JPH0528757Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0528757Y2 JPH0528757Y2 JP1985198397U JP19839785U JPH0528757Y2 JP H0528757 Y2 JPH0528757 Y2 JP H0528757Y2 JP 1985198397 U JP1985198397 U JP 1985198397U JP 19839785 U JP19839785 U JP 19839785U JP H0528757 Y2 JPH0528757 Y2 JP H0528757Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- lower electrode
- upper electrode
- quartz cover
- reaction products
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案はドライエツチング装置に係り、特に塩
化物ガスを用いたエツチングに好適なドライエツ
チング装置に関するものである。
化物ガスを用いたエツチングに好適なドライエツ
チング装置に関するものである。
従来のドライエツチング装置は第２図に示すよ
うになつている。第２図において、処理室１内に
は、上部電極３と絶縁物５によつて処理室１より
絶縁された下部電極４が設けられている。処理室
１のガスは、排気ノズル２より排気される。下部
電極４には、高周波電源６が接続されている。上
部電極３より処理ガスを供給すると同時に、高周
波電源６によつて上部電極３と下部電極４の間に
放電を発生させ下部電極４上に置かれた試料７を
エツチング処理する。この際、反応生成物が処理
室１の内面に付着、堆積するため、堆積物が異物
としてウエハ上に落下するなどして悪影響を及ぼ
す。このことから、処理室１の内面に付着、堆積
した反応生成物を除去する必要があるため、反応
生成物の付着防止、あるいは堆積物の除去法が提
案されている。例えば、特開昭59−143073号公報
では、処理室１内に加熱された不活性ガスを封入
し、反応生成物である塩化物を蒸発させて除去す
るようになつている。しかし、この技術では不活
性ガスを封入させる際に、エツチングを停止させ
なくてはならない。また特開昭59−134832号公報
では、下部電極４の試料７で覆われる部分を熱伝
導率の良いSUS材料として、試料７に覆われな
い部分を熱伝導率の悪い炭素とすることにより、
反応生成物の付着を防止している。しかし、この
技術では処理室１の内壁に対しては考慮されてお
らず、ウエハ上に付着する反応生成物を低減させ
るためには十分でない。以上のように、従来技術
においては、エツチング中の反応生成物の付着、
堆積防止するための適当な技術とは未だなり得
ず、したがつて、定期的に処理室１を大気に開放
した人為的にクリーニングを行つておりドライエ
ツチング装置の生産性向上の障害となつている。
うになつている。第２図において、処理室１内に
は、上部電極３と絶縁物５によつて処理室１より
絶縁された下部電極４が設けられている。処理室
１のガスは、排気ノズル２より排気される。下部
電極４には、高周波電源６が接続されている。上
部電極３より処理ガスを供給すると同時に、高周
波電源６によつて上部電極３と下部電極４の間に
放電を発生させ下部電極４上に置かれた試料７を
エツチング処理する。この際、反応生成物が処理
室１の内面に付着、堆積するため、堆積物が異物
としてウエハ上に落下するなどして悪影響を及ぼ
す。このことから、処理室１の内面に付着、堆積
した反応生成物を除去する必要があるため、反応
生成物の付着防止、あるいは堆積物の除去法が提
案されている。例えば、特開昭59−143073号公報
では、処理室１内に加熱された不活性ガスを封入
し、反応生成物である塩化物を蒸発させて除去す
るようになつている。しかし、この技術では不活
性ガスを封入させる際に、エツチングを停止させ
なくてはならない。また特開昭59−134832号公報
では、下部電極４の試料７で覆われる部分を熱伝
導率の良いSUS材料として、試料７に覆われな
い部分を熱伝導率の悪い炭素とすることにより、
反応生成物の付着を防止している。しかし、この
技術では処理室１の内壁に対しては考慮されてお
らず、ウエハ上に付着する反応生成物を低減させ
るためには十分でない。以上のように、従来技術
においては、エツチング中の反応生成物の付着、
堆積防止するための適当な技術とは未だなり得
ず、したがつて、定期的に処理室１を大気に開放
した人為的にクリーニングを行つておりドライエ
ツチング装置の生産性向上の障害となつている。
本考案の目的は、経済性良く処理室内面への反
応生成物の付着、堆積を抑制し、処理室のクリー
ニング回数を減少させて、生産性を向上できるド
ライエツチング装置を提供することにある。
応生成物の付着、堆積を抑制し、処理室のクリー
ニング回数を減少させて、生産性を向上できるド
