JPH0265130A - 真空処理装置の制御方法 - Google Patents
真空処理装置の制御方法Info
- Publication number
- JPH0265130A JPH0265130A JP21500888A JP21500888A JPH0265130A JP H0265130 A JPH0265130 A JP H0265130A JP 21500888 A JP21500888 A JP 21500888A JP 21500888 A JP21500888 A JP 21500888A JP H0265130 A JPH0265130 A JP H0265130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- processing chamber
- sample
- gas
- communication means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特に半導体素子基板（
以下、基板と略）等の試料を真空処理するのに好適な真
空処理装置に関するものである。
以下、基板と略）等の試料を真空処理するのに好適な真
空処理装置に関するものである。
真空処理装置としては、例えば、特開昭６１−２４６３
８１号公報、特開昭６２−６１３１６号公報、特開昭６
２−８９８８１号公報等偕こ記載のものが知られている
。
８１号公報、特開昭６２−６１３１６号公報、特開昭６
２−８９８８１号公報等偕こ記載のものが知られている
。
これら真空処理装置では、内部で試料が処理される真空
処理室は、ゲートバルブ等の外部との遮へい連通手段を
構成要素として有している。
処理室は、ゲートバルブ等の外部との遮へい連通手段を
構成要素として有している。
上記従来技術では、真空処理室の構成要素である外部と
の遮へい連通手段の開閉動作時に該手段から発生する塵
埃、該塵埃の真空処理室内での拡散防止について配慮さ
れていない。
の遮へい連通手段の開閉動作時に該手段から発生する塵
埃、該塵埃の真空処理室内での拡散防止について配慮さ
れていない。
従って、真空処理室内で拡散した塵埃が試料の被処理面
に付着して試料の歩留りが低下するといりた問題が生じ
る。
に付着して試料の歩留りが低下するといりた問題が生じ
る。
本発明の目的は、真空処理される試料の塵埃付着による
歩留り低下を防止できる真空処理装置を提供することに
ある。
歩留り低下を防止できる真空処理装置を提供することに
ある。
上記目的は、真空処理装置を、外部との遮へい連通手段
を構成要素として有し内部で試料が処理される真空処理
室と、該真空処理室内を排気する手段と、前記真空処理
室内にガスを導入する手段と、前記真空処理室内にガス
が導入され排気される間に前記遮へい連通手段を作動さ
せる手段とを具備したものとすることにより、達成され
る。
を構成要素として有し内部で試料が処理される真空処理
室と、該真空処理室内を排気する手段と、前記真空処理
室内にガスを導入する手段と、前記真空処理室内にガス
が導入され排気される間に前記遮へい連通手段を作動さ
せる手段とを具備したものとすることにより、達成され
る。
遮へい連通手段の開閉動作時に該手段についていた反応
生成物等の異物が該手段から外れ、これにより塵埃が発
生し真空処理室内に飛散する。そこで、遮へい連通手段
の開閉動作前に、真空処理室内にはガス導入手段よりガ
ス、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが導入され、該導
入されたガスは、排気手段により真空処理室外へ排気さ
れる。
生成物等の異物が該手段から外れ、これにより塵埃が発
生し真空処理室内に飛散する。そこで、遮へい連通手段
の開閉動作前に、真空処理室内にはガス導入手段よりガ
ス、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが導入され、該導
入されたガスは、排気手段により真空処理室外へ排気さ
れる。
このようなガスの導入、排気により真空処理室内ではガ
ケ流れが生じる。このように真空処理室内にガスが導入
され排気されている間に遮へい連通手段は、作動手段に
より開閉作動させられる。遮へい連通手段の開閉動作に
より発生する塵埃は、上記ガス流れに取り込まれガスと
共に真空処理室内へ拡散することなく真空処理室外へ排
出される。
ケ流れが生じる。このように真空処理室内にガスが導入
され排気されている間に遮へい連通手段は、作動手段に
より開閉作動させられる。遮へい連通手段の開閉動作に
より発生する塵埃は、上記ガス流れに取り込まれガスと
共に真空処理室内へ拡散することなく真空処理室外へ排
出される。
従って、真空処理室内で処理される試料の被処理面への
塵埃の付着が防止され、これによる試料の歩留り低下が
防止される。
塵埃の付着が防止され、これによる試料の歩留り低下が
防止される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明を適用した、いわゆる有磁場マイクロ
波プラズマエツチング装置の構成図である。
波プラズマエツチング装置の構成図である。
第１図で、放電管１０の外側には、導波管加が略同心状
に配設されている。導波管（９）とマイクロ波発振手段
であるマグネトロンＩとは、導波管４で連結されている
。導波管（９）の外側には、磁場発生用コイル槌が環装
されている。バッフ１室関は、放電管１０開口端部の形
状２寸法と略一致する開口５１が形成された頂壁５２を
有する。放電管１０は、開口５１を介してパブファ室関
内と連通して頂壁５２に気密に構設されている。遮へい
連通手段は、この場合、ベローズωとリング状の弁体６
