JPH0262889B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0262889B2 JPH0262889B2 JP61119108A JP11910886A JPH0262889B2 JP H0262889 B2 JPH0262889 B2 JP H0262889B2 JP 61119108 A JP61119108 A JP 61119108A JP 11910886 A JP11910886 A JP 11910886A JP H0262889 B2 JPH0262889 B2 JP H0262889B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- carbonaceous
- wear
- magnetic recording
- carbonaceous film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、炭素質膜を表面保護膜として有する
耐摩耗性磁気記録体に関する。 （従来の技術） 従来、炭化水素ガスのプラズマCVD法でつく
られた炭素質膜を耐摩耗性保護膜として有する耐
摩耗性磁気記録体は公知である。 （発明が解決しようとする問題点） 上記従来の磁気記録体は、Mn−Znフエライト
のモノリシツクヘツドでは、すぐれた耐摩耗性を
示すが、スライダーとしてCaTiO3やAl2O3・TiC
のような硬質のセラミツクスを材料として用いる
ハードデイスク用複合ヘツドや薄膜ヘツドでは、
作用中に摩擦係数が急激に上昇し、ヘツドがデイ
スクに吸着してしまうかデイスクにきずが付いて
しまうことがしばしばであつた。 又、該磁気記録体は、テープやフレキシブルデ
イスクにおいても耐摩耗性の点で問題が多く、実
用上不適である。 （問題を解決するための手段） 本発明は、上記従来の炭素質膜を表面保護膜と
して備える耐摩耗性磁気記録体の欠点を解消し、
CaTiO3やAl2O3・TiCのような硬質な材料を用い
たヘツドにも優れた耐摩耗性を示す耐摩耗性磁気
記録体を提供するもので、非磁性基材面に形成し
た磁性膜面上に、比較的硬質の炭素質膜下層と比
較的軟質の炭素質膜上層を形成して成る耐摩耗性
磁気記録体において、該下層は、水素原子又はフ
ツ素原子を含有せしめる場合は、各原子単独或は
これら両原子の合計で約5at％まで含有し、該上
層は、水素原子又はフツ素原子単独で或はこれら
両原子の合計約6at％以上を含有することを特徴
とする。 （実施例） 次に本発明の実施例につき詳述する。 非磁性基材面に磁性膜を形成したテープ、デイ
スク等の磁気記録体を、耐摩耗性を付与するた
め、プラズマーCVD法によりその磁性膜の表面
に、炭素質膜を形成する場合、その処理室に導入
する炭化水素系ガス、フツ化炭素系ガス、或はこ
れらの混合ガスの圧力、放電電圧の変化などによ
つてその生成する炭素質膜の性状、即ち、その硬
度、摩擦係数、潤滑性などの異なるものが得られ
ることが多くの実験の結果認められ、このときの
ガス圧の条件を利用して性質の異なる上下２層の
炭素質膜で保護した耐摩耗性磁気記録体の製造法
を先に提案した。（特願昭61−22978号）。 本願の発明は、かゝる製造条件とは別の観点よ
り、即ち、上下２層の炭素質膜の水素、フツ素の
含有量の観点より検討して、その夫々の特性を備
えた耐摩耗性磁気記録体を開発した。これを更に
詳述する。 NiP／Alデイスク基材上に、CoNiCr／Crの２
層から成る磁性膜をスパツタ法により形成したハ
ードデイスクを多数用意し、このデイスクを、
C2H2ガス、C3F8ガス、70％C2H2＋30％C3F8の混
合ガスの３種類のガスを用いDC放電のプラズマ
ーCVD法を行なつた。この場合、導入ガス圧は
１×10-2〜１トールの範囲内で、電圧は−100〜
−3000Vの範囲内でそのいづれか１方又は両方の
値を色々に変えてＨ又はＦ単独或はＨとＦの合計
の含有量を異にした炭素質の単層膜をもつ耐摩耗
性磁気記録体デイスクを作成し、前記元素の含有
量と炭素質膜の耐摩耗性との関係を検討した。膜
中のＨ及びＦの定量には、赤外線吸収スペクトル
よりＣ−Ｈ結合及びＣ−Ｆ結合による吸収スペク
トルにより求めた。耐摩耗性の評価は、夫々のデ
イスクを45rpmで回転し、Al2O3・TiCスライダ
ーを用いた3370型ヘツドを使用してヘツド荷重を
32ｇ加えて、5500回（２時間）連続的に摩擦係数
