JPH0262810B2 - - Google Patents
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- JPH0262810B2 JPH0262810B2 JP57012432A JP1243282A JPH0262810B2 JP H0262810 B2 JPH0262810 B2 JP H0262810B2 JP 57012432 A JP57012432 A JP 57012432A JP 1243282 A JP1243282 A JP 1243282A JP H0262810 B2 JPH0262810 B2 JP H0262810B2
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- Japan
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- infrared
- detector
- opposing
- transmitting
- infrared detector
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
- G01J5/0805—Means for chopping radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
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- Power Engineering (AREA)
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外線検出器に関する。
近時の赤外線検出器では、その赤外線検出部に
例えば焦電型の赤外線検出体が内蔵されている。
例えば焦電型の赤外線検出体が内蔵されている。
斯る赤外線検出体は入射赤外線の変化量に基づ
いて電荷を発生する特性を有し、又上記赤外線検
出体の検出精度は入射赤外線量の変化が周期的で
ある程向上し、従つて上記赤外線検出体に入射す
る赤外線を周期的に断続する必要があり、このた
めに第１図ａ及びｂに示す如く赤外線検出器１の
前方にはモータ２によつて周期的に回転駆動され
る金属板チヨツパ３が配置されている。
いて電荷を発生する特性を有し、又上記赤外線検
出体の検出精度は入射赤外線量の変化が周期的で
ある程向上し、従つて上記赤外線検出体に入射す
る赤外線を周期的に断続する必要があり、このた
めに第１図ａ及びｂに示す如く赤外線検出器１の
前方にはモータ２によつて周期的に回転駆動され
る金属板チヨツパ３が配置されている。
しかし乍ら、斯るチヨツパ３は形状が大きくス
ペース上の問題があり、且つ上記モータ２は回転
むらを生じて必ずしもチヨツパ３を周期的に回転
駆動しないため検出精度の低下を招いてしまう。
ペース上の問題があり、且つ上記モータ２は回転
むらを生じて必ずしもチヨツパ３を周期的に回転
駆動しないため検出精度の低下を招いてしまう。
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、以下
本発明実施例を図面に基づいて詳述する。
本発明実施例を図面に基づいて詳述する。
第２図は赤外線検出器４を示し、５はタンタル
酸リチウム（LiTaO3）単結晶から成り入射赤外
線変化量に応じて電荷を発生する焦電型の赤外線
検出体、６及び７は夫々該赤外線検出体の表、裏
面にニクロム蒸着膜にて形成された表、裏面電
極、８は銅、燐青銅などからなる金属性支持台
で、該支持台上には、上記裏面電極７を支持台８
上面に対向するようにして、上記赤外線検出体５
が銀ペーストなどの導電性接着剤９にて固着され
ている。
酸リチウム（LiTaO3）単結晶から成り入射赤外
線変化量に応じて電荷を発生する焦電型の赤外線
検出体、６及び７は夫々該赤外線検出体の表、裏
面にニクロム蒸着膜にて形成された表、裏面電
極、８は銅、燐青銅などからなる金属性支持台
で、該支持台上には、上記裏面電極７を支持台８
上面に対向するようにして、上記赤外線検出体５
が銀ペーストなどの導電性接着剤９にて固着され
ている。
１０は上記赤外線検出体５が高抵抗であるが故
