JPH0265182A - 半導体光結合素子 - Google Patents
半導体光結合素子Info
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- JPH0265182A JPH0265182A JP63215735A JP21573588A JPH0265182A JP H0265182 A JPH0265182 A JP H0265182A JP 63215735 A JP63215735 A JP 63215735A JP 21573588 A JP21573588 A JP 21573588A JP H0265182 A JPH0265182 A JP H0265182A
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- Japan
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- optical fiber
- light
- optical
- led
- resin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体光結合素子に係り、特に絶縁を要する
回路間の信号伝送等に用いられ、その同相雑音（コモン
・モード・ノイズ）特性を向上させるものである。
回路間の信号伝送等に用いられ、その同相雑音（コモン
・モード・ノイズ）特性を向上させるものである。
（従来の技術）
従来から、広く用いられる半導体光結合素子（以下光結
合素子と略称）の構成を第７図に断面図で示す。第７図
に示されるように、発光ダイオードペレット１０１およ
びフォトトランジスタペレット１０２をリードフレーム
の夫々のリード１０３ａ 。
合素子と略称）の構成を第７図に断面図で示す。第７図
に示されるように、発光ダイオードペレット１０１およ
びフォトトランジスタペレット１０２をリードフレーム
の夫々のリード１０３ａ 。
１０３ｂに導電性接着剤１０４でマウントし、各電極と
リード間にＡｕ細線１０５ａ、 １０５ｂで結線し発光
素子１０６（以下ＬＥＤと略称）とフォトトランジスタ
１０７を形成する。上記ＬＨＤ １０６とフォトトラン
ジスタ１０７は夫々のペレット１０１．１０２を対向さ
せて配置し、ＬＥＤ・フォトトランジスタ間に透明なシ
リコーンエンキャップ樹脂１０８で光路を形成したのち
、外乱光を遮断するために遮光エポキシ樹脂１０９被覆
を施して光結合素子が構成される。
リード間にＡｕ細線１０５ａ、 １０５ｂで結線し発光
素子１０６（以下ＬＥＤと略称）とフォトトランジスタ
１０７を形成する。上記ＬＨＤ １０６とフォトトラン
ジスタ１０７は夫々のペレット１０１．１０２を対向さ
せて配置し、ＬＥＤ・フォトトランジスタ間に透明なシ
リコーンエンキャップ樹脂１０８で光路を形成したのち
、外乱光を遮断するために遮光エポキシ樹脂１０９被覆
を施して光結合素子が構成される。
上記構造の光結合素子は、ＬＨＤ１０６とフォトトラン
ジスタ１０７との間隔が通常１ｍ以下と微小で、入出力
間の容量が大になり、ＬＥＤ側に入った雑音がフォトト
ランジスタ側に伝わり易いという欠点があった。
ジスタ１０７との間隔が通常１ｍ以下と微小で、入出力
間の容量が大になり、ＬＥＤ側に入った雑音がフォトト
ランジスタ側に伝わり易いという欠点があった。
上記問題点に対する解決策として、ＬＥＤとフォトトラ
ンジスタとの間隔を広くすればよいが、光強度は距離に
より指数函数的に低減するため、第８図に示すように、
個々に封止したＬＥＤ単体１１６とフォトトランジスタ
１１７を光路とする例えば白色の光反射性管体１１０の
両端に嵌め合わせてこれらを黒色ケース１１１に挿入し
、プラスチックからなる裏ぶた１１１ａを装着し、さら
に黒色エポキシ樹脂１１２で封止を施して外乱光を遮蔽
した構造がある。
ンジスタとの間隔を広くすればよいが、光強度は距離に
より指数函数的に低減するため、第８図に示すように、
個々に封止したＬＥＤ単体１１６とフォトトランジスタ
１１７を光路とする例えば白色の光反射性管体１１０の
両端に嵌め合わせてこれらを黒色ケース１１１に挿入し
