JPH0265225A - フォトレジストの塗布方法 - Google Patents
フォトレジストの塗布方法Info
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- JPH0265225A JPH0265225A JP63216665A JP21666588A JPH0265225A JP H0265225 A JPH0265225 A JP H0265225A JP 63216665 A JP63216665 A JP 63216665A JP 21666588 A JP21666588 A JP 21666588A JP H0265225 A JPH0265225 A JP H0265225A
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- JP
- Japan
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- wafer
- time
- resist
- film thickness
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- Prior art date
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路を製造するプロセスに含まれる
写真製版工程におけるフォトレジストの塗布方法に関し
、更に詳しくは塗布されたフォトレジストの膜厚のモニ
タ方法およびその結果を利用したフォトレジスト膜厚の
コントロール方法に関する。
写真製版工程におけるフォトレジストの塗布方法に関し
、更に詳しくは塗布されたフォトレジストの膜厚のモニ
タ方法およびその結果を利用したフォトレジスト膜厚の
コントロール方法に関する。
（従来技術）
半導体集積回路を製造するプロセスには、写真製版工程
が含まれる。
が含まれる。
写真製版工程では、下地上にフォトレジストを塗布し、
マスクを介して、又は、縮小投影露光てはレティクルを
介して光をレジストに照射して露光し、その後現像して
、レジストの回路パターンを形成する。
マスクを介して、又は、縮小投影露光てはレティクルを
介して光をレジストに照射して露光し、その後現像して
、レジストの回路パターンを形成する。
レジスト塗布は、スタティックディスペンス（静的滴下
）又はダイナミックディスペンス（動的滴下）の両方式
によりウェハ上にフォトレジストを滴下し、ウェハ全面
にレジスト液を広げた後、ウェハを一定時間高速回転し
、ウェハ全面に均一に広げ次いで一定時間、一定温度の
ポットプレート上で溶媒を蒸発させることによってレジ
スト塗布膜を形成する。
）又はダイナミックディスペンス（動的滴下）の両方式
によりウェハ上にフォトレジストを滴下し、ウェハ全面
にレジスト液を広げた後、ウェハを一定時間高速回転し
、ウェハ全面に均一に広げ次いで一定時間、一定温度の
ポットプレート上で溶媒を蒸発させることによってレジ
スト塗布膜を形成する。
ホットプレートによるヘーキングを完了すると、レジス
トの塗布膜厚は決定される。
トの塗布膜厚は決定される。
露光工程では、一般に４３６ｎｍ、３６５ｎｍなとの単
一波長の光を用いるため、下地に塗布されたレジスト膜
内では、入射する光と、下地から反射する光が互いに干
渉することにより定在波が生ずる。
一波長の光を用いるため、下地に塗布されたレジスト膜
内では、入射する光と、下地から反射する光が互いに干
渉することにより定在波が生ずる。
この定在波の影響のなめ、現像時間を一定にして下地上
のレジストを現像すると、レジストの膜（λは露光波長
、ｎはレジスト屈折率）の周期で増減する。
のレジストを現像すると、レジストの膜（λは露光波長
、ｎはレジスト屈折率）の周期で増減する。
フオトレジス１へ膜厚は
Ｔ＝にω４η”・・・・・・・・・（１）で示される（
ここでＴはレジスト膜厚、ωはウェハ回転数、ηはレジ
スト粘度、Ｋ、α、βは定数である）。
ここでＴはレジスト膜厚、ωはウェハ回転数、ηはレジ
スト粘度、Ｋ、α、βは定数である）。
このため、レジスト膜厚を一定に保つためには回転数ω
