JPH0266158A - 透明積層体の製造方法 - Google Patents
透明積層体の製造方法Info
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- JPH0266158A JPH0266158A JP21466488A JP21466488A JPH0266158A JP H0266158 A JPH0266158 A JP H0266158A JP 21466488 A JP21466488 A JP 21466488A JP 21466488 A JP21466488 A JP 21466488A JP H0266158 A JPH0266158 A JP H0266158A
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- Japan
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- transparent
- film
- silver
- metal oxide
- torr
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、透明積層体の製造方法に関するものであり、
詳しくは透明熱線カット膜、透明導電膜。
詳しくは透明熱線カット膜、透明導電膜。
結露防止用の透明面状発熱体等として好適な透明積層体
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、根からなる金属層上に透明な金属酸化物層を形成
してなる透明積層体の製造方法としては。
してなる透明積層体の製造方法としては。
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等が主として用いられている。しかしこれらの方法で
は、薄膜形成時の反応性が良好でないため、生産性が良
くないという問題がある。
法等が主として用いられている。しかしこれらの方法で
は、薄膜形成時の反応性が良好でないため、生産性が良
くないという問題がある。
また１反応性スパッタリング法もＲＦビイオンプレーテ
ィング法においては、金属酸化物層の成膜速度が遅いた
め、ｊＩ層が酸素プラズマに曝される時間が長くなり、
銀層が酸化され、透明性の低下を来すという問題があっ
た。
ィング法においては、金属酸化物層の成膜速度が遅いた
め、ｊＩ層が酸素プラズマに曝される時間が長くなり、
銀層が酸化され、透明性の低下を来すという問題があっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
したがって１本発明の目的は、銀を主成分とする金属層
の透明性の低下を来すことがなく、シかも優れた生産性
をもって透明積層体を製造する方法を提供するにある。
の透明性の低下を来すことがなく、シかも優れた生産性
をもって透明積層体を製造する方法を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、上記のごとき課題を解決するために鋭意
研究の結果、銀を主成分とする金属層上に透明な金属酸
化物層を形成するときに、圧力勾配型放電を利用した反
応性イオンプレーティング法により、上記目的が達成さ
れることを見出し。
研究の結果、銀を主成分とする金属層上に透明な金属酸
化物層を形成するときに、圧力勾配型放電を利用した反
応性イオンプレーティング法により、上記目的が達成さ
れることを見出し。
本発明に到達した。
すなわち１本発明は、透明基板上に、銀を主成分とする
金属層を形成し、金属層上に透明な金属酸化物層を形成
してなる透明積層体を製造するに際し、圧力勾配型放電
による反応性イオンプレーティング法によって透明な金
属酸化物層を形成することを特徴とする透明積層体の製
造方法を要旨とするものである。
金属層を形成し、金属層上に透明な金属酸化物層を形成
してなる透明積層体を製造するに際し、圧力勾配型放電
による反応性イオンプレーティング法によって透明な金
属酸化物層を形成することを特徴とする透明積層体の製
造方法を要旨とするものである。
以下１本発明の詳細な説明する。
本発明において、透明基体としてはガラス板。
プラスチック板、プラスチックフィルムのような透明基
体が挙げられる。
体が挙げられる。
このような透明基体に銀を主成分とする金属層及び金属
層上に透明な金属酸化物層を形成するものであるが、銀
を主成分とする金属としては銀単独の他、銀と５０重世
％までの範囲で金、銅、アルミニウム、パラジウム、チ
タニウム等の金属を含有させてもよい。
層上に透明な金属酸化物層を形成するものであるが、銀
を主成分とする金属としては銀単独の他、銀と５０重世
％までの範囲で金、銅、アルミニウム、パラジウム、チ
タニウム等の金属を含有させてもよい。
次に、透明な金属酸化物としては、インジウム。
錫、インジウム−錫混合物、錫−アンチモン混合物、チ
タニウム、セリウム、アルミニウム、マグネシウム、ネ
オジウム、トリウム、イツトリウム。
タニウム、セリウム、アルミニウム、マグネシウム、ネ
オジウム、トリウム、イツトリウム。
セレン、プラセオジム、ジルコニウム、ハフニウム、タ
ンタル、亜鉛、鉛等の透明な金属酸化物が挙げられる。
ンタル、亜鉛、鉛等の透明な金属酸化物が挙げられる。
金属層の厚さは３０人〜３００人、透明な金属酸化物層
の厚さは１００人〜５０００人が好ましい。この範囲以
外では、透明性が低下したり、導電性、赤外カット性等
の機能が十分でない傾向がある。
の厚さは１００人〜５０００人が好ましい。この範囲以
外では、透明性が低下したり、導電性、赤外カット性等
の機能が十分でない傾向がある。
本発明においては、圧力勾配型放電を用いた反応性イオ
ンプレーティング法によって上記のような透明な金属酸
化物層を形成するものである。
