JPH0262959B2 - - Google Patents
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- JPH0262959B2 JPH0262959B2 JP60044517A JP4451785A JPH0262959B2 JP H0262959 B2 JPH0262959 B2 JP H0262959B2 JP 60044517 A JP60044517 A JP 60044517A JP 4451785 A JP4451785 A JP 4451785A JP H0262959 B2 JPH0262959 B2 JP H0262959B2
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- JP
- Japan
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- frame assembly
- lead frame
- lead
- cathode
- vacuum chamber
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
- B23K1/206—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/08—Auxiliary devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/045—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は一般にはんだ付け前に半導体パツケ
ージの選定部分を浄化するための改良システムに
関し、特にはんだ付け作業の前に逆スパツタリン
グによつて、導電性のメタルリードピンを含むデ
ユアルインライン形半導体パツケージの少くとも
選定表面域を浄化するための改良方法に関する。
ージの選定部分を浄化するための改良システムに
関し、特にはんだ付け作業の前に逆スパツタリン
グによつて、導電性のメタルリードピンを含むデ
ユアルインライン形半導体パツケージの少くとも
選定表面域を浄化するための改良方法に関する。
（従来技術）
デユアルインライン形半導体パツケージを製造
する一般的な従来法は、入／出力リード部とそこ
から延出した複数のリードピン又はコネクタを有
するリードフレームの作製を含んでいる。集積回
路がリードフレーム上のリードへ機械的に固定及
び電気的に接続され、集積回路部分と入／出力リ
ードの両方が型成形作業中にプラスチツク状物質
内にカプセル封入される。型の分離後、ゴミ、
埃、油、グリース、酸化物等の酸化生成物、硫化
物等の表面汚染物や不純物、更にCF4等のプロセ
ス生成物を含め、プラスチツク状物質及びプラス
チツク残留物がリードフレームの表面上にしばし
ば残存する。
する一般的な従来法は、入／出力リード部とそこ
から延出した複数のリードピン又はコネクタを有
するリードフレームの作製を含んでいる。集積回
路がリードフレーム上のリードへ機械的に固定及
び電気的に接続され、集積回路部分と入／出力リ
ードの両方が型成形作業中にプラスチツク状物質
内にカプセル封入される。型の分離後、ゴミ、
埃、油、グリース、酸化物等の酸化生成物、硫化
物等の表面汚染物や不純物、更にCF4等のプロセ
ス生成物を含め、プラスチツク状物質及びプラス
チツク残留物がリードフレームの表面上にしばし
ば残存する。
こうした不純物の存在は、プリント回路基板の
ピン受入れ口、穴又はソケツト内にリードピンを
挿入し、そこへはんだ付けする際に得られる電気
的及び機械的接点の完全性を破壊するため、それ
ら不純物は全てその後のはんだ付け作業の前に除
去しなければならないことが認められている。
ピン受入れ口、穴又はソケツト内にリードピンを
挿入し、そこへはんだ付けする際に得られる電気
的及び機械的接点の完全性を破壊するため、それ
ら不純物は全てその後のはんだ付け作業の前に除
去しなければならないことが認められている。
リードはピン曲げの前又は後、及び分離の前又
は後に浄化されるので、追加のプロセスがいつそ
う複雑さを増す。ピン曲げは、デユアルインライ
ン形半導体パツケージ等になる個々のカプセル封
入したリードフレーム組体が、内部でそれらが製
造されるリードフレーム組体ストリツプから取出
された後に行われる。
は後に浄化されるので、追加のプロセスがいつそ
う複雑さを増す。ピン曲げは、デユアルインライ
ン形半導体パツケージ等になる個々のカプセル封
入したリードフレーム組体が、内部でそれらが製
造されるリードフレーム組体ストリツプから取出
された後に行われる。
従来、半導体パツケージの選定領域を浄化する
のに、特に浸漬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手作業はんだ付け、その他任意な通常のはんだ付
け工程を行うため、印刷回路基板のソケツト内へ
挿入する前に個々リードピンを浄化するのに多く
の異つた方法及び方式を用いている。
のに、特に浸漬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手作業はんだ付け、その他任意な通常のはんだ付
け工程を行うため、印刷回路基板のソケツト内へ
挿入する前に個々リードピンを浄化するのに多く
の異つた方法及び方式を用いている。
これまで通常使われている浄化技術は、メタル
表面を浄化して高い純度を得るためその各種の分
野でも一般的なものである。浄化では一般に、半
導体装置の表面又はリードピンの表面等少くとも
一部の表面上に存在するプラスチツク残留物、酸
化物等の望ましくない物質を除去する必要があ
る。この浄化は、目に見えるゴミ、油、グリー
ス、埃等を表面から除去するだけでなく、表面に
粘着しているその他の物理的汚染物や酸化物、硫
化物等の化学的反応に基く汚染物の除去も含まね
ばならない。これらの汚染物は一般に、研摩材の
吹付け、ワイヤブラツシング、酸洗い及びエツチ
ング等の機械的及び／又は化学的プロセス又は方
法で除去されている。
表面を浄化して高い純度を得るためその各種の分
野でも一般的なものである。浄化では一般に、半
導体装置の表面又はリードピンの表面等少くとも
一部の表面上に存在するプラスチツク残留物、酸
化物等の望ましくない物質を除去する必要があ
る。この浄化は、目に見えるゴミ、油、グリー
ス、埃等を表面から除去するだけでなく、表面に
粘着しているその他の物理的汚染物や酸化物、硫
化物等の化学的反応に基く汚染物の除去も含まね
ばならない。これらの汚染物は一般に、研摩材の
吹付け、ワイヤブラツシング、酸洗い及びエツチ
ング等の機械的及び／又は化学的プロセス又は方
法で除去されている。
油とグリースの浄化は、それら個々の性質に依
存する。汚染物がソープ形成油及び動物又は植物
性グリースであるなら、加水分解によつて汚染物
を脂肪酸に変換し、これらの脂肪酸をアルカリ溶
液と反応させ、水に可溶性のソープを得ることに
より除去できる。鉱物油の除去は、それらを有機
溶媒中に溶解した後、少くとも一部のケースで
は、完全除去のための洗剤を含んだアルカリ性溶
液で洗浄することによつて行える。しかし、汚染
物の性質は通常未知なので、信頼できる洗浄方法
は少くとも２つの連続した工程、つまり(1)有機溶
媒による脱グリース、及び(2)アルカリ性の脱グリ
ース処理の使用を含まねばならない。
存する。汚染物がソープ形成油及び動物又は植物
性グリースであるなら、加水分解によつて汚染物
を脂肪酸に変換し、これらの脂肪酸をアルカリ溶
液と反応させ、水に可溶性のソープを得ることに
より除去できる。鉱物油の除去は、それらを有機
溶媒中に溶解した後、少くとも一部のケースで
は、完全除去のための洗剤を含んだアルカリ性溶
液で洗浄することによつて行える。しかし、汚染
物の性質は通常未知なので、信頼できる洗浄方法
は少くとも２つの連続した工程、つまり(1)有機溶
媒による脱グリース、及び(2)アルカリ性の脱グリ
ース処理の使用を含まねばならない。
メタル表面等を浄化するため従来技術で通常使
われている浄化作業の順序は、機械的な浄化に始
まり、その後酸洗い、洗剤による浄化及び脱グリ
ースが続く。
われている浄化作業の順序は、機械的な浄化に始
まり、その後酸洗い、洗剤による浄化及び脱グリ
ースが続く。
機械的な浄化方法は特定の従来法に固有なもの
でなく、多くの技術分野で良く知られている。多
くの表面汚染物を浄化又は除去する目的のため、
研摩材の吹付け、ワイヤブラツシング等がしばし
ば使われている。
でなく、多くの技術分野で良く知られている。多
くの表面汚染物を浄化又は除去する目的のため、
研摩材の吹付け、ワイヤブラツシング等がしばし
ば使われている。
酸洗いは酸化物やその他の表面層を化学的に除
去し、一般に浄化部分に輝いたメタリツクの外観
