JPH0265129A - フイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
フイクロ波プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0265129A JPH0265129A JP21500788A JP21500788A JPH0265129A JP H0265129 A JPH0265129 A JP H0265129A JP 21500788 A JP21500788 A JP 21500788A JP 21500788 A JP21500788 A JP 21500788A JP H0265129 A JPH0265129 A JP H0265129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge tube
- cylindrical member
- plasma processing
- microwave plasma
- processing equipment
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に係り、特に放
電管を有するマイクロ波プラズマ処理装置に関するもの
である。
電管を有するマイクロ波プラズマ処理装置に関するもの
である。
放電管を有するマイクロ波プラズマ処理装置としては、
例えば、特開昭６１−１３６２５号公報に記載のような
ものが知られている。
例えば、特開昭６１−１３６２５号公報に記載のような
ものが知られている。
上記従来技術で、放電管は、一体構造のものが使用され
ており、放電管の価格が高（なり装置価格が増大すると
いった問題がある。
ており、放電管の価格が高（なり装置価格が増大すると
いった問題がある。
また、放電管は、使用により消耗される、つまり、交換
を要するものであり、放電管高価によるメンテナンス費
が増大するといった問題がある。
を要するものであり、放電管高価によるメンテナンス費
が増大するといった問題がある。
さらに、放電管の使用による消耗は部分的であるが、こ
のような部分的な消耗によっても放電管全体を交換する
必要があり、メンテナンス費が一＆）増大するといった
問題がある。
のような部分的な消耗によっても放電管全体を交換する
必要があり、メンテナンス費が一＆）増大するといった
問題がある。
本発明の目的は、装置価格の増大およびメンテナンス費
の増大を抑制できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供
することにある。
の増大を抑制できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供
することにある。
上記目的は、放電管と、該放電管内に磁場を生成する手
段と、財記数電管内にマイクロ波電界を生成する手段と
を有するマイクロ波プラズマ処理装置において、ｌ１ｆ
ｆ記放１！管を筒状部材と該筒状部材の蓋部材とで分割
構成したことにより、達成される。
段と、財記数電管内にマイクロ波電界を生成する手段と
を有するマイクロ波プラズマ処理装置において、ｌ１ｆ
ｆ記放１！管を筒状部材と該筒状部材の蓋部材とで分割
構成したことにより、達成される。
放電管は、筒状部材と該筒状部材の蓋部材とで分割構成
される。
される。
このように、放電管を分割構造とした場合、従来の一体
構造のものに比べ、製作が容易なため、放電管価格が安
価となる。また、これにより、メンテナンス費の増大を
抑制できる。さらに、各部材の内で、消耗されている部
材のみを交換すれば良く、全体を交換する必要がなくな
るため、メンテナンス費の増大を一層抑制できる。
構造のものに比べ、製作が容易なため、放電管価格が安
価となる。また、これにより、メンテナンス費の増大を
抑制できる。さらに、各部材の内で、消耗されている部
材のみを交換すれば良く、全体を交換する必要がなくな
るため、メンテナンス費の増大を一層抑制できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、放電管１０の外側には、導波清濁が略同心状
に設けられている。導波清濁のマイクロ波導入口には、
導波管２１が連結されている。導波管２１には、マイク
ロ波発振手段であるマグネトロン（９）が設けられてい
る。導波管加の外側には、磁場生成手段であるコイル伯
が３ｊｌ装されている。
に設けられている。導波清濁のマイクロ波導入口には、
導波管２１が連結されている。導波管２１には、マイク
ロ波発振手段であるマグネトロン（９）が設けられてい
る。導波管加の外側には、磁場生成手段であるコイル伯
が３ｊｌ装されている。
放電管ｌＯは、筒状部材１１と該筒状部材１１の蓋部材
化とで分割構成されている。筒状部材１１は、例えば、
同筒形状であり、蓋部材しは、円板形である。筒状部材
１１と蓋部材１２は、石英等の実見絶縁材料で形成され
ている。
化とで分割構成されている。筒状部材１１は、例えば、
同筒形状であり、蓋部材しは、円板形である。筒状部材
１１と蓋部材１２は、石英等の実見絶縁材料で形成され
ている。
この場合、筒状部材１１の底部は、容器間の開口５１を
有する頂壁に開口５１を介して容器閣内と連通して気密
に設けられている。蓋部材１２は、筒状部材１１の頂部
に気密に脱着可能に設けられている。
有する頂壁に開口５１を介して容器閣内と連通して気密
に設けられている。蓋部材１２は、筒状部材１１の頂部
に気密に脱着可能に設けられている。
容器閣内および容器閣内と関口５１を介して連通する放
電管１０内は、真空排気装置ｄ６ｏにより減圧排気され
る。また、放電管１０内には、処理ガスが導入される。
電管１０内は、真空排気装置ｄ６ｏにより減圧排気され
る。また、放電管１０内には、処理ガスが導入される。
第１図で、この場合、筒状部材１１は加熱可能になって
いる。つまり、筒状部材１１の、この場合、外面には、
加熱ヒータ７０が設けられている。
いる。つまり、筒状部材１１の、この場合、外面には、
加熱ヒータ７０が設けられている。
なお、第１図で、（資）は、プラズマ処理される試料、