、プラスチックからなる裏ぶた１１１ａを装着し、さら
に黒色エポキシ樹脂１１２で封止を施して外乱光を遮蔽
した構造がある。
上記第８図によって説明した光結合素子にはなお次にあ
げる問題点がある。
げる問題点がある。
（１）光路が中空構造であるため伝達効率が著しく劣る
。
。
（ｉｔ） 構造部品点数が多く、各部品単価が高価で
ある。
ある。
１′市） 組立が複雑であるため製造コストが高くつ
く。
く。
さらに、出力形態もフォトトランジスタ出力のみであり
、ＳＣＲ，トライアック、 ＩＣ出力等が作り難い為、
使用者側もセットの回路設計が大変であるという問題も
ある。
、ＳＣＲ，トライアック、 ＩＣ出力等が作り難い為、
使用者側もセットの回路設計が大変であるという問題も
ある。
次に、第９図（ａ）に一部所面で示す斜視図で、また（
ｂ）に上方から視た断面図で示すように、ＬＥＤ単体１
２６とフォトトランジスタ１２７との光路にファイバ１
２０を装着し、かつファイバ１２０の一端をＬＥＤ単体
１２６他端をフォトトランジスタ１２７に接着して光路
を形成した後、ケース１２１に収め、かつ液状のエポキ
シ樹脂１２２をこのケース１２１内に充填して外乱光の
遮蔽をはかった構造がある。
ｂ）に上方から視た断面図で示すように、ＬＥＤ単体１
２６とフォトトランジスタ１２７との光路にファイバ１
２０を装着し、かつファイバ１２０の一端をＬＥＤ単体
１２６他端をフォトトランジスタ１２７に接着して光路
を形成した後、ケース１２１に収め、かつ液状のエポキ
シ樹脂１２２をこのケース１２１内に充填して外乱光の
遮蔽をはかった構造がある。
（発明が解決しようとする課題）
上記光路にファイバを用いた光結合素子においては、Ｌ
ＥＤ単体とフォトトランジスタとの光路に設けられたフ
ァイバがエポキシ樹脂に接触する構造であるため、ファ
イバを通過する光の一部が樹脂に吸収されて、入出力間
の光結合が弱まるという重大な問題がある。
ＥＤ単体とフォトトランジスタとの光路に設けられたフ
ァイバがエポキシ樹脂に接触する構造であるため、ファ
イバを通過する光の一部が樹脂に吸収されて、入出力間
の光結合が弱まるという重大な問題がある。
この発明の目的は上記従来の光結合素子の問題点に鑑み
、改良構造を提供することにある。
、改良構造を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
第１発明の半導体光結合素子は、所定の間隔に対向して
配置された発光素子および受光素子と、前記両素子の光
軸を互いに結合固定させ光路を形成する光ファイバと、
前記両素子および前記光ファイバを内装した遮光ケース
と、前記遮光ケースを密封する封止樹脂を具備し、かつ
前記発光素子および受光素子は夫々の対向面に各光軸を
含み前記光ファイバを挿通する幅の溝または凹部を備え
てなることを特徴とするものであり、第２発明の半導体
光結合素子は、所定の間隔に対向して配置された発光素
子および受光素子と、前記両素子の光軸を互いに結合固
定させ光路を形成する光ファイバと、前記両素子および
前記光ファイバを内装した遮光ケースと、前記遮光ケー
ス内に封入され面記夫々を遮光ケースと一体に封止する
封止樹脂を具備し、かつ前記光ファイバは空隙を介して
前記封止樹脂と対向してなることを特徴とする。
配置された発光素子および受光素子と、前記両素子の光
軸を互いに結合固定させ光路を形成する光ファイバと、
前記両素子および前記光ファイバを内装した遮光ケース
と、前記遮光ケースを密封する封止樹脂を具備し、かつ
前記発光素子および受光素子は夫々の対向面に各光軸を
含み前記光ファイバを挿通する幅の溝または凹部を備え
てなることを特徴とするものであり、第２発明の半導体
光結合素子は、所定の間隔に対向して配置された発光素
子および受光素子と、前記両素子の光軸を互いに結合固
定させ光路を形成する光ファイバと、前記両素子および
前記光ファイバを内装した遮光ケースと、前記遮光ケー
ス内に封入され面記夫々を遮光ケースと一体に封止する
封止樹脂を具備し、かつ前記光ファイバは空隙を介して
前記封止樹脂と対向してなることを特徴とする。
（作 用）
この発明はＬＥＤ・フォトトランジスタ間の光軸を含み
