JPH0262834A - フッソ化合物 - Google Patents
フッソ化合物Info
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- JPH0262834A JPH0262834A JP63215637A JP21563788A JPH0262834A JP H0262834 A JPH0262834 A JP H0262834A JP 63215637 A JP63215637 A JP 63215637A JP 21563788 A JP21563788 A JP 21563788A JP H0262834 A JPH0262834 A JP H0262834A
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- JP
- Japan
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- compound
- formula
- liquid crystal
- pentylcyclohexyl
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は液晶表示装置に用られる液晶材料の成分として
有用な新規フッソ化合物に関する。
有用な新規フッソ化合物に関する。
[従来の技術]
液晶表示装置はコレステリック相、スメクチック相、ネ
マチック相等の液晶相の電気光学効果を応用した表示装
置である。これらの液晶相のなかでネマチック相を用い
たものが最も普及しており、動的散乱型、ねじれネマチ
ック型(TN型)。
マチック相等の液晶相の電気光学効果を応用した表示装
置である。これらの液晶相のなかでネマチック相を用い
たものが最も普及しており、動的散乱型、ねじれネマチ
ック型(TN型)。
ゲスト−ホスト型等の表示方式がある。液晶表示装置は
小型、薄型であり、駆動電圧が低く、消費電力が小さく
、受光素子であるために長時間使用しても目が疲れたい
等の長所があるため、ウォッチ、1!卓、オーディオ機
器、各種計測器等に広く応用されており、近年はワープ
ロやパソコンのデイスプレィさらにはポケットテレビ等
の画素数の非常に多い表示装置にも応用されつつぁすO
RTにかわる表示装置として注目を集めている。このよ
うに応用分野が広がるにつれて液晶材料に要求される特
性も変化してゆくが、着色がな(、熱。
小型、薄型であり、駆動電圧が低く、消費電力が小さく
、受光素子であるために長時間使用しても目が疲れたい
等の長所があるため、ウォッチ、1!卓、オーディオ機
器、各種計測器等に広く応用されており、近年はワープ
ロやパソコンのデイスプレィさらにはポケットテレビ等
の画素数の非常に多い表示装置にも応用されつつぁすO
RTにかわる表示装置として注目を集めている。このよ
うに応用分野が広がるにつれて液晶材料に要求される特
性も変化してゆくが、着色がな(、熱。
光、電気的、化学的に安定なこと、実用温度範囲が広い
こと、駆動電圧が低いこと、電気光学的な応答速度が速
いこと、視角範囲が広いこと等はすべての液晶材料に必
要不可欠な特性である。
こと、駆動電圧が低いこと、電気光学的な応答速度が速
いこと、視角範囲が広いこと等はすべての液晶材料に必
要不可欠な特性である。
[発明が解決しようとする課題]
これらの特性のうちで無着色で安定な液晶化合物は多数
知られているが、その他の特性を単一成分で満足させる
液晶化合物は知られていない。そこで、複数のネマチッ
ク液晶化合物又は非液晶化合物を混ぜた液晶組成物を用
いている。一般に液晶組成物はネマチック温度範囲が室
温付近にある液晶化合物とネマチック−等方性液体転移
点(N−1点)が150〜250℃ある液晶化合物と応
答速度を速くするための減粘剤の組合せから成っている
が、従来より最も広く用いられている下記のフェニルシ
クロヘキサン(POH)系やビフェニルシクロヘキサン
(BOH)系の液晶化合物は誘電異 R−G−6−R’ R+◎(トR′ (上式中、RおよびR′は直鎖のアルキル基を示し、シ
クロヘキサン環はトランス配置である方性が小さい、た
め、これらを混ぜた組成物は駆動電圧が高くなる欠点を
有する。
知られているが、その他の特性を単一成分で満足させる
液晶化合物は知られていない。そこで、複数のネマチッ
ク液晶化合物又は非液晶化合物を混ぜた液晶組成物を用
いている。一般に液晶組成物はネマチック温度範囲が室
温付近にある液晶化合物とネマチック−等方性液体転移
点(N−1点)が150〜250℃ある液晶化合物と応
答速度を速くするための減粘剤の組合せから成っている
が、従来より最も広く用いられている下記のフェニルシ
クロヘキサン(POH)系やビフェニルシクロヘキサン
