JPS6045918A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6045918A JPS6045918A JP15354983A JP15354983A JPS6045918A JP S6045918 A JPS6045918 A JP S6045918A JP 15354983 A JP15354983 A JP 15354983A JP 15354983 A JP15354983 A JP 15354983A JP S6045918 A JPS6045918 A JP S6045918A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- layer
- film
- upper magnetic
- resist mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１Ｍ） 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に薄膜磁
気ヘッドを構成する上部磁性層の形成方法の改良に関す
るものである。
気ヘッドを構成する上部磁性層の形成方法の改良に関す
るものである。
伽） 技術の背景
磁気ヘッドの高記録密度化、高能率化のために、その形
状寸法は益々小形化、゛高精度化の傾向にあり、これに
加えて量産性、低価格な磁気ヘッドが要望されている。
状寸法は益々小形化、゛高精度化の傾向にあり、これに
加えて量産性、低価格な磁気ヘッドが要望されている。
このような条件を満たす磁気ヘッドとして、記録に寄与
するヘッド磁界分布が急峻で高密度な記録ができ、一括
生産に依って低価格化と特性の均一化が図れる小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、種々のタイプのも
のが提案されている。
するヘッド磁界分布が急峻で高密度な記録ができ、一括
生産に依って低価格化と特性の均一化が図れる小型な薄
膜磁気ヘッドが実用化されつつあり、種々のタイプのも
のが提案されている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
ところで上記した従来の薄膜磁気ヘソＦ′は、第１図の
上面図、及び第１図に示すｎ−ｎ ’切断線に沿った第
２図の要部断面図に示すように、例えば結晶化ガラス等
から成る基板ｌ上に、パーマロイ（Ｎｉ−１’ｅ合金）
から成る下部磁性層２をスバノクリング法、又は蒸着法
等により被着した後、所定パターンにフォトリソ法を用
いて形成し、その゛下部磁性層２の上面に５ｉ０２等の
ギャップ形成膜３′を含む絶縁層３を被着形成する。次
いでその表面にＣｕ等の導体をスパッタリング法、又は
蒸着法等により被着した後、フォトリソ法によって薄膜
コイル４を形成する。次に該薄膜コイル４を含む絶縁層
３上に、絶縁層５、及び上部磁性層６を図示のように順
に積層形成し、更に該上部磁性層６をフォトリソ法によ
って所定パターン形状にパターニングして前記下部磁性
層２と上部磁性ＩＷ６が磁気回路的にギャップ形成膜３
′を介してＵ字形に形成されている。
上面図、及び第１図に示すｎ−ｎ ’切断線に沿った第
２図の要部断面図に示すように、例えば結晶化ガラス等
から成る基板ｌ上に、パーマロイ（Ｎｉ−１’ｅ合金）
から成る下部磁性層２をスバノクリング法、又は蒸着法
等により被着した後、所定パターンにフォトリソ法を用
いて形成し、その゛下部磁性層２の上面に５ｉ０２等の
ギャップ形成膜３′を含む絶縁層３を被着形成する。次
いでその表面にＣｕ等の導体をスパッタリング法、又は
蒸着法等により被着した後、フォトリソ法によって薄膜
コイル４を形成する。次に該薄膜コイル４を含む絶縁層
３上に、絶縁層５、及び上部磁性層６を図示のように順
に積層形成し、更に該上部磁性層６をフォトリソ法によ
って所定パターン形状にパターニングして前記下部磁性
層２と上部磁性ＩＷ６が磁気回路的にギャップ形成膜３
′を介してＵ字形に形成されている。
ところがこのように薄膜によって形成された磁気ヘッド
にあっては、上部磁性層６の図中Ａ及びＢで示した段差
状部分の膜厚が他の部分、特に磁気記録媒体対向面部分
Ｃの膜厚よりも必然的に薄くなる不都合が生じ、磁気記
録・再生時に、特に前記上部磁性層６の段差部分Ａで磁
束がギャップ先端部に達する前に飽和して磁気抵抗が増
大し、その結果、磁気記録・再生効率が低下する欠点が
あった。
にあっては、上部磁性層６の図中Ａ及びＢで示した段差
状部分の膜厚が他の部分、特に磁気記録媒体対向面部分
Ｃの膜厚よりも必然的に薄くなる不都合が生じ、磁気記
録・再生時に、特に前記上部磁性層６の段差部分Ａで磁
束がギャップ先端部に達する前に飽和して磁気抵抗が増
大し、その結果、磁気記録・再生効率が低下する欠点が
あった。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点を除去するため、薄膜磁気ヘッ
ドを構成する上部磁性層の膜厚を、ギャップ先端部の所
定膜厚に対して他の部分の膜厚を厚く形成して、磁気記
