JPH09197677A - 感光性レジスト膜の露光処理方法 - Google Patents
感光性レジスト膜の露光処理方法Info
- Publication number
- JPH09197677A JPH09197677A JP8003788A JP378896A JPH09197677A JP H09197677 A JPH09197677 A JP H09197677A JP 8003788 A JP8003788 A JP 8003788A JP 378896 A JP378896 A JP 378896A JP H09197677 A JPH09197677 A JP H09197677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- resist
- light
- film
- light intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握
して、前記レジストを良好な重合状態に光重合させる。 【解決手段】感光性レジスト膜２に光を照射しながら、
前記レジスト膜２を透過する前の光強度と、前記レジス
ト膜２を透過した後の光強度とをセンサ４，５により継
続して測定し、その両方の光強度の比の変化量が所定の
値になったときに光の照射を終了する。
して、前記レジストを良好な重合状態に光重合させる。 【解決手段】感光性レジスト膜２に光を照射しながら、
前記レジスト膜２を透過する前の光強度と、前記レジス
ト膜２を透過した後の光強度とをセンサ４，５により継
続して測定し、その両方の光強度の比の変化量が所定の
値になったときに光の照射を終了する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、感光性レジスト
膜の露光処理方法に関するものである。
膜の露光処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、顔料を添加した感光性カラーレ
ジストによりカラーフィルタを形成する際や、フォトリ
ソグラフィ法による被膜のパターニングに際しての感光
性レジスト膜の露光処理は、従来、使用する感光性レジ
ストの光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて露
光量を設定して行なわれている。
ジストによりカラーフィルタを形成する際や、フォトリ
ソグラフィ法による被膜のパターニングに際しての感光
性レジスト膜の露光処理は、従来、使用する感光性レジ
ストの光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて露
光量を設定して行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の露
光処理方法では、感光性レジストを良好な重合状態に光
重合させることが難しく、特にカラーレジスト膜の場合
は、レジストに添加された顔料による光の吸収がレジス
トの光重合の進行に大きく影響するため、良好な光重合
がより困難であった。
光処理方法では、感光性レジストを良好な重合状態に光
重合させることが難しく、特にカラーレジスト膜の場合
は、レジストに添加された顔料による光の吸収がレジス
トの光重合の進行に大きく影響するため、良好な光重合
がより困難であった。
【０００４】この発明は、感光性レジストの実際の光重
合の進行度を把握して、前記レジストを良好な重合状態
に光重合させることができる感光性レジスト膜の露光処
理方法を提供することを目的としたものである。
合の進行度を把握して、前記レジストを良好な重合状態
に光重合させることができる感光性レジスト膜の露光処
理方法を提供することを目的としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の露光処理方法
は、感光性レジスト膜に光を照射しながら、前記レジス
ト膜を透過する前の光強度と、前記レジスト膜を透過し
た後の光強度とを継続して測定し、その両方の光強度の
比の変化量が所定の値になったときに光の照射を終了す
ることを特徴とするものである。
は、感光性レジスト膜に光を照射しながら、前記レジス
ト膜を透過する前の光強度と、前記レジスト膜を透過し
た後の光強度とを継続して測定し、その両方の光強度の
比の変化量が所定の値になったときに光の照射を終了す
ることを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、この発明は、感光性レジストの
重合により吸収される光が、レジストの重合の進行にと
もなって少なくなることに着目したものであり、レジス
トでの光の吸収量は、レジスト膜を透過する前と透過後
の光強度の比に相当するため、この光強度の比の変化か
ら、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握する
ことができる。
重合により吸収される光が、レジストの重合の進行にと
もなって少なくなることに着目したものであり、レジス