を一定に保ち、又レジスト粘度ηを一定に保つため、塗
布室内の温度、湿度を一定に保つようにして、レジスト
膜厚のバラツキを押えるようにしているのが一般的であ
る。
を一定に保ち、又レジスト粘度ηを一定に保つため、塗
布室内の温度、湿度を一定に保つようにして、レジスト
膜厚のバラツキを押えるようにしているのが一般的であ
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかし塗布室内の湿度コントロールは技術的に難しく、
かつ高価な装置を必要とする。さらにこの方法では、塗
布室からホットプレートへ移動する間の時間的なファク
ターによる膜厚変化をコントロールすることは実施出来
ないという問題点があった。
かつ高価な装置を必要とする。さらにこの方法では、塗
布室からホットプレートへ移動する間の時間的なファク
ターによる膜厚変化をコントロールすることは実施出来
ないという問題点があった。
（課題を解決するための手段）
従来技術では、解決出来ない長期間に渡る塗布室内の温
度、湿度のコントロール、及びベーキング室内の温度、
湿度コントロールに代ってベーキング時のレジストの溶
媒の蒸発速度を測定し、なおかつ自動終点検出方法によ
り検出した終点を利用して、スピナーの回転数、回転時
間又は、ベーキング時間をコントロールすることにより
、レジスト膜の仕上り膜厚を一定にコントロール出来、
又、レジスト膜厚をモニタ出来ることを見い出し本発明
を完成した。
度、湿度のコントロール、及びベーキング室内の温度、
湿度コントロールに代ってベーキング時のレジストの溶
媒の蒸発速度を測定し、なおかつ自動終点検出方法によ
り検出した終点を利用して、スピナーの回転数、回転時
間又は、ベーキング時間をコントロールすることにより
、レジスト膜の仕上り膜厚を一定にコントロール出来、
又、レジスト膜厚をモニタ出来ることを見い出し本発明
を完成した。
すなわち本発明は、ウェハにレジスト液を塗布する工程
において、レジストをウェハ上に滴下し、ウェハを高速
回転させレジストを均一に広げた後、ホットプレート上
にて溶剤を蒸発させる際、ウェハの上部から光を照射し
、その反射光をモニタすることにより、反射光のある特
定の極小点を検出し、こめ極小点までの時間（以下、コ
ントロールポイントタイムｒｃＰＴｊと称す）を求め、
求めた時間の対数とフォトレジスト膜厚の対数との一次
関数の直線から膜厚を求めることを特徴とするフォトレ
ジストの膜厚のモニタ方法を提供するものであり、さら
に上記の反射光のある特定の極小点までの時間により総
ベーキング時間を決定することを特徴とするフォトレジ
スト膜厚のコン１〜ロール方法および、上記極小点まで
の時間により、次のウェハの高速スピン時間または回転
数を決定することを特徴とするフォトレジスト膜厚のコ
ントロール方法を提供するものである。
において、レジストをウェハ上に滴下し、ウェハを高速
回転させレジストを均一に広げた後、ホットプレート上
にて溶剤を蒸発させる際、ウェハの上部から光を照射し
、その反射光をモニタすることにより、反射光のある特
定の極小点を検出し、こめ極小点までの時間（以下、コ
ントロールポイントタイムｒｃＰＴｊと称す）を求め、
求めた時間の対数とフォトレジスト膜厚の対数との一次
関数の直線から膜厚を求めることを特徴とするフォトレ
ジストの膜厚のモニタ方法を提供するものであり、さら
に上記の反射光のある特定の極小点までの時間により総
ベーキング時間を決定することを特徴とするフォトレジ
スト膜厚のコン１〜ロール方法および、上記極小点まで
の時間により、次のウェハの高速スピン時間または回転
数を決定することを特徴とするフォトレジスト膜厚のコ
ントロール方法を提供するものである。
本発明においてウェハ上に塗布されたフォトレジストの
溶剤を蒸発させる際、ウェハの上部から光を照射しその
反射光をモニタする方法としては例えば第１図に示す装
置を使用すればよい。
溶剤を蒸発させる際、ウェハの上部から光を照射しその
反射光をモニタする方法としては例えば第１図に示す装
置を使用すればよい。
第１図において、１はホットプレートてあり、１１はホ
ットプレート時間をコントロールするホラ１〜プレート
タイマーである。ホットプレート１には吸引機構が備え