を測定した（加速試験）。更に夫々のデイスクに
ついてCSSテストを行なつた。尚、夫々の生成膜
厚は全て600Åとした。その結果は下記表１、表
２及び表３の通りである。
耐摩耗性磁気記録体に関する。 （従来の技術） 従来、炭化水素ガスのプラズマCVD法でつく
られた炭素質膜を耐摩耗性保護膜として有する耐
摩耗性磁気記録体は公知である。 （発明が解決しようとする問題点） 上記従来の磁気記録体は、Mn−Znフエライト
のモノリシツクヘツドでは、すぐれた耐摩耗性を
示すが、スライダーとしてCaTiO3やAl2O3・TiC
のような硬質のセラミツクスを材料として用いる
ハードデイスク用複合ヘツドや薄膜ヘツドでは、
作用中に摩擦係数が急激に上昇し、ヘツドがデイ
スクに吸着してしまうかデイスクにきずが付いて
しまうことがしばしばであつた。 又、該磁気記録体は、テープやフレキシブルデ
イスクにおいても耐摩耗性の点で問題が多く、実
用上不適である。 （問題を解決するための手段） 本発明は、上記従来の炭素質膜を表面保護膜と
して備える耐摩耗性磁気記録体の欠点を解消し、
CaTiO3やAl2O3・TiCのような硬質な材料を用い
たヘツドにも優れた耐摩耗性を示す耐摩耗性磁気
記録体を提供するもので、非磁性基材面に形成し
た磁性膜面上に、比較的硬質の炭素質膜下層と比
較的軟質の炭素質膜上層を形成して成る耐摩耗性
磁気記録体において、該下層は、水素原子又はフ
ツ素原子を含有せしめる場合は、各原子単独或は
これら両原子の合計で約5at％まで含有し、該上
層は、水素原子又はフツ素原子単独で或はこれら
両原子の合計約6at％以上を含有することを特徴
とする。 （実施例） 次に本発明の実施例につき詳述する。 非磁性基材面に磁性膜を形成したテープ、デイ
スク等の磁気記録体を、耐摩耗性を付与するた
め、プラズマーCVD法によりその磁性膜の表面
に、炭素質膜を形成する場合、その処理室に導入
する炭化水素系ガス、フツ化炭素系ガス、或はこ
れらの混合ガスの圧力、放電電圧の変化などによ
つてその生成する炭素質膜の性状、即ち、その硬
度、摩擦係数、潤滑性などの異なるものが得られ
ることが多くの実験の結果認められ、このときの
ガス圧の条件を利用して性質の異なる上下２層の
炭素質膜で保護した耐摩耗性磁気記録体の製造法
を先に提案した。（特願昭61−22978号）。 本願の発明は、かゝる製造条件とは別の観点よ
り、即ち、上下２層の炭素質膜の水素、フツ素の
含有量の観点より検討して、その夫々の特性を備
えた耐摩耗性磁気記録体を開発した。これを更に
詳述する。 NiP／Alデイスク基材上に、CoNiCr／Crの２
層から成る磁性膜をスパツタ法により形成したハ
ードデイスクを多数用意し、このデイスクを、
C2H2ガス、C3F8ガス、70％C2H2＋30％C3F8の混
合ガスの３種類のガスを用いDC放電のプラズマ
ーCVD法を行なつた。この場合、導入ガス圧は
１×10-2〜１トールの範囲内で、電圧は−100〜
−3000Vの範囲内でそのいづれか１方又は両方の
値を色々に変えてＨ又はＦ単独或はＨとＦの合計
の含有量を異にした炭素質の単層膜をもつ耐摩耗
性磁気記録体デイスクを作成し、前記元素の含有
量と炭素質膜の耐摩耗性との関係を検討した。膜
中のＨ及びＦの定量には、赤外線吸収スペクトル
よりＣ−Ｈ結合及びＣ−Ｆ結合による吸収スペク
トルにより求めた。耐摩耗性の評価は、夫々のデ
イスクを45rpmで回転し、Al2O3・TiCスライダ
ーを用いた3370型ヘツドを使用してヘツド荷重を
32ｇ加えて、5500回（２時間）連続的に摩擦係数
を測定した（加速試験）。更に夫々のデイスクに
ついてCSSテストを行なつた。尚、夫々の生成膜
厚は全て600Åとした。その結果は下記表１、表
２及び表３の通りである。
【表】
【表】
【表】
上記の表１、表２及び表３から明らかなよう
に、Ｈ又はＦ単独の含有量、ＨとＦの合計の含有
量が5at％以下の場合は、その炭素質膜は、摩擦
係数が高く、且つデイスク表面に変化を与えない
程度の硬質膜として得られること、並に6at％以
上の場合は、摩擦係数は低いがデイスク表面がヘ
ツドのスライダーできずつく程度の軟質膜として
得られることが分つた。 本発明は、かゝる炭素質膜の摩擦係数及び硬度
の大小の差を利用して、これらの異なる炭素質膜
を上下２層としてその磁性膜面を保護すること
で、摩擦係数が小さいが上記セラミツク材のスラ
イダーでも磁性膜表面に傷がつかずに円滑良好に