(BOH)系の液晶化合物は誘電異 R−G−6−R’ R+◎(トR′ (上式中、RおよびR′は直鎖のアルキル基を示し、シ
クロヘキサン環はトランス配置である方性が小さい、た
め、これらを混ぜた組成物は駆動電圧が高くなる欠点を
有する。
そこで、本発明の目的は他の1種又は2種以上のネマチ
ック液晶化合物又は非ネマチック液晶化合物と混合する
ことにより駆動電圧の低い液晶組成物を得ることができ
る新規なフッソ化合物を提供することである。
ック液晶化合物又は非ネマチック液晶化合物と混合する
ことにより駆動電圧の低い液晶組成物を得ることができ
る新規なフッソ化合物を提供することである。
[課題を解決するだめの手段]
本発明は一般式
%式%)
(上式中、Rは炭素原子数が1〜1oの直鎖アルキル基
、導は1又は2、ルは1〜1oの整数、■は■又は◎を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。)で表
わされるフッソ化合物であり、次の製造方法により漫る
ことができる。
、導は1又は2、ルは1〜1oの整数、■は■又は◎を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。)で表
わされるフッソ化合物であり、次の製造方法により漫る
ことができる。
製造方法人
(上式中、Rは炭素原子数が1〜1oの直鎖アルキル基
、mば1又は2、ルは1〜10の整数、■は[相]又は
◎を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) 工程1 化合物(2)と化合物(3)を二硫化炭素中で
無水塩化アルミニウムを触媒に用いて7リーデル・クラ
フッ反応させ化合物(4)を優る。
、mば1又は2、ルは1〜10の整数、■は[相]又は
◎を示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) 工程1 化合物(2)と化合物(3)を二硫化炭素中で
無水塩化アルミニウムを触媒に用いて7リーデル・クラ
フッ反応させ化合物(4)を優る。
工程2 化合物(4)をジエチレングリコール中テ抱水
ヒドラジンと水酸化カリウムを用いてウォル7・キッシ
ュナー還元して本発明の化合物(1)を潜るここで化合
物(1)でル=1のものは上記方法では得られないので
、次の製造方法Bによる。また化合物(3)の製造方法
は例えば、次のようにして得られる。
ヒドラジンと水酸化カリウムを用いてウォル7・キッシ
ュナー還元して本発明の化合物(1)を潜るここで化合
物(1)でル=1のものは上記方法では得られないので
、次の製造方法Bによる。また化合物(3)の製造方法
は例えば、次のようにして得られる。
R鵠←(へ)ト太ooモOH2壕了P
R→と÷(←)H(OH2人シ
5oatz
製造方法B
?+OH2% OH
R+(掛、、0OOH3
7千〇H2+!O6
R棒刈洲、aoou
?(−OEl 2す、ON
■
以下、工程1〜4の(り返し
Rぺ刈於。0H2ON
Rべ刺ぴ一□Hzooou e)
R→踵豪糧崎0H2−)20H
金物(7)を得る。
工程5 化合物(7)をジメチルスルホキシド中テシア
ン化ナトリウムでシア/化して化合物(8)を得る以下
、工程4〜7 R−<例頚沃1千OH2す27
(2)のくり返し く上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、mは1又は2、ルは1〜10の整数、■はO又は◎を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) 工程1 化合物(2)と塩化アセチル(3)を二硫化炭
素中で無水塩化アルミニウムを触媒に用いて7り−デル
・クラツク反応させ化合物(4)を得る。
ン化ナトリウムでシア/化して化合物(8)を得る以下
、工程4〜7 R−<例頚沃1千OH2す27
(2)のくり返し く上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、mは1又は2、ルは1〜10の整数、■はO又は◎を
示し、シクロヘキサン環はトランス配置である。) 工程1 化合物(2)と塩化アセチル(3)を二硫化炭
素中で無水塩化アルミニウムを触媒に用いて7り−デル
・クラツク反応させ化合物(4)を得る。
工程2 化合物(4)を1,4−ジオキサン中で次亜臭
素酸ナトリウム水溶液で酸化して化合物(5)を得る。
素酸ナトリウム水溶液で酸化して化合物(5)を得る。
工程5 化合物(5)をトルエン中でNaAlH4(O
OH20H200H3)2で還元して化合物(6)を得
る。
OH20H200H3)2で還元して化合物(6)を得
る。
工程・4ノ 化合物(6)を塩化チオニルで塩素化して
化工程6 化合物(8)をエタノール中で水酸化ナトリ
ウム水溶液を用いて加水分解して化合物(9)を得る工