１とでなるタイプのゲートバルブ６２である。ベローズ
ω、弁体６１の径は、この場合、放電管１０．開口５１
の径よりも太き（なっている。ゲートバルブ６２は、放
電管１０と略同心状にバッファ室関内に設けられる。つ
まり、ベローズωの下端部はバッファ室間の底壁田に気
密に設けられ、ベローズωの上端部には、頂壁５２対応
して弁体６１が設けられる。作動手段である、例えば、
シリンダ７０は、底Ｗ５３と対応した位置でバッフ１室
閣外に設置される。シリンダ７０のロッドｎは、ベロー
ズωの軸心に沿って底Ｍ５３に気密を保持し、この場合
、上下動可能に挿設されている。ロブドア１のバッファ
室（資）内端部には、弁体６１が連結されている。弁体
６１が頂壁５２に当接して締切られた状態で、真空処理
室（資）が形成される。つまり、真空処理室（資）は、
放電管１０．開口５１゜ベローズω内に対応する頂壁５
２部、底部閏部、ゲートバルブ鑓により形成される。真
空処理室（資）内には、試料、例えば、基板匍を保持す
る試料台１００が設けられる。試料台１００の試料保持
面は、この場合、略水平状態であり、開口５１に対応さ
せられている。この場合、窒素ガス等の不活性ガスを、
試料台１００の試料保持面に設置された試料頒の被エツ
チング面の上方位置で真空処理室園内に導入可能に構成
されている。つまり、ガス源１１０が外部に設置され、
ガス導入管１１１の一端はガス源１１０に連結されてい
る。ガス導入管１１１の他端は、試料台１００の試料保
持面に設置された試料匍の被エツチング面の上方位置で
放電管１０内に開口させられている。ガス導入管１１１
には、バルブ１１２が設けられている。真空ポンプ１２
０が外部に設置され、排気管１２１の一端は真空ポンプ
１２０の吸気口に連結されている。排気管１２１の他端
は、真空処理室園内に連通して底壁間に連結されている
。排気管１２１には、バルブ１２２が設けられている。
に配設されている。導波管（９）とマイクロ波発振手段
であるマグネトロンＩとは、導波管４で連結されている
。導波管（９）の外側には、磁場発生用コイル槌が環装
されている。バッフ１室関は、放電管１０開口端部の形
状２寸法と略一致する開口５１が形成された頂壁５２を
有する。放電管１０は、開口５１を介してパブファ室関
内と連通して頂壁５２に気密に構設されている。遮へい
連通手段は、この場合、ベローズωとリング状の弁体６
１とでなるタイプのゲートバルブ６２である。ベローズ
ω、弁体６１の径は、この場合、放電管１０．開口５１
の径よりも太き（なっている。ゲートバルブ６２は、放
電管１０と略同心状にバッファ室関内に設けられる。つ
まり、ベローズωの下端部はバッファ室間の底壁田に気
密に設けられ、ベローズωの上端部には、頂壁５２対応
して弁体６１が設けられる。作動手段である、例えば、
シリンダ７０は、底Ｗ５３と対応した位置でバッフ１室
閣外に設置される。シリンダ７０のロッドｎは、ベロー
ズωの軸心に沿って底Ｍ５３に気密を保持し、この場合
、上下動可能に挿設されている。ロブドア１のバッファ
室（資）内端部には、弁体６１が連結されている。弁体
６１が頂壁５２に当接して締切られた状態で、真空処理
室（資）が形成される。つまり、真空処理室（資）は、
放電管１０．開口５１゜ベローズω内に対応する頂壁５
２部、底部閏部、ゲートバルブ鑓により形成される。真
空処理室（資）内には、試料、例えば、基板匍を保持す
る試料台１００が設けられる。試料台１００の試料保持
面は、この場合、略水平状態であり、開口５１に対応さ
せられている。この場合、窒素ガス等の不活性ガスを、
試料台１００の試料保持面に設置された試料頒の被エツ
チング面の上方位置で真空処理室園内に導入可能に構成
されている。つまり、ガス源１１０が外部に設置され、
ガス導入管１１１の一端はガス源１１０に連結されてい
る。ガス導入管１１１の他端は、試料台１００の試料保
持面に設置された試料匍の被エツチング面の上方位置で
放電管１０内に開口させられている。ガス導入管１１１
には、バルブ１１２が設けられている。真空ポンプ１２
０が外部に設置され、排気管１２１の一端は真空ポンプ
１２０の吸気口に連結されている。排気管１２１の他端
は、真空処理室園内に連通して底壁間に連結されている
。排気管１２１には、バルブ１２２が設けられている。
なお、図示省略したが、エツチングガスな放電管ｌＯ内
に導入する手段を、この場合、別に有している。また、
バッファ室関内も減圧排気可能になっている。
に導入する手段を、この場合、別に有している。また、
バッファ室関内も減圧排気可能になっている。
第１図に示す状態から、ゲートバルブ０を閉動作させる
前に、バルブ１１２．１２１が開弁され、真空ポンプ１
２０が作動させられる。これにより、ガス源１１０から
窒素ガスが所定流量でガス導入管１１１を通って放電管
１０内に導入される。放電管１０内に導入された窒素ガ
スは、開口５１を通り真空処理室（資）の一部となるバ
ブファ室関内を流れて真空ポンプ１２０により排気され
る。これにより少なくとも真空処理室閣内は粘性流若し
くは中間流領域に置かれる。この状態で、シリンダ７０
が作動させられロブドア１は上昇させられる。これによ
り弁体６１は、頂壁５２に向って上昇させられ、最終的
には、弁体６１が頂壁５２に当接して締切られ遮へいさ
れる。ロブドア１の上昇、これによる弁体６１の上昇に
よりベローズ印は伸びる方向に変形させられる。該変形
時にベローズ（イ）についていた反応生成物等の異物が
ベローズ印から外れる。核外れだ異物や弁体６１から外
れた異物は塵埃となり、窒素ガスのガス流れに取り込ま
れて窒素ガスと共に真空処理室（資）外へ排出される。
前に、バルブ１１２．１２１が開弁され、真空ポンプ１