使用できる耐摩耗性磁気記録体を開発したもの
で、ＨやＦ単独又はＨとＦの合計の含有量が5at
％以下の炭素質膜を下層とし、その含有量が5at
％以上の炭素質膜を上層として磁性膜の表面を被
覆したことを特徴とする。 下記の表４は、本発明の耐摩耗性磁気記録体の
実施例の加速試験後の状態とCSSテストの試験結
果を示す。
に、Ｈ又はＦ単独の含有量、ＨとＦの合計の含有
量が5at％以下の場合は、その炭素質膜は、摩擦
係数が高く、且つデイスク表面に変化を与えない
程度の硬質膜として得られること、並に6at％以
上の場合は、摩擦係数は低いがデイスク表面がヘ
ツドのスライダーできずつく程度の軟質膜として
得られることが分つた。 本発明は、かゝる炭素質膜の摩擦係数及び硬度
の大小の差を利用して、これらの異なる炭素質膜
を上下２層としてその磁性膜面を保護すること
で、摩擦係数が小さいが上記セラミツク材のスラ
イダーでも磁性膜表面に傷がつかずに円滑良好に
使用できる耐摩耗性磁気記録体を開発したもの
で、ＨやＦ単独又はＨとＦの合計の含有量が5at
％以下の炭素質膜を下層とし、その含有量が5at
％以上の炭素質膜を上層として磁性膜の表面を被
覆したことを特徴とする。 下記の表４は、本発明の耐摩耗性磁気記録体の
実施例の加速試験後の状態とCSSテストの試験結
果を示す。
【表】
【表】
上記の実施例はいづれも摩擦係数は小さく而も
デイスク表面はきずがつかず、CSSテストも数万
回以上と云う著しい耐摩耗性を示す。尚、この場
合の上下の炭素質膜の厚さは夫々300Åとした。
かゝる効果の生ずる理由は、ヘツドの硬いスライ
ダーは、比較的軟質の上層の炭素質膜により摩擦
係数が小さく維持することができる。このこと
は、該軟質の炭素質膜は潤滑性を有することを意
味する。従つてスライダーにより部分的に上層炭
素質膜を通してその下層の比較的硬質の炭素質膜
に達するときは、その硬質層によりスライダーが
磁性膜面に達しきづを付けることから未然に防止
される１方その硬質の炭素質膜は、常に、潤滑性
の上層炭素質膜により潤滑性を付与されているた
め、結局、これら上下層の協働作用でCSSテスト
も数万回も全く変化が認められない極めて耐摩耗
性の大きい磁気記録体としての特性を示すものと
解される。 尚、上記実施例のように、Ｈ又はＦの単独又は
これらの混合原子の含有量が5at％以下の下層炭
素質膜を得るには、例えばプラズマPVD処理室
に導入のガス圧を１×10-2トール程度とし、その
含有量が6at％以上の上層炭素質膜を得るにはガ
ス圧を１×10-1トール程度、放電条件とすること
により得られるが、これに限られるものではな
い。炭化水素系ガス、フツ化炭素系ガスは、上記
に使用したものの他任意のものが使用できる。又
ハードデイスクの他、フレキシブルデイスク、テ
ープなど任意の形状、材料の基材を用いて有効で
ある。プラズマCVDの放電にはDCの他RF、マ
イクロ波等も用いても有効である。 又、下層の炭素質膜は、ＨやＦが零である例え
ば、黒鉛ターケツドを用いてスパツタリングによ
つて或は、アーク放電により蒸着して炭素原子の
みのもので形成してもよい。本発明の上下層炭素
質膜は、磁性膜の表面に直接形成する他SiO2、
BN、Ｂ、Crなどの他の種類の保護膜を介しても
同様の効果が達成できる。 （発明の効果） このように、本発明によれば、磁性膜の表面
を、Ｈ又はＦ又はこれらの混合元素を5at％以下
含む炭素質膜を下層とし、その6at％以上含む炭
素質膜を上層とした保護膜で保護した耐摩耗性磁
気記録体であるので、モノリシツクヘツドの他
CaTiO2などの硬質のスライダーをもつヘツドに
も適用でき而も長寿命であり、従来の炭素質膜を
もつ磁気記録体の欠点を解消し得られる等の効果
を有する。
デイスク表面はきずがつかず、CSSテストも数万
回以上と云う著しい耐摩耗性を示す。尚、この場
合の上下の炭素質膜の厚さは夫々300Åとした。
かゝる効果の生ずる理由は、ヘツドの硬いスライ
ダーは、比較的軟質の上層の炭素質膜により摩擦
係数が小さく維持することができる。このこと
は、該軟質の炭素質膜は潤滑性を有することを意
味する。従つてスライダーにより部分的に上層炭
素質膜を通してその下層の比較的硬質の炭素質膜
に達するときは、その硬質層によりスライダーが
磁性膜面に達しきづを付けることから未然に防止
される１方その硬質の炭素質膜は、常に、潤滑性
の上層炭素質膜により潤滑性を付与されているた
め、結局、これら上下層の協働作用でCSSテスト