ンプレーティング法によって上記のような透明な金属酸
化物層を形成するものである。
ここで、圧力勾配型放電とは陰極と陽極との間に中間電
極を設け、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧
力勾配をもたせて放電を行うものであり、圧力勾配型放
電を用いた反応性イオンプレーティング法とはかかる放
電方式をイオンプレーティング法に適用したものであり
、上記の圧力勾配をもたせるためには２例えば陰極側の
真空度をＩ Ｔｏｒｒ前後とし、陽極側の真空度を１０
− ’Ｔｏｒｒ前後として圧力勾配をもたせて放電を行
う。すなわら１プラズマ源を陰極とし、金属又は金属酸
化物を設置したハースを陽極として放電を起こし、高密
度イオンの形成と同時に金属又は金属酸化物を蒸発させ
るものである。成膜速度をより速くする観点からすれば
、金属酸化物を蒸発させる方が好ましい。
極を設け、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間に圧
力勾配をもたせて放電を行うものであり、圧力勾配型放
電を用いた反応性イオンプレーティング法とはかかる放
電方式をイオンプレーティング法に適用したものであり
、上記の圧力勾配をもたせるためには２例えば陰極側の
真空度をＩ Ｔｏｒｒ前後とし、陽極側の真空度を１０
− ’Ｔｏｒｒ前後として圧力勾配をもたせて放電を行
う。すなわら１プラズマ源を陰極とし、金属又は金属酸
化物を設置したハースを陽極として放電を起こし、高密
度イオンの形成と同時に金属又は金属酸化物を蒸発させ
るものである。成膜速度をより速くする観点からすれば
、金属酸化物を蒸発させる方が好ましい。
かかる方法によると、従来の方法に比べて数十倍から数
百倍の成膜速度が得られる。
百倍の成膜速度が得られる。
また、銀を主成分とする金属層を形成する方法としては
、蒸着法、アルゴンプラズマを用いたＲＦビイオンプレ
ーティング法圧力勾配型放電を用いた反応性イオンプレ
ーティング法等の何れでもよいが、付着強度が優れてい
る点からイオンプレーティング法が好ましい。
、蒸着法、アルゴンプラズマを用いたＲＦビイオンプレ
ーティング法圧力勾配型放電を用いた反応性イオンプレ
ーティング法等の何れでもよいが、付着強度が優れてい
る点からイオンプレーティング法が好ましい。
本発明においては、上記金属層を直接透明基体上に形成
してもよいし、また、透明基体上に上記の金属酸化物層
を形成し、かかる層の上に金属層を形成し、さらにその
上に金属酸化物層を形成する等、要するに上記金属層の
上に金属酸化物を形成する場合に適用することができる
。
してもよいし、また、透明基体上に上記の金属酸化物層
を形成し、かかる層の上に金属層を形成し、さらにその
上に金属酸化物層を形成する等、要するに上記金属層の
上に金属酸化物を形成する場合に適用することができる
。
また、付着力の向上のために、アンカー処理剤の塗布し
たり、透明基体表面の放電処理又は化学処理等を施して
もよい。
たり、透明基体表面の放電処理又は化学処理等を施して
もよい。
（作 用）
本発明の方法においては、陰極の損傷が最小限に抑えら
れ、放電電流を上げることができるので。
れ、放電電流を上げることができるので。
反応速度を大きくして金属酸化物層の成膜速度を速くす
ることができる。その結果、すでに形成されている銀を
主成分とする金属層が上記金属酸化物層の形成時に酸素
プラズマに曝される時間が短くなって、金属酸化物層の
形成時の金属層への影響が少なくなり、上記金属層の酸
化を防ぐことができる。
ることができる。その結果、すでに形成されている銀を
主成分とする金属層が上記金属酸化物層の形成時に酸素
プラズマに曝される時間が短くなって、金属酸化物層の
形成時の金属層への影響が少なくなり、上記金属層の酸
化を防ぐことができる。
（実施例）
次に１本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
。
。
以下の実施例において、透過率及び表面抵抗は次のよう
にして測定した。
にして測定した。
（１１透過率（％）
分光光度計（■日立製作所型： Ｕ−３４００）にょリ
、可視光（５５０ｎ ｍ及び１５００ｎｍ）の透過率を
測定した。
、可視光（５５０ｎ ｍ及び１５００ｎｍ）の透過率を
測定した。
（２）表面抵抗（Ω／口）
抵抗率測定機（有限会社共和理研製：に一７５０ＲＤ）
により表面抵抗を測定した。
により表面抵抗を測定した。
実施例１
ランタン化合物−タンタル系複合物を陰極としたプラズ
マ源を備え、ハースを陽極とした圧力勾配型放電を用い
たイオンプレーティング装置を用いて、あらかじめ長尺
（幅３ＯｃｍＸ長さ５０ｍ）のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、銀及びインジウム−錫酸化物（以下、Ｉ
ＴＯという）ペレットをそれぞれ所定の位置にセットし
たペルジャー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し
た。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導入し
て、プラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャー
内の真空度を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極に
ＩＯＡ、１００Ｖを印加し。
マ源を備え、ハースを陽極とした圧力勾配型放電を用い
たイオンプレーティング装置を用いて、あらかじめ長尺
（幅３ＯｃｍＸ長さ５０ｍ）のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、銀及びインジウム−錫酸化物（以下、Ｉ