２０が作動させられる。これにより、ガス源１１０から
窒素ガスが所定流量でガス導入管１１１を通って放電管
１０内に導入される。放電管１０内に導入された窒素ガ
スは、開口５１を通り真空処理室（資）の一部となるバ
ブファ室関内を流れて真空ポンプ１２０により排気され
る。これにより少なくとも真空処理室閣内は粘性流若し
くは中間流領域に置かれる。この状態で、シリンダ７０
が作動させられロブドア１は上昇させられる。これによ
り弁体６１は、頂壁５２に向って上昇させられ、最終的
には、弁体６１が頂壁５２に当接して締切られ遮へいさ
れる。ロブドア１の上昇、これによる弁体６１の上昇に
よりベローズ印は伸びる方向に変形させられる。該変形
時にベローズ（イ）についていた反応生成物等の異物が
ベローズ印から外れる。核外れだ異物や弁体６１から外
れた異物は塵埃となり、窒素ガスのガス流れに取り込ま
れて窒素ガスと共に真空処理室（資）外へ排出される。
ゲートバルブ６２の閉動作が完了した時点で、バルブ１
１２は閉弁され、窒素ガスの導入が停止される。その後
、試料□□□の被エツチング面は、例えば、特公昭
−号公報 等に記載のようにしてエツチング処理される。試料（社
）のエツチング処理終了後、ゲートバルブ６２は開かれ
るが、この場合、上記したように真空処理室（資）内を
粘性流若しくは中間流領域にαいた後に開動作させられ
る。ゲートバルブ６２の開動作によりゲートバルブ６２
から外れた異物は、窒素ガスの流れに取り込まれて窒素
ガスと共に真空処理室間外へ排出される。その後、この
ような操作が繰り返し実施されることで、試料（３）は
、１個毎にエツチング処理される。
１２は閉弁され、窒素ガスの導入が停止される。その後
、試料□□□の被エツチング面は、例えば、特公昭
−号公報 等に記載のようにしてエツチング処理される。試料（社
）のエツチング処理終了後、ゲートバルブ６２は開かれ
るが、この場合、上記したように真空処理室（資）内を
粘性流若しくは中間流領域にαいた後に開動作させられ
る。ゲートバルブ６２の開動作によりゲートバルブ６２
から外れた異物は、窒素ガスの流れに取り込まれて窒素
ガスと共に真空処理室間外へ排出される。その後、この
ような操作が繰り返し実施されることで、試料（３）は
、１個毎にエツチング処理される。
本実施例によれば、ゲートバルブの開閉作動により発生
する塵埃を、真空処理室内への拡散を防止して真空処理
室外へ排出できるので、試料の被エツチング面への塵埃
の付着を防止できる。従って、試料が基板である場合、
塵埃付着による素子回路不良を防く゛ことができ歩留り
低下を防止することができる。
する塵埃を、真空処理室内への拡散を防止して真空処理
室外へ排出できるので、試料の被エツチング面への塵埃
の付着を防止できる。従って、試料が基板である場合、
塵埃付着による素子回路不良を防く゛ことができ歩留り
低下を防止することができる。
なお、上記実施例では、遮へい連通手段としてベローズ
と弁体とでなるタイプのゲートバルブを用いているが、
その他のタイプのゲートバルブを用いても良い。また、
ゲートバルブとは異なる、例えば、シャッタ、回転弁等
のものを用いても良い。いずれにしても、遮へい連通手
段とは、真空処理室の構成要素であり、開閉作動時に可
動部分を有する構造のものである。
と弁体とでなるタイプのゲートバルブを用いているが、
その他のタイプのゲートバルブを用いても良い。また、
ゲートバルブとは異なる、例えば、シャッタ、回転弁等
のものを用いても良い。いずれにしても、遮へい連通手
段とは、真空処理室の構成要素であり、開閉作動時に可
動部分を有する構造のものである。
更に、上記実施例では、真空処理室の内部で試料がエツ
チング処理されるが、その他の処理、成膜処理、クリー
ニング処理、アッシング処理等が実施されても良い。
チング処理されるが、その他の処理、成膜処理、クリー
ニング処理、アッシング処理等が実施されても良い。
本発明によれば、遮へい連通手段の開閉作動により発生
する塵埃の試料への付着を防止できるので、該塵埃付着
に起因する試料の歩留り低下を防止できる効果がある。
する塵埃の試料への付着を防止できるので、該塵埃付着
に起因する試料の歩留り低下を防止できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の有磁場マイクロ波プラズ
マエツチング装置の構成図である。 ６２・・・・・・ゲートバルブ、７０・・・・・・シリ
ンダ、ｎ・・・・・・ロブド、関・・・・・・真空処理
室、美・・・・・・試料、１００・・・試料台、１１０
・・・・・・ガス源、１１１・・・・・・ガス導入管、
１１２、１２２・・・・・・バルブ、１２０・・・・・
・真空ポンプ、 １２１・・・・・・排気管 代理人 弁理士 小 川 勝 男 イ／ 図
マエツチング装置の構成図である。 ６２・・・・・・ゲートバルブ、７０・・・・・・シリ
ンダ、ｎ・・・・・・ロブド、関・・・・・・真空処理
室、美・・・・・・試料、１００・・・試料台、１１０
・・・・・・ガス源、１１１・・・・・・ガス導入管、
１１２、１２２・・・・・・バルブ、１２０・・・・・
・真空ポンプ、 １２１・・・・・・排気管 代理人 弁理士 小 川 勝 男 イ／ 図
Claims (1)
- １、外部との遮へい連通手段を構成要素として有し内部
で試料が処理される真空処理室と、該真空処理室内を排
気する手段と、前記真空処理室内にガスを導入する手段
と、前記真空処理室内にガスが導入され排気される間に
前記遮へい連通手段を作動させる手段とを具備したこと