も数万回も全く変化が認められない極めて耐摩耗
性の大きい磁気記録体としての特性を示すものと
解される。 尚、上記実施例のように、Ｈ又はＦの単独又は
これらの混合原子の含有量が5at％以下の下層炭
素質膜を得るには、例えばプラズマPVD処理室
に導入のガス圧を１×10-2トール程度とし、その
含有量が6at％以上の上層炭素質膜を得るにはガ
ス圧を１×10-1トール程度、放電条件とすること
により得られるが、これに限られるものではな
い。炭化水素系ガス、フツ化炭素系ガスは、上記
に使用したものの他任意のものが使用できる。又
ハードデイスクの他、フレキシブルデイスク、テ
ープなど任意の形状、材料の基材を用いて有効で
ある。プラズマCVDの放電にはDCの他RF、マ
イクロ波等も用いても有効である。 又、下層の炭素質膜は、ＨやＦが零である例え
ば、黒鉛ターケツドを用いてスパツタリングによ
つて或は、アーク放電により蒸着して炭素原子の
みのもので形成してもよい。本発明の上下層炭素
質膜は、磁性膜の表面に直接形成する他SiO2、
BN、Ｂ、Crなどの他の種類の保護膜を介しても
同様の効果が達成できる。 （発明の効果） このように、本発明によれば、磁性膜の表面
を、Ｈ又はＦ又はこれらの混合元素を5at％以下
含む炭素質膜を下層とし、その6at％以上含む炭
素質膜を上層とした保護膜で保護した耐摩耗性磁
気記録体であるので、モノリシツクヘツドの他
CaTiO2などの硬質のスライダーをもつヘツドに
も適用でき而も長寿命であり、従来の炭素質膜を
もつ磁気記録体の欠点を解消し得られる等の効果
を有する。
Claims (1)
- １ 非磁性基材面に形成した磁性膜面上に、比較
的硬質の炭素質膜下層と比較的軟質の炭素質膜上
層を形成して成る耐摩耗性磁気記録体において、
該下層は、水素原子又はフツ素原子を含有せしめ
る場合は、各原子単独或はこれら両原子の合計で
約5at％まで含有し、該上層は、水素原子又はフ
ツ素原子単独で或はこれら両原子の合計約6at％
以上を含有することを特徴とする耐摩耗性磁気記
録体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119108A JPS62277617A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 耐摩耗性磁気記録体 |
| US06/934,594 US4804590A (en) | 1986-02-06 | 1986-11-25 | Abrasion resistant magnetic recording member |
| EP87304299A EP0248556B1 (en) | 1986-05-26 | 1987-05-14 | Abrasion resistant magnetic recording member |
| DE8787304299T DE3776200D1 (de) | 1986-05-26 | 1987-05-14 | Abriebfester magnetischer aufzeichnungstraeger. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119108A JPS62277617A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 耐摩耗性磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277617A JPS62277617A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH0262889B2 true JPH0262889B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=14753109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119108A Granted JPS62277617A (ja) | 1986-02-06 | 1986-05-26 | 耐摩耗性磁気記録体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0248556B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62277617A (ja) |