を残し、使用溶液の濃度及び酸洗い時間に応じて
滑らかな又は粗い仕上げを与える。使用する酸洗
い溶液は当該分野で良く知られており、浄化すべ
き特定のメタルに応じて選択できる。
去し、一般に浄化部分に輝いたメタリツクの外観
を残し、使用溶液の濃度及び酸洗い時間に応じて
滑らかな又は粗い仕上げを与える。使用する酸洗
い溶液は当該分野で良く知られており、浄化すべ
き特定のメタルに応じて選択できる。
電解エツチング及び研摩は、適切なエツチング
溶液中におけるメタル表面の陽極（又は陰極）処
理を含む。この電解エツチング技術も当該分野で
良く知られているので、こゝではこれ以上詳しく
説明しない。
溶液中におけるメタル表面の陽極（又は陰極）処
理を含む。この電解エツチング技術も当該分野で
良く知られているので、こゝではこれ以上詳しく
説明しない。
アルカリ性洗剤による浄化は、浸漬又は電気浄
化法によつて行われる。浸漬浄化は一般に高温溶
液によつて行われ、鉄メタルは通常比較的高い濃
度の水酸化ナトリウム、ソープ及び湿潤剤を用
い、比較的強いクリーナで浄化される。アルカリ
溶液中における電気浄化法は、浄化すべき特定の
メタル部分を陰極又は陽極とし、それ自体が第２
の電極であるタンクへ接続することによつて行え
る。陽極浄化では、浄化されているメタルの表面
上に酸素が遊離され、陰極浄化では、浄化表面上
に水素が遊離される。鉄メタルに対しては通常陽
極浄化が推奨されるが、陰極浄化も使用できる。
しかしいずれも高価で、遅く、信頼性が得られ
ず、連続的なライン作業に適していない。
化法によつて行われる。浸漬浄化は一般に高温溶
液によつて行われ、鉄メタルは通常比較的高い濃
度の水酸化ナトリウム、ソープ及び湿潤剤を用
い、比較的強いクリーナで浄化される。アルカリ
溶液中における電気浄化法は、浄化すべき特定の
メタル部分を陰極又は陽極とし、それ自体が第２
の電極であるタンクへ接続することによつて行え
る。陽極浄化では、浄化されているメタルの表面
上に酸素が遊離され、陰極浄化では、浄化表面上
に水素が遊離される。鉄メタルに対しては通常陽
極浄化が推奨されるが、陰極浄化も使用できる。
しかしいずれも高価で、遅く、信頼性が得られ
ず、連続的なライン作業に適していない。
溶媒浄化は従来、液体又は蒸気状態の溶媒を使
つて行われている。液体浄化では、ベンジン、キ
シレン、又はジクロロエチレン、四塩化炭素、ト
リクロロエチレン、ペルクロロエチレン等の不燃
性溶媒といつた物質を使用できる。
つて行われている。液体浄化では、ベンジン、キ
シレン、又はジクロロエチレン、四塩化炭素、ト
リクロロエチレン、ペルクロロエチレン等の不燃
性溶媒といつた物質を使用できる。
蒸気による脱ガスは液体溶媒浄化よりはるかに
効率的で、通常溶媒が沸点にまで加熱され、メタ
ル表面に凝縮する高温蒸気がその表面上の汚染グ
リースを溶解し、溶媒容器内へ流れ戻るまで、浄
化すべき部分をチヤンバ内に吊下げるか又は懸架
する。もつと最新の技術では、高圧液体溶媒スプ
レーを使うことが教示されている。
効率的で、通常溶媒が沸点にまで加熱され、メタ
ル表面に凝縮する高温蒸気がその表面上の汚染グ
リースを溶解し、溶媒容器内へ流れ戻るまで、浄
化すべき部分をチヤンバ内に吊下げるか又は懸架
する。もつと最新の技術では、高圧液体溶媒スプ
レーを使うことが教示されている。
これら従来の浄化技術は全て、特に半導体回路
つまり比較的小さい浄化すべき領域が含まれる場
合に、多くの欠点を与える。強い物理的浄化は、
半導体パツケージのカプセル封入部をすり減ら
し、カプセル封入部とそこから延びたリードピン
間の機械的及び／又は電気的接続を破損あるいは
弱化させ、更に浄化されている導電性メタルのリ
ードピン又はコネクタの表面を曲げたり、傷つけ
たり、引つかいたり、その他の影響を及ぼすこと
がしばしばある。
つまり比較的小さい浄化すべき領域が含まれる場
合に、多くの欠点を与える。強い物理的浄化は、
半導体パツケージのカプセル封入部をすり減ら
し、カプセル封入部とそこから延びたリードピン
間の機械的及び／又は電気的接続を破損あるいは
弱化させ、更に浄化されている導電性メタルのリ
ードピン又はコネクタの表面を曲げたり、傷つけ
たり、引つかいたり、その他の影響を及ぼすこと
がしばしばある。
同じく、クリーナ中の強い化学剤は、リードピ
ンから除去すべきプラスチツク残留物だけでな
く、カプセル封入した集積回路自体の部分のプラ
スチツクも溶解してしまう。これは回路の完全性
及び信頼性を破壊し、特に複雑な集積回路が使わ
れる場合に極めてコスト高となる。更に、各種従
来の浄化技術は非常に多くの時間を要し、非常に
コスト高で、半導体部品を製造しその後の回路利
用のためそれら部品をプリント回路基板にはんだ
付けする連続的なラインシステムで用いるのに非
常に多くの保守を必要とする。
ンから除去すべきプラスチツク残留物だけでな
く、カプセル封入した集積回路自体の部分のプラ
スチツクも溶解してしまう。これは回路の完全性
及び信頼性を破壊し、特に複雑な集積回路が使わ
れる場合に極めてコスト高となる。更に、各種従
来の浄化技術は非常に多くの時間を要し、非常に
コスト高で、半導体部品を製造しその後の回路利
用のためそれら部品をプリント回路基板にはんだ
付けする連続的なラインシステムで用いるのに非
常に多くの保守を必要とする。
陰極スパツタリングの現象は、電場中で加速さ
れた気体イオンの衝撃エネルギーによつて物質の
表面から原子又は分子が転位することを意味す
る。陰極スパツタリングは陰極と陽極両電極にお
けるグロー放電、アーク放電又はプラズマの発生
によつて形成され、両電極間の電流は陽極への電
子の流れと陰極への陽イオンの流れから成る。イ
オンは陽極と陰極間のグロー放電領域内に存在す
る不活性気体分子のイオン化によつて生成され、
イオン化は気体粒子の、陰極から陽極へ向かう電
子流との衝突を引き起す。
れた気体イオンの衝撃エネルギーによつて物質の
表面から原子又は分子が転位することを意味す
る。陰極スパツタリングは陰極と陽極両電極にお
けるグロー放電、アーク放電又はプラズマの発生
によつて形成され、両電極間の電流は陽極への電
子の流れと陰極への陽イオンの流れから成る。イ
オンは陽極と陰極間のグロー放電領域内に存在す
る不活性気体分子のイオン化によつて生成され、
イオン化は気体粒子の、陰極から陽極へ向かう電
子流との衝突を引き起す。
陰極スパツタリングによる表面汚染物の除去は
当該分野において周知で、素材の表面上に物質が
被着される陰極スパツタリングの過程と反対であ
るため、一般に“逆スパツタリング”とも呼ばれ
ている。例えば、逆スパツタリングは電気アーク
不活性気体の溶接分野で見られ、そこでは実際の
溶接以前に溶接すべき物質の表面から汚染物が除
去される。
当該分野において周知で、素材の表面上に物質が
被着される陰極スパツタリングの過程と反対であ
るため、一般に“逆スパツタリング”とも呼ばれ
ている。例えば、逆スパツタリングは電気アーク
不活性気体の溶接分野で見られ、そこでは実際の
溶接以前に溶接すべき物質の表面から汚染物が除
去される。
逆スパツタリングは従来、非メタリツクな半導
体ウエハの比較的大きい表面積を予備ステツプと
して浄化するのに、光電セル等半導体装置のメー
カにより少くとも実験室の規模で使われている。
同じく逆スパツタリングは、加速器、記憶リング
及びプラズマ機械等の各種メタリツク部品を小規
模で浄化するのに一定の成功を収めて使われてい
る。
体ウエハの比較的大きい表面積を予備ステツプと
して浄化するのに、光電セル等半導体装置のメー
カにより少くとも実験室の規模で使われている。
同じく逆スパツタリングは、加速器、記憶リング
及びプラズマ機械等の各種メタリツク部品を小規
模で浄化するのに一定の成功を収めて使われてい
る。
又従来技術は、所望しないイオンボンバードメ
ントを受け取るべきでない表面部分をシールドす
るための各種マスク装置の使用も教示している。
しかし、従来のほとんどのマスク技術は極めて小
さい半導体領域用で、大きいメタル表面用には設
計されていない。
ントを受け取るべきでない表面部分をシールドす
るための各種マスク装置の使用も教示している。
しかし、従来のほとんどのマスク技術は極めて小
さい半導体領域用で、大きいメタル表面用には設
計されていない。
上記の問題及び欠点は、プリント回路基板上へ
作業可能に配置されるピン受入れソケツト内にリ
ードピンをはんだ付けする前の逆スパツタリング
作業によつて、リードフレーム組体を浄化するた
めの、特にデユアルインライン形半導体パツケー
ジ等の導電性メタルリードピン又はコネクタを浄
化するための本発明の方法及び装置によつて実質
上解決される。又上記問題はほとんど全て、本発
明の技術を利用することにより解決されるか、又
は少くとも最小限化される。
作業可能に配置されるピン受入れソケツト内にリ
ードピンをはんだ付けする前の逆スパツタリング