トでの光の吸収量は、レジスト膜を透過する前と透過後
の光強度の比に相当するため、この光強度の比の変化か
ら、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握する
ことができる。
【０００７】そして、前記光強度比は、レジストの光重
合の進行にともなって小さくなり、レジストが充分に光
重合すると、前記光強度比がほとんど変化しなくなるか
ら、この光強度比の変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了すれば、レジストが充分に光重合したと
ころでその露光処理を終了させることができ、したがっ
て、レジストを良好な重合状態に光重合させることがで
きる。
合の進行にともなって小さくなり、レジストが充分に光
重合すると、前記光強度比がほとんど変化しなくなるか
ら、この光強度比の変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了すれば、レジストが充分に光重合したと
ころでその露光処理を終了させることができ、したがっ
て、レジストを良好な重合状態に光重合させることがで
きる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図１はこの発明の第１の実施例
による露光処理方法を示す図であり、ここでは、液晶表
示素子に用いる透明な基板上に、顔料を添加した感光性
カラーレジストによりカラーフィルタを形成する際の露
光処理方法を示している。
面を参照して説明する。図１はこの発明の第１の実施例
による露光処理方法を示す図であり、ここでは、液晶表
示素子に用いる透明な基板上に、顔料を添加した感光性
カラーレジストによりカラーフィルタを形成する際の露
光処理方法を示している。
【０００９】図１において、１はガラス等からなる透明
基板であり、カラーフィルタは、基板１の上に顔料を添
加した感光性カラーレジストを塗布して、そのカラーレ
ジスト膜２を所定のパターンの露光マスク３を用いて露
光処理した後に現像処理し、この露光および現像処理に
よってパターニングされたレジスト膜２を焼成して形成
される。
基板であり、カラーフィルタは、基板１の上に顔料を添
加した感光性カラーレジストを塗布して、そのカラーレ
ジスト膜２を所定のパターンの露光マスク３を用いて露
光処理した後に現像処理し、この露光および現像処理に
よってパターニングされたレジスト膜２を焼成して形成
される。
【００１０】上記レジスト膜２の露光処理方法を説明す
ると、このレジスト膜２の露光は、図１のように、レジ
スト膜２の表面側と基板１の裏面側とに、レジスト膜２
に照射される光Ａ0 の強度を測定するための光強度セン
サ４と、レジスト膜２を透過して基板の裏面側に出射す
る光Ａの強度を測定するための光強度センサ５とを配置
し、その状態でレジスト膜２に光を照射して行なう。
ると、このレジスト膜２の露光は、図１のように、レジ
スト膜２の表面側と基板１の裏面側とに、レジスト膜２
に照射される光Ａ0 の強度を測定するための光強度セン
サ４と、レジスト膜２を透過して基板の裏面側に出射す
る光Ａの強度を測定するための光強度センサ５とを配置
し、その状態でレジスト膜２に光を照射して行なう。
【００１１】なお、上記レジスト膜２は基板１の全面に
塗布し、この基板１の余剰部、つまり後工程（液晶表示
素子の組み立て後）に切り落とされる基板縁部に対向さ
せて上記センサ４，５を配置する。
塗布し、この基板１の余剰部、つまり後工程（液晶表示
素子の組み立て後）に切り落とされる基板縁部に対向さ
せて上記センサ４，５を配置する。
【００１２】そして、この実施例では、上記レジスト膜
２に光を照射しながら、このレジスト膜２を透過する前
の光強度（照射光Ａ0 の強度）と、前記レジスト膜２を
透過した後の光強度（基板１の裏面側に出射した光Ａの
強度）とを前記センサ４，５により継続して測定し、そ
の測定データをリアルタイムで演算部（図示しないがマ
イクロコンピュータを利用する）に入力して両方の光強
度の比を算出するとともに、この光強度比の変化を連続
的に監視して、その変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了する。
２に光を照射しながら、このレジスト膜２を透過する前
の光強度（照射光Ａ0 の強度）と、前記レジスト膜２を
透過した後の光強度（基板１の裏面側に出射した光Ａの
強度）とを前記センサ４，５により継続して測定し、そ
の測定データをリアルタイムで演算部（図示しないがマ
イクロコンピュータを利用する）に入力して両方の光強
度の比を算出するとともに、この光強度比の変化を連続
的に監視して、その変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了する。
【００１３】この露光処理方法は、感光性レジストの重
合により吸収される光が、レジストの重合の進行にとも
なって少なくなることに着目したものであり、レジスト