に斯る高抵抗を低抵抗に変換するためのインピー
ダンス変換回路１１が配置されたアルミナ基板、
１２は金属性のキヤツプ１３及びヘツダ１４から
なる収納体で、該収納体内の上記ヘツダ１４上に
は上記支持台８及び基板１０が固定されている。
１５は上記ヘツダ１４に直接的に植設されたアー
ス端子で、該端子は上記支持台８及び接着剤９を
介して上記裏面電極７に電気的に接続されてい
る。１６及び１７は夫々上記ヘツダ１４に絶縁材
１８，１９を介して植設された第１，第２リード
端子、２０は上記表面電極６とインピーダンス変
換回路１１とを結線するリード線、２１，２２は
上記インピーダンス変換回路１１と第１，第２リ
ード端子１６，１７とを結線するリード線であ
る。
に斯る高抵抗を低抵抗に変換するためのインピー
ダンス変換回路１１が配置されたアルミナ基板、
１２は金属性のキヤツプ１３及びヘツダ１４から
なる収納体で、該収納体内の上記ヘツダ１４上に
は上記支持台８及び基板１０が固定されている。
１５は上記ヘツダ１４に直接的に植設されたアー
ス端子で、該端子は上記支持台８及び接着剤９を
介して上記裏面電極７に電気的に接続されてい
る。１６及び１７は夫々上記ヘツダ１４に絶縁材
１８，１９を介して植設された第１，第２リード
端子、２０は上記表面電極６とインピーダンス変
換回路１１とを結線するリード線、２１，２２は
上記インピーダンス変換回路１１と第１，第２リ
ード端子１６，１７とを結線するリード線であ
る。
２３は上記赤外線検出体５に表面電極６側から
赤外線を入射せしめるべく上記キヤツプ１３に穿
設された開口、２４は該開口を閉塞する第１赤外
線透過体で、該透過体は波長２〜15μｍの赤外線
に対する透過率が高い厚さ数100μｍのシリコン
又はゲルマニウム板からなつている。２５は上記
開口２３に対向すべく上記第１赤外線透過体２４
の下面に固定された平面状の第１対向体で、該第
１対向体において、２６，２６…はアルミニウ
ム、金、銀などの赤外線非透過材料からなり紙面
に平行な方向にて第３図ａに示す如く線状に延設
された複数の第１赤外線非透過部、２７，２７…
は斯る第１赤外線非透過部２６，２６…の各々の
間に位置する第１赤外線透過部である。そして、
上記第１赤外線非透過部２６，２６…の幅Ｗは
1μｍ〜2μｍ、厚さＤは0.1〜100μｍで、上記第１
赤外線透過部２７，２７…の幅ｔは上記幅Ｗと同
一寸法である。２８は上記収納体１２内において
上記第１赤外線透過体２４に近接対向すべく配置
された第２赤外線透過体で、該透過体は上記第１
赤外線透過体２４と同様に波長２〜15μｍの赤外
線に対する透過率が高い厚さ数100μｍのシリコ
ン又はゲルマニウム板からなつている。２９は上
記開口２３に対向すべく更に詳しくは、上記第１
対向体２５に平行にして近接対向すべく上記第２
赤外線透過体２８の上面に固定された平面状の第
２対向体で、該第２対向体において、３０，３０
…は上記第１赤外線非透過部２６，２６…と同一
材料からなり紙面に平行な方向にて第３図ｂに示
す如く線状に延設された複数の第２赤外線非透過
部、３１，３１…は斯る第２赤外線非透過部３
０，３０…の各々の間に位置する第２赤外線透過
部である。そして、上記赤外線非透過部３０，３
０…の幅W′、厚さD′及び上記第２赤外線透過部
３１，３１…の幅t′は夫々上記第１赤外線非透過
部２６，２６…の幅Ｗ、厚さＤ及び第１赤外線透
過部２７，２７…の幅ｔと同一寸法である。
赤外線を入射せしめるべく上記キヤツプ１３に穿
設された開口、２４は該開口を閉塞する第１赤外
線透過体で、該透過体は波長２〜15μｍの赤外線
に対する透過率が高い厚さ数100μｍのシリコン
又はゲルマニウム板からなつている。２５は上記
開口２３に対向すべく上記第１赤外線透過体２４
の下面に固定された平面状の第１対向体で、該第
１対向体において、２６，２６…はアルミニウ
ム、金、銀などの赤外線非透過材料からなり紙面
に平行な方向にて第３図ａに示す如く線状に延設
された複数の第１赤外線非透過部、２７，２７…
は斯る第１赤外線非透過部２６，２６…の各々の
間に位置する第１赤外線透過部である。そして、
上記第１赤外線非透過部２６，２６…の幅Ｗは
1μｍ〜2μｍ、厚さＤは0.1〜100μｍで、上記第１
赤外線透過部２７，２７…の幅ｔは上記幅Ｗと同
