JPH0264910A - 薄膜滋気ヘッド久びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に使用さ
れる誘電型薄膜磁気ヘッドに係わり、特に集積化薄膜技
術を用いて作製されるコイル及びその製造方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

近年磁気記録の分野にお、いては、高記録密度化が増々
進み記録媒体と共に磁気記録を支える磁気ヘッドにおい
ても、従来のフェライトヘッドに替わり、集積化薄膜技
術を用いて製造される薄膜磁気ヘッドが実用化されてき
た。この薄膜磁気ヘッドは、周波数特性が優れており、
半導体テクノロジーに基づく製造プロセスが適用される
ので、高精度の高記録密度用磁気ヘッドを低価格に製造
することが可能となり、今後の磁気ヘッドの主流となり
つつある。

第６図はこの様な薄膜磁気ヘッドの製造を示す概略断面
図である。第６図において、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等のセ
ラミック基板１０上にＡｌ２Ｏ３等の絶縁層１２がスパ
ッタリング法等に依って成膜されている。ついで、Ｎｌ
ｃｅ合金やＣｏ−金属系非晶質材料（例えばＣｏＺｒＮ
ｂ）等の軟磁性体よりなる下部磁性体層１３が集積化薄
膜技術を用いて形成される。

その後、所定のギャップ長に等しい膜厚を有する絶縁層
１４が形成される。ついで、前記下部磁性体層１３の段
差解消層となる有機物ＩＪ１５が形成され、導電性材料
よりなるコイル１６が形成される。その後、コイル１６
の段差解消層となる有機物層１７が再度形成される０次
にＮｉＦｅ合金やＣｏ−金属系非晶質材料（例えばＣｏ
ＺｒＮｂ）等の軟磁性体よりなる上部磁性体Ｊ’ｌ１８
が、下部磁性体層１３同様にして形成され、絶縁物から
なる保護層（図示せず）が成膜されて薄膜磁気ヘッドの
トランスデユーサ−が完成される。

上述した薄膜磁気ヘッドのコイル１６には通常電気メッ
キによるＣｕ膜が用いられ、その概略断面構造は第２図
に示したようなものである。つまり、コイル１６はｅｒ
層１とＣｕ層２の積層体からなるメッキ下地層とＣｕメ
ッキ層３の積層構造となっている。この様な従来のコイ
ルの製造過程を第５図に示す、第５図（ａ＞において下
地体１１上にスパッタリング法によってＣｒ層１とＣｕ
層２の積層体を成膜しメッキ下地層を形成する。ついで
、第５図（ｂ）に示したように所定形状のフォトレジス
トパターン（以下、ＰＲパターンと略記する）４を公知
の露光・現像技術を用いて形成する。その後、第５図（
ｃ）に示したように硫酸銅を主成分とするメッキ洛中に
おいてＣｕを析出させ、Ｃｕメッキ層３を形成する。つ
いで、ＰＲパターン４を剥離しく第５図（ｄ））、第５
図（ｅ）に示したように、＾ｒガス雰囲気中でのイオン
エツチングにより、ＰＲパターン４で被覆されていたメ
ッキ下地層の一部が除去されてコイルが形成される。

尚、第５図（ｅ）でも明らかなとおり、このメッキ下地
層の除去工程ではＣｕメッキ層３もイオンエツチングさ
れるため、Ｃｕメッキ層３の厚みはメッキ下地層を除去
する時間分だけ減少する。