作業によつて、リードフレーム組体を浄化するた
めの、特にデユアルインライン形半導体パツケー
ジ等の導電性メタルリードピン又はコネクタを浄
化するための本発明の方法及び装置によつて実質
上解決される。又上記問題はほとんど全て、本発
明の技術を利用することにより解決されるか、又
は少くとも最小限化される。
（発明の目的と構成）
本発明は、はんだ付け等その後の作業前にリー
ドフレーム組体又は半導体パツケージの少くとも
選定部分を、逆スパツタリングによつて浄化する
ためのユニークな方法及び装置を提供する。又本
発明は逆スパツタリング技術によつて、プリント
回路基板のピン受入れソケツト内へリードをはん
だ付けする前にマルチリードのデユアルインライ
ン形カプセル封入半導体パツケージのリードピン
を浄化するための方法及び装置を提供する。更に
本発明は、最終組体がその使用前に逆スパツタリ
ングによつて浄化されるような、リードフレーム
組体をカプセル封入するための改良方法；及びは
んだ付け作業の前の逆スパツタリングによつてリ
ードピンを浄化する工程を含む、プリント回路基
板のソケツト内へリードピンをはんだ付けするた
めの改良方法に関連している。
ドフレーム組体又は半導体パツケージの少くとも
選定部分を、逆スパツタリングによつて浄化する
ためのユニークな方法及び装置を提供する。又本
発明は逆スパツタリング技術によつて、プリント
回路基板のピン受入れソケツト内へリードをはん
だ付けする前にマルチリードのデユアルインライ
ン形カプセル封入半導体パツケージのリードピン
を浄化するための方法及び装置を提供する。更に
本発明は、最終組体がその使用前に逆スパツタリ
ングによつて浄化されるような、リードフレーム
組体をカプセル封入するための改良方法；及びは
んだ付け作業の前の逆スパツタリングによつてリ
ードピンを浄化する工程を含む、プリント回路基
板のソケツト内へリードピンをはんだ付けするた
めの改良方法に関連している。
又本発明は、リードピン装置つまり半導体パツ
ケージのリードピン等メタル表面の少くとも一部
をその後の利用前に浄化するための装置；及び事
前に製造したリードフレームが逆スパツタリング
によつて、はんだ付けのためプリント回路基板の
ソケツト内へリードピンを挿入する前に浄化され
るようなプリント回路基板を製造するための改良
システムを意図している。
ケージのリードピン等メタル表面の少くとも一部
をその後の利用前に浄化するための装置；及び事
前に製造したリードフレームが逆スパツタリング
によつて、はんだ付けのためプリント回路基板の
ソケツト内へリードピンを挿入する前に浄化され
るようなプリント回路基板を製造するための改良
システムを意図している。
プリント回路基板のピン受入れソケツト内へリ
ードピンをはんだ付けする前にマルチリードのデ
ユアルインライン半導体パツケージのリードピン
を浄化する方法は、真空チヤンバを設ける工程；
デユアルインライン半導体パツケージを真空チヤ
ンバ内へ作業可能に配置する工程；逆スパツタリ
ングによつて、デユアルインライン半導体パツケ
ージのリードピン表面から汚染物を浄化する工
程；及びその後のはんだ付け作業のため浄化した
半導体パツケージを真空チヤンバから取出す工
程；を含む。
ードピンをはんだ付けする前にマルチリードのデ
ユアルインライン半導体パツケージのリードピン
を浄化する方法は、真空チヤンバを設ける工程；
デユアルインライン半導体パツケージを真空チヤ
ンバ内へ作業可能に配置する工程；逆スパツタリ
ングによつて、デユアルインライン半導体パツケ
ージのリードピン表面から汚染物を浄化する工
程；及びその後のはんだ付け作業のため浄化した
半導体パツケージを真空チヤンバから取出す工
程；を含む。
又本発明は、陽極電極を設ける工程；デユアル
インライン半導体パツケージの少くとも導電性リ
ードを陰極電極として動作可能に接続する工程；
チヤンバを排気する工程；不活性のイオン化可能
気体を真空チヤンバ内に導入する工程；陽極と陰
極両電極間に電位を加え、両者間に電場を形成し
て不活性気体をイオン化させるグロー放電を発生
する工程；及び不活性気体のイオン化によつて生
じた陽イオンを電場を通じて加速し、浄化目的の
ためリードピンの少くとも選定表面にボンバード
する工程；を含むような浄化工程を意図してい
る。
インライン半導体パツケージの少くとも導電性リ
ードを陰極電極として動作可能に接続する工程；
チヤンバを排気する工程；不活性のイオン化可能
気体を真空チヤンバ内に導入する工程；陽極と陰
極両電極間に電位を加え、両者間に電場を形成し
て不活性気体をイオン化させるグロー放電を発生
する工程；及び不活性気体のイオン化によつて生
じた陽イオンを電場を通じて加速し、浄化目的の
ためリードピンの少くとも選定表面にボンバード
する工程；を含むような浄化工程を意図してい
る。
更に本システムは、浄化の前か後のいずれか、
好ましくは浄化作業の前のある時点におけるリー
ド曲げ作業；及びカプセル封入プロセス時にプラ
スチツク材によつてカプセル封入されたリードフ
レームアセンブリのストリツプから、個々のデユ
アルインライン半導体パツケージを分離する工程
を意図している。又本発明は、デユアルインライ
ン半導体パツケージのカプセル封入部分をマスク
し、同部分を望ましくないイオンボンバードメン
トからシールドする工程、及び真空チヤンバ内を
大気圧に戻し、チヤンバを開き、はんだ付け作業
前にプリント回路基板のピン受入れソケツト内へ
挿入するために浄化したデユアルインライン半導
体パツケージを搬送する各最終工程を意図してい
る。更に、浸漬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手作業はんだ付け、自動はんだ付け等の任意の型
のはんだ付け作業を使用できる。各種異つたマス
ク技法又はシールド技法も意図されている。
好ましくは浄化作業の前のある時点におけるリー
ド曲げ作業；及びカプセル封入プロセス時にプラ
スチツク材によつてカプセル封入されたリードフ
レームアセンブリのストリツプから、個々のデユ
アルインライン半導体パツケージを分離する工程
を意図している。又本発明は、デユアルインライ
ン半導体パツケージのカプセル封入部分をマスク
し、同部分を望ましくないイオンボンバードメン
トからシールドする工程、及び真空チヤンバ内を
大気圧に戻し、チヤンバを開き、はんだ付け作業
前にプリント回路基板のピン受入れソケツト内へ
挿入するために浄化したデユアルインライン半導
体パツケージを搬送する各最終工程を意図してい
る。更に、浸漬はんだ付け、超音波はんだ付け、
手作業はんだ付け、自動はんだ付け等の任意の型
のはんだ付け作業を使用できる。各種異つたマス
ク技法又はシールド技法も意図されている。
又本発明は、カプセル封入半導体部分とこのカ
プセル封入半導体部分から延びた複数の導電性リ
ードピンとを有するリードフレーム組体の少くと
も選定部分を浄化するための方法であつて、真空
チヤンバを設ける工程、陽極電極を設ける工程、
浄化すべきリードフレーム組体を挿入する工程、
陰極電極を形成する工程、真空チヤンバを排気す
る工程、イオン化可能な不活性気体を真空チヤン
バ内へ導入する工程、陽極と陰極両電極間にDC
電位を印加し、両者間に電場を形成する工程、上
記電場内にグロー放電を開始して維持し、上記不
活性気体をイオン化する工程、浄化すべきリード
フレーム組体の少くとも選定表面へ向かつて陽イ
オンを加速し、同表面にボンバードさせてそこか
ら表面汚染物と不純物を除去する工程、真空チヤ
ンバ内を平常圧に戻す工程、その後の処理のため
浄化したリードフレーム組体を取出す工程、等を
含む。
プセル封入半導体部分から延びた複数の導電性リ
ードピンとを有するリードフレーム組体の少くと
も選定部分を浄化するための方法であつて、真空
チヤンバを設ける工程、陽極電極を設ける工程、
浄化すべきリードフレーム組体を挿入する工程、
陰極電極を形成する工程、真空チヤンバを排気す
る工程、イオン化可能な不活性気体を真空チヤン
バ内へ導入する工程、陽極と陰極両電極間にDC
電位を印加し、両者間に電場を形成する工程、上
記電場内にグロー放電を開始して維持し、上記不
活性気体をイオン化する工程、浄化すべきリード
フレーム組体の少くとも選定表面へ向かつて陽イ
オンを加速し、同表面にボンバードさせてそこか
ら表面汚染物と不純物を除去する工程、真空チヤ
ンバ内を平常圧に戻す工程、その後の処理のため
浄化したリードフレーム組体を取出す工程、等を
含む。
更に本方法は、リードフレーム組体の導電性部
分を陰極そのものとして利用するか、又はリード
フレーム組体をマスク装置内の陰極と組合せて用
い、カプセル封入部分を望ましくないイオンボン
バードメントからシールドすることを含む。
分を陰極そのものとして利用するか、又はリード
フレーム組体をマスク装置内の陰極と組合せて用