一寸法である。２８は上記収納体１２内において
上記第１赤外線透過体２４に近接対向すべく配置
された第２赤外線透過体で、該透過体は上記第１
赤外線透過体２４と同様に波長２〜15μｍの赤外
線に対する透過率が高い厚さ数100μｍのシリコ
ン又はゲルマニウム板からなつている。２９は上
記開口２３に対向すべく更に詳しくは、上記第１
対向体２５に平行にして近接対向すべく上記第２
赤外線透過体２８の上面に固定された平面状の第
２対向体で、該第２対向体において、３０，３０
…は上記第１赤外線非透過部２６，２６…と同一
材料からなり紙面に平行な方向にて第３図ｂに示
す如く線状に延設された複数の第２赤外線非透過
部、３１，３１…は斯る第２赤外線非透過部３
０，３０…の各々の間に位置する第２赤外線透過
部である。そして、上記赤外線非透過部３０，３
０…の幅W′、厚さD′及び上記第２赤外線透過部
３１，３１…の幅t′は夫々上記第１赤外線非透過
部２６，２６…の幅Ｗ、厚さＤ及び第１赤外線透
過部２７，２７…の幅ｔと同一寸法である。
３２は２枚の圧電板を張り合わせて形成された
圧電振動体、即ちバイモルフで、該バイモルフは
直方体形状を有しその長さｌ、幅ｗ、厚みａは
夫々約30mm、５mm、0.5mmであり、水晶、ロツシ
エル塩、酒石酸エチレン、ジアミン、酒石酸カ
リ、第一リン酸カリ、第一リン酸アンモン、硫酸
リチウム、チタン酸バリウム、硫酸グリシンなど
の単結晶や、チタン酸バリウム系磁器、ジルコン
酸・チタン酸鉛系磁器、ニオブ酸系磁器などの磁
器材料からなつている。そして、上記バイモルフ
３２は赤外線入射方向に垂直な方向、即ち横方向
に長くなるようにして左端３２′が上記ヘツダ１
４に設けられた絶縁台３３に固定され、右端３
２″に上記第２赤外線透過体２８が装着されてい
る。３４及び３５は上記ヘツダ１４に絶縁材３
６，３７を介して植設された第３，第４リード端
子、３８及び３９は第４図にも示す如く上記バイ
モルフ３２の左端３２′の両面に形成された第１，
第２振動電極で、該第１，第２振動電極は夫々上
記第３，第４リード端子３４，３５に接続されて
いる。
圧電振動体、即ちバイモルフで、該バイモルフは
直方体形状を有しその長さｌ、幅ｗ、厚みａは
夫々約30mm、５mm、0.5mmであり、水晶、ロツシ
エル塩、酒石酸エチレン、ジアミン、酒石酸カ
リ、第一リン酸カリ、第一リン酸アンモン、硫酸
リチウム、チタン酸バリウム、硫酸グリシンなど
の単結晶や、チタン酸バリウム系磁器、ジルコン
酸・チタン酸鉛系磁器、ニオブ酸系磁器などの磁
器材料からなつている。そして、上記バイモルフ
３２は赤外線入射方向に垂直な方向、即ち横方向
に長くなるようにして左端３２′が上記ヘツダ１
４に設けられた絶縁台３３に固定され、右端３
２″に上記第２赤外線透過体２８が装着されてい
る。３４及び３５は上記ヘツダ１４に絶縁材３
６，３７を介して植設された第３，第４リード端
子、３８及び３９は第４図にも示す如く上記バイ
モルフ３２の左端３２′の両面に形成された第１，
第２振動電極で、該第１，第２振動電極は夫々上
記第３，第４リード端子３４，３５に接続されて
いる。
而して、上記第１，第２振動電極３８，３９間
に第３，第４リード端子３４，３５を介して所定
の交流信号を印加すると、上記バイモルフ３２は
交流信号の周波数に応じて撓んで第２赤外線透過
体２８を紙面に垂直なＡ方向に周期的に振動せし
める。この場合、バイモルフ３２は長さｌが上述
の如き長い寸法を有していることによりバイモル
フ３２の右端３２″は大きく振動し、従つて上記
第２対向体２９は第５図に詳細に示す如く第２赤
外線非透過部３０，３０…が上記第１対向体２５
の第１赤外線透過部２７，２７…に重なる部分
（破線Ｉ）及び第１赤外線非透過部２６，２６…
に重なる部分（実線Ｊ）に周期的に位置するよう
に大きく振動する。そして、この様な状態におい
て、上記第２対向体２９は第１対向体２５に対し
て常に平行状態を保持している。
に第３，第４リード端子３４，３５を介して所定
の交流信号を印加すると、上記バイモルフ３２は
交流信号の周波数に応じて撓んで第２赤外線透過
体２８を紙面に垂直なＡ方向に周期的に振動せし
める。この場合、バイモルフ３２は長さｌが上述
の如き長い寸法を有していることによりバイモル
フ３２の右端３２″は大きく振動し、従つて上記