ところで、近年の高記録密度化の流れを反映し、媒体上
に記録された情報からの漏洩磁界は増々微小なものとな
ってきており、ヘッドの再生出力の低下が懸念されてい
る。誘導型薄膜磁気ヘッドの再生出力はコイルの巻数に
ほぼ比例することから、コイル間隔を出来るだけ狭めて
稠密なコイルを形成し、コイル巻数を増加させることが
、この再生出力低下を補うひとつの有力な手段と考えら
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら前述した従来の構造や製法によって、コイ
ル巻数を増加させる際には以下に述べる如き問題点があ
った。すなわち、稠密なコイルにおいては、当然のこと
ながらコイル間隔は従来のコイル間隔（４μｍ程度）に
比較して狭く、約２μｍ程度以下が普通である。一方、
コイル厚み（メッキ下地層とＣｕメッキ層３の膜厚の和
）も現状では３μｍ前後の値であるが、コイル巻数の増
加によるコイル抵抗値の増大の影響を軽減するため、よ
り厚く（例えば、４μｍ以上）する必要がある。この様
なコイル間隔が狭くコイル厚が厚い稠密なコイルでは第
５図（ｅ）に示す工程において、・イオンエツチングに
よりＰＲパターン４で被覆されていたメッキ下地層の一
部を除去する際、コイル間隔の広い従来のコイルを形成
する場合に比較して、メッキ下地層除去工程に要する時
間が大幅に増大する。これは、コイル間隔が狭くコイル
厚が大きなため、除去されるべきメッキ下地層がコイル
上面（第２図中矢印Ａで示した箇所）から深い位置にあ
ることになり、＾「粒子がメッキ下地層に到達する頻度
が低下すること、Ａｒ粒子によりたたき出されたメッキ
下地がコイルの側面に再付着するなどしてコイルとコイ
ルの間隔から容易に離脱しないこと等により、コイルと
コイルとに挟まれた部分での実効的なエツチング速度が
低下することが原因と考えられ、必然的に生じる現象で
ある。この様に稠密なコイルのメッキ下地層除去工程に
おいては、その工程完了に多大の時間を要するため、結
果としてコイル上面が長時間にわたりイオンエツチング
され、コイル厚が大幅に減少する。従って、コイル厚を
厚くし巻数増加によるコイル抵抗値の増大を抑制すると
いう効果が十分得られず問題となっていた。このことは
、コイル厚が厚いほど、又コイル間隔が狭いほど著しく
、ヘッド製造工程において大きな問題となっていた。

本発明は以上述べてきた薄膜磁気ヘッドのコイル形成工
程における問題点を解決することを目的とするものであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、軟磁性材料よりなる磁気回路、前記磁
気回路中に形成された非磁性材料よりなる磁気間隙（磁
気ギャップ）、及び前記磁気回路に叉交するように形成
された導体薄膜よりなるコイルからなる誘導型薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記コイルがメッキ下地層、Ｃｕメッ
キ層、及びＣｒ、　Ｔｉないしはこれらを主成分とする
合金からなる金属層をこの順序で成膜した積層体からな
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドが得られる。ここで
、金属層はメッキ法あるいは蒸着法ないしはスパッタリ
ング法を用いて形成される。

〔作用〕

本発明は上述の構成をとることにより従来の問題点を解
決した薄膜磁気ヘッドの提供を可能とした。すなわち、
Ｃｕメッキ層上にイオンエツチング速度の小さい金属層
をｆｊ［することにより、メッキ下地層除去工程でのイ
オンエツチング時にＣｕメッキ層を保護して、前記Ｃｕ
メッキ層がエツチングされることを防止する。従って、
原理的にＣｕメッキ層の厚みが減少することは起こり得
ない。

例えば、メッキ下地層除去工程に２５分間を要する場合
には、Ｃ「のイオンエツチング速度が８０人／分（后ガ
ス圧力Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧５００Ｖ）
であることから、少なくとも約２０００人の厚さのＣｒ
層をＣｕメッキ層上に積層させた構造とすることにより
、Ｃｕメッキ層がイオンエツチングされることをぼぼ完
全に防止できる。一方、従来のコイルではＣｕのイオン
エツチング速度が約２０００人分（イオンエツチング条
件はＣｒの場合と同一）であり、Ｃｕメッキ層が直接Ａ
ｒ粒子にさらされるため、約１，２５μｍｃＵメッキ層
がイオンエ・ツチングされ、コイル抵抗値がこの分だけ
増加する。