ＴＯという）ペレットをそれぞれ所定の位置にセットし
たペルジャー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気し
た。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導入し
て、プラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャー
内の真空度を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極に
ＩＯＡ、１００Ｖを印加し。
陽極間で放電を起こし、ペルジャー内に酸素ガスをＬ
Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒまで導入して、放電電流１００
Ａ、放電電圧６０ｖ、成膜速度８０人／ｓｅｃ、巻取速
度１８０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８Ｃ１）でＩＴＯｖ
、を厚さ３２０人で成膜した。続いて酸素ガスの導入を
停止し１アルゴンガスのみでペルジャー内真空度を７Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒに保ち、上記と同様にして放電を起こ
し、放電電流６０Ａ、放電電圧５０ｖ、成膜速度２０人
／ｓｅｃ巻取速度９０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ
）で銀膜を厚さ１６０人でＩＴＯ膜上に成膜した。次い
で、ＩＴＯ膜を上記と同様な方法で銀膜上に露出時間４
秒で形成した。
Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒまで導入して、放電電流１００
Ａ、放電電圧６０ｖ、成膜速度８０人／ｓｅｃ、巻取速
度１８０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８Ｃ１）でＩＴＯｖ
、を厚さ３２０人で成膜した。続いて酸素ガスの導入を
停止し１アルゴンガスのみでペルジャー内真空度を７Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒに保ち、上記と同様にして放電を起こ
し、放電電流６０Ａ、放電電圧５０ｖ、成膜速度２０人
／ｓｅｃ巻取速度９０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ
）で銀膜を厚さ１６０人でＩＴＯ膜上に成膜した。次い
で、ＩＴＯ膜を上記と同様な方法で銀膜上に露出時間４
秒で形成した。
得られた透明積層体の透過率及び表面抵抗を測定した。
得られた結果を第１表に示す。
実施例２
実施例１と同様のイオンプレーティング装置を用いて、
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、銀３ アルミニウム及びＩＴＯペレットをそれぞれ所
定の位置にセットしたペルジャー内をＩ Ｘ ＩＬ ５
Ｔｏｒｒまで排気した。しかる後に。
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、銀３ アルミニウム及びＩＴＯペレットをそれぞれ所
定の位置にセットしたペルジャー内をＩ Ｘ ＩＬ ５
Ｔｏｒｒまで排気した。しかる後に。
プラズマ源からアルゴンガスを導入して、プラズマ源内
の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャー内の真空度を７
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極にＩＯＡ、１００Ｖ
を印加し、陽極間で放電を起こし、ペルジャー内に酸素
ガスをＩ Ｘ １０− ”Ｔｏｒｒまで導入して、放電
電流１００Ａ。
の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャー内の真空度を７
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極にＩＯＡ、１００Ｖ
を印加し、陽極間で放電を起こし、ペルジャー内に酸素
ガスをＩ Ｘ １０− ”Ｔｏｒｒまで導入して、放電
電流１００Ａ。
放電電圧６０Ｖ、成膜速度８０人／ｓｅｃ、巻取速度１
８０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ）でＩＴＯ膜を厚
さ３２０人で成膜した。続いて酸素ガスの導入を停止し
、アルゴンガスのみでベルジャー内真空度ヲ７Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒに保ち、上記と同様にして放電を起こし、放
電電流６０Ａ、放電電圧５０Ｖ、成膜速度２０人／’ｓ
ｅｃ。
８０ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ）でＩＴＯ膜を厚
さ３２０人で成膜した。続いて酸素ガスの導入を停止し
、アルゴンガスのみでベルジャー内真空度ヲ７Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒに保ち、上記と同様にして放電を起こし、放
電電流６０Ａ、放電電圧５０Ｖ、成膜速度２０人／’ｓ
ｅｃ。
巻取速度９０ｃｍ／ｗｉｎ （開口部８ｃｍ）で銀膜
を厚さ１２０人でＩＴＯ膜上に成膜した。次いで、アル
ミニウム膜を成膜速度２０人／ｓｅｃ、巻取速度２４０
ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ）、厚さ３０人で銀膜
上に成膜した。さらに、ＩＴＯ膜を上記と同様な方法で
銀膜上に露出時間４秒で形成した。
を厚さ１２０人でＩＴＯ膜上に成膜した。次いで、アル
