JPH0265332U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0265332U JPH0265332U JP14415988U JP14415988U JPH0265332U JP H0265332 U JPH0265332 U JP H0265332U JP 14415988 U JP14415988 U JP 14415988U JP 14415988 U JP14415988 U JP 14415988U JP H0265332 U JPH0265332 U JP H0265332U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor device
- stripe
- unevenness
- fabricated
- Prior art date
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- Pending
Links
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
第１図Ａは本考案のスベリ取め付ウエハーの表
面図、第１図Ｂは本考案の側面図である。 ａ……ウエハー、ｂ……半導体装置、ｃ……ア
ルミ蒸着によるストライプ状のスベリ止め。 第２図は、従来のウエハープロセスを完了した
ウエハーの表面図である。 ａ′……ウエハー、ｂ′……半導体装置、ｃ′
……ピンセツトで挾む部分。
面図、第１図Ｂは本考案の側面図である。 ａ……ウエハー、ｂ……半導体装置、ｃ……ア
ルミ蒸着によるストライプ状のスベリ止め。 第２図は、従来のウエハープロセスを完了した
ウエハーの表面図である。 ａ′……ウエハー、ｂ′……半導体装置、ｃ′
……ピンセツトで挾む部分。
Claims (1)
- 半導体ウエハー上の半導体装置の作り込まれて
いない部分に、ストライプ状の凹凸を付け、スベ
リ取めの効果を持たせたことを特徴とする半導体
ウエハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14415988U JPH0265332U (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14415988U JPH0265332U (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265332U true JPH0265332U (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=31411616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14415988U Pending JPH0265332U (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265332U (ja) |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP14415988U patent/JPH0265332U/ja active Pending