光ファイバで結合させるとともに、この光ファイバを挿
通させる溝を各素子の外囲器に設けて、結合特性、同相
雑音特性がともに優れた光結合素子を得るものである。
光ファイバで結合させるとともに、この光ファイバを挿
通させる溝を各素子の外囲器に設けて、結合特性、同相
雑音特性がともに優れた光結合素子を得るものである。
また、各素子の形状を従来の球レンズ付タイプから溝付
タイプにして組立工程の簡略化、合理化がはかられる。
タイプにして組立工程の簡略化、合理化がはかられる。
さらに、光ファイバの周囲に空隙を設けて封止樹脂に対
向させて光結合特性のより向上をはがるものである。
向させて光結合特性のより向上をはがるものである。
（実施例）
以下、第１発明の実施例につき第１図ないし第３図を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図に断面図で示す第１発明にががる第１の実施例は
、ＬＥＤＩＩ、フォトトランジスタ１２が第２図（ａ）
に光軸方向から視た正面図、第２図（ｂ）に側面図で示
されるように、透明な封止樹脂体２１の対向面に光軸を
含み光ファイバ１３を挿通できる溝２２が設けられてい
る。また、この溝２２は図示を省略した凹部でもよい。
、ＬＥＤＩＩ、フォトトランジスタ１２が第２図（ａ）
に光軸方向から視た正面図、第２図（ｂ）に側面図で示
されるように、透明な封止樹脂体２１の対向面に光軸を
含み光ファイバ１３を挿通できる溝２２が設けられてい
る。また、この溝２２は図示を省略した凹部でもよい。
なお、第２図（ａ）において、２３はリードでそのチッ
プベツド２３ａにチップ２４が取着され、その電極とリ
ードとの間はボンディングワイヤ２５で電気的接続が施
されている。叙上の如く構成されたＬＥＤ １１．フォ
トトランジスタ１２の両単体には、これらに設けられた
溝２２に、予め両者間の間隔に基づいて作製された光フ
ァイバ１３の両端部が挿入され、さらにこの挿入部は透
明樹脂１４で接着固定されている。これは製造時の光軸
ずれ、および経時変化における光軸ズレによる伝達効率
の低下を防ぐことができるとともに、各単体と光ファイ
バの間の空気の層がなくなり、その結果、その間の屈折
率はほぼ等しくなるため、光の散乱１反射等がなくなる
という利点もあり、さらに、光ファイバの端面の処理を
省略することが可能である。ついで樹脂成形した遮光性
のケース１５に上記光ファイバで連結されたＬＥＤ・フ
ォトトランジスタの系を組入れ、樹脂成形されたカバー
１６で蓋をしてから黒色のエポキシ樹脂１７で封止を施
して光結合素子が得られる。
プベツド２３ａにチップ２４が取着され、その電極とリ
ードとの間はボンディングワイヤ２５で電気的接続が施
されている。叙上の如く構成されたＬＥＤ １１．フォ
トトランジスタ１２の両単体には、これらに設けられた
溝２２に、予め両者間の間隔に基づいて作製された光フ
ァイバ１３の両端部が挿入され、さらにこの挿入部は透
明樹脂１４で接着固定されている。これは製造時の光軸
ずれ、および経時変化における光軸ズレによる伝達効率
の低下を防ぐことができるとともに、各単体と光ファイ
バの間の空気の層がなくなり、その結果、その間の屈折
率はほぼ等しくなるため、光の散乱１反射等がなくなる
という利点もあり、さらに、光ファイバの端面の処理を
省略することが可能である。ついで樹脂成形した遮光性
のケース１５に上記光ファイバで連結されたＬＥＤ・フ
ォトトランジスタの系を組入れ、樹脂成形されたカバー
１６で蓋をしてから黒色のエポキシ樹脂１７で封止を施
して光結合素子が得られる。
上記工程において、カバー１６にＬＥＤ １１とフォト
トランジスタＵを挿入後、光ファイバ１３を固定するも
のであり、カバー１６を治具式わりに使用しても効果は
同じである。
トランジスタＵを挿入後、光ファイバ１３を固定するも
のであり、カバー１６を治具式わりに使用しても効果は
同じである。
次に、第３図に示す第１発明にかかる第２の実施例は、
上記実施例で用いたカバー１６を用いず、全体を遮光性
のエポキシ樹脂３１で封止したものであるが、この場合
には両単体１１．１２と光ファイバ１３との界面はすで
に、透明樹脂層１４で充填されており、エポキシ樹脂３
１が浸入して伝達特性に悪影響を及ぼすことはない。ま
た、従来、透明樹脂はリード等のリードフレームとの界
面の密着が悪く、耐湿性に問題があったが、全体に樹脂
封止を施したこの実施例の構造は、界面からの外気侵入
、特に水分の侵入が低減し〜耐湿性の顕著な向上が図れ
る利点がある。
上記実施例で用いたカバー１６を用いず、全体を遮光性
のエポキシ樹脂３１で封止したものであるが、この場合
には両単体１１．１２と光ファイバ１３との界面はすで
に、透明樹脂層１４で充填されており、エポキシ樹脂３
１が浸入して伝達特性に悪影響を及ぼすことはない。ま
た、従来、透明樹脂はリード等のリードフレームとの界
面の密着が悪く、耐湿性に問題があったが、全体に樹脂
封止を施したこの実施例の構造は、界面からの外気侵入
、特に水分の侵入が低減し〜耐湿性の顕著な向上が図れ
る利点がある。
次に、第４図に示される第２発明にかかる第１の実施例
は、同図（ａ）に要部の構成を説明するための斜視図で
、同図（ｂ）に構成要部をケースに収めてなる製品の一
部断面斜視図で示すように、ＬＥＤ ３１とフォトトラ
ンジスタ３２の樹脂封止体３３の対向面に二重の溝３４
が形成されている。この二重の溝３４は同軸に形成され
た深い溝３４ａと浅い溝３４ｂとからなり、深い溝３４
ａは光ファイバ１３の端部を挿通させ、浅い溝３４ｂは
前記深い溝３４ａよりも大径で、光ファイバ１３と同軸
に装用される円筒体３５の端部を挿通させる夫々の径の
部分を何える。また、前記円筒体３５は光ファイバ１３
よりも若干短く形成され、その長さの差がＬＥＤ ３１
とフォトトランジスタ３２の夫々の対向面に設けられた
各溝の深さの差の和に相当するように形成されている。
は、同図（ａ）に要部の構成を説明するための斜視図で
、同図（ｂ）に構成要部をケースに収めてなる製品の一
部断面斜視図で示すように、ＬＥＤ ３１とフォトトラ
ンジスタ３２の樹脂封止体３３の対向面に二重の溝３４
が形成されている。この二重の溝３４は同軸に形成され
た深い溝３４ａと浅い溝３４ｂとからなり、深い溝３４
ａは光ファイバ１３の端部を挿通させ、浅い溝３４ｂは
前記深い溝３４ａよりも大径で、光ファイバ１３と同軸
に装用される円筒体３５の端部を挿通させる夫々の径の
部分を何える。また、前記円筒体３５は光ファイバ１３
よりも若干短く形成され、その長さの差がＬＥＤ ３１
とフォトトランジスタ３２の夫々の対向面に設けられた
各溝の深さの差の和に相当するように形成されている。
そして、上記第４図（ａ）に示される如く構成された構
成要部は第４図（ｂ）に示されるようなケース３６に収
められ、液状の封止樹脂３７を注入し、硬化後、ふたを
施して形成される。上記構成により光ファイバ１３と封
止樹脂３７とは非接触に構成される。
成要部は第４図（ｂ）に示されるようなケース３６に収
められ、液状の封止樹脂３７を注入し、硬化後、ふたを
施して形成される。上記構成により光ファイバ１３と封
止樹脂３７とは非接触に構成される。
次に、第５図に示される第２発明における第２の実施例
は、同図（ａ）に横断面図、（ｂ）に縦断面図で示すよ
うに、ＬＥＤ ３１とフォトトランジスタ３２との対向
面間に各素子の光軸を含む光ファイバ１３と、この光フ
ァイバに外囲する円筒体３５の夫々をケース４６に内装
組立され、かつ上記光ファイバ１３と円筒体３５を上・
下から挟みケースの表蓋４６ａとケースのｇｆｉ４６ｂ
とに接する光フアイバ支持体４７ａ、４７ｂ、円筒体支
持体４８ａ、 ４８ｂが設けられ、ケース４６内には液
状の封止樹脂３７が注入硬化されてなるものである。
は、同図（ａ）に横断面図、（ｂ）に縦断面図で示すよ
うに、ＬＥＤ ３１とフォトトランジスタ３２との対向
面間に各素子の光軸を含む光ファイバ１３と、この光フ
ァイバに外囲する円筒体３５の夫々をケース４６に内装
組立され、かつ上記光ファイバ１３と円筒体３５を上・
下から挟みケースの表蓋４６ａとケースのｇｆｉ４６ｂ
とに接する光フアイバ支持体４７ａ、４７ｂ、円筒体支
持体４８ａ、 ４８ｂが設けられ、ケース４６内には液
状の封止樹脂３７が注入硬化されてなるものである。