い、カプセル封入部分を望ましくないイオンボン
バードメントからシールドすることを含む。
又本発明は、その後の処理前に逆スパツタリン
グによつて少くともリードピンを浄化する工程に
改良点があるような、リードフレーム組体をカプ
セル封入するための改良方法を意図している。実
際の方法の浄化工程は上記した工程と同じで、そ
の後に意図されている処理は浸漬、超音波、手作
業等のはんだ付けである。
グによつて少くともリードピンを浄化する工程に
改良点があるような、リードフレーム組体をカプ
セル封入するための改良方法を意図している。実
際の方法の浄化工程は上記した工程と同じで、そ
の後に意図されている処理は浸漬、超音波、手作
業等のはんだ付けである。
最後に本発明は、プリント回路基板のリードピ
ン受入れソケツト内へピンをはんだ付けしその後
プリント回路を使用する前に、デユアルインライ
ン半導体パツケージの導電性メタルのリードピン
をソケツト内へはんだ付けするための方法であつ
て、プリント回路ソケツト内へピンを挿入する前
に、デユアルインライン半導体パツケージの少く
ともリードピン部分の表面汚染物を浄化する工程
から成る点が改良された方法を意図している。浄
化プロセスの各工程は前記したものと同様なの
で、ここでは繰返さない。
ン受入れソケツト内へピンをはんだ付けしその後
プリント回路を使用する前に、デユアルインライ
ン半導体パツケージの導電性メタルのリードピン
をソケツト内へはんだ付けするための方法であつ
て、プリント回路ソケツト内へピンを挿入する前
に、デユアルインライン半導体パツケージの少く
ともリードピン部分の表面汚染物を浄化する工程
から成る点が改良された方法を意図している。浄
化プロセスの各工程は前記したものと同様なの
で、ここでは繰返さない。
又本発明は、上記した方法のシステムを利用可
能とするシステム又は装置を意図している。
能とするシステム又は装置を意図している。
本発明のその他の利点及価値ある特徴は、以下
に示す好ましい実施例、請求の範囲及び図面の説
明から充分理解されよう。
に示す好ましい実施例、請求の範囲及び図面の説
明から充分理解されよう。
（実施例）
第１図のプロセス流れ図は、半導体パツケージ
の製造及び利用作業全体のうち、ブロツク１２で
示したようにカプセル封入したリードフレーム組
体を下型部分から取出す工程以降の一部を示して
いる。プロセス矢印１１は例えば、本願と同時に
出願され、こゝに参考文献として含める共同特許
出願「逆スパツタリングによる型浄化方法及び装
置」に記したリードフレーム組体をカプセル封入
つまり型成形する工程から続いている。
の製造及び利用作業全体のうち、ブロツク１２で
示したようにカプセル封入したリードフレーム組
体を下型部分から取出す工程以降の一部を示して
いる。プロセス矢印１１は例えば、本願と同時に
出願され、こゝに参考文献として含める共同特許
出願「逆スパツタリングによる型浄化方法及び装
置」に記したリードフレーム組体をカプセル封入
つまり型成形する工程から続いている。
カプセル封入の工程後、リードフレーム組体を
型から取出したとき、残留プラスチツク材とプラ
スチツク汚染物がリードフレーム及び導電性メタ
ルの各リードピンの表面上に残つている。更に、
油、グリース、埃、酸化物、硫化物、その他の酸
化生成物、CF4等別の汚染物や不純物がリードピ
ンの表面上に存在することもある。こうした物質
は半導体装置のその意図した目的の利用にとつて
有害で、はんだ付け作業前の浄化が絶対的に不可
欠である。
型から取出したとき、残留プラスチツク材とプラ
スチツク汚染物がリードフレーム及び導電性メタ
ルの各リードピンの表面上に残つている。更に、
油、グリース、埃、酸化物、硫化物、その他の酸
化生成物、CF4等別の汚染物や不純物がリードピ
ンの表面上に存在することもある。こうした物質
は半導体装置のその意図した目的の利用にとつて
有害で、はんだ付け作業前の浄化が絶対的に不可
欠である。
プロセスの第１枝は参照番号１３で示した円囲
い文字“Ａ”で表わしてあり、これはリードフレ
ーム組体のストリツプが個々のカプセル封入した
リードフレーム組体から分離されるブロツク１４
のプロセス工程に進む。次に、プロセスブロツク
１５で示すように、逆スパツタリング工程が施さ
れリードピンを浄化して、プラスチツク残留物及
びその他の表面汚染物を取除く。次いで、プロセ
スはブロツク１６で表わしたその後の処理工程へ
進む。ブロツク１７はリードピンの所望角度への
曲げを表わし、この工程は矢印１８で示すように
スパツタリング作業の前に行つてもよいが、矢印
１９で示すようにスパツタリング作業後に行うの
が好ましい。
い文字“Ａ”で表わしてあり、これはリードフレ
ーム組体のストリツプが個々のカプセル封入した
リードフレーム組体から分離されるブロツク１４
のプロセス工程に進む。次に、プロセスブロツク
１５で示すように、逆スパツタリング工程が施さ
れリードピンを浄化して、プラスチツク残留物及
びその他の表面汚染物を取除く。次いで、プロセ
スはブロツク１６で表わしたその後の処理工程へ
進む。ブロツク１７はリードピンの所望角度への
曲げを表わし、この工程は矢印１８で示すように
スパツタリング作業の前に行つてもよいが、矢印
１９で示すようにスパツタリング作業後に行うの
が好ましい。
第２のプロセス路は、参照番号２１で表わした
円囲い文字“Ｂ”のルートに沿つて逆スパツタリ
ングの工程へ進み、ブロツク２２で示すように分
離工程前にリードピンを浄化し、ブラスチツク残
留物及びその他の表面汚染物を除去する。ブロツ
ク２２のプロセス工程を出た処理品は、ブロツク
１６で示したその後の処理へ直接進む。リードフ
レーム組体ストリツプを個々のカプセル封入した
リードフレーム組体へ分離する工程はブロツク２
５で表わしてあり、点線の矢印２６は分離工程が
ブロツク２２の浄化工程後又はブロツク１７の曲
げ工程前に行い得ることを示している。
円囲い文字“Ｂ”のルートに沿つて逆スパツタリ
ングの工程へ進み、ブロツク２２で示すように分
離工程前にリードピンを浄化し、ブラスチツク残
留物及びその他の表面汚染物を除去する。ブロツ
ク２２のプロセス工程を出た処理品は、ブロツク
１６で示したその後の処理へ直接進む。リードフ
レーム組体ストリツプを個々のカプセル封入した
リードフレーム組体へ分離する工程はブロツク２
５で表わしてあり、点線の矢印２６は分離工程が
ブロツク２２の浄化工程後又はブロツク１７の曲
げ工程前に行い得ることを示している。
ブロツク１６で表わしたその後の各種処理工程
は、参照番号２９で示す円囲い文字“Ｃ”で表わ
された第１の後続処理路を含む。処理路２９中に
おいて、各リードピンをプリント回路基板のピン
受入れソケツト内へ挿入する工程がブロツク３１
で表わしてある。次に、プリント回路基板ソケツ
ト内のピンは、プロセスブロツク又は工程３２で
示すように、浸漬はんだ付け、超音波はんだ付
け、手作業及び／又はロボツトはんだ付け等によ
つてはんだ付けされる。最後に、ブロツク３３は
当該分野で周知のように、はんだ付けしたプリン
ト回路（PC）基板）をその後任意の数の利用装
置又は回路に用いることを表わしている。
は、参照番号２９で示す円囲い文字“Ｃ”で表わ
された第１の後続処理路を含む。処理路２９中に
おいて、各リードピンをプリント回路基板のピン
受入れソケツト内へ挿入する工程がブロツク３１
で表わしてある。次に、プリント回路基板ソケツ
ト内のピンは、プロセスブロツク又は工程３２で
示すように、浸漬はんだ付け、超音波はんだ付
け、手作業及び／又はロボツトはんだ付け等によ
つてはんだ付けされる。最後に、ブロツク３３は
当該分野で周知のように、はんだ付けしたプリン
ト回路（PC）基板）をその後任意の数の利用装
置又は回路に用いることを表わしている。
円囲い文字“Ｄ”で示したプロセス路３４は、
浄化した半導体装置の貯蔵を表わすブロツク３５
へ至る。円囲い文字“Ｅ”で表わした第３のプロ
セス路３７で示すように、ブロツク１６の後続処
理に、ブロツク３８の梱包工程とそれに続くブロ
ツク３９の輪送及び販売工程が含まれることもあ
る。
浄化した半導体装置の貯蔵を表わすブロツク３５
へ至る。円囲い文字“Ｅ”で表わした第３のプロ
セス路３７で示すように、ブロツク１６の後続処
理に、ブロツク３８の梱包工程とそれに続くブロ
ツク３９の輪送及び販売工程が含まれることもあ
る。
貯蔵ブロツク３５につながる双方向路３４は、
全体のリードフレーム又はリードフレーム組体が
プリント回路基板等への挿入前に貯蔵、貯蔵から
の取出し、分離、曲げ及び浄化を行えるように、
各部品を貯蔵したり、上記のプロセスへ戻すため
そこから取出し得ることを示している。又点線の
矢印３６で示すように、貯蔵した半導体パツケー
ジは追加の浄化を行つても行わなくても、ブロツ
ク３１の挿入ステツプへ供給できる。ブロツク３
５の貯蔵ステツプからブロツク３９の輪送ステツ
プへ向かう点線のプロセス路４２は、半導体パツ
ケージを貯蔵から取出し、販売等のために輪送で
きることを意味する。最後に、点線のプロセス路
４１は、梱包した装置を使用又は販売前に貯蔵３
５へ戻せることを意味する。
全体のリードフレーム又はリードフレーム組体が
プリント回路基板等への挿入前に貯蔵、貯蔵から
の取出し、分離、曲げ及び浄化を行えるように、
各部品を貯蔵したり、上記のプロセスへ戻すため
そこから取出し得ることを示している。又点線の
矢印３６で示すように、貯蔵した半導体パツケー
ジは追加の浄化を行つても行わなくても、ブロツ
ク３１の挿入ステツプへ供給できる。ブロツク３
５の貯蔵ステツプからブロツク３９の輪送ステツ
プへ向かう点線のプロセス路４２は、半導体パツ
ケージを貯蔵から取出し、販売等のために輪送で
きることを意味する。最後に、点線のプロセス路
４１は、梱包した装置を使用又は販売前に貯蔵３
５へ戻せることを意味する。
第２図は、第１図の逆スパツタリングつまり浄
化工程であるブロツク１５，２２内に含まれる各
工程をいつそう詳細に示している。第２図の逆ス
パツタリングプロセスは、ブロツク１０１で示し
た真空チヤンバを与える工程及びブロツク１０２
で示した真空チヤンバ内に陽極電極を設ける工程
を含む。陽極を設ける工程のブロツク１０２から
２つのプロセス路に分れ、第１流路は１０３で示
した円囲い文字“Ａ”で表わしてある。プロセス
路１０３はブロツク１０４で示すように、浄化す
べきリードフレーム組体を陰極として真空チヤン
バ内に接続する工程へ進み、ブロツク１０５はチ
ヤンバを排気する工程を示す。工程１０６はアル
ゴン等のイオン化可能不活性気体を真空チヤンバ
内に導入することを表わし、ブロツク１０７は陽
極と陰極両電極間に電場を形成することを表わし
ている。ブロツク１０８は、イオンボンバードメ
ントによつて表面汚染物を除去するため、リード
ピンを含めた浄化すべきリードフレーム組体の表
面へ向かつて陽イオンを加速する工程を示す。ブ
ロツク１０９は後続処理のため浄化したリードフ
レーム組体を輪送する工程を表わし、プロセス路
１１１は第１図に示した曲げ、分離、包装、輪
送、貯蔵及び／又ははんだ付け作業等の追加作業
へ至るプロセス路を示している。
化工程であるブロツク１５，２２内に含まれる各
工程をいつそう詳細に示している。第２図の逆ス
パツタリングプロセスは、ブロツク１０１で示し
た真空チヤンバを与える工程及びブロツク１０２
で示した真空チヤンバ内に陽極電極を設ける工程
を含む。陽極を設ける工程のブロツク１０２から
２つのプロセス路に分れ、第１流路は１０３で示
した円囲い文字“Ａ”で表わしてある。プロセス
路１０３はブロツク１０４で示すように、浄化す
べきリードフレーム組体を陰極として真空チヤン
バ内に接続する工程へ進み、ブロツク１０５はチ
ヤンバを排気する工程を示す。工程１０６はアル
ゴン等のイオン化可能不活性気体を真空チヤンバ
内に導入することを表わし、ブロツク１０７は陽
極と陰極両電極間に電場を形成することを表わし
ている。ブロツク１０８は、イオンボンバードメ
ントによつて表面汚染物を除去するため、リード
ピンを含めた浄化すべきリードフレーム組体の表
面へ向かつて陽イオンを加速する工程を示す。ブ
ロツク１０９は後続処理のため浄化したリードフ
レーム組体を輪送する工程を表わし、プロセス路
１１１は第１図に示した曲げ、分離、包装、輪
送、貯蔵及び／又ははんだ付け作業等の追加作業
へ至るプロセス路を示している。
ブロツク１０２からの第２流路は円囲い文字
“Ｂ”で表わしてあり、参照番号１１２が付して
ある。第２流路１１２はブロツク１１３の陰極電
極を設ける工程へ進み、次にブロツク１１４で示
すように両電極間の所望位置に浄化すべきリード
フレーム組体を接続する工程へ進み、その後ブロ
ツク１０５の排気工程で最初のプロセス路へ戻
る。上記プロセスに、ブロツク１５及び点線の矢
印１１６で示すように、リードフレーム組体を真
空チヤンバへ輪送しその内部に挿置する工程を含
めてもよい。
“Ｂ”で表わしてあり、参照番号１１２が付して
ある。第２流路１１２はブロツク１１３の陰極電
極を設ける工程へ進み、次にブロツク１１４で示
すように両電極間の所望位置に浄化すべきリード
フレーム組体を接続する工程へ進み、その後ブロ
ツク１０５の排気工程で最初のプロセス路へ戻
る。上記プロセスに、ブロツク１５及び点線の矢
印１１６で示すように、リードフレーム組体を真
空チヤンバへ輪送しその内部に挿置する工程を含
めてもよい。
更に、上記プロセスに、浄化すべきリードフレ
ーム組体の選定領域をマスクし、同領域を望まし
くないイオンボンバードメントからシールドする
工程を含めてもよい。この工程はブロツク１１７
で表わしてあり、点線の矢印１１８のごとくブロ
ツク１０１の真空チヤンバを設ける工程の後のプ
ロセスへ接続されるものとして示してある。
ーム組体の選定領域をマスクし、同領域を望まし
くないイオンボンバードメントからシールドする
工程を含めてもよい。この工程はブロツク１１７
で表わしてあり、点線の矢印１１８のごとくブロ
ツク１０１の真空チヤンバを設ける工程の後のプ
ロセスへ接続されるものとして示してある。
ブロツク１０８の加速工程とブロツク１０９の
輪送工程との間に挿入し得る別の工程には、ブロ
ツク１１９に示したような真空チヤンバ内を平常
圧に戻す工程；ブロツク１２１に示したようなチ
ヤンバを開ける工程；及びブロツク１２２に示し
たような浄化後のカプセル封入リードフレーム組
体を真空チヤンバから取出す工程が含まれる。点
線の矢印１２３は、ブロツク１１９，１２１及び
１２２の各工程がブロツク１０９の輪送工程の前
でプロセスに含まれることを示している。
輪送工程との間に挿入し得る別の工程には、ブロ
ツク１１９に示したような真空チヤンバ内を平常
圧に戻す工程；ブロツク１２１に示したようなチ
ヤンバを開ける工程；及びブロツク１２２に示し
たような浄化後のカプセル封入リードフレーム組
体を真空チヤンバから取出す工程が含まれる。点
線の矢印１２３は、ブロツク１１９，１２１及び
１２２の各工程がブロツク１０９の輪送工程の前
でプロセスに含まれることを示している。
第３図は、真空チヤンバ、真空エンクロージヤ
又はベルジヤー５３を備えた逆スパツタリング装
置５２を示している。真空チヤンバ５３は、支持
ベース５４と、チヤンバ５３のベース周囲に位置
してそこからエアが漏れるのを防ぐ圧着シール５
５とを有する。支持ベース５４は、導管５７を介
し真空ポンプ５８と連通する真空ポート５６を有
する。真空圧は当該分野で通常知られているよう
に、真空圧弁及び計器５９によつて測定制御され
る。支持ベース５４は又、導管６２を介して不活
性気体のリザーバ６３へ動作接続された不活性気
体導入ポートつまり入口６１を有する。好ましい
実施例において、不活性気体リザーバ６３は任意
のイオン化可能な不活性気体を含み得るが、アル
ゴン等“重い”不活性気体の方がイオン化過程中
より効率的な浄化のためより多くのイオンを発生
するので好ましい。真空チヤンバ５３内へ入る不
活性気体の量は、入口ポート６１と気体リザーバ
６３の間の導管６２中に動作可能に設けられた通
常の不活性気体弁及び計器６４によつて制御され
る。非常に小さい水銀単位の圧力を流定可能であ
れば、Whitney社のマイクロメータニードル弁
等、周知な任意の型のマイクロメータニードル弁
を使用できる。
又はベルジヤー５３を備えた逆スパツタリング装
置５２を示している。真空チヤンバ５３は、支持
ベース５４と、チヤンバ５３のベース周囲に位置
してそこからエアが漏れるのを防ぐ圧着シール５
５とを有する。支持ベース５４は、導管５７を介
し真空ポンプ５８と連通する真空ポート５６を有
する。真空圧は当該分野で通常知られているよう
に、真空圧弁及び計器５９によつて測定制御され
る。支持ベース５４は又、導管６２を介して不活
性気体のリザーバ６３へ動作接続された不活性気
体導入ポートつまり入口６１を有する。好ましい
実施例において、不活性気体リザーバ６３は任意
のイオン化可能な不活性気体を含み得るが、アル
ゴン等“重い”不活性気体の方がイオン化過程中
より効率的な浄化のためより多くのイオンを発生
するので好ましい。真空チヤンバ５３内へ入る不
活性気体の量は、入口ポート６１と気体リザーバ
６３の間の導管６２中に動作可能に設けられた通
常の不活性気体弁及び計器６４によつて制御され
る。非常に小さい水銀単位の圧力を流定可能であ
れば、Whitney社のマイクロメータニードル弁
等、周知な任意の型のマイクロメータニードル弁
を使用できる。
陰極装置６５は、高圧フイードスルー電極６
６、シール６７及び中空の非導電性陰極支持部材
又はフレーム６８を含むものとして示してある。
陰極支持フレーム６８はその中空内部を介し、陰
極６９をフイードスルー端子６６へ物理的に支持
すると共に電気的に接続する。本発明の好ましい
実施例において、浄化すべきリードフレーム組体
つまり各リードピンのメタル表面が実際の陰極と
なるように、陰極６９が電気的に接続される。例
えば第３図において、陰極６９は半導体パツケー
ジのカプセル封入部８６を含まなくてもよいが、
少くともその導電性リードピン８７を含んでい
る。
６、シール６７及び中空の非導電性陰極支持部材
又はフレーム６８を含むものとして示してある。
陰極支持フレーム６８はその中空内部を介し、陰
極６９をフイードスルー端子６６へ物理的に支持
すると共に電気的に接続する。本発明の好ましい
実施例において、浄化すべきリードフレーム組体
つまり各リードピンのメタル表面が実際の陰極と
なるように、陰極６９が電気的に接続される。例
えば第３図において、陰極６９は半導体パツケー
ジのカプセル封入部８６を含まなくてもよいが、
少くともその導電性リードピン８７を含んでい
る。
陽極組体７５は、高圧フイードスルー電極７
６，シール７７及び全体に中空の陽極サポート又
はフレーム部材７８から成る。陰極７９はサポー
ト７８へ物理的に固定され、サポート７８の中空
部を介して高圧ピン７６へ電気的に接続されてい
る。
６，シール７７及び全体に中空の陽極サポート又
はフレーム部材７８から成る。陰極７９はサポー
ト７８へ物理的に固定され、サポート７８の中空
部を介して高圧ピン７６へ電気的に接続されてい
る。
高圧DC電源等の電源８４の正端子が陽極のフ
イードスルー電極７６に接続され、負端子が陰極
のフイードスルー電極６６に接続されている。こ
れによつて、陽極７９と陰極組体６９の間に電場
が形成される。この電場が両電極６９，７９間に
グロー放電、アーク放電又はプラズマ８３を形成
し、真空チヤンバ５３内の不活性気体７０をイオ
ン化して、陽イオン８１と電子（図示せず）を発
生する。陽イオンは陽極７９と陰極６９間の電場
により陰極へ向かつて加速され、導電性のメタル
リードピン表面にボンバードされて、プラスチツ
ク残留物、酸化物等の表面汚染物を浄化し残らず
除去する。
イードスルー電極７６に接続され、負端子が陰極
のフイードスルー電極６６に接続されている。こ
れによつて、陽極７９と陰極組体６９の間に電場
が形成される。この電場が両電極６９，７９間に
グロー放電、アーク放電又はプラズマ８３を形成
し、真空チヤンバ５３内の不活性気体７０をイオ
ン化して、陽イオン８１と電子（図示せず）を発
生する。陽イオンは陽極７９と陰極６９間の電場
により陰極へ向かつて加速され、導電性のメタル
リードピン表面にボンバードされて、プラスチツ
ク残留物、酸化物等の表面汚染物を浄化し残らず
除去する。
第４図は、イオンボンバードメントがプラスチ
ツクのカプセル封入部分等望ましくない表面部分
に衝突するのをマスク又はシールドとして、同部
分が劣化や破損を生じないように、リードフレー
ム組体つまりデユアルインライン半導体パツケー
ジをマスクする一つの方法を示している。第４図
中、第３図と同じ参照番号は同様の部分を表わ
し、真空チヤンバ５３は追加のマスク組体１３５
を含むものとして示してある。マスク組体１３５
は、フイードスルー電極１３６、シール１３７、
及び中空のサポート１３８から成る。
ツクのカプセル封入部分等望ましくない表面部分
に衝突するのをマスク又はシールドとして、同部
分が劣化や破損を生じないように、リードフレー
ム組体つまりデユアルインライン半導体パツケー
ジをマスクする一つの方法を示している。第４図
中、第３図と同じ参照番号は同様の部分を表わ
し、真空チヤンバ５３は追加のマスク組体１３５
を含むものとして示してある。マスク組体１３５
は、フイードスルー電極１３６、シール１３７、
及び中空のサポート１３８から成る。
中空サポート１３８はそれに取付けられた導電
性マスク１３９を有し、このマスク１３９はサポ
ート１３８の中空部を介してフイードスルー端子
１３６へ電気的に接続されている。導電性マスク
１３９は複数の中空部又は開口１４１を有し、
こゝを通過した陽イオンが浄化されているリード
フレーム組体の選定表面に衝突し、そこを浄化す
る。中実部１４２が、ボンバードメントによつて
害を受けるリードフレーム組体部分へ陽イオンが
マスクを通過してボンバードするのを防ぐ。
性マスク１３９を有し、このマスク１３９はサポ
ート１３８の中空部を介してフイードスルー端子
１３６へ電気的に接続されている。導電性マスク
１３９は複数の中空部又は開口１４１を有し、
こゝを通過した陽イオンが浄化されているリード
フレーム組体の選定表面に衝突し、そこを浄化す
る。中実部１４２が、ボンバードメントによつて
害を受けるリードフレーム組体部分へ陽イオンが
マスクを通過してボンバードするのを防ぐ。
第４図の回路は、中空の陰極サポート６８へ動
作可能に電気接続されたリードフレーム組体１３
１と、リードフレーム組体１３１上及び近傍へ動
作可能に装着された比較的薄い非導電性の絶縁マ
スク１３２を示している。マスク１３２は開口１
３３を有し、こゝを通つたイオンが導電性のメタ
ルリードピン等リードフレーム組体の選定部分を
浄化する一方、中実部１３４がリードフレーム組
体のカプセル封入プラスチツク部分をイオンボン
バードメントからシールドする。
作可能に電気接続されたリードフレーム組体１３
１と、リードフレーム組体１３１上及び近傍へ動
作可能に装着された比較的薄い非導電性の絶縁マ
スク１３２を示している。マスク１３２は開口１
３３を有し、こゝを通つたイオンが導電性のメタ
ルリードピン等リードフレーム組体の選定部分を
浄化する一方、中実部１３４がリードフレーム組
体のカプセル封入プラスチツク部分をイオンボン
バードメントからシールドする。
第５図はリードフレーム組体ストリツプの一部
を示しており、リードフレームは作業可能に露出
された集積回路部分を有し、型成形又はカプセル
封入プロセスを通り、そこでプラスチツク部分１
５３，１５４として示すように、入／出力リード
部分及び集積回路部分がカプセル封入される。メ
タルのサイドフレーム１５２がストリツプを一体
状に保持し続け、カプセル封入半導体パツケージ
１５３，１５４がそれぞれ複数の導電性リードピ
ン１５５，１５７を有し、これらのリードピンは
隣接ピン間で噛合い構成となるように交互に形成
されている。カプセル封入回路１５３の反対側の
ピン１５６及びカプセル封入部分１５４の反対側
のピン１５８は、ストリツプに沿つた更に別のカ
プセル封入部分（不図示）と対応している。
を示しており、リードフレームは作業可能に露出
された集積回路部分を有し、型成形又はカプセル
封入プロセスを通り、そこでプラスチツク部分１
５３，１５４として示すように、入／出力リード
部分及び集積回路部分がカプセル封入される。メ
タルのサイドフレーム１５２がストリツプを一体
状に保持し続け、カプセル封入半導体パツケージ
１５３，１５４がそれぞれ複数の導電性リードピ
ン１５５，１５７を有し、これらのリードピンは
隣接ピン間で噛合い構成となるように交互に形成
されている。カプセル封入回路１５３の反対側の
ピン１５６及びカプセル封入部分１５４の反対側
のピン１５８は、ストリツプに沿つた更に別のカ
プセル封入部分（不図示）と対応している。
カプセル封入又は型成形作業の完了後、プラス
チツク材とプラスチツク残留物更にゴミ、グリー
ス、油、埃等の物理的汚染物や酸化物を含む化学
的な酸化副生成物、硫化物、及びCF4等プロセス
生成物が、リードピン１５５，１５６，１５７，
１５８の表面上に残る。こうしたプラスチツク材
や残留物又は汚染物の存在ははんだ付けを不能と
し、回路の性能をひどく害するため、ピンはどん
な目的にせよ装置を使用する前に浄化しなければ
ならない。
チツク材とプラスチツク残留物更にゴミ、グリー
ス、油、埃等の物理的汚染物や酸化物を含む化学
的な酸化副生成物、硫化物、及びCF4等プロセス
生成物が、リードピン１５５，１５６，１５７，
１５８の表面上に残る。こうしたプラスチツク材
や残留物又は汚染物の存在ははんだ付けを不能と
し、回路の性能をひどく害するため、ピンはどん
な目的にせよ装置を使用する前に浄化しなければ
ならない。
第６図に、周囲にリードフレーム１６５部分を
尚有し且つ延出した複数のリードピン１６４を有
するカプセル封入部１６３を含む１個のリードフ
レーム組体１６１を示している。リードピン１６
４は、その後の使用前に浄化しなければならな
い。
尚有し且つ延出した複数のリードピン１６４を有
するカプセル封入部１６３を含む１個のリードフ
レーム組体１６１を示している。リードピン１６
４は、その後の使用前に浄化しなければならな
い。
最後に第７図は、最終的なデユアルインライン
半導体パツケージ１６６を示しており、集積回路
を内蔵するカプセル封入本体部分１６７がその反
対両側から延びた複数のリードピン１６８を有す
る。好ましい実施例において、リードピン１６８
は通常所定の角度に曲げられ、上方部１６９がカ