ミニウム膜を成膜速度２０人／ｓｅｃ、巻取速度２４０
ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８ｃｍ）、厚さ３０人で銀膜
上に成膜した。さらに、ＩＴＯ膜を上記と同様な方法で
銀膜上に露出時間４秒で形成した。
得られた透明積層体の透過率及び表面抵抗を測定した。
得られた結果を第１表に示す。
実施例３
実施例１と同様のイオンプレーティング装置を用いて、
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、銀及びインジウムペレットをそれぞれ所定の位置にセ
ットしたペルジャー内をＩＸ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排
気した。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導
入して、プラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジ
ャー内の真空度を７×１０− ’Ｔｏｒｒに保ち、陰極
にＩＯＡ、１００Ｖを印加し、陽極間で放電を起こし、
ペルジャー内に酸素ガスをＩ Ｘ １０”’Ｔｏｒｒま
で導入して、放電電流１３０Ａ、放電電圧６５■、成膜
速度４０人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部８ｃｍ）で酸化インジウム膜を厚さ３２０人で成膜し
た。続いて酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスのみ
でペルジャー内真空度を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保
ち、上記と同様にして放電を起こし、放電電流６０Ａ、
放電電圧５０ｖ、成膜速度２０人／ｓｅｃ巻取速度９０
ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８■）で銀膜を厚さ１６０人
で酸化インジウム膜上に成膜した。さらに。
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、銀及びインジウムペレットをそれぞれ所定の位置にセ
ットしたペルジャー内をＩＸ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排
気した。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導
入して、プラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジ
ャー内の真空度を７×１０− ’Ｔｏｒｒに保ち、陰極
にＩＯＡ、１００Ｖを印加し、陽極間で放電を起こし、
ペルジャー内に酸素ガスをＩ Ｘ １０”’Ｔｏｒｒま
で導入して、放電電流１３０Ａ、放電電圧６５■、成膜
速度４０人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部８ｃｍ）で酸化インジウム膜を厚さ３２０人で成膜し
た。続いて酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスのみ
でペルジャー内真空度を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに保
ち、上記と同様にして放電を起こし、放電電流６０Ａ、
放電電圧５０ｖ、成膜速度２０人／ｓｅｃ巻取速度９０
ｃｍ／ｍｉｎ （開口部８■）で銀膜を厚さ１６０人
で酸化インジウム膜上に成膜した。さらに。
酸化インジウム膜を上記と同様な方法で銀膜上に露出時
間８秒で形成した。
間８秒で形成した。
得られた透明積層体の透過率を測定した。得られた結果
を第１表に示す。
を第１表に示す。
実施例４
実施例１と同様のイオンプレーティング装置を用いて、
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、！艮及びチタニウムペレットをそれぞれ所定の位置に
セットしたペルジャー内を１×１０−’Ｔｏｒｒまで排
気した。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導
入してプラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャ
ー内の真空度を７Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極にＩ
ＯＡ、１００Ｖを印加し、陽極間で放電を起こし、ペル
ジャー内に酸素ガスを１×１０−３Ｔｏｒｒまで導入し
て、放電電流１３０Ａ、放電電圧６５Ｖ、成膜速度４０
人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口部８ｃｍ
）で酸化チタン膜を厚さ３２０人で成膜した。続いて酸
素ガスの導入を停止し、アルゴンガスのみでペルジャー
内真空度を７ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒに保ち、上記と
同様にして放電を起こし、放電電流６０Ａ、放電電圧５
０Ｖ、成膜速度２０人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ
ｉｎ （開口部８印）で銀膜を厚さ１６０人で酸化チ
タン膜上に成膜した。さらに、酸化チタン膜を上記と同
様な方法で銀膜上に露出時間８秒で形成した。
実施例１と同様のポリエチレンテレフタレートフィルム
、！艮及びチタニウムペレットをそれぞれ所定の位置に
セットしたペルジャー内を１×１０−’Ｔｏｒｒまで排
気した。しかる後に、プラズマ源からアルゴンガスを導