録・再生効率を向上し得る新規な薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
ドを構成する上部磁性層の膜厚を、ギャップ先端部の所
定膜厚に対して他の部分の膜厚を厚く形成して、磁気記
録・再生効率を向上し得る新規な薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とするものである。
ｌｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上に下部磁性層
を所定パターンで被着形成した後、該下゛部磁性層上に
、ギャップ層、及び絶縁層を介してコイル導体層、絶縁
層、上部磁性層を順に積層形成し、更に該上部磁性層を
所定パターン形状にバターニングする薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記上部磁性層を形成した後、パタ
ーニングするに際し、該上部磁性層の先端部上にレジス
トマスク層を選択的に被着した後、該レジストマスク層
上を含む前記上部磁性層上に磁性層を被着形′成し、次
いで前記レジストマスク層上の上部磁性層を、該レジス
トマスク層を熔解除去することによって同時に除去した
後、前記下層の上部磁性層と上層の上部磁性層とを、−
挙に所定パターン形状にパターニングするようにしたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とによって達成される。
を所定パターンで被着形成した後、該下゛部磁性層上に
、ギャップ層、及び絶縁層を介してコイル導体層、絶縁
層、上部磁性層を順に積層形成し、更に該上部磁性層を
所定パターン形状にバターニングする薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記上部磁性層を形成した後、パタ
ーニングするに際し、該上部磁性層の先端部上にレジス
トマスク層を選択的に被着した後、該レジストマスク層
上を含む前記上部磁性層上に磁性層を被着形′成し、次
いで前記レジストマスク層上の上部磁性層を、該レジス
トマスク層を熔解除去することによって同時に除去した
後、前記下層の上部磁性層と上層の上部磁性層とを、−
挙に所定パターン形状にパターニングするようにしたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とによって達成される。
（ｆｌ 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３図乃至第８図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を、工程順に示す要部断面図である。
方法の一実施例を、工程順に示す要部断面図である。
まず第３図に示すように、ガラス、結晶化ガラス、セラ
ミック、アルミナ・チタン・カーバイド（＾１２０３
Ｔｉ−Ｃ）等からなるスライダを兼ねる基板１１上に、
Ｃｏ−Ｚｒ等のアモルファス、或いはパーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ ）等の多結晶からなる下部磁性層１２をスパッ
タリング法、蒸着法又はメッキ法等により被着した後、
所定パターンにフォトリソ法を用いて形成する。次いで
その下部磁性層１２の上面に、５ｔ０２、Ａ１２０ ａ
等から成るギャップ形成膜１３′を含む絶縁層１３を、
スパッタリング法等によって被着し、所定パターンにバ
ターニングする。次いでその表面にＣｕ又はＡｌ５Ａｕ
等の導体をスパッタリング法、又は蒸着法等により被着
した後、フォトリソ法によって薄膜、コイル１４を形成
する。
ミック、アルミナ・チタン・カーバイド（＾１２０３
Ｔｉ−Ｃ）等からなるスライダを兼ねる基板１１上に、
Ｃｏ−Ｚｒ等のアモルファス、或いはパーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ ）等の多結晶からなる下部磁性層１２をスパッ
タリング法、蒸着法又はメッキ法等により被着した後、
所定パターンにフォトリソ法を用いて形成する。次いで
その下部磁性層１２の上面に、５ｔ０２、Ａ１２０ ａ
等から成るギャップ形成膜１３′を含む絶縁層１３を、
スパッタリング法等によって被着し、所定パターンにバ
ターニングする。次いでその表面にＣｕ又はＡｌ５Ａｕ
等の導体をスパッタリング法、又は蒸着法等により被着
した後、フォトリソ法によって薄膜、コイル１４を形成
する。
しかる後、該薄膜コイル１４を含む絶縁層１３上に、更
に５ｔ（ｈ 、Ａ１２０ ａ等から成る絶縁［１５、及
びＣｏ−Ｚｒ等のアモルファス、或いはパーマロイ （
Ｎｉ−Ｆｅ ）等の多結晶からなる上部磁性層１６を、
スパッタリング法、又は蒸着法等により図示のように順
に積層形成する０次に該上部磁性層１６上に、例えば＾
２レジスト膜を塗着した後、ハードベータ処理を行い、
更にその上面にチタン（Ｔｉ）膜を被着し、該チタン膜
をＣＦ４ ＋０２ （１０％）の反応ガスを用いたプラ
ズマエツチングによって所定パターンにバターニングし
、該チタン膜パターン１７をマスクにして、引続き０２
ガスを用いたプラズマエツチングによって前記＾Ｚレジ
