JPH0262111B2 - - Google Patents

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JPH0262111B2
JPH0262111B2 JP60216291A JP21629185A JPH0262111B2 JP H0262111 B2 JPH0262111 B2 JP H0262111B2 JP 60216291 A JP60216291 A JP 60216291A JP 21629185 A JP21629185 A JP 21629185A JP H0262111 B2 JPH0262111 B2 JP H0262111B2
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gasket
lid
container
layer
conductor
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Eru Daabiisha Rodonii
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METOKARU Inc
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Publication of JPH0262111B2 publication Critical patent/JPH0262111B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 本発明は、容器に対してその蓋体を固定する技
術に関し、より具体的には、上記蓋体及び容器の
側壁の端面間に設けた熱溶融性のシール剤を加熱
するため、上記容器と蓋体との間に設けられるガ
スケツトを形成する温度自動調節機能を有する特
殊なヒータの使用に関する。
本発明に関する以下の記述は、先行技術に於け
る特殊な問題に関連してなされているが、容器に
対して蓋体や側壁部材、或いは底面部材等を取り
付ける技術は広い分野で利用可能であり、従つて
以下の記述は本発明と特に関連の深い特殊な問題
への適用に限定して述べたに過ぎないことを留意
すべきである。
而して、電子工業の分野に於けるマイクロ波セ
グメントは近年急速な発展を遂げた。これらの回
路自体は、通常な気密にシールされた小さな容器
の中に収納されている。通常これらの容器は、上
記回路部品で満たされた１つの若しくはそれ以上
の空所を有しており、これらの空所のそれぞれに
は蓋体が取り付けられている。そしてこれらの蓋
体は、普通の溶接、レーザ溶接、半田付け、その
他の手段によつて取り付けられている。
然しながら、蓋体の取付け及び取外しには、か
なりのコストが必要とされる。この点に於てこれ
までの如何なる取付け技術も必ずしも最適とは云
えず、何等かの欠点を有している。そしてこれら
の極めて高価な容器は、改造のため蓋体を開けて
回路部品を容器内へ再収納する必要性を有してい
る。同様に、これらの容器の多く若しくは殆どは
軍用若しくは航空宇宙用に用いられるものであ
り、検査のため容器を再び開ける必要性がある。
このように容器を度々開くために上記蓋体を機械
で取り外す必要がある場合に、蓋体を溶接により
取り付けることが重大な欠点となることは明白で
あろう。また同様に、レーザ溶接も多大の資金と
人的経費を必要とする。
一方、半田付けされた蓋体もまた欠点を有して
いる。その主な欠点は、フラツクスや汚染物が発
生するということである。更に問題となるのは、
蓋体の接触領域を均一且つ同時に加熱することが
不可能であるという点である。半田鏝によつてこ
ね作業を行なうことは、勿論困難であり、従つて
殆どの場合蓋体はオーブン内で半田付けされる。
然しながら、この方法も、容器とその内部に収納
された回路部品を比較的長い時間高温雰囲気中に
置かなければならないという欠点を有している。
このような欠点はあるが、蓋体の取外しが比較的
容易であるため、蓋体の取付け手段として半田付
けは比較的望ましい手段である。蓋体を取り外す
ときには、多くの場合容器をホツトプレート上に
置く。
蓋体としては、様々な形状及び寸法のものが存
在する。そしてまた半田としても様々な種類のも