られ、下地３は吸引して装着するようになっている。４
は下地３上のレジス１への膜厚を測定する光学系の長波
長を有する光源であり、例えはタングステンランプや水
銀灯なとか用いられる。５は光源４からの光のうちレジ
スｌ〜を感光させない波長の光を通すためのフィルタで
あり、例えは４６０ｎｍ以下の短波長の光を遮蔽するフ
ィルタか使用される。６はフィルタ５を通った光を下地
３上に導く光ファイバ束てあり、下地３上での光の直径
が例えは１０ｍｍ程度になるように照射する。
ットプレート時間をコントロールするホラ１〜プレート
タイマーである。ホットプレート１には吸引機構が備え
られ、下地３は吸引して装着するようになっている。４
は下地３上のレジス１への膜厚を測定する光学系の長波
長を有する光源であり、例えはタングステンランプや水
銀灯なとか用いられる。５は光源４からの光のうちレジ
スｌ〜を感光させない波長の光を通すためのフィルタで
あり、例えは４６０ｎｍ以下の短波長の光を遮蔽するフ
ィルタか使用される。６はフィルタ５を通った光を下地
３上に導く光ファイバ束てあり、下地３上での光の直径
が例えは１０ｍｍ程度になるように照射する。
光ファイバ束６はまた、下地３からの反射光を導く役目
もしている。光ファイバ６で導かれた反射光はフィルタ
８を経てフォｌ−１〜ランシスタフで受光される。フィ
ルタ８は特定の波長範囲の光のみを透過させる狭帯域パ
ン１へパスフィルタであり、下地３の種類などによって
最もＳ／Ｎ比の大きくなるような波長を選択できるもの
を使用する。フォ１へトランジスタ１０の検出信号はＡ
／Ｄコンバータ１０を経てデジタル信号に変換され、コ
ンピュータ９に取り込まれて淡彩の解析が行われる。
もしている。光ファイバ６で導かれた反射光はフィルタ
８を経てフォｌ−１〜ランシスタフで受光される。フィ
ルタ８は特定の波長範囲の光のみを透過させる狭帯域パ
ン１へパスフィルタであり、下地３の種類などによって
最もＳ／Ｎ比の大きくなるような波長を選択できるもの
を使用する。フォ１へトランジスタ１０の検出信号はＡ
／Ｄコンバータ１０を経てデジタル信号に変換され、コ
ンピュータ９に取り込まれて淡彩の解析が行われる。
又、反射光の特定の極小点を検出する方法のアルゴリズ
ムとしては以下の４種のものが挙げられる。
ムとしては以下の４種のものが挙げられる。
■ 基本形エンドフリンジアルゴリズムエンドフリンジ
アルゴリズムのフローチャートを第２図に示す。
アルゴリズムのフローチャートを第２図に示す。
パラメータとしては、コンピューターの計測開始点から
のアルゴリスム作用開始時間α、及び許容可能な周期の
伸ひ率β（＞ １．０ ）を入力する。
のアルゴリスム作用開始時間α、及び許容可能な周期の
伸ひ率β（＞ １．０ ）を入力する。
現像を開始してからαを超えた後、アルゴリズムを作用
する。時間ｔの時点て判明している最後の極小点２つの
時間間隔Ｘβまでの間に次の極小点が現われる場合、演
算をさらに実行する。時間ｔの時点で判明している最後
の極小点２つの時間間隔Ｘβまでの間に次の極小点が現
われなかった場合、最後の極小点をＣＰＴとして検出す
る。
する。時間ｔの時点て判明している最後の極小点２つの
時間間隔Ｘβまでの間に次の極小点が現われる場合、演
算をさらに実行する。時間ｔの時点で判明している最後
の極小点２つの時間間隔Ｘβまでの間に次の極小点が現
われなかった場合、最後の極小点をＣＰＴとして検出す
る。
■ アルゴリズム終了時間指定型エンドフリンジアルゴ
リズム（第３図） 本アルゴリズムのフローチャー１〜を第６図に示す。
リズム（第３図） 本アルゴリズムのフローチャー１〜を第６図に示す。
パラメータとしては、アルゴリズム終了時間γを入力す
る。現像開始後、時間γにおいて判明している最後の極
小点をＣＲＴとする。
る。現像開始後、時間γにおいて判明している最後の極
小点をＣＲＴとする。
■ −谷フリンジ対応型エンドフリンジアルゴリスム（
第４図） 本アルゴリズムは、大きな谷か１つ現われる現像波形に
適用する。
第４図） 本アルゴリズムは、大きな谷か１つ現われる現像波形に
適用する。
入力パラメータはアルゴリズム開始時間α、及び極小点
が１つ見つかってから、次の極小点が現われるのを待つ
