JPH04259218A - 配線基板の表面処理方法 - Google Patents
配線基板の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH04259218A JPH04259218A JP3020745A JP2074591A JPH04259218A JP H04259218 A JPH04259218 A JP H04259218A JP 3020745 A JP3020745 A JP 3020745A JP 2074591 A JP2074591 A JP 2074591A JP H04259218 A JPH04259218 A JP H04259218A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- sputtering
- oxygen
- substrate
- board
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面実装配線基板上での
部品のはんだ付性を向上させるため、銅箔ランド表面の
清浄活性化を目的とした配線基板の表面処理方法に関す
る。
部品のはんだ付性を向上させるため、銅箔ランド表面の
清浄活性化を目的とした配線基板の表面処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、表面実装部品は小型化，多ピン化
して、はんだ付性の向上が要求され、ランド表面を清浄
化するためアルゴンプラズマ中でスパッタリングを行う
ことにより基板をドライ洗浄することが試みられている
。
して、はんだ付性の向上が要求され、ランド表面を清浄
化するためアルゴンプラズマ中でスパッタリングを行う
ことにより基板をドライ洗浄することが試みられている
。
【０００３】以下に図面を参照しながら、従来のプラズ
マクリーニングの一例について説明する。
マクリーニングの一例について説明する。
【０００４】図３に従来の基板のプラズマクリーニング
装置の構成を示す。図３に示すように、真空槽２１は排
気口２２と、アルゴンガス導入口２３を備えている。真
空槽２１内には上部電極２５と下部電極２６があり、上
部電極２５に処理対象の基板２７が装着されていて、上
部電極２５の下方にはシャッター２８がある。上部電極
２５と下部電極２６にはＲＦ電源部２４が連結されてい
る。図４は基板２７を上部電極２５に装着した状態を示
す。図４に示すように基板２７は銅箔ランド部２９を備
え、基板取付治具３０により上部電極２５に装着されて
いる。
装置の構成を示す。図３に示すように、真空槽２１は排
気口２２と、アルゴンガス導入口２３を備えている。真
空槽２１内には上部電極２５と下部電極２６があり、上
部電極２５に処理対象の基板２７が装着されていて、上
部電極２５の下方にはシャッター２８がある。上部電極
２５と下部電極２６にはＲＦ電源部２４が連結されてい
る。図４は基板２７を上部電極２５に装着した状態を示
す。図４に示すように基板２７は銅箔ランド部２９を備
え、基板取付治具３０により上部電極２５に装着されて
いる。
【０００５】上記のように構成された基板処理装置につ
いて、以下にその動作を説明する。まず、真空槽２１を
真空ポンプにて排気口２２より排気して真空とした後、
アルゴンガスを導入口２３より導入する。その後、ＲＦ
電源２４より上部電極２５と下部電極２６との間に高周
波電圧を印加し、プラズマを発生させる。この時、アル
ゴンイオンは基板２７へ引き寄せられ、その表面をスパ
ッタリングする。
いて、以下にその動作を説明する。まず、真空槽２１を
真空ポンプにて排気口２２より排気して真空とした後、
アルゴンガスを導入口２３より導入する。その後、ＲＦ
電源２４より上部電極２５と下部電極２６との間に高周
波電圧を印加し、プラズマを発生させる。この時、アル
ゴンイオンは基板２７へ引き寄せられ、その表面をスパ
ッタリングする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の処理
方法では、銅箔ランド部２９だけでなく、基板の基材、
例えばアルミナセラミックの部分もスパッタリングされ
るので、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が分解され、酸素分子
や酸素原子が導体ランド２９の表面で再結合し、導体ラ
ンド表面が再酸化されるという問題を有していた。
方法では、銅箔ランド部２９だけでなく、基板の基材、
例えばアルミナセラミックの部分もスパッタリングされ
るので、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が分解され、酸素分子
や酸素原子が導体ランド２９の表面で再結合し、導体ラ
ンド表面が再酸化されるという問題を有していた。
【０００７】本発明はこのような課題を解決するもので
、分解された酸素分子や酸素原子が、一度清浄化された
金属導体と再結合反応を生じて、再び酸化されることの
ない基板の表面処理方法を提供することを目的とするも
のである。
、分解された酸素分子や酸素原子が、一度清浄化された
金属導体と再結合反応を生じて、再び酸化されることの
ない基板の表面処理方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、高周波電源からの高周波電圧を、真空容器
内に配された回路パターニングを施された基板に印加し
て、前記基板の銅箔ランド表面の自然酸化膜を除去する
スパッタリング装置において、スパッタリング用アルゴ
ンガスとともに還元性ガスを前記スパッタリング装置内
に導入するようにしたものである。
に本発明は、高周波電源からの高周波電圧を、真空容器
内に配された回路パターニングを施された基板に印加し
て、前記基板の銅箔ランド表面の自然酸化膜を除去する
スパッタリング装置において、スパッタリング用アルゴ
ンガスとともに還元性ガスを前記スパッタリング装置内
に導入するようにしたものである。
【０００９】また、高周波電源からの高周波電圧を、真
空槽内に配設された回路パターニングを施された配線基
板に印加し、前記配線基板の銅箔ランド表面の自然酸化
膜を除去するスパッタリング装置において、配線基板表
面をメタルマスクで覆い、自然酸化膜の除去が必要な場
所のみをスパッタリングするようにしたものである。
空槽内に配設された回路パターニングを施された配線基
板に印加し、前記配線基板の銅箔ランド表面の自然酸化
膜を除去するスパッタリング装置において、配線基板表
面をメタルマスクで覆い、自然酸化膜の除去が必要な場
所のみをスパッタリングするようにしたものである。
【００１０】
【作用】この構成により、還元性ガスと基板からスパッ
タリングされて飛散した酸素とが結合し、同箔表面での
酸素の再結合を阻害し、銅箔表面の再酸化を防止するこ
ととなる。
タリングされて飛散した酸素とが結合し、同箔表面での
酸素の再結合を阻害し、銅箔表面の再酸化を防止するこ
ととなる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例の配線基板の処理方
法について、図面を参照しながら説明する。
法について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】（実施例１）図１に本発明の一実施例の配
線基板の処理装置の構成を示す。図１に示すように真空
槽１は排気口２とアルゴンガス導入口２３を備えている
。真空槽１内には上部電極５と下部電極６があり、上部
電極５には処理対象の基板７が装着されていて、上部電
極５と下部電極６にはＲＦ電源部４が連結されている。 上部電極５の下方にはシャッターが配設されていて、還
元性ガス導入口９が上部電極５の下方近傍にガス出口が
くるように設置されている。
線基板の処理装置の構成を示す。図１に示すように真空
槽１は排気口２とアルゴンガス導入口２３を備えている
。真空槽１内には上部電極５と下部電極６があり、上部
電極５には処理対象の基板７が装着されていて、上部電
極５と下部電極６にはＲＦ電源部４が連結されている。 上部電極５の下方にはシャッターが配設されていて、還
元性ガス導入口９が上部電極５の下方近傍にガス出口が
くるように設置されている。
【００１３】以上のように構成された基板処理装置につ
いて、以下にその動作を説明する。図１に示すように、
真空槽１内の空気を、排気口２より排気して真空槽１内
を真空状態とした後、アルゴンガスを導入し、ＲＦ電源
１４により上部電極５と下部電極６との間に高周波電圧
を印加することにより、上部電極５と下部電極６の間に
プラズマを発生させる。プラズマ中のアルゴンイオンは
基板７表面に流れ、基板７の表面がスパッタされる。ス
パッタリングされて遊離した銅，アルミニウム，酸素は
両電極間に設けたシャッター８に付着したり、排気口２
より排気されるが、基板７の近傍にある酸素は、基板７
の表面近傍に導入された水素と結合し、水を生成して排
気される。
いて、以下にその動作を説明する。図１に示すように、
真空槽１内の空気を、排気口２より排気して真空槽１内
を真空状態とした後、アルゴンガスを導入し、ＲＦ電源
１４により上部電極５と下部電極６との間に高周波電圧
を印加することにより、上部電極５と下部電極６の間に
プラズマを発生させる。プラズマ中のアルゴンイオンは
基板７表面に流れ、基板７の表面がスパッタされる。ス
パッタリングされて遊離した銅，アルミニウム，酸素は
両電極間に設けたシャッター８に付着したり、排気口２
より排気されるが、基板７の近傍にある酸素は、基板７
の表面近傍に導入された水素と結合し、水を生成して排
気される。
【００１４】上記のように本実施例によれば、プラズマ
中の基板近傍に水素がスのような還元性ガスを導入する
ことにより、基板からスパッタリングされて遊離した酸
素が、清浄活性化された導体１０表面と再結合すること
を防止することができる。
中の基板近傍に水素がスのような還元性ガスを導入する
ことにより、基板からスパッタリングされて遊離した酸
素が、清浄活性化された導体１０表面と再結合すること
を防止することができる。
【００１５】（実施例２）図２に本発明の実施例２の基
板の装着状態を示す。図に示すように、上部電極５の下
面に基板７が装着され、基板７上には銅箔ランド１０が
形成されている。以上の構成は実施例１の構成と同様で
ある。実施例１の構成と異なるのは、メタルマスク１２
を、銅箔ランド１０の表面のみを露出させるように設け
たことである。
板の装着状態を示す。図に示すように、上部電極５の下
面に基板７が装着され、基板７上には銅箔ランド１０が
形成されている。以上の構成は実施例１の構成と同様で
ある。実施例１の構成と異なるのは、メタルマスク１２
を、銅箔ランド１０の表面のみを露出させるように設け
たことである。
【００１６】上記のように構成された基板処理装置につ
いて、以下に図１，図２に参照しながらその動作を説明
する。
いて、以下に図１，図２に参照しながらその動作を説明
する。
【００１７】上部電極５と下部電極６との間にＲＦ電源
１４により高周波電圧を印加することにより、プラズマ
を発生させ、プラズマ中のアルゴンイオンにより基板７
の表面がスパッタリングされる。メタルマスク１２は基
板の銅箔ランド部１０のみがプラズマにさらされるよう
なパターンとなっていて、基板７の表面はメタルマスク
により遮蔽されている。
１４により高周波電圧を印加することにより、プラズマ
を発生させ、プラズマ中のアルゴンイオンにより基板７
の表面がスパッタリングされる。メタルマスク１２は基
板の銅箔ランド部１０のみがプラズマにさらされるよう
なパターンとなっていて、基板７の表面はメタルマスク
により遮蔽されている。
【００１８】上記のように、基板表面にメタルマスクを
設けることにより、清浄活性化したい銅箔ランドのみを
スパッタリングし、銅箔ランド部以外の部分、例えばア
ルミナ基板を用いた場合のＡｌ２Ｏ３から発生する酸素
などの不純物が発生し、同箔表面に再結合して表面を酸
化させることを防止することができる。
設けることにより、清浄活性化したい銅箔ランドのみを
スパッタリングし、銅箔ランド部以外の部分、例えばア
ルミナ基板を用いた場合のＡｌ２Ｏ３から発生する酸素
などの不純物が発生し、同箔表面に再結合して表面を酸
化させることを防止することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明によれば、（１）アルゴンプラズマにより配線
基板表面をスパッタリングして清浄化を行うときに、基
板表面近傍に還元性ガスを流すことにより、基板から発
生する酸素を還元し、ランド表面の再酸化を防止し、基
板表面の清浄活性化を完全に行うことができる。（２）
アルゴンプラズマにより配線基板表面をスパッタリング
して清浄化を行うときに、銅箔ランド部のみが露出して
プラズマにさらされるようなメタルマスクを形成するこ
とにより、銅箔ランド部以外でのスパッタリングを防止
し、基板材料などから発生する酸素などの不純物の飛散
を防止し、銅箔ランド表面の再酸化を起こさないように
して清浄活性化を行うことができる。
に本発明によれば、（１）アルゴンプラズマにより配線
基板表面をスパッタリングして清浄化を行うときに、基
板表面近傍に還元性ガスを流すことにより、基板から発
生する酸素を還元し、ランド表面の再酸化を防止し、基
板表面の清浄活性化を完全に行うことができる。（２）
アルゴンプラズマにより配線基板表面をスパッタリング
して清浄化を行うときに、銅箔ランド部のみが露出して
プラズマにさらされるようなメタルマスクを形成するこ
とにより、銅箔ランド部以外でのスパッタリングを防止
し、基板材料などから発生する酸素などの不純物の飛散
を防止し、銅箔ランド表面の再酸化を起こさないように
して清浄活性化を行うことができる。
【図１】本発明の実施例１の基板処理装置の構成図
【図
２】本発明の実施例２の基板の装着状態を示す図
２】本発明の実施例２の基板の装着状態を示す図
【図３
】従来の基板処理装置の構成図
】従来の基板処理装置の構成図
【図４】同基板の装着状態を示す図
【符号の説明】
１ 真空槽
２ 排気口
３ アルゴンガス導入口
４ 高周波電源
５ 上部電極
６ 下部電極
７ 配線基板
８ シャッター
９ 還元性ガス導入口
１０ 銅箔ランド
１２ メタルマスク
Claims (2)
- 【請求項１】高周波電源からの高周波電圧を、真空容器
内に配された回路パターニングを施された基板に印加し
て、前記基板の銅箔ランド表面の自然酸化膜を除去する
スパッタリング装置において、スパッタリング用アルゴ
ンガスとともに還元性ガスを前記スパッタリング装置内
に導入する配線基板の表面処理方法。 - 【請求項２】高周波電源からの高周波電圧を、真空槽内
に配設された回路パターニングを施された配線基板に印
加し、前記配線基板の銅箔ランド表面の自然酸化膜を除
去するスパッタリング装置において、配線基板表面をメ
タルマスクで覆い、自然酸化膜の除去が必要な場所のみ
をスパッタリングする配線基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020745A JPH04259218A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 配線基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020745A JPH04259218A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 配線基板の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259218A true JPH04259218A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12035730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020745A Pending JPH04259218A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 配線基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849779A3 (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Process for forming a semiconductor structure comprising ion cleaning and depositing steps and integrated cluster tool for performiong the process |
| US6589865B2 (en) | 1995-12-12 | 2003-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Low pressure, low temperature, semiconductor gap filling process |
| JP2010507237A (ja) * | 2006-10-12 | 2010-03-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
| CN101974298A (zh) * | 2010-11-11 | 2011-02-16 | 复旦大学 | 用氩等离子体处理金属表面方法 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3020745A patent/JPH04259218A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6589865B2 (en) | 1995-12-12 | 2003-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Low pressure, low temperature, semiconductor gap filling process |
| EP0849779A3 (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Process for forming a semiconductor structure comprising ion cleaning and depositing steps and integrated cluster tool for performiong the process |
| JP2010507237A (ja) * | 2006-10-12 | 2010-03-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
| JP2012142584A (ja) * | 2006-10-12 | 2012-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 |
| CN101974298A (zh) * | 2010-11-11 | 2011-02-16 | 复旦大学 | 用氩等离子体处理金属表面方法 |
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