での光の吸収量は、上記レジスト膜２を透過する前と透
過後の光強度の比に相当するため、この光強度比の変化
から、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握す
ることができる。
合により吸収される光が、レジストの重合の進行にとも
なって少なくなることに着目したものであり、レジスト
での光の吸収量は、上記レジスト膜２を透過する前と透
過後の光強度の比に相当するため、この光強度比の変化
から、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握す
ることができる。
【００１４】そして、前記光強度比は、レジストの光重
合の進行にともなって小さくなり、レジストが充分に光
重合すると、前記光強度比がほとんど変化しなくなるか
ら、この光強度比の変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了すれば、レジストが充分に光重合したと
ころでその露光処理を終了させることができ、したがっ
て、レジストを良好な重合状態に光重合させることがで
きる。
合の進行にともなって小さくなり、レジストが充分に光
重合すると、前記光強度比がほとんど変化しなくなるか
ら、この光強度比の変化量が所定の値になったところで
光の照射を終了すれば、レジストが充分に光重合したと
ころでその露光処理を終了させることができ、したがっ
て、レジストを良好な重合状態に光重合させることがで
きる。
【００１５】上記感光性レジストの重合の進行と、レジ
スト膜２を透過する前と透過後の光強度の比との関係を
説明すると、前記光強度比はレジストの重合が進むにつ
れて変化するが、その変化には、Ｌａｍｂｅｒｔの式よ
り以下の関係がある。
スト膜２を透過する前と透過後の光強度の比との関係を
説明すると、前記光強度比はレジストの重合が進むにつ
れて変化するが、その変化には、Ｌａｍｂｅｒｔの式よ
り以下の関係がある。
【００１６】Ｉ（Ｌ）＝Ｃ・Ｉ0 ・ｅｘｐ（−τＬ） Ｉ（Ｌ）：レジスト膜２を透過した後の光強度 Ｉ0 ：レジスト膜２を透過する前の光強度 Ｃ ：基板１を透過するときの光強度の低下比 Ｌ ：レジスト膜２の表面から基板１の裏面までの透過
長 τ ：レジスト膜２の濁り度（ｔｕｒｂｉｄｉｔｙ） ここで、τは、 τ＝Ln｛Ｉ（Ｌ）／（Ｃ・Ｉ0 ）｝／（−Ｌ） となり、レジストの光重合が進むと、ある値に収束す
る。
長 τ ：レジスト膜２の濁り度（ｔｕｒｂｉｄｉｔｙ） ここで、τは、 τ＝Ln｛Ｉ（Ｌ）／（Ｃ・Ｉ0 ）｝／（−Ｌ） となり、レジストの光重合が進むと、ある値に収束す
る。
【００１７】そして、Ｃは基板１によって決まる定数で
あるため、Ln｛Ｉ（Ｌ）／Ｉ0 ｝の収束度をみること
で、レジストの光重合の度合を知ることができ、したが
って、前記光強度の比Ｉ（Ｌ）／Ｉ0 の変化から、レジ
ストの実際の光重合の進行度を正確に把握することがで
きる。
あるため、Ln｛Ｉ（Ｌ）／Ｉ0 ｝の収束度をみること
で、レジストの光重合の度合を知ることができ、したが
って、前記光強度の比Ｉ（Ｌ）／Ｉ0 の変化から、レジ
ストの実際の光重合の進行度を正確に把握することがで
きる。
【００１８】また、Ln｛Ｉ（Ｌ）／Ｉ0 ｝が充分に収束
すると、つまりレジストが充分に光重合すると、上記光
強度比Ｉ(L) ／Ｉ0 がほとんど変化しなくなるから、こ
の光強度比の変化量が所定の値（例えば、光強度比の変
化量が０に近くなったとき）になったときに光の照射を
終了すれば、レジストが充分に光重合したところでその
露光処理を終了させることができる。
すると、つまりレジストが充分に光重合すると、上記光
強度比Ｉ(L) ／Ｉ0 がほとんど変化しなくなるから、こ
の光強度比の変化量が所定の値（例えば、光強度比の変
化量が０に近くなったとき）になったときに光の照射を
終了すれば、レジストが充分に光重合したところでその
露光処理を終了させることができる。
【００１９】したがって、この露光処理方法によれば、
上記カラーレジスト膜２を、露光不足や露光オーバーの
ない最適な露光量で重合させることができるから、その
後に前記レジスト膜２を現像処理して形成されるカラー
フィルタの形状精度を充分に高くすることができる。
上記カラーレジスト膜２を、露光不足や露光オーバーの
ない最適な露光量で重合させることができるから、その
後に前記レジスト膜２を現像処理して形成されるカラー
フィルタの形状精度を充分に高くすることができる。
【００２０】しかも、上記露光処理方法は、レジスト膜
２を透過する前と透過後の光強度の比の変化からレジス
トの実際の光重合の進行度を把握するものであるため、
従来の露光処理方法のように、使用する感光性レジスト
の光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて、その
都度露光量を設定する必要はなく、したがって、露光処
理に要する手間を大幅に軽減することができる。
２を透過する前と透過後の光強度の比の変化からレジス
トの実際の光重合の進行度を把握するものであるため、