ライエツチング装置を提供することにある。
本考案は、ドライエツチング装置を、処理室内
を減圧排気するとともに該処理室内に処理ガスを
導入し、該ガスを上部電極と下部電極との間でプ
ラズマ化し、該プラズマを利用して試料をエツチ
ング処理する装置において、上部電極および下部
電極と処理室の側壁内面との間に、上部電極と下
部電極との間隔よりも高さを高くした円筒状の石
英カバーを配置し、該石英カバーにヒータを設け
たもので、エツチング処理中に発生する反応生成
物を処理室の側壁内面に付着する前に、ヒータに
よつて加熱された石英カバーによつて蒸発させる
ことにより、経済性良く処理室内面への反応生成
物の付着、堆積を抑制し、処理室のクリーニング
回数を減少させて、生産性を向上できるようにし
たものである。
を減圧排気するとともに該処理室内に処理ガスを
導入し、該ガスを上部電極と下部電極との間でプ
ラズマ化し、該プラズマを利用して試料をエツチ
ング処理する装置において、上部電極および下部
電極と処理室の側壁内面との間に、上部電極と下
部電極との間隔よりも高さを高くした円筒状の石
英カバーを配置し、該石英カバーにヒータを設け
たもので、エツチング処理中に発生する反応生成
物を処理室の側壁内面に付着する前に、ヒータに
よつて加熱された石英カバーによつて蒸発させる
ことにより、経済性良く処理室内面への反応生成
物の付着、堆積を抑制し、処理室のクリーニング
回数を減少させて、生産性を向上できるようにし
たものである。
本考案の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、第２図と異なる点は、加熱手段１０
を処理室１の内面、つまり、処理室１の側壁内面
に対応して設けた点である。なお、第１図で、第
２図と同一部品、装置等は同一符号で示し説明を
省略する。
を処理室１の内面、つまり、処理室１の側壁内面
に対応して設けた点である。なお、第１図で、第
２図と同一部品、装置等は同一符号で示し説明を
省略する。
第１図で、加熱手段１０は、ヒータ１１と石英
カバー１２と電源装置１３とで構成されている。
石英カバー１２は、中空円筒構造であり、ヒータ
１１は、石英カバー１２の中空内に設けられてい
る。電源装置１３は処理室１外に設置され、電源
装置１３には、処理室１の頂壁に設けられた導入
端子２０を介してヒータ１１が接続されている。
石英カバー１２は、ヒータ１１と上部電極３、下
部電極４との間で放電が生じるのを防止するもの
であり、石英カバー１２の処理室１内への配設位
置および石英カバー１２の高さは、反応生成物が
多く付着、堆積する処理室１の側壁内面に対応す
る位置および高さとなつている。すなわち、第１
図に示すように上部電極３および下部電極４と処
理室１の側壁内面との間に配置され、上部電極３
と下部電極４との間隔よりも高さを高くしてあ
る。
カバー１２と電源装置１３とで構成されている。
石英カバー１２は、中空円筒構造であり、ヒータ
１１は、石英カバー１２の中空内に設けられてい
る。電源装置１３は処理室１外に設置され、電源
装置１３には、処理室１の頂壁に設けられた導入
端子２０を介してヒータ１１が接続されている。
石英カバー１２は、ヒータ１１と上部電極３、下
部電極４との間で放電が生じるのを防止するもの
であり、石英カバー１２の処理室１内への配設位
置および石英カバー１２の高さは、反応生成物が
多く付着、堆積する処理室１の側壁内面に対応す
る位置および高さとなつている。すなわち、第１
図に示すように上部電極３および下部電極４と処
理室１の側壁内面との間に配置され、上部電極３
と下部電極４との間隔よりも高さを高くしてあ
る。
第１図で、プラズマを利用して試料７をエツチ
ング処理する際に発生する反応生成物は、ヒータ
１１の発熱により反応生成物が付着しても蒸発す
る程度の温度に加熱されている石英カバー１２の
表面に接触し、その結果、処理室１の側壁内面に
付着、堆積することなしに気体のまま排気ノズル
２より処理室１外へ排出される。
ング処理する際に発生する反応生成物は、ヒータ
１１の発熱により反応生成物が付着しても蒸発す
る程度の温度に加熱されている石英カバー１２の
表面に接触し、その結果、処理室１の側壁内面に
付着、堆積することなしに気体のまま排気ノズル
２より処理室１外へ排出される。
本実施例では、次のような効果が得られる。
(1) 処理室の側壁内面への反応生成物の付着、堆
積を抑制でき処理室のクリーニング回数を減少
させることができるため、生産性を向上でき
る。
積を抑制でき処理室のクリーニング回数を減少
させることができるため、生産性を向上でき
る。
(2) 装置運転中に反応生成物を除去できるため、
装置を連続運転でき生産性を向上できる。
装置を連続運転でき生産性を向上できる。
(3) 石英カバー、ヒータを処理室内に設けている
ため、ヒータの発熱容量を小容量化でき経済性
を向上できると共に、安全面における問題も生
じない。
ため、ヒータの発熱容量を小容量化でき経済性
を向上できると共に、安全面における問題も生