ときの最大待ち時間Ｔｗ又は比率倍数である。
が１つ見つかってから、次の極小点が現われるのを待つ
ときの最大待ち時間Ｔｗ又は比率倍数である。
α経過＠Ｔ Ｗまての間に検出された最後の極小点Ｃを
ＣＲＴとして検出する。
ＣＲＴとして検出する。
■ エステイマチラド曲率検出型アルゴリズム（第５図
） 本アルゴリズムはＥｓ時刻より左右にサーチして最も近
い極小点又は、極大点を検出し、その点を中心として左
右にＴｂ時間内のデータに対してフリンジの曲率を計算
し、曲率の最も大きな点をＣＲＴとして検出する。
） 本アルゴリズムはＥｓ時刻より左右にサーチして最も近
い極小点又は、極大点を検出し、その点を中心として左
右にＴｂ時間内のデータに対してフリンジの曲率を計算
し、曲率の最も大きな点をＣＲＴとして検出する。
上記の装置及びアルゴリズムを使用して、ＣＰＴの測定
を行い、ＣＲＴと仕上り膜厚との関係を求めた。
を行い、ＣＲＴと仕上り膜厚との関係を求めた。
ベーキング時のベーキング温度、時間を一定とした時の
ＣＲＴとレジスト膜厚の関係を第６図に示す。
ＣＲＴとレジスト膜厚の関係を第６図に示す。
第６図に示す通りＣＰＴとレジスト膜厚Ｔは両対数プロ
ットにおいて、直線近似てき、両者関係は指数関数 Ｔ ＝ Ｋ・ＣＰＴ工１・・・・・・・・・（２）で表
わすことができる。（上式中におよびｎは定数）ウェハ
から反射光のＳ／Ｎ及び特定位置にＣＲＴが発生するフ
ィルタを選択し、干渉波の特定の極小点を検出する。極
小点は、得られる干渉波を数学的に反転させ、生じさせ
ることもてきる。
ットにおいて、直線近似てき、両者関係は指数関数 Ｔ ＝ Ｋ・ＣＰＴ工１・・・・・・・・・（２）で表
わすことができる。（上式中におよびｎは定数）ウェハ
から反射光のＳ／Ｎ及び特定位置にＣＲＴが発生するフ
ィルタを選択し、干渉波の特定の極小点を検出する。極
小点は、得られる干渉波を数学的に反転させ、生じさせ
ることもてきる。
各種条件において（２）式中の■ぐ及びｎを決定し、Ｃ
ＰＴとレジスト膜厚の関係式を求めておけは、ＣＲＴの
測定により膜厚を決定できることとなる。
ＰＴとレジスト膜厚の関係式を求めておけは、ＣＲＴの
測定により膜厚を決定できることとなる。
膜厚のコントロールは、上記手法で検出したＣＰＴを用
いてベーキング時間（ＴＢＴ）スピナー回転数（ＦＳＳ
）、スピナー回転時間（Ｔ Ｓ Ｔ ）、それぞれを又
はこれらを組み合せてコントロールすることにより実施
される。
いてベーキング時間（ＴＢＴ）スピナー回転数（ＦＳＳ
）、スピナー回転時間（Ｔ Ｓ Ｔ ）、それぞれを又
はこれらを組み合せてコントロールすることにより実施
される。
これを第７図によって説明する。
第７図は、ある波長での反射光強度に対するベーキング
中のレジスト膜厚との関係を示す。
中のレジスト膜厚との関係を示す。
第７図から明らかなように、コントロールポイントまで
の時間は、反射光の干渉光を測定することにより、容易
に決定てきる。
の時間は、反射光の干渉光を測定することにより、容易
に決定てきる。
しかし、コントロールポイントでベーキングを打ち切っ
てしまったのては所望の膜厚を得ることは出来ない。従
来では現実に数枚のウェハを塗布し、所望なレジスト膜
厚が得られるウェハ回転数を求め、この回転数に基つい
て以後の作業を行っていた。
てしまったのては所望の膜厚を得ることは出来ない。従
来では現実に数枚のウェハを塗布し、所望なレジスト膜
厚が得られるウェハ回転数を求め、この回転数に基つい
て以後の作業を行っていた。
しかし、一般的に塗布室内の温度、湿度又は溶媒濃度、
ベーキング室の温度、湿度などは１枚ごとに変化し、必
ず最適なウェハ回転時間、回転数、ベーキング時間も変
化する。
ベーキング室の温度、湿度などは１枚ごとに変化し、必
ず最適なウェハ回転時間、回転数、ベーキング時間も変
化する。
コントロールポイントに達するまでの時間とは、λはモ
ニタ波長、ｎはレジストの屈折率）となった時点であり
、これに対してＴＢＴ、ＴＳＴ、は所望のレジスト膜厚
を決定するまでの時間又は、ＦＳＳはウェハ回転数と言
える。
ニタ波長、ｎはレジストの屈折率）となった時点であり
、これに対してＴＢＴ、ＴＳＴ、は所望のレジスト膜厚