従来の露光処理方法のように、使用する感光性レジスト
の光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて、その
都度露光量を設定する必要はなく、したがって、露光処
理に要する手間を大幅に軽減することができる。
【００２１】また、上記露光処理方法では、レジスト膜
２を透過する前の光強度を測定するための光強度センサ
４を前記レジスト膜２の表面側に配置しているが、上述
したようにレジスト膜２を基板１の全面に塗布し、基板
１の余剰部に対向させて前記センサ４を配置すれば、レ
ジスト膜２のカラーフィルタとなる部分を支障なく露光
処理することができる。
２を透過する前の光強度を測定するための光強度センサ
４を前記レジスト膜２の表面側に配置しているが、上述
したようにレジスト膜２を基板１の全面に塗布し、基板
１の余剰部に対向させて前記センサ４を配置すれば、レ
ジスト膜２のカラーフィルタとなる部分を支障なく露光
処理することができる。
【００２２】なお、上記実施例では、レジスト膜２を透
過した後の光強度を測定するための光強度センサ５も、
上記余剰部に対向させて配置したが、この光強度センサ
５は、光の照射領域内であれば、どの位置に配置しても
よい。
過した後の光強度を測定するための光強度センサ５も、
上記余剰部に対向させて配置したが、この光強度センサ
５は、光の照射領域内であれば、どの位置に配置しても
よい。
【００２３】さらに、上記実施例では、レジスト膜２の
表面側から光を照射しているが、レジスト膜２への光の
照射は基板１の裏面側から行なってもよく、その場合
は、基板１の裏面側に配置する光強度センサ（レジスト
膜２を透過する前の光強度を測定するためのセンサ）
を、上記余剰部に対向させて配置すればよい。
表面側から光を照射しているが、レジスト膜２への光の
照射は基板１の裏面側から行なってもよく、その場合
は、基板１の裏面側に配置する光強度センサ（レジスト
膜２を透過する前の光強度を測定するためのセンサ）
を、上記余剰部に対向させて配置すればよい。
【００２４】また、上記実施例の露光処理方法は、顔料
を添加した感光性カラーレジストによりカラーフィルタ
を形成する場合に限らず、透明基板の上に成膜したＩＴ
Ｏ膜や酸化または窒化シリコン膜等の透明被膜、あるい
はシリコン薄膜等の半透明被膜を、フォトリソグラフィ
法によりパターニングする際の感光性レジスト膜の露光
処理にも適用することができる。
を添加した感光性カラーレジストによりカラーフィルタ
を形成する場合に限らず、透明基板の上に成膜したＩＴ
Ｏ膜や酸化または窒化シリコン膜等の透明被膜、あるい
はシリコン薄膜等の半透明被膜を、フォトリソグラフィ
法によりパターニングする際の感光性レジスト膜の露光
処理にも適用することができる。
【００２５】図２はこの発明の第２の実施例による露光
処理方法を示す図であり、この実施例は、金属膜等の光
を反射させる被膜をフォトリソグラフィ法によりパター
ニングする際の感光性レジスト膜の露光処理方法であ
る。
処理方法を示す図であり、この実施例は、金属膜等の光
を反射させる被膜をフォトリソグラフィ法によりパター
ニングする際の感光性レジスト膜の露光処理方法であ
る。
【００２６】図２において、１１はガラス等からなる基
板であり、この基板１１の上には、クロム膜やアルミニ
ウム膜等の被パターニング膜１２が、スパッタ装置や蒸
着装置により成膜されている。
板であり、この基板１１の上には、クロム膜やアルミニ
ウム膜等の被パターニング膜１２が、スパッタ装置や蒸
着装置により成膜されている。
【００２７】この被パターニング膜１２のフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングは、前記被パターニング膜
１２の上に感光性レジストを塗布し、そのレジスト膜１
３を所定のパターンの露光マスク１４を用いて露光処理
した後に現像処理してレジストマスクを形成し、その後
に被パターニング膜１２をエッチングする方法で行な
う。
ラフィ法によるパターニングは、前記被パターニング膜
１２の上に感光性レジストを塗布し、そのレジスト膜１
３を所定のパターンの露光マスク１４を用いて露光処理
した後に現像処理してレジストマスクを形成し、その後
に被パターニング膜１２をエッチングする方法で行な
う。
【００２８】上記レジスト膜１３の露光処理方法を説明
すると、このレジスト膜１３の露光は、図２のように、
レジスト膜２の表面側に、レジスト膜１３に照射される
光Ａ′0 の強度を測定するための光強度センサ１５と、
レジスト膜１３を透過し被パターニング膜１２で反射さ
れて前記レジスト膜１３を再び透過して表面側に出射す
る光Ａ′の強度を測定するための光強度センサ１６とを
配置し、その状態でレジスト膜１３に光を照射して行な
う。
すると、このレジスト膜１３の露光は、図２のように、
レジスト膜２の表面側に、レジスト膜１３に照射される
光Ａ′0 の強度を測定するための光強度センサ１５と、
レジスト膜１３を透過し被パターニング膜１２で反射さ