次に、第６図に示される第２発明における第３の実施例
は、第２発明の前記第１と第２の実施例の各特徴を組合
わせたものである。すなわち、第６図に示すように、Ｌ
ＥＤ ３１．フォトトランジスタ昇の各樹脂封止体３３
の対向面に二重の溝３４が形成されている。この二重の
溝３４は同軸に形成された深い溝３４ａと浅い溝３４ｂ
とからなり、深い溝３４ａは光ファイバ１３の端部で挿
通させ、浅い溝３４ｂは前記深い溝３４ａよりも大径で
、光ファイバ１３と同軸光ファイバ１３に同軸に装用さ
れる円筒体３５の端部を挿通させる夫々の径の部分を備
える。また、前記円筒体３５は光ファイバ１３よりも若
干短く形成され、その長さの差が、ＬＥＤ ３１とフォ
トトランジスタ３２の夫々の対向面に設けられた溝にお
ける深さの差を加算したものに相当するように形成され
ている。従ってＬＥＤ ３１とフォトトランジスタ３２
の対向面の各溝３４，３４の各深い溝に光ファイバ１３
の両端を挿通させて上記対向面間の光軸に光ファイバ１
３が配置され、また溝の各浅い溝３４ｂに円筒体３５の
両端部を挿通させて上記光ファイバ１３と同軸にこの間
筒体３５が配置されるように、光ファイバ１３と円筒体
３５を上下方向から挟みケースの表蓋４６ａとケースの
裏Ｍ４６ｂとに接し、かつ長手方向の端部を溝４６に挿
通させて定位させる光フアイバ支持体４７ａ、 ４７ｂ
、円筒体４８ａ、 ４８ｂを用いて組立し一方の蓋を取
付したケース４６内に配置する。ついで他方の蓋を取付
したのち、液状の封止樹脂を注入し、硬化させて光結合
素子が形成される。
は、第２発明の前記第１と第２の実施例の各特徴を組合
わせたものである。すなわち、第６図に示すように、Ｌ
ＥＤ ３１．フォトトランジスタ昇の各樹脂封止体３３
の対向面に二重の溝３４が形成されている。この二重の
溝３４は同軸に形成された深い溝３４ａと浅い溝３４ｂ
とからなり、深い溝３４ａは光ファイバ１３の端部で挿
通させ、浅い溝３４ｂは前記深い溝３４ａよりも大径で
、光ファイバ１３と同軸光ファイバ１３に同軸に装用さ
れる円筒体３５の端部を挿通させる夫々の径の部分を備
える。また、前記円筒体３５は光ファイバ１３よりも若
干短く形成され、その長さの差が、ＬＥＤ ３１とフォ
トトランジスタ３２の夫々の対向面に設けられた溝にお
ける深さの差を加算したものに相当するように形成され
ている。従ってＬＥＤ ３１とフォトトランジスタ３２
の対向面の各溝３４，３４の各深い溝に光ファイバ１３
の両端を挿通させて上記対向面間の光軸に光ファイバ１
３が配置され、また溝の各浅い溝３４ｂに円筒体３５の
両端部を挿通させて上記光ファイバ１３と同軸にこの間
筒体３５が配置されるように、光ファイバ１３と円筒体
３５を上下方向から挟みケースの表蓋４６ａとケースの
裏Ｍ４６ｂとに接し、かつ長手方向の端部を溝４６に挿
通させて定位させる光フアイバ支持体４７ａ、 ４７ｂ
、円筒体４８ａ、 ４８ｂを用いて組立し一方の蓋を取
付したケース４６内に配置する。ついで他方の蓋を取付
したのち、液状の封止樹脂を注入し、硬化させて光結合
素子が形成される。
本発明によれば、従来の光結合素子の構造で。
結合特性、同相雑音特性のいずれかが劣る問題点を、光
ファイバを用いることによって上記両特性ともに優れた
ものにできた。また、ＬＥＤ 、フォトトランジスタの
形状を従来の球レンズタイプから溝付タイプにすること
によって組立工程の簡略化、合理化が容易となった。さ
らに、第３図に示すように、ケースのＩＡ蓋を用いない
構造にすることにより製品の耐湿性の向上がはかれる。
ファイバを用いることによって上記両特性ともに優れた
ものにできた。また、ＬＥＤ 、フォトトランジスタの
形状を従来の球レンズタイプから溝付タイプにすること
によって組立工程の簡略化、合理化が容易となった。さ
らに、第３図に示すように、ケースのＩＡ蓋を用いない
構造にすることにより製品の耐湿性の向上がはかれる。
次に、特に第２の発明における光ファイバを円筒体で被
覆した構造は、光ファイバに樹脂が接触しないので光結
合が顕著に向上する。また、上記光ファイバと円筒体と
をＬＥＤ 、フォトトランジスタに定位して固定させる
ための光フアイバ支持体４７ａ、 ４７ｂ、円筒体支持
