら、減衰量の小さい範囲か
ら制御電圧に対する減衰量の変化が直線的である
可変抵抗減衰回路が得られる。
第1図は改良前の回路の構成図。第2図は改良
前の回路の特性図。第3図は本発明実施例回路の
構成図。第4図は本発明第二の実施例回路の構成
図。 1…定インピーダンス抵抗減衰器、2…定電流
回路、3…温度特性がPINダイオードにほぼ等し
いダイオード、4…利得が2である増幅器、5…
電源、6…制御電圧を与える入力端子、8…利得
可変増幅器、9…加算回路、11…第一の抵抗
器、12…第二の抵抗器、13…ダイオード、1
4…サーミスタ。
前の回路の特性図。第3図は本発明実施例回路の
構成図。第4図は本発明第二の実施例回路の構成
図。 1…定インピーダンス抵抗減衰器、2…定電流
回路、3…温度特性がPINダイオードにほぼ等し
いダイオード、4…利得が2である増幅器、5…
電源、6…制御電圧を与える入力端子、8…利得
可変増幅器、9…加算回路、11…第一の抵抗
器、12…第二の抵抗器、13…ダイオード、1
4…サーミスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入力高周波信号に減衰を与えて出力する定イ
ンピーダンス抵抗減衰器を備え、 この定インピーダンス抵抗減衰器の直列アーム
および並列アームにそれぞれPINダイオードを含
み、 このPINダイオードの直流バイアス電圧は2つ
のPINダイオードについて直列に与えられるよう
に直流バイアス回路が構成され、 このPINダイオードの温度特性に対応するよう
に温度補償の施された上記直流バイアス電圧を発
生する直流バイアス電圧発生回路を備え、 上記2つのPINダイオードの直流回路の接続点
に上記定インピーダンス抵抗減衰器の減衰量を制
御するための制御電圧を与えるように構成され、 さらに、上記直流バイアス電圧発生回路の温度
補償の施された電圧を分岐して入力とする利得可
変増幅器と、 この利得可変増幅器の出力電圧を上記制御電圧
に加算する加算回路と を備えた温度補償型可変抵抗減衰回路において、 上記加算回路の出力に第一の抵抗器と、第二の
抵抗器およびダイオードの直列回路とで構成され
た分圧回路を備え、 上記制御電圧がこの分圧回路から与えられるよ
うに構成されたことを特徴とする温度補償型可変
抵抗減衰回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969683A JPS59215108A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8969683A JPS59215108A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215108A JPS59215108A (ja) | 1984-12-05 |
| JPS646563B2 true JPS646563B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=13977925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8969683A Granted JPS59215108A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 温度補償型可変抵抗減衰回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215108A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH675181A5 (ja) * | 1988-05-19 | 1990-08-31 | Siemens Ag Albis | |
| KR20040013282A (ko) * | 2002-08-05 | 2004-02-14 | 한국전자통신연구원 | 감쇄기의 온도보상 회로 및 그 방법 |
| KR100728756B1 (ko) | 2004-10-14 | 2007-06-19 | 주식회사 이너트론 | 온도보상에 의한 정밀 제어가 가능한 디지털 감쇠기 및 그제어 방법 |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8969683A patent/JPS59215108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215108A (ja) | 1984-12-05 |
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