れて前記レジスト膜１３を再び透過して表面側に出射す
る光Ａ′の強度を測定するための光強度センサ１６とを
配置し、その状態でレジスト膜１３に光を照射して行な
う。
【００２９】なお、上記被パターニング膜１２とレジス
ト膜１３は、基板１１の全面に成膜および塗布し、この
基板１１の余剰部、つまり後工程に切り落とされる基板
縁部に対向させて上記センサ１５，１６を配置する。
ト膜１３は、基板１１の全面に成膜および塗布し、この
基板１１の余剰部、つまり後工程に切り落とされる基板
縁部に対向させて上記センサ１５，１６を配置する。
【００３０】そして、この実施例では、上記レジスト膜
１３に光を照射しながら、このレジスト膜１３を透過す
る前の光強度（照射光Ａ′0 の強度）と、前記レジスト
膜１３を透過した後の光強度（被パターニング膜１２で
反射されてレジスト膜１３の表面側に出射した光Ａ′の
強度）とを前記センサ１５，１６により継続して測定
し、その測定データをリアルタイムで演算部（図示しな
いがマイクロコンピュータを利用する）に入力して両方
の光強度の比を算出するとともに、この光強度比の変化
を連続的に監視して、その変化量が所定の値になったと
ころで光の照射を終了する。
１３に光を照射しながら、このレジスト膜１３を透過す
る前の光強度（照射光Ａ′0 の強度）と、前記レジスト
膜１３を透過した後の光強度（被パターニング膜１２で
反射されてレジスト膜１３の表面側に出射した光Ａ′の
強度）とを前記センサ１５，１６により継続して測定
し、その測定データをリアルタイムで演算部（図示しな
いがマイクロコンピュータを利用する）に入力して両方
の光強度の比を算出するとともに、この光強度比の変化
を連続的に監視して、その変化量が所定の値になったと
ころで光の照射を終了する。
【００３１】この実施例の場合は、レジスト膜１３を透
過した後の光強度が、レジスト膜１３を透過し被パター
ニング膜１２で反射されて前記レジスト膜１３を再び透
過した光Ａ′の強度であるため、上記感光性レジストの
重合の進行と、レジスト膜１３を透過する前と透過後の
光強度の比との関係は次のようになる。
過した後の光強度が、レジスト膜１３を透過し被パター
ニング膜１２で反射されて前記レジスト膜１３を再び透
過した光Ａ′の強度であるため、上記感光性レジストの
重合の進行と、レジスト膜１３を透過する前と透過後の
光強度の比との関係は次のようになる。
【００３２】Ｉ′（Ｌ）＝Ｉ′0 ・ｅｘｐ（−τＬ′） Ｉ′（Ｌ）：レジスト膜１３を透過した後の光強度 Ｉ′0 ：レジスト膜１３を透過する前の光強度 Ｌ′ ：レジスト膜１３を往復して透過するまでの透過
長 τ ：レジスト膜１３の濁り度（ｔｕｒｂｉｄｉｔ
ｙ） ここで、τは、 τ＝Ln｛Ｉ′（Ｌ）／（Ｉ′0 ）｝／（−Ｌ′） となる。
長 τ ：レジスト膜１３の濁り度（ｔｕｒｂｉｄｉｔ
ｙ） ここで、τは、 τ＝Ln｛Ｉ′（Ｌ）／（Ｉ′0 ）｝／（−Ｌ′） となる。
【００３３】このため、この実施例の場合は、Ln｛Ｉ′
（Ｌ）／Ｉ′0 ｝の収束度をみることで、レジストの光
重合の度合を知ることができ、したがって、前記光強度
の比Ｉ′（Ｌ）／Ｉ′0 の変化から、レジストの実際の
光重合の進行度を正確に把握することができる。
（Ｌ）／Ｉ′0 ｝の収束度をみることで、レジストの光
重合の度合を知ることができ、したがって、前記光強度
の比Ｉ′（Ｌ）／Ｉ′0 の変化から、レジストの実際の
光重合の進行度を正確に把握することができる。
【００３４】また、この実施例の場合も、Ln｛Ｉ′(L)
／Ｉ′0 ｝が充分に収束すると、つまりレジストが充分
に光重合すると、上記光強度比Ｉ′（Ｌ）／Ｉ′0 がほ
とんど変化しなくなるから、この光強度比の変化量が所
定の値（例えば、光強度比の変化量が０に近くなったと
き）になったときに光の照射を終了すれば、レジストが
充分に光重合したところでその露光処理を終了させるこ
とができる。
／Ｉ′0 ｝が充分に収束すると、つまりレジストが充分
に光重合すると、上記光強度比Ｉ′（Ｌ）／Ｉ′0 がほ
とんど変化しなくなるから、この光強度比の変化量が所
定の値（例えば、光強度比の変化量が０に近くなったと
き）になったときに光の照射を終了すれば、レジストが
充分に光重合したところでその露光処理を終了させるこ
とができる。
【００３５】したがって、この露光処理方法によれば、
上記カラーレジスト膜１３を、露光不足や露光オーバー
のない最適な露光量で重合させることができるから、そ
の後に前記レジスト膜１３を現像処理して形成されるレ
ジストマスクの形状精度を充分に高くすることができ
る。
上記カラーレジスト膜１３を、露光不足や露光オーバー
のない最適な露光量で重合させることができるから、そ
の後に前記レジスト膜１３を現像処理して形成されるレ
ジストマスクの形状精度を充分に高くすることができ
る。
【００３６】そして、上記露光処理方法は、レジスト膜
１３を透過する前と透過後の光強度の比の変化からレジ
ストの実際の光重合の進行度を把握するものであるた
め、従来の露光処理方法のように、使用する感光性レジ