体４８ａ、 ４８ｂを設けることにより、ファイバと円
筒体との間に隙間が設けられて接触が完全に防止され、
伝達特性が向上する。
覆した構造は、光ファイバに樹脂が接触しないので光結
合が顕著に向上する。また、上記光ファイバと円筒体と
をＬＥＤ 、フォトトランジスタに定位して固定させる
ための光フアイバ支持体４７ａ、 ４７ｂ、円筒体支持
体４８ａ、 ４８ｂを設けることにより、ファイバと円
筒体との間に隙間が設けられて接触が完全に防止され、
伝達特性が向上する。
さらに、ケース側および裏蓋に支持体を設けた構造によ
って両素子の対向面に溝を設けた構造と同様の著効が認
められる。次に、上記構造上特徴とする支持体を設ける
ことと、溝を設けることとを組み合わせた特徴を備えた
ものについては上記と同様の著効が認められ、特に製造
上安定で、かつ製造を容易にする。
って両素子の対向面に溝を設けた構造と同様の著効が認
められる。次に、上記構造上特徴とする支持体を設ける
ことと、溝を設けることとを組み合わせた特徴を備えた
ものについては上記と同様の著効が認められ、特に製造
上安定で、かつ製造を容易にする。
第１図ないし第６図は本発明にかかり、第１図は第１発
明の第１の実施例を説明するための断面図、第２図は第
１図のＬＥＤ及びフォトトランジスタ各素子の外形を示
す（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、第３図は第１発明
の第２の実施例を示す断面図。 第４図は第２発明の第１の実施例を説明するための（ａ
）は斜視図、（ｂ）は一部を断面で示す斜視図、第５図
は第２発明の第２の実施例を説明するための（ａ）は横
断面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ線に沿う縦断面図、第６
図は第２発明の第３の実施例を説明するための一部を断
面で示す斜視図、第７図ないし第９図は従来例にかかり
、第７図は一例の断面図。 第８図は別の一例の断面図、第９図はさらに別の一例を
示す（ａ）は一部を断面で示す斜視図、（ｂ）は断面図
である。 １１、３１・・・ＬＥＤ １２、３２・・・フォトトランジスタ １３・・・光ファイバ １４・・・透明樹脂 １５、３６．４６・・・ケース ４７ａ、 ４７ｂ・・・光フアイバ支持体４８ａ、 ４
８ｂ・・・円筒体支持体 ３４・・・溝 １７、２４・・・封止樹脂 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 」α：ナソアヘ７ド ２ダ ゛ ボンディングワイマ 、％： テッフ。 図 ３ム：７−人 Ｊ７：圭丁」二＾ｉｉ脂 第 図 （イの２） ＋８とコ一、 ＋Ｂ６ ： ＦＩＦ−ζ）イｔ−ヨシ
］」ト」コ・イ、１５−第 ５ 図 （イめ１） ２÷：エゴキレ渇ゴ脂 第 ３ 図 第 図 （璽め２） 第 図 ｊ０３ａ、 １０３−ｔ、 ： リート′〆Ｏ３ａ、
ｔｏ！；ｆｔ ： Ａｕ岳Ｂｊ４ｆ０７： フ貫ヒ
ヒウレシス７ １Ｏｑ シ迂、七ｔゴキ＝−王五Ｓ尺１７０侵再饗
抵羞÷１ １Ｏろ： ＬＥＤ ／ＤＢ：＝／υコーンエ、キ！リブ２世１’ｌ’ｆｆｉ
第 ７ こ ｍ三＋：Ｌｎ二〇厚イ；１Ｆ＝、 ｔｔ”ｙ： フＸ１−ヒウンク入２ 図 １２０ ： ファイバ ／２１ ニ ブ−又
明の第１の実施例を説明するための断面図、第２図は第
１図のＬＥＤ及びフォトトランジスタ各素子の外形を示
す（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、第３図は第１発明
の第２の実施例を示す断面図。 第４図は第２発明の第１の実施例を説明するための（ａ
）は斜視図、（ｂ）は一部を断面で示す斜視図、第５図
は第２発明の第２の実施例を説明するための（ａ）は横
断面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ線に沿う縦断面図、第６
図は第２発明の第３の実施例を説明するための一部を断
面で示す斜視図、第７図ないし第９図は従来例にかかり
、第７図は一例の断面図。 第８図は別の一例の断面図、第９図はさらに別の一例を
示す（ａ）は一部を断面で示す斜視図、（ｂ）は断面図