を特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215008A JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215008A JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265130A true JPH0265130A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2664216B2 JP2664216B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16665185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215008A Expired - Lifetime JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664216B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329763A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Yaskawa Electric Corp | 気密室間の連結構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370530A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS63128711A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63215008A patent/JP2664216B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370530A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS63128711A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329763A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Yaskawa Electric Corp | 気密室間の連結構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2664216B2 (ja) | 1997-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001148378A (ja) | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 | |
| KR19980701759A (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JPS6240728A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0265130A (ja) | 真空処理装置の制御方法 | |
| JPS60100687A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2004047652A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH09129611A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2000106298A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6228210B1 (en) | Surface wave coupled plasma etching apparatus | |
| JP3047750B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP2664216C (ja) | ||
| JPH11111681A (ja) | 減圧処理装置 | |
| KR100682304B1 (ko) | 평판표시소자 제조장치의 공정챔버 | |
| JP2000231897A (ja) | 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 | |
| JPS63247361A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH06267898A (ja) | 真空処理装置 | |
| KR20050103320A (ko) | 공정 챔버 | |
| JPH0727891B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100694601B1 (ko) | 웨이퍼 적재 장치 | |
| JPH06112165A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS62276822A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH0562909A (ja) | Ｅｃｒプラズマ処理装置 | |
| JPH05216001A (ja) | Ｌｃｄ製造装置 | |
| JPS60153130A (ja) | アルミニウムのドライエツチング装置 | |
| JPS59114814A (ja) | 真空排気方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 12 |