第２対向体２９は第５図に詳細に示す如く第２赤
外線非透過部３０，３０…が上記第１対向体２５
の第１赤外線透過部２７，２７…に重なる部分
（破線Ｉ）及び第１赤外線非透過部２６，２６…
に重なる部分（実線Ｊ）に周期的に位置するよう
に大きく振動する。そして、この様な状態におい
て、上記第２対向体２９は第１対向体２５に対し
て常に平行状態を保持している。
ここに、上記バイモルフ３２が第２図に破線で
示す如く赤外線入射方向に長くなるように配置さ
れていると、赤外線検出器自体が必然的に赤外線
入射方向に大きくなり、従つて斯る赤外線検出器
の取付スペースの赤外線入射方向寸法が小さい場
合赤外線検出器の取付けが困難である。そして、
このような場合、第２対向体２９は第６図に示す
如く第１対向体２５に対して平行でない位置に振
動してしまう。
示す如く赤外線入射方向に長くなるように配置さ
れていると、赤外線検出器自体が必然的に赤外線
入射方向に大きくなり、従つて斯る赤外線検出器
の取付スペースの赤外線入射方向寸法が小さい場
合赤外線検出器の取付けが困難である。そして、
このような場合、第２対向体２９は第６図に示す
如く第１対向体２５に対して平行でない位置に振
動してしまう。
しかるに、上記赤外線検出器４では、上記バイ
モルフ３２は第２対向体２９を第１対向体２５に
対して平行状態に保ちながら振動せしめるべく横
方向に長く更にＡ方向に振動するように配置され
ており、従つて赤外線入射方向の寸法を小さくで
きる。
モルフ３２は第２対向体２９を第１対向体２５に
対して平行状態に保ちながら振動せしめるべく横
方向に長く更にＡ方向に振動するように配置され
ており、従つて赤外線入射方向の寸法を小さくで
きる。
尚、上記振動がなされると、上記赤外線検出体
５には赤外線検出器４外部の被検出体からの赤外
線が周期的に入射し、即ち赤外線検出体５に入射
する赤外線が周期的に変化し、従つて上記赤外線
検出体５は斯る変化量に応じた電荷を発生する。
この電荷は被検出体の温度と室温との温度差に基
づいている。
５には赤外線検出器４外部の被検出体からの赤外
線が周期的に入射し、即ち赤外線検出体５に入射
する赤外線が周期的に変化し、従つて上記赤外線
検出体５は斯る変化量に応じた電荷を発生する。
この電荷は被検出体の温度と室温との温度差に基
づいている。
第７図は本発明他の実施例赤外線検出器４′を
示す。同図において、上記実施例と同一部分には
同一符号を記してその説明を省略する。
示す。同図において、上記実施例と同一部分には
同一符号を記してその説明を省略する。
４０はアルミニウムなどからなり上記赤外線検
出体５及びインピーダンス変換回路１１の部分を
覆う高さｅが約５mmのシールド体、４１は該シー
ルド体の検出体５上方に位置する部分に穿設され
た開口で、該開口には上記第１対向体２５が取着
されている。そして、上記シールド体４０はバイ
モルフ３２の振動によつて赤外線検出体５及びイ
ンピーダンス変換回路１１にノイズが誘導される
のを防いでいる。更に、バイモルフ３２の右端３
２″には上記第２対向体２９が直接取着されてい
る。而して、４２はテフロンなどの樹脂からなる
支持台で、該支持台には上記第２対向体２９の遊
端２９′を摺動自在に支持する溝４３が刻設され
ている。
出体５及びインピーダンス変換回路１１の部分を
覆う高さｅが約５mmのシールド体、４１は該シー
ルド体の検出体５上方に位置する部分に穿設され
た開口で、該開口には上記第１対向体２５が取着
されている。そして、上記シールド体４０はバイ
モルフ３２の振動によつて赤外線検出体５及びイ
ンピーダンス変換回路１１にノイズが誘導される
のを防いでいる。更に、バイモルフ３２の右端３
２″には上記第２対向体２９が直接取着されてい
る。而して、４２はテフロンなどの樹脂からなる
支持台で、該支持台には上記第２対向体２９の遊
端２９′を摺動自在に支持する溝４３が刻設され
ている。
第８図は上記赤外線検出器４，４′を含む回路
を示し、赤外線検出器４又は４′内のインピーダ
ンス変換回路１１は1010〜1011Ωの高入力抵抗４
４、FET（電界効果トランジスタ）４５及び約
10KΩの出力抵抗４６にて形成されている。
を示し、赤外線検出器４又は４′内のインピーダ
ンス変換回路１１は1010〜1011Ωの高入力抵抗４
４、FET（電界効果トランジスタ）４５及び約
10KΩの出力抵抗４６にて形成されている。
そして、上記赤外線検出器４又は４′は第１リ
ード端子１６にて直流電圧が供給され、第２リー
ド端子１７から被検出体の温度と室温との温度差
に応じた交流信号が出力される。４７は室温測定
を行なうダイオード、４８は無安定マルチバイブ
レータからなり周期的パルスを発振する発振器、
４９は上記パルスに基づいて上記バイモルフ３２
を振動せしめる（撓ませる）ための交流信号を出
力する駆動回路、５０，５１，５２は直流増幅
器、５３はフイルタ増幅器、５４は同期検波器
で、上記赤外線検出器４又は４′からの交流信号
と上記発振器４８からのパルスとの同期をとり、
被検出体の温度が室温より高い場合はその温度差
に応じた正の直流信号を出力し、被検出体の温度
が室温より低い場合はその温度差に応じた負の直
流信号を出力する。５５は上記同期検波器５４の
出力とダイオード４７の出力とを合成（加算）す
る合成回路で、該回路は被検出体の温度に応じた
信号を出力する。５６は斯る温度を所望回路へ出
力するための出力端子である。
ード端子１６にて直流電圧が供給され、第２リー
ド端子１７から被検出体の温度と室温との温度差
に応じた交流信号が出力される。４７は室温測定
を行なうダイオード、４８は無安定マルチバイブ
レータからなり周期的パルスを発振する発振器、
４９は上記パルスに基づいて上記バイモルフ３２
を振動せしめる（撓ませる）ための交流信号を出
力する駆動回路、５０，５１，５２は直流増幅
器、５３はフイルタ増幅器、５４は同期検波器
で、上記赤外線検出器４又は４′からの交流信号
と上記発振器４８からのパルスとの同期をとり、
被検出体の温度が室温より高い場合はその温度差
に応じた正の直流信号を出力し、被検出体の温度
が室温より低い場合はその温度差に応じた負の直
流信号を出力する。５５は上記同期検波器５４の
出力とダイオード４７の出力とを合成（加算）す
る合成回路で、該回路は被検出体の温度に応じた
信号を出力する。５６は斯る温度を所望回路へ出
力するための出力端子である。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、入射赤外線変化量に応じて電荷を発生する赤
外線検出体、該検出体を収納する収納体、被検出
体からの赤外線を上記検出体へ入射せしめるべく
上記収納体に穿設された開口、赤外線透過部及び
赤外線非透過部を共に有し互いに平行にして上記
開口に対向すべく配置された平面状の一対の対向
体、長手方向に対して垂直に自由に振動可能な自
由開放端の先端部に一方の前記対向体を装着し且
つ上記平行状態を保持しながら一方の対向体をそ
の赤外線非透過部が上記他方の対向体の赤外線透
過部及び赤外線非透過部に周期的に交互に重畳す
るように振動せしめる圧電振動体を備え、該圧電
振動体は上記一方の対向体を上記平行状態を保持
しながら振動せしめるべく配置したから、赤外線
検出体に入射する赤外線を変化せしめるためのチ
ヨツパ及びモータ等が不要となり、よつて赤外線
検出器自体を小型化できると共に、赤外線検出体
に入射する赤外線はむらなく周期的に変化するた
め高精度の下に赤外線検出を行なうことができ
る。更に、赤外線検出器の赤外線入射方向の寸法
を小さくでき、従つて赤外線検出器を赤外線入射
方向の寸法が小さいスペースに取付ける場合、赤
外線検出器を容易に取着することができる。ま
た、特開昭56−160628号（GO1J5／62）に記載
の従来技術においては圧電振動子の伸び方向（縦
方向）の振動を用いているが、伸び方向の振幅量
は数100Vの印加でもせいぜい10μｍ程度である。
一方、本発明においてはバイモルフ振動体の横方
向の振幅量を利用しているので、数10Vの印加で
も数10μｍの大きな振幅、即ち、前者に比較して
約10倍の振幅量を得ることができ、極めて効率が
よい。また、この従来例においては２個の発振器
を要し、しかも両発振器の発振周波数の差の周波
数で赤外線をチヨツピングするので、その周波数
を精度良く制御する必要があるが、本願発明では
そのような高精度の発振器を要せず、しかも１個
で事足りる。
ば、入射赤外線変化量に応じて電荷を発生する赤
外線検出体、該検出体を収納する収納体、被検出
体からの赤外線を上記検出体へ入射せしめるべく
上記収納体に穿設された開口、赤外線透過部及び
赤外線非透過部を共に有し互いに平行にして上記
開口に対向すべく配置された平面状の一対の対向
体、長手方向に対して垂直に自由に振動可能な自
由開放端の先端部に一方の前記対向体を装着し且
つ上記平行状態を保持しながら一方の対向体をそ
の赤外線非透過部が上記他方の対向体の赤外線透
過部及び赤外線非透過部に周期的に交互に重畳す
るように振動せしめる圧電振動体を備え、該圧電
振動体は上記一方の対向体を上記平行状態を保持
しながら振動せしめるべく配置したから、赤外線
検出体に入射する赤外線を変化せしめるためのチ
ヨツパ及びモータ等が不要となり、よつて赤外線
検出器自体を小型化できると共に、赤外線検出体
に入射する赤外線はむらなく周期的に変化するた
め高精度の下に赤外線検出を行なうことができ
る。更に、赤外線検出器の赤外線入射方向の寸法
を小さくでき、従つて赤外線検出器を赤外線入射
方向の寸法が小さいスペースに取付ける場合、赤
外線検出器を容易に取着することができる。ま
た、特開昭56−160628号（GO1J5／62）に記載
の従来技術においては圧電振動子の伸び方向（縦
方向）の振動を用いているが、伸び方向の振幅量
は数100Vの印加でもせいぜい10μｍ程度である。
一方、本発明においてはバイモルフ振動体の横方
向の振幅量を利用しているので、数10Vの印加で
も数10μｍの大きな振幅、即ち、前者に比較して
約10倍の振幅量を得ることができ、極めて効率が
よい。また、この従来例においては２個の発振器
を要し、しかも両発振器の発振周波数の差の周波
数で赤外線をチヨツピングするので、その周波数
を精度良く制御する必要があるが、本願発明では
そのような高精度の発振器を要せず、しかも１個
で事足りる。
第１図ａ及びｂは夫々従来の赤外線検出機構の
側面図及び平面図、第２図は本発明実施例赤外線
検出器の断面図、第３図ａ及びｂは夫々同要部平
面図、第４図は第２図において矢印方向から見
た図、第５図は第２図における−線断面図、
第６図は第５図に対応する比較のための赤外線検
出器の断面図、第７図は本発明他の実施例赤外線
検出器の断面図、第８図は第２図及び第７図の赤
外線検出器を含む回路図である。 ５…赤外線検出体、１２…収納体、２３…開
口、２５…第１対向体、２６，２６…第１赤外線
非透過部、２７，２７…第１赤外線透過部、２９
…第２対向体、３０，３０…第２赤外線非透過
部、３１，３１…第２赤外線透過部、３２…バイ
モルフ。
側面図及び平面図、第２図は本発明実施例赤外線
検出器の断面図、第３図ａ及びｂは夫々同要部平
面図、第４図は第２図において矢印方向から見
た図、第５図は第２図における−線断面図、
第６図は第５図に対応する比較のための赤外線検
出器の断面図、第７図は本発明他の実施例赤外線
検出器の断面図、第８図は第２図及び第７図の赤
外線検出器を含む回路図である。 ５…赤外線検出体、１２…収納体、２３…開
口、２５…第１対向体、２６，２６…第１赤外線
非透過部、２７，２７…第１赤外線透過部、２９
…第２対向体、３０，３０…第２赤外線非透過
部、３１，３１…第２赤外線透過部、３２…バイ
モルフ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入射赤外線変化量に応じて電荷を発生する赤
外線検出体５と、 該検出体５を収納する収納体１２と、 被検出体からの赤外線を前記検出体５へ入射せ
しめるべく前記収納体１２に穿設された開口２３
と、 赤外線透過部２７，３１及び赤外線非透過部２
６，３０を共に有し互いに平行にして前記開口２
３に対向すべく配置された平面状の一対の対向体
２５，２９と、 長手方向に対して垂直に自由に振動可能な自由
開放端の先端部に一方の前記対向体２９を装着し
且つ前記平行状態を保持しながら前記一方の対向
体２９をその赤外線非透過部３０が他方の対向体
２５の赤外線透過部２７及び赤外線非透過部２６
に周期的に交互に重畳するように振動せしめるバ
イモルフ振動体３２と、 を備えることを特徴とする赤外線検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012432A JPS58129226A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 赤外線検出器 |