尚、メッキ下地層除去工程に更に長い時間を要する場合
には、便宜金属層の膜厚を厚くすれば良い 〔実施例〕 次に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。尚、既に
述べた通り本発明は誘電型薄膜磁気ヘッドのコイル構造
に特徴があるものであり、本発明による薄膜磁気ヘッド
の概略構造は第６図に示した従来の薄膜磁気ヘッドの構
造と大差がないため、以下の実施例においてはコイル部
以外はこの第６図を用いて説明する。

実施例１ 第６図において、＾！２０３−Ｔｉｃセラミック基板１
０上にＡ１□０３膜からなる絶縁層１２をスパッタリン
グ法（投入型カニ６００Ｗ、Ａｒガス圧カニ５　Ｘ　１
０−９Ｔｏｒｒ）で膜厚１０μｍ成膜した。ついで、膜
厚３μｍのＣＯａ７２ｒ５Ｎｂｇ膜をスパッタリング技
術を用いて下部磁性体層１３を形成した。尚、ＣｏＢ７
Ｚｒ５Ｎｂｇ膜の成膜条件は、投入型カニ６００ＷＡｒ
ガス圧カニ　５　Ｘ　１０　””３Ｔｏｒｒであり、成
膜後４８００ｅの回転磁界中で２５０℃１時間アニール
して磁気特性を改善した。

その後、所定のギャップ長に等しい膜厚（０，２μｍ）
を有するＡｌ２Ｏ３膜をスパッタリングにより成膜（投
入型カニ３００Ｗ、Ａｒガス圧カニ５×１０−’　Ｔｏ
ｒｒ　）　Ｌ絶縁層１４とした。ついで、前記下部磁性
体層１３上に、ノボラック系樹脂からなるフォトレジス
トを厚み４μｍ塗布し、２５０℃１時間の熱処理をして
硬化させ、下部磁性体層１３の段差解消層となる有機物
層１５を形成し、その後コイル１６を形成した。

以下、コイル１６の製法及び構造について第３図、第１
図を用いて詳細に説明する。第３図において下地体１１
（本実施例ては有機物層１５に相当する）上にスパッタ
リング法を用いて０１層１（膜厚３０人）とＣｕ層２（
膜厚２０００人）の積層膜よりなるメッキ下地層を形成
した（第３図（ａ））、ついで、公知のフォトリソグラ
フィー技術を用いてメッキフレームとなるＰＲパターン
４を形成した（第３図（ｂ））、用いたフォトレジスト
は、市販のノボラック樹脂系レジストである。又、ＰＲ
パターン４の膜厚は６μｍ、パターン幅は１．５μｍ、
パターン間隔は３μｍとした。

尚、ＰＲパターン４のパターン幅が１．５μｍであるか
ら、コイル間隔は１．５μｍである。その後、硫酸銅洛
中でＣｕを電気メッキしＣｕメッキ層３を形成した（第
３図（Ｃ））。ここで、メッキ電流密度は９．５Ａ／ｃ
ｍ２であり、Ｃｕメッキ層３の膜厚は５μｍとした。つ
いで、無水クロム酸と硫酸との混合液を用いたＣ「メッ
キ浴（サージェント浴）を用いて、膜厚２５００人のＣ
「からなる金属層５をＣｕメッキ層３上に形成した（第
３図（ｄ））。この時のメッキ電流密度は０．４Ａ／ｃ
ｍ２とした。次に、ＰＲパターン４を有機溶媒中で剥離
した（第３図（ｅ））、最後にＡｒ雰囲気中のイオンエ
ツチングで不要なメッキ下地層を除去しく第３図（ｆ）
）、コイル１６を形成した。尚、イオンエツチングの条
件はＡｒガス圧力Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧
５００ｖである。又、このメッキ下地層除去工程に要し
た時間は約２５分間であったが、この間Ｃ「からなる金
属層５はイオンエツチング速度が８０人／分であるから
、膜厚２５００人のうち２０００人エツチングされたが
Ｃｕメッキ層３は全くイオンエツチングされなかった。