| DE (1) | DE3776200D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863809A (en) * | 1988-03-10 | 1989-09-05 | Magnetic Peripherals, Inc. | Surface treatment for sliders and carbon coated magnetic media |
| US5118577A (en) * | 1988-03-10 | 1992-06-02 | Magnetic Peripherals Inc. | Plasma treatment for ceramic materials |
| JPH01269222A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| JPH02161612A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-21 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク媒体 |
| EP0493902B1 (en) * | 1990-12-27 | 1996-03-13 | International Business Machines Corporation | Magnetic head slider and method for making same |
| EP0643385A3 (en) * | 1993-09-12 | 1996-01-17 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium, magnetic head and magnetic recording device. |
| US5785825A (en) * | 1995-07-20 | 1998-07-28 | Seagate Technology, Inc. | Multi-phase overcoats for magnetic discs |
| JP4793531B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 |
| US8767350B2 (en) | 2010-12-06 | 2014-07-01 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having recording regions and separating regions and methods of manufacturing the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135442A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| GB2166668B (en) * | 1984-11-09 | 1988-03-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| US4833031A (en) * | 1986-03-20 | 1989-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61119108A patent/JPS62277617A/ja active Granted
-
1987
- 1987-05-14 DE DE8787304299T patent/DE3776200D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-14 EP EP87304299A patent/EP0248556B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0248556B1 (en) | 1992-01-22 |
| EP0248556A2 (en) | 1987-12-09 |
| DE3776200D1 (de) | 1992-03-05 |
| EP0248556A3 (en) | 1989-03-22 |
| JPS62277617A (ja) | 1987-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |