JPH0262958B2 - - Google Patents
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- JPH0262958B2 JPH0262958B2 JP59116650A JP11665084A JPH0262958B2 JP H0262958 B2 JPH0262958 B2 JP H0262958B2 JP 59116650 A JP59116650 A JP 59116650A JP 11665084 A JP11665084 A JP 11665084A JP H0262958 B2 JPH0262958 B2 JP H0262958B2
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- semiconductor
- optical
- junction element
- output
- input
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、マウント上に半導体PN接合素子を
配設し、そのマウント上にかかる半導体PN接合
素子をはさんでその両側に、当該半導体PN接合
素子の活性層と光学的に結合された１対の光入出
力部、例えば入出力導波路または入出力レンズ系
を配設した、小型のハイブリツド形光モジユール
を製造するための光モジユール製造法に関するも
のである。
配設し、そのマウント上にかかる半導体PN接合
素子をはさんでその両側に、当該半導体PN接合
素子の活性層と光学的に結合された１対の光入出
力部、例えば入出力導波路または入出力レンズ系
を配設した、小型のハイブリツド形光モジユール
を製造するための光モジユール製造法に関するも
のである。
この種光モジユールの一例として、かかる半導
体PN接合素子を有するレーザダイオード光スイ
ツチ（LD光SW）のモジユール構造の一例を第
１図に示す。ここで、１は半導体PN接合素子、
２，２′は半導体PN接合素子１の活性層と光学
的に結合された結合用球レンズ、３，３′は球レ
ンズ２に対して光学的に結合された結合用集束性
ロツドレンズ、４，４′はロツドレンズ４に対し
て光学的に結合された入出力用単一モードフアイ
バであり、これら各部分１〜３をモジユール化用
マウント５上に配設する。Ｖは半導体PN接合素
子１への電源端子、Ｒは電流制限抵抗である。６
は光フアイバ４に結合された光パワメータ、７は
光フアイバ４に光を入射させる光源である。
体PN接合素子を有するレーザダイオード光スイ
ツチ（LD光SW）のモジユール構造の一例を第
１図に示す。ここで、１は半導体PN接合素子、
２，２′は半導体PN接合素子１の活性層と光学
的に結合された結合用球レンズ、３，３′は球レ
ンズ２に対して光学的に結合された結合用集束性
ロツドレンズ、４，４′はロツドレンズ４に対し
て光学的に結合された入出力用単一モードフアイ
バであり、これら各部分１〜３をモジユール化用
マウント５上に配設する。Ｖは半導体PN接合素
子１への電源端子、Ｒは電流制限抵抗である。６
は光フアイバ４に結合された光パワメータ、７は
光フアイバ４に光を入射させる光源である。
従来は、このような光モジユールを以下のよう
な工程で製造していた。まず、半導体PN接合素
子１をマウント５に固定し、電流駆動端子Ｖより
発振閾値電流以上の順方向電流を流して光を放射
させる。しかる後に、一方の側の球レンズ２を
ｘ，ｙ，ｚの３軸方向に光軸調整して半導体PN
接合素子１からの出力光を平行ビームにする。次
に、集束性ロツドレンズ３の光軸を調整して光パ
ワメータ６の振れが最大になるように調整する。
次に、もう一方のレンズ系２′，３′，４′の光軸
合せを同様の手続きによつて行う。最後に、光パ
ワメータ６の代わりに光源７を他端の光フアイバ
４′に接続して光スイツチング素子としてのPN
接合素子１を通過する光が最大になるようにレン
ズ系３，３′の光軸調整を行つてから、マウント
５にこれら各部を固定して光モジユールとする。
な工程で製造していた。まず、半導体PN接合素
子１をマウント５に固定し、電流駆動端子Ｖより
発振閾値電流以上の順方向電流を流して光を放射
させる。しかる後に、一方の側の球レンズ２を
ｘ，ｙ，ｚの３軸方向に光軸調整して半導体PN
接合素子１からの出力光を平行ビームにする。次
に、集束性ロツドレンズ３の光軸を調整して光パ
ワメータ６の振れが最大になるように調整する。
次に、もう一方のレンズ系２′，３′，４′の光軸
合せを同様の手続きによつて行う。最後に、光パ