この様にして形成したコイルの概略構造は第１図に示し
たようにメッキ下地層（０１層１とＣｕ層２の積層膜）
　、Ｃｕメッキ層３及びＣｒメッキ膜からなる金属Ｍ５
とが、この順序で積層された構造を有している。

以上の様にしてコイル１６を形成した後、コイル１６の
段差解消層となるフォトレジスト層１７を前述したフォ
トレジスト層１５と同様にして形成した０次に、膜厚３
μｍのＣｏＢ７１ｒｇＮｂＢ膜よりなる上部磁性体層１
８を、下部磁性体層１３同様にした。最後に、Ａｌ２Ｏ
３膜からなる保護膜（図示せず、膜厚的２５μｍ）をス
パッタリング法で成膜した。成膜条件は、投入型カニ８
００Ｗ、Ａｒガス圧カニ　５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒで
ある。

以上の様にして作製した本実施例の薄膜磁気ヘッドにお
いては、前述した様にメッキ下地層のイオンエツチング
による除去工程時に、Ｃ「メッキ膜がＣｕメッキ層を保
護するため、コイル間隔１．５μｍと狭く、コイル厚み
が約５μｍと厚いのにもかかわらず、Ｃｕメッキ層は全
くエツチングされなかった。従って、コイル厚が減少し
、コイル抵抗値が増大してしまうという従来の問題点は
起こらなかった。

実施例２ 実施例１と同様にしてＡｌ２０３−Ｔｉｃセラミック基
板１０上に、膜厚１０μｍのＡｌ２Ｏ，膜からなる絶縁
層１２を成膜した。ついで、膜厚３μｍのＣｏＢ７１ｒ
、ＮｂＢ膜をスパッタリング法を用いて成膜し、公知の
フォトリソグラフィー技術を用いて下部磁性体Ｍ１３を
形成した。尚、Ｃｏｇ７Ｚｒ５Ｎｂ３膜の成膜条件及び
アニールは実施例１と同様とした。

その後、所定のギャップ長に等しい膜厚（０，２μｍ）
を有するＡｌ２Ｏ３膜をスパッタリングで成膜し絶縁層
１４とした。成膜条件は実施例１と同様とした。次に、
実施例１と同様にフォトレジスト（膜厚４μｍ）からな
る有機物Ｎ１５を形成し、ついでコイル１６を形成した
。

以下、コイル１６の製造及び構造について第４図、第１
図を用いて詳細に説明する。第４図において下地体１１
（本実施例では有機物層１５に相当する）上にスパッタ
リング法を用いてＣｒＪｌｌ（膜厚３０人）とＣｕ層２
（膜厚２０００人）の積層膜よりなるメッキ下地層を形
成した（第４図（ａ））。ついで、公知のフォトリソグ
ラフィー技術を用いてメッキフレームとなるＰＲパター
ン４を形成した（第４図（ｂ））。用いたフォトレジス
トは、市販のノボラック樹脂系レジストである。又、Ｐ
Ｒパターン４の膜厚は６μｍ、パターン幅は１．５μｍ
、パターン間隔は３μｍとした。

尚、ＰＲパターン４のパターン幅が１．５μｍであるか
ら、コイル間隔は１．５μｍである。その後、硫酸銅洛
中でＣｕを電気メッキしＣｕメッキ層３を形成しな（第
４図（ｃ））、ここで、メッキ電流密度は０．５Ａ／Ｃ
１２であり、Ｃｕメッキ層３の膜厚は５μｍとした。つ
いで、電子ビームを用いた蒸着法により膜厚２５００人
のＣｒからなる金属層５をＣｕメッキ層３上に形成した
（第４図（ｄ））。この時の電子銃のエミッション電流
は６０ｍＡとした。次に、ＰＲパターン４を有機溶媒中
で剥離し、同時にＰＲパターン４上に堆積した不要なＣ
ｒ膜を除去したく第４図（ｅ））。最後に后雰囲気中の
イオンエツチングで不要なメッキ下地層を除去しく第４
図（ｆ））、コイル１６を形成しな。