ストの光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて、
その都度露光量を設定する必要はなく、したがって、露
光処理に要する手間を大幅に軽減することができる。
１３を透過する前と透過後の光強度の比の変化からレジ
ストの実際の光重合の進行度を把握するものであるた
め、従来の露光処理方法のように、使用する感光性レジ
ストの光重合特性やそのレジスト膜の膜厚等に応じて、
その都度露光量を設定する必要はなく、したがって、露
光処理に要する手間を大幅に軽減することができる。
【００３７】また、上記露光処理方法では、レジスト膜
１３を透過する前の光強度と前記レジスト膜１３を透過
した後の光強度を測定するための光強度センサ１５，１
６を前記レジスト膜１３の表面側に配置しているが、上
述したように被パターニング膜１２とレジスト膜１３を
基板１１の全面に成膜および塗布し、基板１１の余剰部
に対向させて前記センサ１５，１６を配置すれば、レジ
スト膜１２のレジストマスクとなる部分を支障なく露光
処理することができる。
１３を透過する前の光強度と前記レジスト膜１３を透過
した後の光強度を測定するための光強度センサ１５，１
６を前記レジスト膜１３の表面側に配置しているが、上
述したように被パターニング膜１２とレジスト膜１３を
基板１１の全面に成膜および塗布し、基板１１の余剰部
に対向させて前記センサ１５，１６を配置すれば、レジ
スト膜１２のレジストマスクとなる部分を支障なく露光
処理することができる。
【００３８】なお、この実施例の露光処理方法は、被パ
ターニング膜１２が光を反射させる被膜である場合に限
らず、シリコン基板等の光を反射させる基板上に、顔料
を添加した感光性カラーレジストによりカラーフィルタ
を形成する場合の前記カラーレジストの露光処理や、光
を反射させる基板上に成膜したＩＴＯ膜や酸化または窒
化シリコン膜等の透明被膜、あるいはシリコン薄膜等の
半透明被膜を、フォトリソグラフィ法によりパターニン
グする際の感光性レジスト膜の露光処理にも適用するこ
とができる。
ターニング膜１２が光を反射させる被膜である場合に限
らず、シリコン基板等の光を反射させる基板上に、顔料
を添加した感光性カラーレジストによりカラーフィルタ
を形成する場合の前記カラーレジストの露光処理や、光
を反射させる基板上に成膜したＩＴＯ膜や酸化または窒
化シリコン膜等の透明被膜、あるいはシリコン薄膜等の
半透明被膜を、フォトリソグラフィ法によりパターニン
グする際の感光性レジスト膜の露光処理にも適用するこ
とができる。
【００３９】
【発明の効果】この発明の露光処理方法は、感光性レジ
スト膜に光を照射しながら、前記レジスト膜を透過する
前の光強度と、前記レジスト膜を透過した後の光強度と
を継続して測定し、その両方の光強度の比の変化量が所
定の値になったときに光の照射を終了するものであるか
ら、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握し
て、前記レジストを良好な重合状態に光重合させること
ができる。
スト膜に光を照射しながら、前記レジスト膜を透過する
前の光強度と、前記レジスト膜を透過した後の光強度と
を継続して測定し、その両方の光強度の比の変化量が所
定の値になったときに光の照射を終了するものであるか
ら、感光性レジストの実際の光重合の進行度を把握し
て、前記レジストを良好な重合状態に光重合させること
ができる。
【図１】この発明の第１の実施例によるレジスト膜の露
光処理方法を示す図。
光処理方法を示す図。
【図２】この発明の第２の実施例によるレジスト膜の露
光処理方法を示す図。
光処理方法を示す図。
１…透明基板 ２…感光性カラーレジスト膜 ３…露光マスク ４，５…光強度センサ １１…基板 １２…被パターニング膜 １３…感光性レジスト膜 １４…露光マスク １５，１６…光強度センサ
Claims (1)
- 【請求項１】感光性レジスト膜に光を照射しながら、前
記レジスト膜を透過する前の光強度と、前記レジスト膜
を透過した後の光強度とを継続して測定し、その両方の
光強度の比の変化量が所定の値になったときに光の照射
を終了することを特徴とする感光性レジスト膜の露光処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003788A JPH09197677A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 感光性レジスト膜の露光処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003788A JPH09197677A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 感光性レジスト膜の露光処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197677A true