のが利用され、そのため半田付けのための温度範
囲も広くなる。容器は多くの場合、錫若しくは金
で被覆したアルミニウムで作製される。一方、蓋
体はアルミニウム、Kovar等で作製され、これも
被覆される。
本発明は、Carter氏等に賦与された米国特許第
4256945号、或いは本発明と同一の出願人に譲渡
された1984年３月６日付け米国特許出願第586712
号若しくは1984年６月21日付け米国特許出願第
623238号に於て開示された温度自動調節機能を有
するヒータのいずれのタイプのものをも利用し得
るものである。参考のため、そのそれぞれの内容
を以下に掲げる。
上記の米国特許第4256945号には、銅のような
導電体層と、その上にコーテイングされた磁性体
層とから成る自動調節ヒータが開示されている。
更に、上記磁性体層に近接して電流帰還用導電体
がこれと絶縁された状態で設けられる。但し、両
者はそのそれぞれの一端に於て互いに接続されて
いる。上記電流帰還用導電体と磁性体材料のもう
一方の端部は、定電流の交流電源に接続される。
この定電流の交流電源としては、望ましくは8M
Hzないし20MHzの範囲の電源が利用されるが、必
ずしもこれに限定する必要はない。
作動の際、上記磁性体金属のキユリー温度以下
に於て電流の流れる領域は、電気システムに於け
る表皮効果（skin effect）と近接効果
（proximity effect）により、本質的に上記磁性
体材料の部分、即ち上記電流帰還用導電体に近接
した材料の部分に制限される。この装置の温度が
上記キユリー温度に近づき、上記磁性体材料の透
磁率が１に近づくと、電流は上記銅の層まで広が
つて流れるようになり、これにより上記発熱体の
抵抗は減少する。ところが供給される電流は一定
であるため、ジユール加熱は大幅に減少し、これ
により上記磁性体材料の温度はそのキユリー温度
以下へ低下し、以後このサイクルが繰り返され
る。このようにして上記ヒータはその温度の自動
調節機能を有することになる。
上記の如きヒータの基本的な構成の細部の変更
例の幾つかが、上記米国特許出願第586712号と第
623238号、並びに同時に出願された２つのCIP出
願（部分継続出願）に開示されており、これらの
構成も本発明に於て利用されるものである。
上記の同時に提出された出願は、上に述べたタ
イプのヒータで実質的に小型のものを開示してお
り、当該ヒータに於ては、上記電流帰還用導電体
に相当するもの、並びに当該電流帰還用導電体と
上記磁性体材料との間の絶縁体が取り除いてあ
る。
〔関連の出願〕
この出願は、Rodney L.Derbyshireにより
1984年６月21付けで出願された米国特許出願第
623238号と、同時出願のこれに対するCIP出願と
（これらは参考のために掲げてある。）に関連する
ものである。また、本出願はSteve Purcell氏に
よつて同時に出願された「容器に蓋体を半田付け
するための自己発熱性の蓋体」なる発明とも関連
するものである。
〔発明の概要〕
本発明に於ては、蓋体とこれに対応する容器と
の間に設けられるガスケツトとして、上記先行技
術に示された温度自動調節機能を有するヒータに
於ける少なくとも１つの磁性体材料を含む発熱体
構造が用いられる。上記ガスケツト型ヒータはこ
れが加熱せしめらると、当該ガスケツトの両面に
配置された半田を溶解させる。
具体的には、本発明は、有害なガスを発生する
ことなく且つ蓋体の取付け、取外し及び再取付け
が可能なよう上記蓋体を容器に対して気密に閉鎖
するために用いるガスケツトに於て、 上記蓋体と上記容器の接合すべき部分の形状に
ほぼ対応した形状を有し、上記蓋体と容器の間に
設置される温度自動調節機能を備えたガスケツト
型ヒータと、 上記ガスケツト型ヒータと上記蓋体及び容器と
の間に介在せしめられる熱溶融性のシール剤とか
ら成り、 上記温度自動調節機能を備えたガスケツト型ヒ
ータは、電流帰還用導電体と、その外側に絶縁体
層を介して設けられた磁性体層とを積層して成
り、上記磁性体層は上記シール剤の溶融点にほぼ
等しいキユリー温度を有すると共に、上記電流帰
還用導電体と磁性体層の一方の端部は定電流の交
流電源に接続される端子部を形成し、上記交流電
源から磁性体層を通じて流れた電流が電流帰還用
導電体を通じて上記交流電源へ帰還するよう上記