尚、イオンエツチングの条件はＡｒガス圧力１×１０−
’Ｔｏｒｒ、加速電圧５００Ｖである。又、このメッキ
下地層除去工程に要した時間は約２５分間であったが、
この間Ｃｒからなる金属層５はイオンエツチング速度が
８０人／分であるから、膜厚２５００人のうち２０００
人エツチングされたが、ＣｕメッキＭ３は全くイオンエ
ツチングされなかった。この様にして形成したコイルの
概略構造は第１図に示したようにメッキ下地層（Ｃｒ膜
１とＣｕ層２の積層膜）、Ｃｕメッキ層３及びＣｒ蒸着
膜からなる金属Ｍ５とがこの順序で積層された構造を有
している。

以上の様にしてコイル１６を形成した後、コイル１６の
段差解消層となるフォトレジスト層１７及びＣｏＢ７Ｚ
ｒ５ＮｂＢ膜よりなる上部磁性体層１８を、実施例１と
同様にして形成した。最後に、Ａｌ２Ｏ３膜からなる保
護膜（図示せず。膜厚的２５μｍ）をスパッタリング法
で成膜した。この場合の成膜条件も実施例１と同様であ
る。

以上の様にして作製した本実施例の薄膜磁気ヘッドにお
いても、実施例１と同様にメッキ下地層のイオンエツチ
ングによる除去工程時に、Ｃｒ蒸着膜がＣｕメッキ層を
保護するため、コイル間隔１．５μｍと狭く、コイル厚
みが約５μｍと厚いのにもかかわらず、Ｃｏメッキ層は
全くエツチングされなかった。従って、コイル厚が減少
し、コイル抵抗値が増大してしまうという従来の問題点
は起こらなかった。尚、ＰＲパターン４の剥離の際く第
４図（ｅ）の工程）に、ＰＲパターン４上のＣｒ膜が容
易に除去されるように、ＰＲパターン形成工程（第４図
（ｂ）の工程）においては、ＰＲパターン４の断面形状
をステンシル形状とすることが望ましい。

実施例３ 実施例１あるいは実施例２と同様にして＾１２０３−Ｔ
ｉＣセラミック基板１０上に、絶縁層１２、下部磁性体
層１３、ギャップとなる絶縁層１４及び有機物ＪｆＷ１
５を形成し、その後コイル１６を形成した。コイル１６
の形成は実施例２と全く同じ工程により形成したが、本
実施例においては金属層５の材料をＴｉとした。本実施
例においてもメッキ下地層除去工程に約２５分間の時間
を要したが、Ｔｉ膜のイオンエツチング速度は５０人／
分であるから、金属層５は初期膜厚２５００人のうち１
２５０人エツチングされたが、Ｃｕメッキ層３は全くイ
オンエツチングされなかった。この様にして形成したコ
イルの概略構造は第１図に示したようにメッキ下地層（
０１層１とＣｕＮ２の積層膜）　、Ｃｕメッキ層３及び
Ｔｉ蒸着膜からなる金属層５とが、この順序で積層され
た構造を有している。

以上の様にしてコイル１６を形成した後、コイル１６の
段差解消層となるフォトレジスト層１７及びＣｏＢ７Ｚ
ｒ５Ｎｂｇ膜よりなる上部磁性体層１８を、実施例１あ
るいは実施例２と同様にして形成した。最後に、Ａｌ２
Ｏ３膜からなる保護膜（図示せず。膜厚的２５μｍ）を
スパッタ法で成膜した。