を決定するまでの時間又は、ＦＳＳはウェハ回転数と言
える。
本発明者らは、このＣＰＴとＴＢＴ、ＴＳＴ又はＦＳＳ
とが実際によりほぼ近似直線となることを見い出した。
とが実際によりほぼ近似直線となることを見い出した。
この比をα値と定義する。
すなわち
である。
さらにこのα値は、絶対的な唯一の値てはなく得ようと
するレジスト膜厚、ウェハ回転数、フィルタ波長、基板
、下地の種類によって異なることを見い出した。（第８
図） しかし、１度この値をキャリブレーションにより得られ
れば ＴＰＴ−α１・ＣＲＴ ＴＳＴ−α２・ＣＲＴ ＦＳＳ−α３・ＣＲＴ として求められるのて再現性のよい膜厚コントロールが
実施できる。
するレジスト膜厚、ウェハ回転数、フィルタ波長、基板
、下地の種類によって異なることを見い出した。（第８
図） しかし、１度この値をキャリブレーションにより得られ
れば ＴＰＴ−α１・ＣＲＴ ＴＳＴ−α２・ＣＲＴ ＦＳＳ−α３・ＣＲＴ として求められるのて再現性のよい膜厚コントロールが
実施できる。
ここでは、ウェハ回転数、ウェハ回転時間を固定し、ベ
ーキング時間のみコントロールし、レジスト膜厚をコン
トロールする手法に関して詳細を記述する。ベーキング
開始から時間の経過にともなってレジスト膜厚は減少し
てゆく。
ーキング時間のみコントロールし、レジスト膜厚をコン
トロールする手法に関して詳細を記述する。ベーキング
開始から時間の経過にともなってレジスト膜厚は減少し
てゆく。
この時レジスト２の上方から、下地１に光りを照射し、
その反射光を検出するとその検出信号の強度は、第９図
に示されるように山と谷の波形を持つ。
その反射光を検出するとその検出信号の強度は、第９図
に示されるように山と谷の波形を持つ。
これは、レジスト２の表面からの反射光と、下地１の表
面からの反射光の間で干渉が起こるからである。ベーキ
ングが進むにつれ、波形に山と谷が生ずる。この山と谷
の周期はレジストの膜厚がλは監視している光の波長、
ｎはレジスト２の屈折率である。
面からの反射光の間で干渉が起こるからである。ベーキ
ングが進むにつれ、波形に山と谷が生ずる。この山と谷
の周期はレジストの膜厚がλは監視している光の波長、
ｎはレジスト２の屈折率である。
なったことを示している。
本発明者は、種々の条件下での実験からＣＲＴとＴＢＴ
の関係を下記のような実験式で表わすことができること
を発見した。
の関係を下記のような実験式で表わすことができること
を発見した。
ＴＢＴ＝Ｐ （ＣＲＴ） ２＋ Ｑ （ＣＲＴ）
・・・く３）但し、上式はあくまでも実験式であり
、上式の近似精度等によって本発明が何らの影響を受け
るものではなく、当然の事ながら他の近似式実験式によ
り両者の相関を表現してもよい。
・・・く３）但し、上式はあくまでも実験式であり
、上式の近似精度等によって本発明が何らの影響を受け
るものではなく、当然の事ながら他の近似式実験式によ
り両者の相関を表現してもよい。
（３）式においてＰ、Ｑは定数であり、これを決定する
には以下の方法によればよい。
には以下の方法によればよい。
すなわち、ウェハ回転数と総ベーキング時間（ＴＢＴ）
を、変えてレジスト塗布を行い、レジスＩ・膜厚を測定
し、測定されるＣＲＴとレジスト膜厚を所望の膜厚とす
るための総ベーキング時間ＴＰＴとから、上記（３）式
によりＰ、Ｑを決定すれはよい。
を、変えてレジスト塗布を行い、レジスＩ・膜厚を測定
し、測定されるＣＲＴとレジスト膜厚を所望の膜厚とす
るための総ベーキング時間ＴＰＴとから、上記（３）式
によりＰ、Ｑを決定すれはよい。
下地１として、ベアＳｉ基板を使用し、その上にポジ型
しジス１〜０ＦＰＲ−８００を仕上がり膜厚１０Ｂ５０
人になるように定数Ｐ、Ｑを決定すると Ｐ＝４．７６ Ｑ−−９，４８となった。
しジス１〜０ＦＰＲ−８００を仕上がり膜厚１０Ｂ５０
人になるように定数Ｐ、Ｑを決定すると Ｐ＝４．７６ Ｑ−−９，４８となった。
この方法は、反射率の高い基板Ａ１．Ａｌ−３ｉ、Ａｌ
−Ｃｕ又は反射率の低い基板Ｓ ｉ 、 Ｐｏ１ｙ−８
ｉｌ、Ｗ ポリサイド、Ｗシリサイド、Ｔトメ、５ｉｎ２、Ｓｉ：
＋Ｎ４、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、又、それらを組み合せた多