スト膜をパクー二ングして前記上部磁性層１６上のギャ
ップ先端部にレジストマスク１ｉ１１１Ｂを形成する。
に５ｔ（ｈ 、Ａ１２０ ａ等から成る絶縁［１５、及
びＣｏ−Ｚｒ等のアモルファス、或いはパーマロイ （
Ｎｉ−Ｆｅ ）等の多結晶からなる上部磁性層１６を、
スパッタリング法、又は蒸着法等により図示のように順
に積層形成する０次に該上部磁性層１６上に、例えば＾
２レジスト膜を塗着した後、ハードベータ処理を行い、
更にその上面にチタン（Ｔｉ）膜を被着し、該チタン膜
をＣＦ４ ＋０２ （１０％）の反応ガスを用いたプラ
ズマエツチングによって所定パターンにバターニングし
、該チタン膜パターン１７をマスクにして、引続き０２
ガスを用いたプラズマエツチングによって前記＾Ｚレジ
スト膜をパクー二ングして前記上部磁性層１６上のギャ
ップ先端部にレジストマスク１ｉ１１１Ｂを形成する。
次いで第４図に示すように、前記レジストマスク膜１８
を含む上部磁性層１６上に、Ｃｏ−Ｚｒ等のアモルファ
ス、或いはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ ） 等の多結晶か
ら成る第２の上部磁性層１９をスパッタリング法、又は
蒸着法等により被着形成する。そして第５図に示すよう
に、上記レジストマスク膜１８上の第２の上部磁性層１
９を、該レジストマスク膜１８を溶剤等で熔解除去する
ことによって同時に除去する。
を含む上部磁性層１６上に、Ｃｏ−Ｚｒ等のアモルファ
ス、或いはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ ） 等の多結晶か
ら成る第２の上部磁性層１９をスパッタリング法、又は
蒸着法等により被着形成する。そして第５図に示すよう
に、上記レジストマスク膜１８上の第２の上部磁性層１
９を、該レジストマスク膜１８を溶剤等で熔解除去する
ことによって同時に除去する。
しかる後第６図に示すように、前記上部磁性層１６及び
第２の上部磁性層１９の上面に、例えばチタン膜２０お
よびアルミニウム（＾ｌ）膜２１を被着形成し、まずア
ルミニウム（＾１） ＩＩ！２１を通常のフォトリソ法
によって所定パターンにパターニングする。
第２の上部磁性層１９の上面に、例えばチタン膜２０お
よびアルミニウム（＾ｌ）膜２１を被着形成し、まずア
ルミニウム（＾１） ＩＩ！２１を通常のフォトリソ法
によって所定パターンにパターニングする。
次いて該アルミニウム膜２１をマスクにして、露出した
前記チタン膜２０をＣＦ４ ＋０２ （１０％）の反応
ガスを用いたプラズマエツチングによってパターニング
する。そして上記アル走ニウム膜２１及びチタン膜２０
パターンをマスクにして、前記上部磁性層１６及び第２
の上部磁性層１９を一挙にイオンミリング法によって所
定形状にパターニングする。その後、前記アルミニウム
１ｉｉ２１を選択的に除去し、チタン１ｍ！２０パター
ンを保護！２２としてそのまま利用する。次いで第７図
に示すように下部磁性１１２て媒体対向面を形成すれば
、第８図に示すように上部磁性層１６の膜厚をギャップ
先端部の所定膜厚に対して他の部分の膜厚は勿論のこと
、特に段差部分の膜厚をより厚く形成できるので、従来
の如き磁束の飽和現象が解消し、磁気記録・再生効率の
よい薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
前記チタン膜２０をＣＦ４ ＋０２ （１０％）の反応
ガスを用いたプラズマエツチングによってパターニング
する。そして上記アル走ニウム膜２１及びチタン膜２０
パターンをマスクにして、前記上部磁性層１６及び第２
の上部磁性層１９を一挙にイオンミリング法によって所
定形状にパターニングする。その後、前記アルミニウム
１ｉｉ２１を選択的に除去し、チタン１ｍ！２０パター
ンを保護！２２としてそのまま利用する。次いで第７図
に示すように下部磁性１１２て媒体対向面を形成すれば
、第８図に示すように上部磁性層１６の膜厚をギャップ
先端部の所定膜厚に対して他の部分の膜厚は勿論のこと
、特に段差部分の膜厚をより厚く形成できるので、従来
の如き磁束の飽和現象が解消し、磁気記録・再生効率の
よい薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
（荀 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、上部磁性層１６の膜厚を、
ギャップ先端部の所定膜厚に対して他の部分の膜厚、特
に段差部分の膜厚をより厚く形成できるので、従来の如
き上部磁性層の段差部分での磁束密度の増大による飽和
現象が解消され、磁気記録・再生効率の優れた薄膜磁気
ヘッドを得ることが可能となる。よって各種ステップ型
の薄膜磁気ヘッドの製造に適用して極めて効果的である
。
ヘッドの製造方法によれば、上部磁性層１６の膜厚を、
ギャップ先端部の所定膜厚に対して他の部分の膜厚、特
に段差部分の膜厚をより厚く形成できるので、従来の如
き上部磁性層の段差部分での磁束密度の増大による飽和
現象が解消され、磁気記録・再生効率の優れた薄膜磁気
ヘッドを得ることが可能となる。よって各種ステップ型