ワメータ６の代わりに光源７を他端の光フアイバ
４′に接続して光スイツチング素子としてのPN
接合素子１を通過する光が最大になるようにレン
ズ系３，３′の光軸調整を行つてから、マウント
５にこれら各部を固定して光モジユールとする。
したがつて、半導体PN接合素子１を最初にマ
ウント５に固定し、その後に入出力用光導波路を
接続固定する場合には従来の方法を用いることが
できるが、入出力用導波路があらかじめ形成され
ている所へ光SW素子をマウントするようにして
ハイブリツド形集積化モジユールを製造する場合
には、上述した従来の方法を適用することはでき
ない。
ウント５に固定し、その後に入出力用光導波路を
接続固定する場合には従来の方法を用いることが
できるが、入出力用導波路があらかじめ形成され
ている所へ光SW素子をマウントするようにして
ハイブリツド形集積化モジユールを製造する場合
には、上述した従来の方法を適用することはでき
ない。
また、LD光SW素子を温度制御なしで使用す
る場合には、半導体PN接合素子１の両端面の反
射率が１％以下とする必要がある。したがつて、
実用上重要な低反射率の半導体PN接合素子１を
光SW素子として用いる場合には、大電流を注入
してもレーザ発振に至らず、LED動作となり、
出力光パワは非常に小さい。
る場合には、半導体PN接合素子１の両端面の反
射率が１％以下とする必要がある。したがつて、
実用上重要な低反射率の半導体PN接合素子１を
光SW素子として用いる場合には、大電流を注入
してもレーザ発振に至らず、LED動作となり、
出力光パワは非常に小さい。
したがつて、従来の製造法をとる場合において
も、光パワが小さいため、光軸調整は困難であ
る。しかもまた、LED動作で発光した光パワで
光軸を合わせた場合には、その調整位置は、半導
体PN接合素子１の導波モードの結合最適位置と
は異なるという欠点があつた。
も、光パワが小さいため、光軸調整は困難であ
る。しかもまた、LED動作で発光した光パワで
光軸を合わせた場合には、その調整位置は、半導
体PN接合素子１の導波モードの結合最適位置と
は異なるという欠点があつた。
そこで、本発明の目的は、これらの欠点を解決
するために、半導体PN接合素子を発光させない
状態で光軸合わせを行う光モジユールの製造法を
提供することにある。
するために、半導体PN接合素子を発光させない
状態で光軸合わせを行う光モジユールの製造法を
提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明では、マ
ウント上に配設された半導体PN接合素子と、前
記マウント上に前記半導体PN接合素子をはさん
で両側に配設され、前記半導体PN接合素子の活
性層と光学的に結合された１対の光入出力部とを
有する光モジユールを製造するにあたつて、あら
かじめ前記１対の光入出力部を互の光軸を合わせ
ておき、前記半導体PN接合素子が前記１対の光
入出力部の中間に位置するように前記半導体PN
素子と前記１対の光入出力部の位置関係を定め、
前記１対の入出力部から前記半導体PN接合素子
の両端面に異なる周波数で変調された光信号をそ
れぞれ同時に入射させ、前記周波数の各々におい
て前記半導体PN接合素子の端子電圧変化が最大
になるように前記半導体PN接合素子の位置を調
整し、その調整が終了した後に前記半導体PN接
合素子を前記マウント上に固定する。
ウント上に配設された半導体PN接合素子と、前
記マウント上に前記半導体PN接合素子をはさん
で両側に配設され、前記半導体PN接合素子の活
性層と光学的に結合された１対の光入出力部とを
有する光モジユールを製造するにあたつて、あら
かじめ前記１対の光入出力部を互の光軸を合わせ
ておき、前記半導体PN接合素子が前記１対の光
入出力部の中間に位置するように前記半導体PN
素子と前記１対の光入出力部の位置関係を定め、
前記１対の入出力部から前記半導体PN接合素子
の両端面に異なる周波数で変調された光信号をそ
れぞれ同時に入射させ、前記周波数の各々におい
て前記半導体PN接合素子の端子電圧変化が最大
になるように前記半導体PN接合素子の位置を調
整し、その調整が終了した後に前記半導体PN接
合素子を前記マウント上に固定する。
以下に図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
本発明により半導体PN接合素子１を発光させ
ることなく最適結合位置を検出するための構成の
基本を第２図により説明する。ここで、７′は半
導体PN接合素子１と同程度の発振波長を持つ光
源用レーザダイオード、８はこのレーザダイオー
ド７′にバイアス電流I0を印加するための直流電
源、９，９′はレーザダイオード７′からの出力を
半導体PN接合素子１に集光する集光用レンズ、
１０はレンズ９と９′との間に配置した光アイソ
レータ、１１は半導体PN接合素子１の負荷抵抗
RLに対してコンデンサを介して結合した、例え
ば利得が22dBのRF増幅器、１２は増幅器１１か
らの出力を受けるトラツキングスコープを示す。
ることなく最適結合位置を検出するための構成の
基本を第２図により説明する。ここで、７′は半
導体PN接合素子１と同程度の発振波長を持つ光
源用レーザダイオード、８はこのレーザダイオー
ド７′にバイアス電流I0を印加するための直流電
源、９，９′はレーザダイオード７′からの出力を
半導体PN接合素子１に集光する集光用レンズ、
１０はレンズ９と９′との間に配置した光アイソ
レータ、１１は半導体PN接合素子１の負荷抵抗
RLに対してコンデンサを介して結合した、例え
ば利得が22dBのRF増幅器、１２は増幅器１１か
らの出力を受けるトラツキングスコープを示す。
このトラツキングスコープから、例えば100M
Hzに固定した電流を測定用光源７′に供給して、
100MHzで変調し、得られた出力光を20倍の対物
レンズ９，９′で半導体PN接合素子１の活性層
に注入する。この素子１の端子電圧のRFパワを
トラツキングスコープ１２で測定する。
Hzに固定した電流を測定用光源７′に供給して、
100MHzで変調し、得られた出力光を20倍の対物
レンズ９，９′で半導体PN接合素子１の活性層
に注入する。この素子１の端子電圧のRFパワを
トラツキングスコープ１２で測定する。
第３図は、このようにして、半導体PN接合素
子１の端子電圧で検出されるRFパワのビームス
ポツト位置依存性を測定した結果を示したもので
ある。ここで、Δyは活性層の厚さ方向、Δxは活
性層の平行方向、およびΔzは光軸方向にビーム
スポツトをそれぞれ変位させたときのRFパワの
変動を示す。
子１の端子電圧で検出されるRFパワのビームス
ポツト位置依存性を測定した結果を示したもので
ある。ここで、Δyは活性層の厚さ方向、Δxは活
性層の平行方向、およびΔzは光軸方向にビーム
スポツトをそれぞれ変位させたときのRFパワの
変動を示す。
この結果から、RFパワが3dB落ちる変位量は、
Δx，Δz共に±5μｍ、Δyは±1μｍとなることが
わかる。したがつて、レンズによる結合のかわり
に入出力用光導波路から光ビームを10μｍ程度の
間隙で活性層に注入し、このPN接合素子の端子
電圧の変化を測定することによつて高精度に光軸
合せを行うことができる。
Δx，Δz共に±5μｍ、Δyは±1μｍとなることが
わかる。したがつて、レンズによる結合のかわり
に入出力用光導波路から光ビームを10μｍ程度の
間隙で活性層に注入し、このPN接合素子の端子
電圧の変化を測定することによつて高精度に光軸
合せを行うことができる。
本発明はかかる実験結果に基いてなしたもので
あつて、第４図は本発明を実施する一例を示す構
成図である。ここで、１は結合用入出力導波路に
対して光軸合せをした後に固定されるべき半導体
PN接合素子である。１３および１４は光源とし
てのレーザダイオード７′および７″をそれぞれ周
波数f1およびf2で変調するためのドライバ、１５
は変調周波数f1およびf2に同調してRFパワを検出
する選択レベルメータであり、ドライバ１３およ
び１４からの周波数f1およびf2の信号により、そ
れぞれ独立に同調して、入力レベルを測定するこ
とができる。１６および１６′はそれぞれ光フア
イバ４および４′に結合されたモジユール用入出
力導波路のコアであり、両コア１６と１６′との
間に半導体PN接合素子１を配置する。１７はこ
の素子１へ接続されたリードワイヤ、１８はAu
めつき層などによる端子用導通層である。
あつて、第４図は本発明を実施する一例を示す構
成図である。ここで、１は結合用入出力導波路に
対して光軸合せをした後に固定されるべき半導体
PN接合素子である。１３および１４は光源とし
てのレーザダイオード７′および７″をそれぞれ周
波数f1およびf2で変調するためのドライバ、１５
は変調周波数f1およびf2に同調してRFパワを検出
する選択レベルメータであり、ドライバ１３およ
び１４からの周波数f1およびf2の信号により、そ
れぞれ独立に同調して、入力レベルを測定するこ
とができる。１６および１６′はそれぞれ光フア
イバ４および４′に結合されたモジユール用入出
力導波路のコアであり、両コア１６と１６′との