層膜を有する基板に対して適応できる。
−Ｃｕ又は反射率の低い基板Ｓ ｉ 、 Ｐｏ１ｙ−８
ｉｌ、Ｗ ポリサイド、Ｗシリサイド、Ｔトメ、５ｉｎ２、Ｓｉ：
＋Ｎ４、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、又、それらを組み合せた多
層膜を有する基板に対して適応できる。
次に実施例により本発明をより具体的に説明する。
しかし、本発明例はあくまても例示のために記載するも
のであり、発明の範囲がこれにより制限されるものでは
ない。
のであり、発明の範囲がこれにより制限されるものでは
ない。
（実施例）
ポジ型しシス１へ０ＦＰＲ−８００を用い、ベーキング
温度を１００℃、ウェハ回転時間を２０秒とし、ウェハ
回転数を３１５０〜３２００ｒｐｍの間で変化させた。
温度を１００℃、ウェハ回転時間を２０秒とし、ウェハ
回転数を３１５０〜３２００ｒｐｍの間で変化させた。
ベーキング中にＣＲＴをモニタし、得られたＣＲＴを用
いてベーキング時間をコントロールした。ベーキング時
間は３０秒〜９０秒と変化しレジスト膜厚は、１０３５
０人±３０人の範囲でコントロールされた。（第１０図
）これに対して、従来方法では、レジスト膜厚は１０３
２０人±１８０人変化した。（第１１図）本実施例は、
本発明をベーキング時間のコントロールにより実施して
いるが、スピナーの回転数、及び回転時間をコントロー
ルする手法にも適用することができる。
いてベーキング時間をコントロールした。ベーキング時
間は３０秒〜９０秒と変化しレジスト膜厚は、１０３５
０人±３０人の範囲でコントロールされた。（第１０図
）これに対して、従来方法では、レジスト膜厚は１０３
２０人±１８０人変化した。（第１１図）本実施例は、
本発明をベーキング時間のコントロールにより実施して
いるが、スピナーの回転数、及び回転時間をコントロー
ルする手法にも適用することができる。
（効果）
本発明は、レジスト塗布後のベーキングにおいて、ウェ
ハ上部より光を照射し、反射光強度を検出し、終点を検
出し、その時間を用いて瞬時に仕上り膜厚を予想するこ
とが出来る。
ハ上部より光を照射し、反射光強度を検出し、終点を検
出し、その時間を用いて瞬時に仕上り膜厚を予想するこ
とが出来る。
又、終点の時間の１次及び２次関数として総ベーキング
時間（ＴＢＴ） 、ウェハ回転数（ＴＳＳ）総回転時間
（ＴＳＴ）を決定することにより仕上りレジスト膜厚を
安定化させることができる。
時間（ＴＢＴ） 、ウェハ回転数（ＴＳＳ）総回転時間
（ＴＳＴ）を決定することにより仕上りレジスト膜厚を
安定化させることができる。
第１図はＣＰＴを検出するための装置の一例を示す概略
図、第２図は基本形エンドフリンジアルゴリズムのフロ
ーチャート、第３図はアルゴリズム終了時間指定型エン
ドフリンジアルゴリズムのフローチャート、第４図は一
谷フリンジ対応型エン１〜フリンジアルゴリズムのフロ
ーチャート、第５図はエステイマチラド曲率検出型アル
ゴリズムのフローチャート、第６図はベーキング時間を
一定とした時のＬＯＧ ＣＲＴとＬＯＧレジスト膜厚
の関係を示すグラフ、第７図はベーキング時間と反射強
度の関係、及びレジスト膜厚の変化を示す模式図、第８
図はレジスト膜厚１０３５０人を得るためのＣＲＴとα
１値を示すグラフ、第９図はベーキング時間と反射強度
の関係を示すグラフ、第１０図は本発明を用いた場合の
ＣＲＴとレジスト膜厚の関係を示すグラフ、第１１図は
ベーキング時間一定とした時のＣＲＴとレジスト膜厚の
関係を示すグラフである。 特許出願人 住友ジ−シーニー株式会社（外４名） （Ｖ）背迎ｏ’、４／１ ）Ｂ （Ｖ）吉賃旧”ｒ、、’ｓ’１ ン綜割憾
図、第２図は基本形エンドフリンジアルゴリズムのフロ
ーチャート、第３図はアルゴリズム終了時間指定型エン
ドフリンジアルゴリズムのフローチャート、第４図は一
谷フリンジ対応型エン１〜フリンジアルゴリズムのフロ
ーチャート、第５図はエステイマチラド曲率検出型アル
ゴリズムのフローチャート、第６図はベーキング時間を
一定とした時のＬＯＧ ＣＲＴとＬＯＧレジスト膜厚
の関係を示すグラフ、第７図はベーキング時間と反射強