JPH09197677A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11566933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003788A Pending JPH09197677A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 感光性レジスト膜の露光処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09197677A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262135A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像記録装置 |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8003788A patent/JPH09197677A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008262135A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像記録装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5916717A (en) | Process utilizing relationship between reflectivity and resist thickness for inhibition of side effect caused by halftone phase shift masks | |
| JPH09197677A (ja) | 感光性レジスト膜の露光処理方法 | |
| US6132940A (en) | Method for producing constant profile sidewalls | |
| JP3139020B2 (ja) | フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 | |
| EP0134453B1 (en) | Method for exposure dose calculation of photolithography projection printers | |
| JPH0423816B2 (ja) | ||
| Mack et al. | Resist metrology for lithography simulation, part I: exposure parameter measurements | |
| JP2831882B2 (ja) | エッチングパターンの作成方法 | |
| US6156463A (en) | Method of determining the amount of projection exposure | |
| JPH10135112A (ja) | レジスト感光パラメータの測定方法およびそれを用いた半導体リソグラフィ方法 | |
| JP2802177B2 (ja) | フォトレジスト表面の溶解速度の測定方法 | |
| JP3013393B2 (ja) | フォトレジスト塗布手段 | |
| KR950015551A (ko) | 반도체 집적회로장치의 제조방법 및 제조장치 | |
| JPH0820224B2 (ja) | フォトレジスト溶解速度の測定方法 | |
| RU2148853C1 (ru) | Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке | |
| JP2818689B2 (ja) | 現像方法 | |
| RU2148854C1 (ru) | Способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста | |
| Robertson et al. | Photoresist dissolution rates: a comparison of puddle, spray, and immersion processes | |
| JPH0722382A (ja) | エッチングモニタ方法 | |
| JPH06112293A (ja) | フォトレジストの仕上がり形状予測方法およびその装置 | |
| JP3782673B2 (ja) | 膜厚測定装置のビームスポット径管理方法およびこれに用いるビームスポット径管理用サンプル | |
| JPH0590371A (ja) | 膜厚測定方法及びその装置 | |
| JPS5812337B2 (ja) | ビサイパタ−ンノ トウメイマクノケイセイホウホウホウ | |
| JP2001099622A (ja) | 深さ測定装置及び深さ測定方法 | |
| JP3270951B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの位相差調整方法 |