である。 １１、３１・・・ＬＥＤ １２、３２・・・フォトトランジスタ １３・・・光ファイバ １４・・・透明樹脂 １５、３６．４６・・・ケース ４７ａ、 ４７ｂ・・・光フアイバ支持体４８ａ、 ４
８ｂ・・・円筒体支持体 ３４・・・溝 １７、２４・・・封止樹脂 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 」α：ナソアヘ７ド ２ダ ゛ ボンディングワイマ 、％： テッフ。 図 ３ム：７−人 Ｊ７：圭丁」二＾ｉｉ脂 第 図 （イの２） ＋８とコ一、 ＋Ｂ６ ： ＦＩＦ−ζ）イｔ−ヨシ
］」ト」コ・イ、１５−第 ５ 図 （イめ１） ２÷：エゴキレ渇ゴ脂 第 ３ 図 第 図 （璽め２） 第 図 ｊ０３ａ、 １０３−ｔ、 ： リート′〆Ｏ３ａ、
ｔｏ！；ｆｔ ： Ａｕ岳Ｂｊ４ｆ０７： フ貫ヒ
ヒウレシス７ １Ｏｑ シ迂、七ｔゴキ＝−王五Ｓ尺１７０侵再饗
抵羞÷１ １Ｏろ： ＬＥＤ ／ＤＢ：＝／υコーンエ、キ！リブ２世１’ｌ’ｆｆｉ
第 ７ こ ｍ三＋：Ｌｎ二〇厚イ；１Ｆ＝、 ｔｔ”ｙ： フＸ１−ヒウンク入２ 図 １２０ ： ファイバ ／２１ ニ ブ−又
Claims (2)
- （１）所定の間隔に対向して配置された発光素子および
受光素子と、前記両素子の光軸を互いに結合固定させ光
路を形成する光ファイバと、前記両素子および前記光フ
ァイバを内装した遮光ケースと、前記遮光ケースを密封
する封止樹脂を具備し、かつ前記発光素子および受光素
子は夫々の対結面に各光軸を含み前記光ファイバを挿通
する幅の溝または凹部を備えてなる半導体光結合素子。 - （２）所定の間隔に対向して配置された発光素子および
受光素子と、前記両素子の光軸を互いに結合固定させ光
路を形成する光ファイバと、前記両素子および前記光フ
ァイバを内装した遮光ケースと、前記遮光ケース内に封
入され前記夫々を遮光ケースと一体に封止する封止樹脂
を具備し、かつ前記光ファイバは空隙を介して前記封止
樹脂と対向してなることを特徴とする半導体光結合素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215735A JPH0265182A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215735A JPH0265182A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265182A true JPH0265182A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16677328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215735A Pending JPH0265182A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432546U (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-17 | ||
| US20250194285A1 (en) * | 2023-12-07 | 2025-06-12 | Matsusada Precision, Inc. | Photocoupler |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215735A patent/JPH0265182A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432546U (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-17 | ||
| US20250194285A1 (en) * | 2023-12-07 | 2025-06-12 | Matsusada Precision, Inc. | Photocoupler |
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