間に半導体PN接合素子１を配置する。１７はこ
の素子１へ接続されたリードワイヤ、１８はAu
めつき層などによる端子用導通層である。
第４図に示した導波路部分をCVD法や、スパ
ツタ法等で形成した光導波路とした例を第５図に
示す。第５図において、２１は基板であり、熱伝
導性を考慮してシリコンやセラミツクスなどを用
いる。この基板２１上には上述した端子用導通層
１８を配置し、その導通層１８上にCVD法を用
いてクラツド層２２を配置し、そのクラツド層２
２内に１本の連続したコア１６，１６′を埋め込
んで入出力導波路を構成する。この導波路の途中
を反応性スパツタ法やダイシングマシンなどで導
通層１８まで切り欠く。その切欠部にヒートシン
ク２３を導電性ロウ剤、たとえばハンダ２４によ
つて固定する。ヒートシンク２３上には半導体
PN接合素子１を載置し、以てその両端面が入出
力導波路と対向し、その活性層はコア１６，１
６′と対向するようにする。
ツタ法等で形成した光導波路とした例を第５図に
示す。第５図において、２１は基板であり、熱伝
導性を考慮してシリコンやセラミツクスなどを用
いる。この基板２１上には上述した端子用導通層
１８を配置し、その導通層１８上にCVD法を用
いてクラツド層２２を配置し、そのクラツド層２
２内に１本の連続したコア１６，１６′を埋め込
んで入出力導波路を構成する。この導波路の途中
を反応性スパツタ法やダイシングマシンなどで導
通層１８まで切り欠く。その切欠部にヒートシン
ク２３を導電性ロウ剤、たとえばハンダ２４によ
つて固定する。ヒートシンク２３上には半導体
PN接合素子１を載置し、以てその両端面が入出
力導波路と対向し、その活性層はコア１６，１
６′と対向するようにする。
クラツド層２２を上部電極となし、ここにリー
ドワイヤ１７を接続し、ロウ剤２４により導通状
態となつている導通層１８を下部電極となして、
これら両電極間の電圧を選択レベルメータ１５に
供給し、周波数f1およびf2の電圧のレベルを測定
する。そのために、ドライバ１３および１４から
の信号により選択レベルメータ１５を周波数f1お
よびf2に同調させておき、その状態で、光源７′
および7″をそれぞれ周波数f1およびf2で変調する
ことにより、入出力導波路からそれぞれ異なつた
周波数f1およびf2で変調された光信号を半導体
PN接合素子１の活性層に注入する。ここで、選
択レベルメータ１５はf1およびf2に各々独立して
同調を取ることができるので、入射側および出射
側とも別個に光軸合せを行うことができ、したが
つて入出力導波路と半導体PN接合素子とを容易
に最適位置に合わすことができる。そこで、ロウ
剤２３を溶かした状態で、半導体PN接合素子１
を最適位置に定め、その位置でロウ剤２３を冷却
して素子１を固定する。なお、入出力導波路と半
導体PN接合素子１との間隙が10μｍ以上になる
と、結合損失が増大するので、ビームスポツトサ
イズの整合を取る必要がある。
ドワイヤ１７を接続し、ロウ剤２４により導通状
態となつている導通層１８を下部電極となして、
これら両電極間の電圧を選択レベルメータ１５に
供給し、周波数f1およびf2の電圧のレベルを測定
する。そのために、ドライバ１３および１４から
の信号により選択レベルメータ１５を周波数f1お
よびf2に同調させておき、その状態で、光源７′
および7″をそれぞれ周波数f1およびf2で変調する
ことにより、入出力導波路からそれぞれ異なつた
周波数f1およびf2で変調された光信号を半導体
PN接合素子１の活性層に注入する。ここで、選
択レベルメータ１５はf1およびf2に各々独立して
同調を取ることができるので、入射側および出射
側とも別個に光軸合せを行うことができ、したが
つて入出力導波路と半導体PN接合素子とを容易
に最適位置に合わすことができる。そこで、ロウ
剤２３を溶かした状態で、半導体PN接合素子１
を最適位置に定め、その位置でロウ剤２３を冷却
して素子１を固定する。なお、入出力導波路と半
導体PN接合素子１との間隙が10μｍ以上になる
と、結合損失が増大するので、ビームスポツトサ
イズの整合を取る必要がある。
第６図は入出力導波路として光フアイバを用い
た例であり、コア１６，１６′とクラツド２２と
を光フアイバ３０の形態とする。本例において
は、まず、導通層１８の上に光フアイバ３０を固
定層３１で固定する。固定層３０の材料として
は、接着剤あるいはハンダを用いることができ
る。次に、反応性スパツタ法やダイシングマシン
を用いて、光フアイバ３０から導通層１８にまで
至る切欠をうがち、導通層１８を露出させる。こ
の段階で光フアイバ３０の端面を緩衝沸酸で軽く
選択エツチングすることによつてそのコア１６，
１６′を突出させて集光レンズとして作用させる。
次に、基板２１を加熱してロウ剤２４を溶かした
状態で上述の光軸合せを行つてから半導体PN接
合素子１を最適位置で固定する。
た例であり、コア１６，１６′とクラツド２２と
を光フアイバ３０の形態とする。本例において
は、まず、導通層１８の上に光フアイバ３０を固
定層３１で固定する。固定層３０の材料として
は、接着剤あるいはハンダを用いることができ
る。次に、反応性スパツタ法やダイシングマシン
を用いて、光フアイバ３０から導通層１８にまで
至る切欠をうがち、導通層１８を露出させる。こ
の段階で光フアイバ３０の端面を緩衝沸酸で軽く
選択エツチングすることによつてそのコア１６，
１６′を突出させて集光レンズとして作用させる。
次に、基板２１を加熱してロウ剤２４を溶かした
状態で上述の光軸合せを行つてから半導体PN接
合素子１を最適位置で固定する。
本発明では、入出力導波路の光軸はあらかじめ
合つているため、半導体PN接合素子の位置の調
整が容易である。しかも、調整された位置の固定
はロウ剤を用いて行うため、光フアイバモジユー
ルの作製時間が短かく、かつ非常にコンパクトな
光モジユールを作製することができる。
合つているため、半導体PN接合素子の位置の調
整が容易である。しかも、調整された位置の固定
はロウ剤を用いて行うため、光フアイバモジユー
ルの作製時間が短かく、かつ非常にコンパクトな
光モジユールを作製することができる。
なお、本発明の方法は、半導体PN接合素子に
対する入出力部にレンズ系を用いたモジユール構
造の場合でも容易に光軸合わせを行うことができ
ることは自明である。
対する入出力部にレンズ系を用いたモジユール構
造の場合でも容易に光軸合わせを行うことができ
ることは自明である。
また、レーザ素子のように光出力を大きくとれ
る素子のモジユール化においても、本発明の方法
を有効に適用できることは明らかである。
る素子のモジユール化においても、本発明の方法
を有効に適用できることは明らかである。
本発明の方法により製造される光モジユールと
しては、次のような種々の形態のものとすること
ができる。
しては、次のような種々の形態のものとすること
ができる。
(1) 発光モジユール
活性層の両側から発光する半導体PN接合素
子を用いることによつて、両側の入出力導波路
から光を取り出す。
子を用いることによつて、両側の入出力導波路
から光を取り出す。
(2) スイツチモジユール
入力導波路から半導体PN接合素子に光を入
れ、この半導体PN接合素子に電流を流すか流
さないかの制御により、出力導波路から出力光
を取り出すかあるいは遮断するかの制御を行
う。
れ、この半導体PN接合素子に電流を流すか流
さないかの制御により、出力導波路から出力光
を取り出すかあるいは遮断するかの制御を行
う。
(3) 増幅モジユール
半導体PN接合素子に発振閾値以下の順方向
電流を流しておくことにより、入力導波路から
光信号が入射したときにのみ、増幅された光信
号を出力導波路から取り出す。
電流を流しておくことにより、入力導波路から
光信号が入射したときにのみ、増幅された光信
号を出力導波路から取り出す。
以上のような機能をもつ光モジユールを、光集
積回路の中の一基本構成単位とすることができ
る。
積回路の中の一基本構成単位とすることができ
る。
以上説明したように、本発明によれば半導体
PN接合素子の入力部および出力部の双方からそ
れぞれ異なつた周波数で変調された光信号をこの
半導体PN接合素子に注入して光軸合わせを行う
ので、以下のような利点がある。
PN接合素子の入力部および出力部の双方からそ
れぞれ異なつた周波数で変調された光信号をこの
半導体PN接合素子に注入して光軸合わせを行う
ので、以下のような利点がある。
(1) 完全無反射端の素子でもモジユール化でき
る。
る。
(2) 組み立て時に半導体PN接合素子に電流を注
入して発光させるようにしないから、信頼度が
高い。
入して発光させるようにしないから、信頼度が
高い。
(3) 入・出力側の光軸を同時に調整することがで
きる。
きる。
(4) 作製時間が短かい。
(5) 変位検出感度が高い。
(6) 製造の自動化が容易である。
第１図は従来の光スイツチモジユール製造法の
説明図、第２図は半導体PN接合素子の端子電圧
を測定する本発明における測定系の原理を示す構
成図、第３図は第２図の測定系において半導体
PN接合素子の端子電圧で検出したRFパワのビー