じない。
なお、上記実施例の他に、上部電極に高周波電
源を接続し下部電極を接地した場合についても同
様の効果が得られる。
源を接続し下部電極を接地した場合についても同
様の効果が得られる。
本考案は、処理室内を減圧排気するとともに該
処理室内に処理ガスを導入し、該ガスを上部電極
と下部電極との間でプラズマ化し、該プラズマを
利用して試料をエツチング処理する装置におい
て、上部電極および下部電極と処理室の側壁内面
との間に、上部電極と下部電極との間隔よりも高
さを高くした円筒状の石英カバーを配置し、該石
英カバーにヒータを設けることにより、経済性良
く処理室内面への反応生成物の付着、堆積を抑制
でき、処理室のクリーニング回数を減少させられ
るので、生産性を向上できるという効果がある。
処理室内に処理ガスを導入し、該ガスを上部電極
と下部電極との間でプラズマ化し、該プラズマを
利用して試料をエツチング処理する装置におい
て、上部電極および下部電極と処理室の側壁内面
との間に、上部電極と下部電極との間隔よりも高
さを高くした円筒状の石英カバーを配置し、該石
英カバーにヒータを設けることにより、経済性良
く処理室内面への反応生成物の付着、堆積を抑制
でき、処理室のクリーニング回数を減少させられ
るので、生産性を向上できるという効果がある。
第１図は、本考案によるドライエツチング装置
の一実施例を示す処理室部の縦断面図、第２図
は、従来のドライエツチング装置の処理室部の縦
断面図である。 １……処理室、３……上部電極、４……下部電
極、６……高周波電源、１１……ヒータ、１２…
…石英カバー、１３……電源装置１３。
の一実施例を示す処理室部の縦断面図、第２図
は、従来のドライエツチング装置の処理室部の縦
断面図である。 １……処理室、３……上部電極、４……下部電
極、６……高周波電源、１１……ヒータ、１２…
…石英カバー、１３……電源装置１３。
Claims (1)
- 処理室内を減圧排気するとともに該処理室内に
処理ガスを導入し、該ガスを上部電極と下部電極
との間でプラズマ化し、該プラズマを利用して試
料をエツチング処理する装置において、前記上部
電極および下部電極と前記処理室の側壁内面との
間に、前記上部電極と下部電極との間隔よりも高
さを高くした円筒状の石英カバーを配置し、該石
英カバーにヒータを設けたことを特徴とするドラ
イエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985198397U JPH0528757Y2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985198397U JPH0528757Y2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107439U JPS62107439U (ja) | 1987-07-09 |
| JPH0528757Y2 true JPH0528757Y2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=31159046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985198397U Expired - Lifetime JPH0528757Y2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528757Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2926711B2 (ja) * | 1988-05-13 | 1999-07-28 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置 |
| US6227140B1 (en) * | 1999-09-23 | 2001-05-08 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner |
| JP7606845B2 (ja) * | 2020-10-13 | 2024-12-26 | 株式会社Kelk | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753939A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching method for thin film |
| JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP1985198397U patent/JPH0528757Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62107439U (ja) | 1987-07-09 |
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