この場合の成膜条件も実施例１あるいは実施例２と同様
である。

以上の様にして作製した本実施例の薄膜磁気ヘッドにお
いても、実施例１あるいは実施例２と同様にメッキ下地
層のイオンエツチングによる除去工程時に、Ｔｉ蒸着膜
がＣｕメッキ層を保護するため、コイル間隔１．５μｍ
と狭く、コイル厚みが約５μｍと厚いのにもかかわらず
、Ｃｕメッキ層は全くエツチングされなかった。従って
、コイル厚が減少し、コイル抵抗値が増大してしまうと
いう従来の問題点は起こらなかった。尚、本実施例にお
いても実施例２と同様に、ＰＲパターン４上のＴｉ膜が
容易に除去されるように、ＰＲパターン４の断面形状を
ステンシル形状とすることが望ましい。

比較例 実施例１，２あるいは３と同様にしてＡｌ２Ｏ３−Ｔｉ
Ｃセラミック基板１０上に、絶縁層１２、下部磁性体層
１３、ギャップとなる絶縁層１４及び有機物ｉ１５を形
成し、その後コイル１６を形成した。コイル１６の形成
には第５図に示した従来のコイル形成方法をもちいた。

すなわち、第５図において下地体１１（本例では第６図
の有機物層１５に相当する）上にスパッタリング法を用
いて０１層１（膜厚３０人）とＣｕ層２（膜厚２０００
人）の積層膜よりなるメッキ下地層を形成した（第５図
（ａ））。ついで、公知のフォトリソグラフィー技術を
用いてメッキフレームとなるＰＲパターン４を形成した
（第５図（ｂ））。用いたフォトレジストは、市販のノ
ボラック樹脂系レジストである。又、ＰＲパターン４は
実施例１，２あるいは３と同様に膜厚は６μｍ、パター
ン幅は１．５μｍ、パターン間隔は３μｍとした。尚、
ＰＲパターン４のパターン幅が１．５μｍであるから、
コイル間隔は１．５μｍである。その後、硫酸銅洛中で
Ｃｕを電気メッキしＣｕメッキ層３を形成したく第５図
（Ｃ））。ここで、メッキ電流密度は０．５Ａ／ｃｍ２
であり、Ｃｕメッキ層３の膜厚は５μｍとした。次に、
ＰＲパターン４を有機溶媒中で剥離した（第３図（ｄ）
）。最後にＡｒ雰囲気中のイオンエツチングで不要なメ
ッキ下地層を除去しく第３図（ｅ））、コイル１６を形
成した。

尚、イオンエツチングの条件はＡｒガス圧力１×１０−
’Ｔｏｒｒ、加速電圧５００Ｖである。このメッキ下地
層除去工程に要した時間は約２５分間であったが、上述
のイオンエツチング条件下ではＣｕのイオンエツチング
速度は６００人／分であるから、この間Ｃｕメッキ層３
は１．５μｍエツチングされた。

以上の様にしてコイル１６を形成した後、コイル１６の
段差解消層となるフォトレジスト層１７及びＣｏＢ７２
ｒ５Ｎｂ６膜よりなる上部磁性体層１８を、実施例１，
２あるいは３と同様にして形成した。

最後に、Ａｌ２Ｏ，膜からなる保護膜（図示せず。膜厚
的２５μｍ）をスパッタリング法で成膜した。

この場合の成膜条件も実施例１，２あるいは３と同様で
ある。

以上の様にして作製した本比較例の薄膜磁気ヘッドにお
いては、前述した様にイオンエツチングによるメッキ下
地層除去工程において１．５μｍの厚みのＣｕがエツチ
ングされ、Ｃｕメッキ層３の膜厚が大きく減少した。こ
の為、本来実施例１，２あるいは３で言及した薄膜磁気
ヘッドのコイルと、殆んど同じコイル抵抗値を有するは
ずであったが、約３０％以上大きなコイル抵抗値を示し
た。