プセル封入本体部分１６７の側方からわずかな距
離だけ延び、ソケツトと係合する細長いピン部１
７１がそこから下方へ延び、はんだ付け又はその
他の電気的接続のためプリント回路基板のソケツ
ト又は開口内への挿入に適するようにされてい
る。
半導体パツケージ１６６を示しており、集積回路
を内蔵するカプセル封入本体部分１６７がその反
対両側から延びた複数のリードピン１６８を有す
る。好ましい実施例において、リードピン１６８
は通常所定の角度に曲げられ、上方部１６９がカ
プセル封入本体部分１６７の側方からわずかな距
離だけ延び、ソケツトと係合する細長いピン部１
７１がそこから下方へ延び、はんだ付け又はその
他の電気的接続のためプリント回路基板のソケツ
ト又は開口内への挿入に適するようにされてい
る。
（発明の効果）
本発明の方法及び装置は、はんだ付け作業等の
前に半導体パツケージ、リードフレーム等の少く
とも選定部分から表面汚染物を浄化するための極
めて優れた、乾式の、安価で、保守が少くて済
み、低コストのシステムを可能とする。こゝで用
いた逆スパツタリング法は、高速、大容量の連続
的なライン工程で使用できると共に、はんだ接続
を改善する高度の表面純度、低い不合格つまり不
良率、及び半導体パツケージを用いた高度回路の
高い歩留りを与えるような極めて効率的な浄化方
法を提供する。従来使われていた強い化学的及び
機械的な処理が避けられるため、パツケージへの
損傷を防ぎ、作業コストを減じると同時に、プロ
セスの速度を高める。
前に半導体パツケージ、リードフレーム等の少く
とも選定部分から表面汚染物を浄化するための極
めて優れた、乾式の、安価で、保守が少くて済
み、低コストのシステムを可能とする。こゝで用
いた逆スパツタリング法は、高速、大容量の連続
的なライン工程で使用できると共に、はんだ接続
を改善する高度の表面純度、低い不合格つまり不
良率、及び半導体パツケージを用いた高度回路の
高い歩留りを与えるような極めて効率的な浄化方
法を提供する。従来使われていた強い化学的及び
機械的な処理が避けられるため、パツケージへの
損傷を防ぎ、作業コストを減じると同時に、プロ
セスの速度を高める。
本発明の好ましい実施例を示す目的で上記した
特定の方法及び装置から、特許請求の範囲によつ
てのみ限定される本発明の主旨と範囲を逸脱する
ことなく、各種の変更及び変形がこゝに開示した
方法及び装置において可能なことは当業にとつて
容易に明らかとなろう。
特定の方法及び装置から、特許請求の範囲によつ
てのみ限定される本発明の主旨と範囲を逸脱する
ことなく、各種の変更及び変形がこゝに開示した
方法及び装置において可能なことは当業にとつて
容易に明らかとなろう。
第１図は半導体パツケージを製造し、それをプ
リント回路の形で利用する全プロセスをブロツク
の形で示したプロセスフロー図；第２図は第１図
のブロツク１４，２２の逆スパツタリング作業を
ブロツクの形で示したプロセスフロー図；第３図
は本発明を実施するための装置の単純化した形の
概略図で、プロセスが実施される環境を示す図；
第４図は第３図の真空チヤンバ装置で使用可能な
変形陰極組体及びマスク装置の単純化した形の部
分概略図；第５図は本発明の方法及び装置によつ
て浄化すべきカプセル封入リードフレーム組体ス
トリツプの一部の部分破断斜視図；第６図は本発
明の方法及び装置によつて浄化すべき延出したリ
ードピンを有するデユアルインライン半導体パツ
ケージの部分破断斜視図；及び第７図は後続のは
んだ付けのためプリント回路基板内へ挿着すべ
く、所望の角度に曲げられたリードピンを有する
最終的なデユアルインライン半導体パツケージの
斜視図である。 ５３……真空チヤンバ（真空エンクロージヤ手
段）、５６〜５９……排気手段、６１〜６４……
不活性気体供給手段、６８……陰極接続手段、６
９……陰極手段（リードフレーム組体）、７０…
…不活性気体、７９……陽極手段、８１……陽イ
オン、８３……プラズマ放電、８４……電位印加
手段、８７，１５５〜１５８，１６４，１６８…
…リードピン、１６６……デユアルインライン半
導体パツケージ。
リント回路の形で利用する全プロセスをブロツク
の形で示したプロセスフロー図；第２図は第１図
のブロツク１４，２２の逆スパツタリング作業を
ブロツクの形で示したプロセスフロー図；第３図
は本発明を実施するための装置の単純化した形の
概略図で、プロセスが実施される環境を示す図；
第４図は第３図の真空チヤンバ装置で使用可能な
変形陰極組体及びマスク装置の単純化した形の部
分概略図；第５図は本発明の方法及び装置によつ
て浄化すべきカプセル封入リードフレーム組体ス
トリツプの一部の部分破断斜視図；第６図は本発
明の方法及び装置によつて浄化すべき延出したリ
ードピンを有するデユアルインライン半導体パツ
ケージの部分破断斜視図；及び第７図は後続のは
んだ付けのためプリント回路基板内へ挿着すべ
く、所望の角度に曲げられたリードピンを有する
最終的なデユアルインライン半導体パツケージの
斜視図である。 ５３……真空チヤンバ（真空エンクロージヤ手
段）、５６〜５９……排気手段、６１〜６４……
不活性気体供給手段、６８……陰極接続手段、６
９……陰極手段（リードフレーム組体）、７０…
…不活性気体、７９……陽極手段、８１……陽イ
オン、８３……プラズマ放電、８４……電位印加
手段、８７，１５５〜１５８，１６４，１６８…
…リードピン、１６６……デユアルインライン半
導体パツケージ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ カプセル封入半導体パツケージと、該カプセ
ル封入半導体パツケージから延びた複数の導電性
リードピンを有するリードフレーム組体の少なく
とも選択された部分を浄化する浄化方法であつ
て、 真空チヤンバを設ける工程； 陽極を設ける工程； 浄化すべき上記リードフレーム組体を真空チヤ
ンバに挿入する工程； 上記リードフレーム組体の少なくとも一部に陰
極を設ける工程であつて、該工程が上記リードフ
レーム組体の少なくとも一部を陰極支持手段上に
物理的に配置し電気的に接続し、かつ負電圧源に
連結して陰極を形成するステツプと、上記リード
フレーム組体を陰極として接続するステツプ、陽
極と陰極の間に導電性マスクを作動的に配置して
上記リードフレーム組体の少なくとも一部を好ま
しくないイオン衝撃から遮蔽するステツプを包含
すること； 上記真空チヤンバを排気する工程； イオン化した不活性ガスを上記真空チヤンバに
導入する工程； 陽極と陰極の間に直流電圧を与えてその間に電
場をつくる工程； 上記不活性ガスをイオン化するために上記電場
内にグロウ放電を発生させ維持する工程； 上記不活性ガスをイオン化して生じた正イオン
を上記リードフレーム組体の少なくとも選択され
た部分に向けて加速し、上記正イオンによつて上
記リードフレーム組体に衝撃を与えて表面の汚れ
や不純物を取り除く工程； 上記真空チヤンバを通常の圧力に戻す工程； 浄化された上記リードフレーム組体を次の処理
のために取出す工程；及び 電気的に絶縁のマスクを上記リードフレーム組
体の上に配置し、該絶縁マスクの開口を導電性マ
スクの開口と整列させてリードピンのような選択
された領域だけが正イオンによつて衝撃を受ける
ことを確保する工程 を有することを特徴とする浄化方法。 ２ 集積回路をリードフレーム組体の入出力リー
ドに作動的に接続するステツプ、導電性金属リー
ドピンがそこから突出させて上記リードフレーム
組体の集積回路とリード部分をプラスチツク材料
によつてカプセル封入し、各リードフレーム組体
をリードフレーム組体のストリツプから分離する
ステツプ、各半導体パツケージのリードピンを予
め定めた所望の角度に曲げるステツプ、次の処理
の前にリードピを浄化するステツプを包含する、
リードフレーム組体を回路の中で使用するデユア
ルインライン半導体パツケイジの一部として使用
する方法において、 真空チヤンバを設ける工程； 陽極を設ける工程； 浄化すべき上記リードフレーム組体を上記真空
チヤンバに挿入する工程； 上記リードフレーム組体を使用して陰極を形成
する工程； 上記真空チヤンバを排気する工程； イオン化した不活性ガスを排気された真空チヤ
ンバに導入する工程； 陽極と陰極の間に直流電圧を与えてその間に電
場をつくる工程； 上記不活性ガスをイオン化するために上記電場
内にグロウ放電を発生させ維持する工程； 浄化すべき上記リードフレーム組体の少なくと
も選択された表面部分に向けて正イオンを加速し
て上記正イオンによつて上記リードフレーム組体
に衝撃を与えて表面の汚れや不純物を取り除く工
程； 上記真空チヤンバを通常の圧力に戻す工程； 浄化された上記リードフレーム組体を次の処理
のために取出す工程； 電気的に絶縁のマスクを上記リードフレーム組
体の上に配置し、絶縁マスクの開口が導電性マス
クの開口に概ね対応させかつ整列させることによ