の薄膜磁気ヘッドの製造に適用して極めて効果的である
。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する上
面図、第２図は第１図に示すト」′切断線に沿った断面
図、第３図乃至第８図は本発明に係るｌ！膜磁気ヘッド
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。 図面において、１１は基板、１２は下部磁性層、１３．
１５は絶縁層、１３′はギャップ形成膜、１４は薄膜コ
イル、１６は上部磁性層、１７はチタン膜パターン、１
８はレジストマスク膜、１９は第２の上部磁性層、２０
はチタン膜、２１はアルミニウム膜、２２は保護層を示
す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
面図、第２図は第１図に示すト」′切断線に沿った断面
図、第３図乃至第８図は本発明に係るｌ！膜磁気ヘッド
の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である
。 図面において、１１は基板、１２は下部磁性層、１３．
１５は絶縁層、１３′はギャップ形成膜、１４は薄膜コ
イル、１６は上部磁性層、１７はチタン膜パターン、１
８はレジストマスク膜、１９は第２の上部磁性層、２０
はチタン膜、２１はアルミニウム膜、２２は保護層を示
す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 基板上に下部磁性層を所定パターンで被着形成した後、
核子部磁性層上にギャップ層、及び絶縁層を介してコイ
ル導体層、絶縁層、上部磁性層を順に積層形成し、更に
該上部磁性層を所定パターン形状にバターニングする薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、前記上部磁性層を形
成した後、バターニングするに際し、該上部磁性層の先
端部上にレジストマスク層を選択的に被着した後、該レ
ジストマスク層上を含む前記上部磁性層上に磁性層を被
着形成し、次いで前記レジストマスク層上の上部磁性層
を、該レジストマスク層を溶解除去することによって同
時に除去した後、前記下層の上部磁性層と上層の上部磁
性層とを、−挙に所定パターン形状にバターニングする
ようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15354983A JPS6045918A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15354983A JPS6045918A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045918A true JPS6045918A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15564934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15354983A Pending JPS6045918A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US6760190B2 (en) | 1998-07-03 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head wherein one of multiple insulating layers determines a zero throat level position |
| USRE38585E1 (en) | 1999-01-08 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus using the same |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15354983A patent/JPS6045918A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278712A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US6760190B2 (en) | 1998-07-03 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head wherein one of multiple insulating layers determines a zero throat level position |
| USRE38585E1 (en) | 1999-01-08 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and magnetic disk apparatus using the same |
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