例えば、半導体素子基板（資）を保持する試料台、１０
０は、試料台間に接続された高周波電源である。
例えば、半導体素子基板（資）を保持する試料台、１０
０は、試料台間に接続された高周波電源である。
第１図で、試料９０のプラズマ処理経時により、例えば
、筒状部材１１が消耗した場合、筒状部材１１は、蓋部
材化と共に取り外される。その後、筒状部材１１と蓋部
材１２とは分離され、分離された蓋部材化は、新たな筒
状部材１１に気密に脱着可能に設けられる。その後、こ
のような放゛屯管１０は、容器間に気密に再構設される
。
、筒状部材１１が消耗した場合、筒状部材１１は、蓋部
材化と共に取り外される。その後、筒状部材１１と蓋部
材１２とは分離され、分離された蓋部材化は、新たな筒
状部材１１に気密に脱着可能に設けられる。その後、こ
のような放゛屯管１０は、容器間に気密に再構設される
。
また、第１図で、試料（３）のプラズマ処理経時により
筒状部材１１の内面に反応生成物が付着、堆積した場合
、加熱ヒータ７０により筒状部材１１は加熱される。該
加熱により筒状部材１１の内面に付着。
筒状部材１１の内面に反応生成物が付着、堆積した場合
、加熱ヒータ７０により筒状部材１１は加熱される。該
加熱により筒状部材１１の内面に付着。
堆積した反応生成物は、昇華除去され、筒状部材１１の
内面は清掃される。また、この他に、筒状部材１１を加
熱ヒータ７０により反応生成物が付着しないような温度
に制御することもできる。
内面は清掃される。また、この他に、筒状部材１１を加
熱ヒータ７０により反応生成物が付着しないような温度
に制御することもできる。
本実施例では、次のような効果が得られる。
（１） 放電管は、一体構造ではな（、筒状部材と唇
状部材との分割構造であるため、その製作が容易であり
価格も安価にできる。
状部材との分割構造であるため、その製作が容易であり
価格も安価にできる。
（２） 放電管が安価になるので、メンテナンス費の
増大をその分抑制できる。
増大をその分抑制できる。
（３）放′１１！管の消耗した部材だけを交換できるの
で、メンテナンス費の増大をより一層抑制できる。
で、メンテナンス費の増大をより一層抑制できる。
（４）放電管の筒状部材を加熱クリーニングできるので
、マイクロ波プラズマ処理装置における低ＸＡ塵化な達
成できる。
、マイクロ波プラズマ処理装置における低ＸＡ塵化な達
成できる。
（５）放電管の筒状部材を反応生成物が付着、堆積しな
いように加熱できるので、放電管全体のクリーニング周
期を延ばすことができ、この点でのメンテナンス性を簡
素化、向上できる。
いように加熱できるので、放電管全体のクリーニング周
期を延ばすことができ、この点でのメンテナンス性を簡
素化、向上できる。
本発明によれば、放電管の価格、構造に起因する装置価
格の増大およびメンテナンス費の増大を抑制できる効果
がある。
格の増大およびメンテナンス費の増大を抑制できる効果
がある。
第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ処理
装置の要部縦断面図である。
装置の要部縦断面図である。
Claims (1)
- １、放電管と、該放電管内に磁場を生成する手段と、前
記放電管内にマイクロ波電界を生成する手段とを有する
マイクロ波プラズマ処理装置において、前記放電管を筒
状部材と該筒状部材の蓋部材とで分割構成したことを特
徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21500788A JPH0265129A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21500788A JPH0265129A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265129A true JPH0265129A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16665167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21500788A Pending JPH0265129A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265129A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472724A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| US5785807A (en) * | 1990-09-26 | 1998-07-28 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| JP2004241628A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体処理装置の制御方法 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21500788A patent/JPH0265129A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472724A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| US5785807A (en) * | 1990-09-26 | 1998-07-28 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US5914051A (en) * | 1990-09-26 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| JP2004241628A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体処理装置の制御方法 |
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