つてリードピンのような選択された領域だけが正
イオンによつて衝撃を受けることを確保する工
程； 上記半導体パツケージの折り曲げられ且つ浄化
されたリードピンをプリント回路板のピン受け入
れソケツトに挿入する工程；さらにその後 機械的及び電気的はんだ付けによつて上記リー
ドピンを上記ソケツト内にはんだ付けする工程か
らなり、 上記陰極を構成する工程が、(a)上記リードフレ
ーム組体の少なくとも一部を上記陽極から間隔を
おいて電気的に接続し且つ物理的に位置決めし、
且つ上記リードフレーム組体の少なくとも一部を
電気的に接続して陰極要素を構成すること、(b)上
記リードフレーム組体を陰極要素として接続する
こと、(c)上記陽極と上記陰極の中間に、開口を有
する導電性マスクを作動的に配置して上記リード
フレーム組体の少なくとも一部を好ましくないイ
オン衝撃から遮蔽することを包含することを特徴
とするデユアルインライン半導体パツケージの一
部としてリードフレーム組体を使用する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US58684184A | 1984-03-06 | 1984-03-06 | |
| US586841 | 1984-03-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615598A JPS615598A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0262959B2 true JPH0262959B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=24347305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60044517A Granted JPS615598A (ja) | 1984-03-06 | 1985-03-06 | リードピン等を浄化する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615598A (ja) |
| DE (1) | DE3508005A1 (ja) |
| GB (1) | GB2159753B (ja) |
| NL (1) | NL8500637A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4032328A1 (de) * | 1989-11-06 | 1991-09-19 | Wls Karl Heinz Grasmann Weichl | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern |
| FR2661544B1 (fr) * | 1990-04-27 | 1994-05-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de decontamination par decapage ionique. |
| US5223691A (en) * | 1991-06-03 | 1993-06-29 | Motorola, Inc. | Plasma based soldering method requiring no additional heat sources or flux |
| DE19654250A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen oxidationsempfindlicher Lötverbindunden |
| US6468833B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-22 | American Air Liquide, Inc. | Systems and methods for application of substantially dry atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods |
| US8444041B2 (en) * | 2011-04-08 | 2013-05-21 | Lincoln Global, Inc. | Brazing system and method |
| CN108511329B (zh) * | 2018-06-15 | 2024-03-15 | 德阳帛汉电子有限公司 | 一种芯片清洗装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB806381A (en) * | 1956-07-27 | 1958-12-23 | Gen Motors Corp | Improvements in or relating to methods of, and apparatus for, etching metal surfaces by ionic bombardment and to articles produced thereby |
| DE1289382B (de) * | 1963-08-16 | 1969-02-13 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Oxydation eines Silizium-Halbleiterkoerpers |
| BE758321A (fr) * | 1969-11-03 | 1971-04-01 | Rca Corp | Procede de metallisation de dispositifs a semi-conducteurs |
| GB1305313A (ja) * | 1970-02-13 | 1973-01-31 | ||
| FR2082505A5 (ja) * | 1970-03-18 | 1971-12-10 | Radiotechnique Compelec | |
| GB1347849A (en) * | 1971-04-21 | 1974-02-27 | Nat Res Dev | Metal oxide semiconductor transistors |
| JPS5712651B2 (ja) * | 1974-05-23 | 1982-03-12 | ||
| GB1462929A (en) * | 1974-09-03 | 1977-01-26 | Olson D M | Vaginal speculum |
| US3994793A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-30 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of aluminum |
| JPS54124853A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-28 | Hiroyasu Funakubo | Press contacting method and apparatus of minute metal strain |
| GB2144669B (en) * | 1982-12-07 | 1986-02-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Cleaning electrical contacts |
-
1985
- 1985-03-05 GB GB08505650A patent/GB2159753B/en not_active Expired
- 1985-03-06 DE DE19853508005 patent/DE3508005A1/de not_active Withdrawn
- 1985-03-06 NL NL8500637A patent/NL8500637A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-03-06 JP JP60044517A patent/JPS615598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8500637A (nl) | 1985-10-01 |
| GB2159753B (en) | 1988-09-07 |
| GB8505650D0 (en) | 1985-04-03 |
| GB2159753A (en) | 1985-12-11 |
| JPS615598A (ja) | 1986-01-11 |
| DE3508005A1 (de) | 1986-03-27 |
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