度の関係、及びレジスト膜厚の変化を示す模式図、第８
図はレジスト膜厚１０３５０人を得るためのＣＲＴとα
１値を示すグラフ、第９図はベーキング時間と反射強度
の関係を示すグラフ、第１０図は本発明を用いた場合の
ＣＲＴとレジスト膜厚の関係を示すグラフ、第１１図は
ベーキング時間一定とした時のＣＲＴとレジスト膜厚の
関係を示すグラフである。 特許出願人 住友ジ−シーニー株式会社（外４名） （Ｖ）背迎ｏ’、４／１ ）Ｂ （Ｖ）吉賃旧”ｒ、、’ｓ’１ ン綜割憾
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハにレジスト液を塗布する工程において、レジ
ストをウェハ上に滴下し、ウェハを高速回転させレジス
トを均一に広げた後、ホットプレート上にて溶剤を蒸発
させる際、ウェハの上部から光を照射し、その反射光を
モニタすることにより、反射光のある特定の極小点を検
出し、この極小点までの時間により総ベーキング時間を
決定することを特徴とするフォトレジストの膜厚のコン
トロール方法。 ２、ウェハにレジスト液を塗布する工程において、レジ
ストをウェハ上に滴下し、ウェハを高速回転させレジス
トを均一に広げた後、ホットプレート上にて溶剤を蒸発
させる際、ウェハの上部から光を照射し、その反射光を
モニタすることにより、反射光のある特定の極小点を検
出し、この極小点までの時間により次ぎのウェハの高速
スピン 時間または回転数を決定することを特徴
とするフォトレジストの膜厚のコントロール方法。 ３、ウェハにレジスト液を塗布する工程において、レジ
ストをウェハ上に滴下し、ウェハを高速回転させレジス
トを均一に広げた後、ホットプレート上にて溶剤を蒸発
させる際、ウェハの上部から光を照射し、その反射光を
モニタすることにより、反射光のある特定の極小点を検
出し、この極小点までの時間を求め、求めた時間の対数
とフォトレジスト膜厚の対数との一次関数の直線から膜
厚を求めることを特徴とするフォトレジストの膜厚のモ
ニタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216665A JPH0265225A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216665A JPH0265225A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265225A true JPH0265225A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16692009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63216665A Pending JPH0265225A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747201A (en) * | 1990-04-13 | 1998-05-05 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
| WO2021260943A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | ミカサ株式会社 | スピンコーティング装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63216665A patent/JPH0265225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747201A (en) * | 1990-04-13 | 1998-05-05 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
| WO2021260943A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | ミカサ株式会社 | スピンコーティング装置 |
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