電流帰還用導電体と磁性体層のもう一方の端部が
互いに接続されたこと、を特徴とする容器の蓋体
を気密に閉鎖するための発熱ガスケツトである。
上記磁性体層は、加熱の結果生じるガスが容器
内に侵入して繊細な回路部品に損傷を与えないよ
うにするため、望ましくは上記絶縁体を完全に囲
繞するように設けられる。
上記磁性体層の周囲の銅のような導電体材料で
囲繞すると共に、ガスケツトの互いに対向する両
面を半田でカバーするようにしても良い。上記ガ
スケツトは、蓋体とこれに隣接する容器の側壁の
端面との間に連続的な層を形成する。
或る実施例に於ては、容器を形成する金属が上
記外側の銅の層と同等の機能を果たし、キユリー
温度以上に於ては抵抗の低い電流流路を提供する
ものであるが、このような構成に於ては、以下に
説明するように、磁性体層の端部が露出し、その
ため実効透磁率をかなり低下させてしまうことに
なる。この問題を解決するためには、上記容器の
側壁部材の端部に凹部を形成することにより上記
容器の側壁の端面上に半田のみが露出するように
構成することによつて解決される。
いずれの形態に於ても、ヒータに取り付けられ
たリード部が、上記容器から外側へ伸長し、これ
により後日上記ヒータを再加熱して上記蓋体を取
り外すことが可能なようになつている。本発明は
その最も広い意味に於て、蓋体を容器に対してシ
ールするための半田で被覆されたガスケツトの形
態を有する温度自動調節機能を有するヒータを提
供しようとするものであり、上記シール剤として
はシールすべき対象物が金属若しくは非有機材料
である場合には半田を用い、また対象物が非金属
である場合には熱溶融性の接着剤を用いるもので
あり、上記ガスケツト型ヒータは上記容器内の部
品に対する安全温度を維持するよう自動調節を行
なうものである。
〔図面の簡単な説明〕
第１図は本発明に係る容器と発熱ガスケツトと
蓋体を分解した状態を於て示す斜視図、第２図は
第１図中２−２線に沿つた断面図（但し上記ガス
ケツトの詳細は省略）、第３図は第１図に示した
組合せに用いられるガスケツトの一形態の詳細を
示す断面図、第４図は上記ガスケツトの接続端子
部の詳細を示す部分断面図、第５図は第３図に示
したガスケツトを用いる際に使用される容器の変
更例を示す断面図、第６図は主に第１図に示した
容器に用いられる本発明に係るガスケツトの望ま
しい実施例を示す断面図、第７図は上記発熱ガス
ケツトのリード部間の領域をシーリングするため
の構成を示す説明図、第８図は本発明の別の実施
例を示す斜視図である。
〔望ましい実施例の説明〕
まず添付図面中の第１図及び第２図を参照し
つゝ説明する。容器１は、第１図及び第２図に示
す如くその側壁の上端を画成する面３を有してお
り、この面３に対して蓋体５が気密にシールされ
るようになつている。ガスケツト型ヒータ７は上
記面３と、これに対応する上記蓋体の面との間に
配置される。ガスケツト型ヒータ７には、これを
定電流の電源に接続するための、側面から突出し
た接続端子部が設けられている。
而して、蓋体５を容器１に対して半田付けする
場合には、上記ガスケツト型ヒータを上記容器の
上端面３上にセツトし、当該ガスケツト７の上に
上記蓋体を設置した後、上記ガスケツトをその接
続端子部９を通じて定電流電源１３（第４図参
照）に接続するものである。シール剤としてこの
例のように半田を使用する場合には、当該半田が
融解し、上記蓋体と容器が冷間半田付けを防止し
得る程度に充分に加熱された時点で加熱を中止
し、上記接続端子９が図示した形態のものである
場合には、これを第２図に示す如く上記側面に形
成した凹部１５内に折り曲げる。上記蓋体を取り
外す必要がある場合には、上記接続端子部を第１
図に示したような位置に復帰させ、これに電源１
３を接続すれば良い。
次に、本発明に係るガスケツトの一形態を示し
た第３図について説明する。例えば銅で作製され
た電流帰還用の導電体１７の周囲にはこれを囲繞
するよう無機質の絶縁材等から成る絶縁体１９が
設けられる。この実施例の場合には有機質の絶縁
材は不適当である。何故なら有機質の絶縁材は、
これが加熱されると容器の内部に収納された部品
に対して有害なガスを発生するからである。上記
絶縁材のそれぞれの反対側の面には磁性体層２１
及び２３が設けられ、これの外側の表面はそれぞ