程7 化合物(9)を工程6と同様の方法で還元して化
合物αりを得る。
化工程6 化合物(8)をエタノール中で水酸化ナトリ
ウム水溶液を用いて加水分解して化合物(9)を得る工
程7 化合物(9)を工程6と同様の方法で還元して化
合物αりを得る。
工程8 化合物(6)を塩化メチレン中でヘキサフルオ
ロプロペンのジェタノールアミン錯体で7ツソ化して本
発明のフッソ化合物(1)でル=1のものを得る。
ロプロペンのジェタノールアミン錯体で7ツソ化して本
発明のフッソ化合物(1)でル=1のものを得る。
工程9 化合物(10)を工程8と同様の方法でフッソ
して本発明のフッソ化合物(1)でル=2のものを得る
。
して本発明のフッソ化合物(1)でル=2のものを得る
。
以下、工程4〜8と同様な方法をくり返して本発明のフ
ッソ化合物でル≧6のものを碍る。
ッソ化合物でル≧6のものを碍る。
〔実施例コ
以下、実施例と応用例により本発明をさらに詳しく説明
する。
する。
(実施例1)
4−()ランス−41−ペンチルシクロヘキシル)フル
オロメチルベンゼンの製造方法(製造方法Bによる)。
オロメチルベンゼンの製造方法(製造方法Bによる)。
工程1 二硫化炭素100−に無水塩化アルミニウム1
Z52を分散させ、攪拌しながら塩化アセチル942を
滴下した。この液を氷水冷却攪拌下にトランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシルベンゼン22.9rを滴下し、そ
の後氷水冷却下に1時間攪拌した。反応液を濃塩酸50
7と氷100v中に注ぎ、油層を分離してから水層なり
ロロホルムで抽出し、油装置と合して水で洗浄後溶媒を
蒸留して除いた。残渣をアセトンとメタノールの混合溶
媒から再結晶して4’−(−)ランス−4“−ペンチル
シクロヘキシル)アセトフェノン2−4.4fヲ碍だ。
Z52を分散させ、攪拌しながら塩化アセチル942を
滴下した。この液を氷水冷却攪拌下にトランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシルベンゼン22.9rを滴下し、そ
の後氷水冷却下に1時間攪拌した。反応液を濃塩酸50
7と氷100v中に注ぎ、油層を分離してから水層なり
ロロホルムで抽出し、油装置と合して水で洗浄後溶媒を
蒸留して除いた。残渣をアセトンとメタノールの混合溶
媒から再結晶して4’−(−)ランス−4“−ペンチル
シクロヘキシル)アセトフェノン2−4.4fヲ碍だ。
工程2 4’−()ランス−4″−ペンチルシクロヘキ
シル)アセトフェノン24.4Fヲ1 4−ジオキサン
180crAに溶解し、氷水冷却攪拌下に水酸化す)
!J r)A52−4 f 、水90d、臭素572よ
り調整した次亜臭素酸ナトリウム水溶液を滴下した。そ
の後、0℃で1時間、40℃で2時間攪拌した。反応液
に濃塩酸を加え結晶を析出させ、濾過水洗した。結晶を
エタノールから再結晶して4−()?シス−4′−ペン
チルシクロヘキシル)安息香酸2!h、5tを碍た。
シル)アセトフェノン24.4Fヲ1 4−ジオキサン
180crAに溶解し、氷水冷却攪拌下に水酸化す)
!J r)A52−4 f 、水90d、臭素572よ
り調整した次亜臭素酸ナトリウム水溶液を滴下した。そ
の後、0℃で1時間、40℃で2時間攪拌した。反応液
に濃塩酸を加え結晶を析出させ、濾過水洗した。結晶を
エタノールから再結晶して4−()?シス−4′−ペン
チルシクロヘキシル)安息香酸2!h、5tを碍た。
工1i5 4−()ランス−4′−ペンチルシクロヘキ
シル)安息香#7I2五5vをHa人12(ooH20
H200H3)259.4 ttlとトルエン40−の
溶液を攪拌下にすこしずつ加え、その後5時間還流した
。反応液に10%塩酸を加え、油層を分離し水で洗浄し
た。トルエンを蒸留してから残渣をヘキサンから再結晶
し”C4−()ランス−4′−ペンチルシクロヘキシル
)ヒドロキシメチルベンゼン19.5 fを得た。
シル)安息香#7I2五5vをHa人12(ooH20
H200H3)259.4 ttlとトルエン40−の
溶液を攪拌下にすこしずつ加え、その後5時間還流した
。反応液に10%塩酸を加え、油層を分離し水で洗浄し
た。トルエンを蒸留してから残渣をヘキサンから再結晶
し”C4−()ランス−4′−ペンチルシクロヘキシル
)ヒドロキシメチルベンゼン19.5 fを得た。
工程4 4−()ランス−4′−ペンチルシクロヘキシ
ル)ヒドロキシメチルベンゼン19.5rを塩化メチレ
ン110cdK溶解し、氷水冷却攪拌下にヘキサフルオ
プロペンのジェタノールアミン錯体(石用試J)24r
を滴下した。その後24時間放置してから10%炭酸カ
リウム溶液と水で洗浄した。塩化メチレンを蒸留してか
ら残渣を減圧蒸W(b、p、150℃/Q、61r!!