〔発明の効果〕

以上述べてきた様に、本発明によればコイル間隔が狭く
、コイル厚が大きな稠密コイルを有する薄膜磁気ヘッド
であっても、そのコイル形成プロセス中のメッキ下地層
除去工程のイオンエツチング時に、コイル上面が長時間
にわたりイオンエツチングされてもＣｒ、Ｔｉ等のイオ
ンエツチング速度の小さな金属層がＣｕメッキ層を保護
するため、コイル厚が減少することは起こり得ない。従
って、コイル厚を厚くし巻数増加に伴うコイル抵抗値の
増大を抑制するという効果が十分に発揮される。

以上述べてきたように１３本発明によれば、巻数の多い
稠密なコイルをもつ薄膜磁気ヘッドのコイル形成工程に
おける問題点を解決することが可能となり、その工業的
価値は高いと考えられる。

尚、以上の説明においてはＣｒ、Ｔｉの単体のみを用い
た例についてのみ言及したが、これらを主成分とする合
金もイオンエツチング速度が小さいので利用できる。こ
の他イオンエツチング速度がＣｕよりも小さな材料であ
ればどのようなものを用いても良い。

又、実施例においては磁気回路が全て軟磁性薄膜より形
成された例についてのみ言及したが、フェライト基板を
使用するなど磁気回路の一部がバルク材料で形成された
磁気ヘッドにおいても、本発明の意図するところは損な
われないことは当然である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図、第４図は本発明を説明するための図で
あり、第２図、第５図は従来技術を説明するための図で
ある。又、第６図は本発明に係わる誘導型薄膜磁気ヘッ
ドの製造を示す概略断面図である。 １・・・ＣｒｒＦ４．２・・・Ｃｕ層、３・・・Ｃｕメ
ッキ層、４・・・ＰＲパターン、５・・・金属層、１０
・・・基板、１１・・・下地体、１２．１４・・・絶縁
層、１３・・・下部磁性体層、１５．１７・・・有機物
層、１６・・・コイル、１８・・・上部磁性体層。 代理人　弁理士　　内　原　　晋 夷　　２　　図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性材料よりなる磁気回路、前記磁気回路中に形
   成された非磁性材料よりなる磁気間隙（磁気ギャップ）
   、及び前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄
   膜よりなるコイルからなる誘電型薄膜磁気ヘッドにおい
   て、前記コイルがメッキ下地層、Ｃｕメッキ層、及びＣ
   ｒ、Ｔｉないしはこれらを主成分とする合金からなる金
   属層をこの順序で成膜した積層体からなることを特徴と
   する薄膜磁気ヘッド。
2. （２）基板上に絶縁層、下部磁性体層、絶縁層、有機物
   質、コイル、有機物質、上部磁性体層を順次形成する工
   程を具備した誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法において
   、メッキ下地層を成膜する工程、前記メッキ下地層上に
   所定形状のフォトレジストパターンを形成する工程、メ
   ッキ浴中でＣｕメッキ層を析出させる工程、前記Ｃｕメ
   ッキ層上にＣｒメッキ層を成膜する工程、前記フォトレ
   ジストパターンを剥離する工程、Ａｒ雰囲気中で不用な
   メッキ下地層をイオンエッチングする工程をこの順序で
   含むコイル製造工程を具備したことを特徴とする薄膜磁
   気ヘッドの製造方法。
3. （３）基板上に、絶縁層、下部磁性体層、絶縁層、有機
   物質、コイル、有機物質、上部磁性体層を順次積層する
   工程を具備した誘電型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
   て、メッキ下地層を成膜する工程、前記メッキ下地層上
   に所定形状のフォトレジストパターンを形成する工程、
   メッキ浴中でＣｕメッキ層を析出させる工程、前記Ｃｕ
   メッキ層上にＣｒ層ないしはＴｉ層を蒸着法ないしはス
   パッタリング法を用いて成膜する工程、前記フォトレジ
   ストパターンを剥離する工程、Ａｒ雰囲気中で不用なメ
   ッキ下地層をイオンエッチングする工程をこの順序で含
   むコイル製造工程を具備したことを特徴とする薄膜磁気
   ヘッドの製造方法。