れ半田層２５及び２７によつて被覆される。
使用の際には、第３図に示したガスケツトは容
器とその蓋体の間に挿入され、上記導電体１７の
両側面に磁性体層が設けられていることによつて
その両面が加熱される。このとき電流は、例えば
接続端子部９の層２１から磁性体層２１及び２３
を通過し導電体１７を通じて端子部９に帰還する
ように流れる。ガスケツトの端子部９から離れた
側の一端に於て上記層１７，２１及び２３は相互
に一緒に接続されている。
即ち、交流電源からの電流は、交流電源の一方
の端子磁性体層２１，２３の端子部磁性体層
２１，２３の内部磁性体層２１，２３のもう一
方の端部と電流帰還用導電体１７の端部の接続点
電流帰還用導電体１７の内部電流帰還用導電
体１７の端子部交流電源１３のもう一方の端
子、と言う経路を通つて流れるものであるが、こ
のとき常温においては、磁性体層２１，２３の内
部を流れる電流は、その表皮効果（skin effect）
と近接効果（proximity effect）によつて、電流
帰還用導電体１７に近い側の表面領域〔磁性体層
と電流帰還用導電体とは絶縁体層１９によつて絶
縁されている。〕の極めて狭い領域（小さな断面
積）を通じて流れる。従つて、その電気抵抗は大
きく、ジユール加熱I2Rに基づく発熱量も多大
で、ガスケツト型ヒータ７は迅速に加熱され、シ
ール剤（半田層２５，２７）が溶融する。
然しながら、その温度が磁性体層２１，２３の
キユリー温度に達すると、磁性体層の実効比透磁
率μは急激に低下し、これに伴い表皮効果も低減
して磁性体層２１，２３内部を流れる電流は、電
流帰還用導電体１７に近い側の表面領域のみなら
ず、磁性体層２１，２３の厚さ全体、更にはその
外側の半田層２５，２７をも流れるようになる。
従つて、電流の流れる断面積は急激に増大し、そ
の電気抵抗Ｒは減少する。ところが、交流電源は
定電流電源でありこれから供給される電流は一定
に保たれているため、ジユール加熱I2Rに基づく
発熱量は電気抵抗Ｒの低下と共に急速に低下し、
結果としてガスケツト型ヒータ７の温度は磁性体
層２１，２３のキユリー温度近くに維持される。
然るのち、発熱ガスケツトへの電流を切れば、半
田層２５，２７は冷えて固化する。
而して、上記ヒータの自動調節機能は、表皮効
果（skin effect）と近接効果（proximity
effect）との相互作用によつて生じるものであ
る。表皮効果は、交流システムに於ける電流を上
記電流帰還路に近接した導電体の表面近くに制限
させる。表皮効果に於ける侵入度S.D.は、下記の
式、 （ここでρはμΩ・cmの単位で表される上記磁性
体材料２１，２３の導電率、μは上記磁性体材料
の実効比透磁率、ｆはＭHzで表される周波数。）
で表される。上記磁性体材料として“合金42”を
用いた場合、そのμは200ないし400、キユリー温
度は約220℃、抵抗率は、75×10-6Ω・cmである。
この場合、周波数が13.56MHzであるとすると、
μが200のときの侵入度は0.0008365cmとなる。層
２１及び２３の厚さは侵入度の0.5ないし２倍程
度とするのが良く、従つて上記の場合には約
0.0008cm程度とするのが好適である。この場合に
は、若し上記電流帰還用導電体が上記層のこれに
隣接する導電体、即ち層２５及び２７から離れた
側の面に設けられている場合には、電流のほぼ60
％は上記磁性体材料の部分に集中して流れる。こ
の現象は、前記近接効果に起因するものであり、
これによつて電流の流れる領域は電流帰還用導電
体に近接した磁性体層の領域に限定せしめられる
ものである。即ち、この実施例に於いては層１７
が電流帰還用導電体とみなされる。そのため、約
13％の電流を除いた残りの電流のすべては比較的
高いインピーダンスを有する上記磁性体材料中に
集中して流れ、I2Rに基づく加熱は最大限に増加
する。
而して、上記ヒータが上記磁性体材料のキユリ
ー温度に近づくと、そのμの値が１に近づき、侵
入度は大幅に減少し、且つ、これによつて電流の
大部分は銅と同じ程度の低い抵抗率即ち２×
10-6Ωcm程度の抵抗率を有する隣接した導電性の
高い層２５及び２７中へ広がる。
上記半田層は上記蓋体及び容器に予め設けるよ
うにしても良く、その場合にはガスケツトから層
２５及び２７を取り除いても同様の操作によつて
蓋体を容器に取り付けることができる。
次に添付の第４図を参照すれば、同図には端子
部９の詳細が示されている。上記端子部に於て
は、絶縁層１９が露出するように、層２１，２
３，２５及び２７が端子部の末端よりも手前で終
結するようになつている。一方、層１９は、電流
帰還用導電体が露出するように、端子部の末端と
他の層との中間位置で終結するようになつてい
る。従つて、接続端子２９，３１及び３３を介し
て容易に電源に接続することができる。
このように、本発明に係る発熱ガスケツトは、
それ自体が温度を自動的に一定（磁性体層のキユ
リー温度近く）に保つ機能を有するものであるか
ら、容器が必要以上に加熱されてその熱自身によ
つて若しくは熱で発生する有害なガスによつて容
器内部の電子部品を破損することのない発熱ガス
ケツトが提供されるものである。蓋体を取り外す
ときには、再び発熱ガスケツトに電流を通じれば
よく、その場合にも容器が必要以上に加熱される
ことがない。
また、本願発明にかゝる発熱ガスケツトは、そ
れ自体が温度を自動的に一定に保つ機能を有する
ものであるから、発熱ガスケツトとは別個に温度
検出手段や制御回路を設ける必要が一切なく、そ
の温度は磁性体層に固有のキユリー温度によつて
定まるものであるから、蓋体の取付け、取外しの
際に容器の形状や寸法に応じて個別の煩雑な温度
調節作業を行なう必要もない。
以下に、ヒータの構造、特に磁性体層の幅と厚
さの比率について補足説明を行なう。磁性体層が
導電体層によつて完全に囲繞されている場合に
は、磁性体材料の固有透磁率をそのまゝ適用する
ことが可能である。然しながら、本実施例の如く
磁性体のエツジ部分が露出している場合には、上
記固有透磁率をそのまゝ適用することはできな
い。矩形の磁性体の固有透磁率と実効透磁率との
間の関係を示す式は極めて複雑であるが、卵形を
した物体についての下記の関係式を近似的に適用
することが可能である。
μE＝μI・１／１＋μI（ｔ／ｗ＋ｔ） こゝで、μEは磁性体層の実効透磁率、μIは固有
透磁率、ｔは厚さ、Ｗは幅である。下記の表は透
磁率と、実効透磁率に於けるｗ／ｔ比との効果を
示すものである。
μI 200 400 ｗ／ｔ 10 10 10 25 23 24 50 41 44 100 67 80 200 100 133 300 120 171 400 133 200 500 143 227 1000 167 286 この表から、上記比率が増加するほど実効透磁
率は高くなり、固有透磁率が低くなればμE／μIの
比率は高くなることが理解される。例えば、透磁
率が200の場合に於いてｗ／ｔが1000であるとき
のμE／μIの比率は0.835であるが、透磁率が400の
場合には0.715に過ぎない。
本発明に於て、固有透磁率を適用可能にするに
は２つのやり方がある。その１つの方法は、添付
図面の第５図に示されている。本発明に係るこの
実施例に於ては、容器１の側壁の上端面３の空所
３５が設けられ、上記ガスケツトを当該空所内に
設置する。第５図に示された上側の半田層２５
は、容器の側壁の上端面３よりも上に突出して上
記半田とガスケツト間の接触を良好ならしめてい
る。上記空所の幅は、ガスケツトのそれよりも幾
分大きく、これにより過剰な半田がオーバーフロ
ーしたときにその受容領域が形成されるようにな
つている。
このように構成することにより、上記磁性体層
は容器の導電性材料若しくは半田によつてその３
つの側面を囲まれ、且つその上面は蓋体によつて
囲まれているため、上記磁性体層は導電性の材料
によつて完全に包囲され、有害な縁効果
（edgeeffect）は除去されるものである。
縁効果の問題を解決するもう１つの方法は、第
３図に於ける層２１及び２３を互いに連続的に結
合すると共に、それらの外側を添付の第６図に示
す如く全体的に銅若しくはこれに類する材料４３
で囲繞するものである。中央の電流帰還用導電体
３７はKaptonのような絶縁材料の層３９で囲繞
し、更にその外側を磁性体材料の層４１で囲繞す
る。銅のような導電性の材料から成る層４３が層
４１と電気的及び熱的な接触を保つてこれを囲繞
し、且つその上面及び下面が半田層４５及び４７
によつて被覆される。これにより磁性体層は閉じ
たループ状となり、その周囲が導電性の材料で囲
繞されて縁効果が除去されるため、磁性体材料の
固有透磁率の値が完全に発揮されることが可能と
なるものである。
このように内部の層をその外側の層で順次囲繞
するよう構成することにより、有害なガスの発生
を一層効果的に防止することができる。
磁性体材料に関して言えば、予め装置のキユリ
ー温度を設定するために様々な種類のニツケル−
鉄合金が利用できる。他の公知の材料、例えば各
種Metglas（登録商標）アモルフアス合金等も利
用できる。
本発明に係るガスケツトは、容器１に対してそ
の蓋体５を気密にシールするために用いるもので
ある。ガスケツトの両端間の物理的なギヤツプを
排除し、しかも回路の短絡を防止する上で重要な
電気的絶縁性を確保するために、第７図に示した
ような構成を採用することができる。ガスケツト
の末端部９から離れたもう一方の端部５３に、熱
硬化性樹脂ら成るシール剤の層５１が、側面の周
りに僅かな長さだけはみ出るように取り付けられ
る。この材料は、金属に対して接着能力を有して
おり、絶縁体としての機能を有している。このよ
うな材料としてはエポキシ系接着剤若しくはこれ
に類するものが利用される。ガスケツトの端部５
３に於て、絶縁体３９は取り除かれて層３７と４
３とが互いに結合され、これによつて電流は電流
帰還用導電体３７に流入し得るようになつてい
る。前に述べた如く、上記ガスケツトに於ける各
層は極めて薄いので、絶縁層３９を除去すると、
組立て時に外側の銅の層４３を折り曲げることに
よつて層３７と４１とが互いに接続せしめられ
る。
熱硬化性の樹脂から成る層５１は、ガスケツト
の末端部９ともう一方の端部の側面と接触し、当
該樹脂が熱硬化せしめられると、全領域がシール
される。
上記樹脂は容器及び蓋体に対して極めて僅かな
領域に於てしか接触していないため、後日、上記
蓋体を取り外す作業は殆ど支障なく容易に可能で
ある。
電源への接続の形態によつて、第６図中の導電
体層４３の厚さ及び第３図中の半田層２５及び２
７の厚さが決定される。外側の半田層は、第７図
に於ける絶縁体５１をブリツジするように設けら
れる。このようにして、或る特定の状況下に於け
る電流は末端部９に於ける半田層から、絶縁層５
１によつて画成されるギヤツプを超えて中央部の
導電体３７へ直接的に流入する。この場合殆ど発
熱しない。然しながら、周波数如何では、キユリ
ー温度以下に於ける電流は半田層から離れた領域
に限定され、短絡は生じない。
第３図に於ける層２５及び２７と、第７図に於
ける層４３及び４５は、以下に述べるようにキユ
リー温度以上に於ても同様の作動が生じるように
充分に厚くなければならない。電流が適正に制限
されるのを確保するため、層の厚さについては
Carter氏及びKrumme氏によつて1984年３月16
日付けで出願された米国特許出願第243777号及び
前記特許のCIP出願によつて決定された値が遵守
されなければならない。この点について充分な説
明を行なうために、上記米国特許出願243777号に
於て開示した技術をその最も関連の深い部分につ
いてのみ参考のため以下に掲載する。即ち、キユ
リー温度に達したときにはμの値は１となり、抵
抗率は２×10-6Ωcm（銅の抵抗率）となる。これ
により侵入度は0.00193cmとなる。上記電流帰還
用導電体から離れた表面に於て侵入度の５倍の深
さの部分を流れる電流は全電流の0.7％であり、
侵入度の10倍の深さの部分に於ては0.0045％とな
る。従つて、外側の単一若しくは複数の導電体層
が、少なくとも0.0095の厚さであれば、ガスケツ
トの短絡は防止される。
次に添付図面の第８図を参照すれば、同図には
電気的な接続を行なう代わりに誘導形式により磁
性体材料中に電流を生じさせる本発明の一実施例
が示されている。
この実施例に於けるガスケツトは、絶縁層５５
及び５７の間にサンドイツチ状に挟まれた中央の
導電体５３を有している。上記層５５及び５７は
それぞれ磁性体材料の層５９及び６１とそれぞれ
接触している。
上記ガスケツトは、高周波電源に接続するため
の端子部６３及び６５を有している。上記磁性体
層５９及び６１は上記端子部のところまでは伸長
しておらず、また絶縁体層５５及び５７は端子部
の末端部に達する前の短い位置で終結するように
なつており、これにより導電体５３の両端が露出
するようになつている。
作動時に導電体５３の両端から電流を供給する
と、磁性体材料中に電流が誘導され、当該電流は
表皮効果と渦電流並びにヒステリシスロスに規定
されることになる。キユリー温度に達するか若し
くはこれに近づくと、上記磁性体層の透磁率は空
気若しくは銅のそれに近づき、層５９及び６１中
に於けるロスは大幅に減少して、電流の大部分は
近接した銅の層から成る導電体の部分若しくは容
器の近接した金属部分を流れるようになる。
第８図に示したガスケツトは、容器の端部が空
所を有している場合には第５図に示すような形態
のものとすることができる。或いはまた、第６図
に示すような形態のガスケツトとすることも可能
である。
なお、本明細書中に於て、“定電流”なる用語
は、電流が増加することができないという意味で
はなく、次の式に従つて導かれる電流のことを指
している。
Δ｜Ｉ｜／｜Ｉ｜＞-1/2ΔR／Ｒ 具体的には、温度自動調節を達成するために
は、キユリー温度以上に於て負荷に与えられる電
力は、キユリー温度以下に於て負荷に与えられる
電力よりも少なくなければならない。若し、電流
が一定不変に保たれるならば、電流を減少させて
電力供給を制御する場合は別として、最も良好な
電力調節比が得られるものである。然しながら、
電流が上記の式に従つて制御される限り、自動調
節は達成される。従つて、大きな電力調節比を必
要としない場合には、電流制御の程度についての
抑制を弱めることにより電源装置のコストを安く
することができる。
なお、上記の式は次の等式から導かれるもので
ある。
Ｐ＝｜I2R｜（こゝでＰは電力であり、Ｉは負
荷中を流れる電流である。） これをＲについて微分すれば、 αP／αR＝｜Ｉ｜2＋2R｜Ｉ｜αI／αR となるが、自動調節のためにはαP／αR＞０でなけれ ばならない。そこで、 ｜Ｉ｜2＋2R｜Ｉ｜α｜Ｉ｜／αR＞０ となり、これから上記の式が導かれる。然しなが
ら、電流がこれより一層一定であれば、一層良好
な自動調節機能が得られることは勿論である。
本発明は上記の如く構成されるから、本発明に
よるときは、電子部品等を収容した容器にその蓋
体を取り付けるに当り、容器が過剰に熱せられた
り或いは有害なガスが発生して内部の電子部品等
を破損するようなことがなく、また一旦取り付け
た蓋体を容易に取り外し、再度取り付けることが
可能であると共に、何らの付属回路も必要とする
ことなくそれ自身が適正な温度に保たれ、故障原
因も少ない発熱ガスケツトを提供し得るものであ
る。
なお、当業者であれば、上記の説明に基づいて
他の多くの変更実施例や改良実施例を容易に想到
し得るであろう。従つて、それらの変更実施例や
改良実施例は本明細書の特許請求の範囲の欄の記
載によつて規定される本発明の範囲に属するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る容器と発熱ガスケツトと
蓋体を分解した状態を於て示す斜視図、第２図は
第１図中２−２線に沿つた断面図（但し上記ガス
ケツトの詳細は省略）、第３図は第１図に示した
組合せに用いられるガスケツトの一形態の詳細を
示す断面図、第４図は上記ガスケツトの接続端子
部の詳細を示す部分断面図、第５図は第３図に示
したガスケツトを用いる際に使用される容器の変
更例を示す断面図、第６図は主に第１図に示した
容器に用いられる本発明に係るガスケツトの望ま
しい実施例を示す断面図、第７図は上記発熱ガス
ケツトのリード部間の領域をシーリングするため
の構成を示す説明図、第８図は本発明の別の実施
例を示す斜視図である。 １……容器、３……側壁の上端面、５……蓋
体、７……ガスケツト型ヒータ、９……接続端子
部、１３……定電流電源、１５……凹部、１７…
…電流帰還用導電体、１９……絶縁体、２１，２
３……磁性体層、２５，２７……半田層、２９，
３１，３３……接続端子、３５……空所、３７…
…電流帰還用導電体、３９……絶縁層、４１……
磁性体層、４３……導電体層、４５，４７……半
田層、５１……熱硬化性シール剤、５３……導電
体、５５，５７……絶縁層、５９，６１……磁性
体層、６３，６５……端子部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 有害なガスを発生することなく且つ蓋体の取
    付け、取外し及び再取付けが可能なよう上記蓋体