nHy)シて本発明の4−()ランス−4′−ペンチル
シクロヘキシル)フルオロメチルベンゼン15.7 t
fir: PJり。この化合物の相転移温度は以下の
通りでありだ。
ル)ヒドロキシメチルベンゼン19.5rを塩化メチレ
ン110cdK溶解し、氷水冷却攪拌下にヘキサフルオ
プロペンのジェタノールアミン錯体(石用試J)24r
を滴下した。その後24時間放置してから10%炭酸カ
リウム溶液と水で洗浄した。塩化メチレンを蒸留してか
ら残渣を減圧蒸W(b、p、150℃/Q、61r!!
nHy)シて本発明の4−()ランス−4′−ペンチル
シクロヘキシル)フルオロメチルベンゼン15.7 t
fir: PJり。この化合物の相転移温度は以下の
通りでありだ。
a s H1t −@−o−OH2−7応用例
第1表に示すネマチック液晶組成物を作りた。
この組成物の0−N点は一20℃以下、N−1点は6a
5℃、TN型セh (セルcr>厚す9. s tt
77L )を用い20℃で測定したしきい値電圧(電圧
−光透過半白線上で透過率が10%のときの電圧値)は
1.50 Vであった。
5℃、TN型セh (セルcr>厚す9. s tt
77L )を用い20℃で測定したしきい値電圧(電圧
−光透過半白線上で透過率が10%のときの電圧値)は
1.50 Vであった。
(実施例2)
4−フルオロメチル−4′−ベンチルビ7エ二ルの製造
方法。
方法。
実施例1と同様な製造方法により鵠だ。この化合物の相
転移温度は次の通りであった。
転移温度は次の通りであった。
05H11七H洲0)(2−F
この組成物80重量%に実施例1の化合物20重量%を
混ぜり組成物A ト0sHtt−0−@−0Hs 20
jf1量%を混ぜた組成物Bを作った。組成物Aおよ
びBのO−1点、N−1点、しきい値IL圧vthを第
2表に示した。
混ぜり組成物A ト0sHtt−0−@−0Hs 20
jf1量%を混ぜた組成物Bを作った。組成物Aおよ
びBのO−1点、N−1点、しきい値IL圧vthを第
2表に示した。
第 2 表
[発明の効果コ
以上述べたように、本発明のフラン化合物を従来の液晶
組成物に混合することにより駆動電圧の低い液晶組成物
を得ることが可能となる。
組成物に混合することにより駆動電圧の低い液晶組成物
を得ることが可能となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……(1) (上式中、Rは炭素原子数が1〜10の直鎖アルキル基
、mは1又は2、nは1〜10の整数、[A]は▲数式
、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等
があります▼を示し、シクロヘキサン環はトランス配置
である。) で表わされるフッソ化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215637A JP2625952B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッソ化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215637A JP2625952B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッソ化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262834A true JPH0262834A (ja) | 1990-03-02 |
| JP2625952B2 JP2625952B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=16675702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215637A Expired - Lifetime JP2625952B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | フッソ化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625952B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032722A1 (en) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Chisso Corporation | Liquid-crystal compounds having fluorinated alkyl groups, liquid-crystal composition, and liquid-crystal display element |
| JP2006342104A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Adeka Corp | 新規化合物及び液晶組成物 |
| CN115074138A (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 达兴材料股份有限公司 | 液晶组合物及液晶显示设备 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215637A patent/JP2625952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032722A1 (en) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Chisso Corporation | Liquid-crystal compounds having fluorinated alkyl groups, liquid-crystal composition, and liquid-crystal display element |
| US6248260B1 (en) | 1997-01-29 | 2001-06-19 | Chisso Corporation | Liquid-crystal compounds having fluorinated alkyl groups, liquid-crystal composition, and liquid-crystal display element |
| JP2006342104A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Adeka Corp | 新規化合物及び液晶組成物 |
| CN115074138A (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 达兴材料股份有限公司 | 液晶组合物及液晶显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625952B2 (ja) | 1997-07-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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