ムスポツト位置依存性を示す図、第４図は本発明
の光スイツチモジユール製造法を実施するための
系を示す構成図、第５図は第４図における導波路
として堆積型光導波路を用いた例を示す断面図、
第６図は同じく導波路として光フアイバを用いた
例を示す断面図である。 １……半導体PN接合素子、２……球レンズ、
３……集束性ロツドレンズ、４……光フアイバ、
５……モジユール用マウント、６……光パワメー
タ、７，７′，７″……光源用レーザダイオード、
８……直流電源、９，９′……集光用レンズ、１
０……光アイソレータ、１１……RF増幅器、１
２……トラツキングスコープ、１３，１４……ド
ライバ、１５……選択レベルメータ、１６，１
６′……入出力用光導波路のコア、１７……リー
ドワイヤ、１８……導通層、２１……基板、２２
……クラツド層、２３……ヒートシンク、２４…
…ロウ剤、３０……光フアイバ、３１……固定
層。
説明図、第２図は半導体PN接合素子の端子電圧
を測定する本発明における測定系の原理を示す構
成図、第３図は第２図の測定系において半導体
PN接合素子の端子電圧で検出したRFパワのビー
ムスポツト位置依存性を示す図、第４図は本発明
の光スイツチモジユール製造法を実施するための
系を示す構成図、第５図は第４図における導波路
として堆積型光導波路を用いた例を示す断面図、
第６図は同じく導波路として光フアイバを用いた
例を示す断面図である。 １……半導体PN接合素子、２……球レンズ、
３……集束性ロツドレンズ、４……光フアイバ、
５……モジユール用マウント、６……光パワメー
タ、７，７′，７″……光源用レーザダイオード、
８……直流電源、９，９′……集光用レンズ、１
０……光アイソレータ、１１……RF増幅器、１
２……トラツキングスコープ、１３，１４……ド
ライバ、１５……選択レベルメータ、１６，１
６′……入出力用光導波路のコア、１７……リー
ドワイヤ、１８……導通層、２１……基板、２２
……クラツド層、２３……ヒートシンク、２４…
…ロウ剤、３０……光フアイバ、３１……固定
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マウント上に配設された半導体PN接合素子
と、前記マウント上に前記半導体PN接合素子を
はさんで両側に配設され、前記半導体PN接合素
子の活性層と光学的に結合された１対の光入出力
部とを有する光モジユールを製造するにあたつ
て、 あらかじめ前記１対の光入出力部を互の光軸を
合わせておき、 前記半導体PN接合素子が前記１対の光入出力
部の中間に位置するように前記半導体PN素子と
前記一対の光入出力部の位置関係を定め、 前記１対の入出力部から前記半導体PN接合素
子の両端面に異なる周波数で変調された光信号を
それぞれ同時に入射させ、 前記周波数の各々において前記半導体PN接合
素子の端子電圧変化が最大になるように前記半導
体PN接合素子の位置を調整し、 その調整が終了した後に前記半導体PN接合素
子を前記マウント上に固定することを特徴とする
光モジユール製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116650A JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116650A JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261186A JPS60261186A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0262958B2 true JPH0262958B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14692477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116650A Granted JPS60261186A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 光モジユ−ル製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261186A (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261186A (ja) | 1985-12-24 |
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