    を容器に対して気密に閉鎖するために用いるガス
    ケツトに於て、 上記蓋体５と上記容器１の接合すべき部分の形
    状にほぼ対応した形状を有し、上記蓋体５と容器
    １の間に設置される温度自動調節機能を備えたガ
    スケツト型ヒータ７と、 上記ガスケツト型ヒータ７と上記蓋体５及び容
    器１との間に介在せしめられる熱溶融性のシール
    剤２５，２７，４５，４７とから成り、 上記温度自動調節機能を備えたガスケツト型ヒ
    ータ７は、電流帰還用導電体１７，３７と、その
    外側に絶縁体層１９，３９を介して設けられた磁
    性体層２１，２３，４１とを積層して成り、上記
    磁性体層は上記シール剤の溶融点にほぼ等しいキ
    ユリー温度を有すると共に、上記電流帰還用導電
    体１７，３７と磁性体層２１，２３，４１の一方
    の端部は定電流の交流電源１３に接続される端子
    部９を形成し、上記交流電源１３から磁性体層２
    １，２３，４１を通じて流れた電流が電流帰還用
    導電体１７，３７を通じて上記交流電源１３へ帰
    還するよう上記電流帰還用導電体１７，３７と磁
    性体層２１，２３，４１のもう一方の端部が互い
    に接続されたこと、 を特徴とする容器の蓋体を気密に閉鎖するための
    発熱ガスケツト。 ２ 上記シール剤２５，２７，４５，４７が半田
    である特許請求の範囲第１項に記載の発熱ガスケ
    ツト。 ３ 上記シール剤２５，２７が上記磁性体層２
    １，２３の外側に一体的に取り付けられた特許請
    求の範囲第１項または第２項に記載の発熱ガスケ
    ツト。 ４ 上記シール剤４５，４７が上記磁性体層４１
    の外側に導電体層４３を介して一体的に取り付け
    られた特許請求の範囲第１項または第２項に記載
    の発熱ガスケツト。 ５ 上記電流帰還用導電体３７の外側を上記絶縁
    体層３９で囲繞し、その外側を上記磁性体層４１
    で囲繞し、更にその外側を導電体層４３で囲繞
    し、その外側にシール剤４５，４７を取り付けた
    特許請求の範囲第１項または第２項に記載の発熱
    ガスケツト。 ６ 上記交流電源１３に接続される上記電流帰還
    用導電体１７，３７と磁性体層２１，２３，４１
    の端子部に於て、上記磁性体層２１，２３はこれ
    に一体的に取り付けられたシール剤としての半田
    層２５，２７を通じて上記交流電源１３に接続さ
    れた第１項または第２項に記載の発熱ガスケツ
    ト。 ７ 上記シール剤２５，２７，４５，４７が熱溶
    融性の接着剤である特許請求の範囲第１項に記載
    の発熱ガスケツト。 ８ 上記ガスケツト型ヒータ７の上記端子部９
    が、容器１の外壁面より外側へ突出するよう形成
    された特許請求の範囲第１項または第７項のうち
    いずれか一に記載の発熱ガスケツト。 ９ 有害なガスを発生することなく且つ蓋体の取
    付け、取外し及び再取付けが可能なよう上記蓋体
    を容器に対して気密に閉鎖するために用いるガス
    ケツトに於て、 上記蓋体５と上記容器１の接合すべき部分の形
    状にほぼ対応した形状を有し、上記蓋体５と容器
    １の間に設置される温度自動調節機能を備えたガ
    スケツト型ヒータと、 上記ガスケツト型ヒータと上記蓋体５及び容器
    １との間に介在せしめられる熱溶融性のシール剤
    とから成り、 上記温度自動調節機能を備えたガスケツト型ヒ
    ータは、導電体５３と、その外側に絶縁体層５
    ５，５７を介して設けられた磁性体層５９，６１
    とを積層して成り、上記磁性体層は上記シール剤
    の溶融点にほぼ等しいキユリー温度を有すると共
    に、上記導電体５３の両端部は定電流の交流電源
    に接続される端子部６３，６５を形成し、上記交
    流電源１３から上記導電体５３に供給される交流
    電流により上記磁性体層５９，６１内に誘導電流
    が発生せしめられるよう構成されたこと、 を特徴とする容器の蓋体を気密に閉鎖するための
    発熱ガスケツト。
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