| US06/407,582 US4485305A (en) | 1981-08-20 | 1982-08-12 | Infrared detector with vibrating chopper |
| GB08223932A GB2105033B (en) | 1981-08-20 | 1982-08-19 | Infrared ray detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012432A JPS58129226A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 赤外線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58129226A JPS58129226A (ja) | 1983-08-02 |
| JPH0262810B2 true JPH0262810B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=11805122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57012432A Granted JPS58129226A (ja) | 1981-08-20 | 1982-01-27 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58129226A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100636U (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | 三洋電機株式会社 | 赤外線センサ |
| JPS60128317A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 赤外線センサ |
| JPS60100635U (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | 三洋電機株式会社 | 赤外線センサ |
| US5001657A (en) * | 1986-06-24 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Radiation thermometer |
| JP2522509Y2 (ja) * | 1988-02-12 | 1997-01-16 | オムロン株式会社 | 赤外線検出器 |
| KR100377806B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2003-03-29 | 학교법인주성학원 | 초전형 적외선 센서 모듈 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5554418A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pyroelectric type temperature sensor |
| JPS5619417A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Toshiba Corp | Pyroelectric detector |
| JPS56160628A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Infrared detector |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP57012432A patent/JPS58129226A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58129226A (ja) | 1983-08-02 |
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