入してプラズマ源内の真空度を３ Ｔｏｒｒ、ペルジャ
ー内の真空度を７Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに保ち、陰極にＩ
ＯＡ、１００Ｖを印加し、陽極間で放電を起こし、ペル
ジャー内に酸素ガスを１×１０−３Ｔｏｒｒまで導入し
て、放電電流１３０Ａ、放電電圧６５Ｖ、成膜速度４０
人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口部８ｃｍ
）で酸化チタン膜を厚さ３２０人で成膜した。続いて酸
素ガスの導入を停止し、アルゴンガスのみでペルジャー
内真空度を７ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒに保ち、上記と
同様にして放電を起こし、放電電流６０Ａ、放電電圧５
０Ｖ、成膜速度２０人／ｓｅｃ、巻取速度９０ｃｍ／ｍ
ｉｎ （開口部８印）で銀膜を厚さ１６０人で酸化チ
タン膜上に成膜した。さらに、酸化チタン膜を上記と同
様な方法で銀膜上に露出時間８秒で形成した。
得られた透明積層体の透過率を測定した。得られた結果
を第１表に示す・ 比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム、ＩＴＯ及び恨ペ
レットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャー内
をＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した。しかる後に
、酸素ガスを５ Ｘ １０” ’Ｔｏｒｒまで導入し高
周波プラズマ（１３，５６ＭＨｚ 、３００ Ｗ）を発
生させ。
を第１表に示す・ 比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム、ＩＴＯ及び恨ペ
レットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャー内
をＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した。しかる後に
、酸素ガスを５ Ｘ １０” ’Ｔｏｒｒまで導入し高
周波プラズマ（１３，５６ＭＨｚ 、３００ Ｗ）を発
生させ。
電子銃加熱法によりＩＴＯペレットを加熱蒸発させ、成
膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度２０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部２０ｃｍ）でＩＴＯ膜を厚さ３２０人で成膜した。
膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度２０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部２０ｃｍ）でＩＴＯ膜を厚さ３２０人で成膜した。
しかる後に、室温まで冷却し、アルゴンガスをＩＸ １
０−’Ｔｏｒｒまで導入し、高周波プラズマを発生させ
、電子銃加熱法により銀ペレットを加熱蒸発させて、成
膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部２０ｃｍ）で銀膜を厚さ１６０人でＩＴＯ膜上に成膜
した。さらに、銀膜上に上記ＩＴＯ膜の成膜と同様な方
法でＩＴＯ膜を３２０人の厚さで、露出時間６４秒で形
成した。
０−’Ｔｏｒｒまで導入し、高周波プラズマを発生させ
、電子銃加熱法により銀ペレットを加熱蒸発させて、成
膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃｍ／ｍ１ｎ（開口
部２０ｃｍ）で銀膜を厚さ１６０人でＩＴＯ膜上に成膜
した。さらに、銀膜上に上記ＩＴＯ膜の成膜と同様な方
法でＩＴＯ膜を３２０人の厚さで、露出時間６４秒で形
成した。
得られた透明積層体の透過率及び表面抵抗を測定した。
得られた結果を第１表に示す。
比較例２
ポリエチレンテレフタレートフィルム、インジウム及び
銀ペレットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャ
ー内をＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した。
銀ペレットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャ
ー内をＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気した。
しかる後に、酸素ガスを５ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒま
で導入し高周波プラズマ（１３，５６ＭＩＩｚ 、３０
０ Ｗ）を発生させ。
で導入し高周波プラズマ（１３，５６ＭＩＩｚ 、３０
０ Ｗ）を発生させ。
電子銃加熱法によりインジウムペレットを加熱蒸発させ
、成膜速度３人／ｓｅｃ、巻取速度１２ｃｍ／ｍ１ｎ（
開口部２０ｃｏ＋）で酸化インジウム膜を厚さ３２０人
で成膜した。しかる後に、室温まで冷却し、アルゴンガ
スを２ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒまで導入し、高周波プ
ラズマを発生させ、電子銃加熱法により銀ペレットを加
熱蒸発させて 成膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃ
ｍ／ｍｉｎ （開口部２０ｃｍ）で銀膜を厚さ１６０人
で酸化インジウム膜上に成膜した。さらに、銀膜上に上
記酸化インジウム膜の成膜と同様な方法で酸化インジウ
ム膜を３２０人の厚さで、露出時間１０７秒で形成した
。
、成膜速度３人／ｓｅｃ、巻取速度１２ｃｍ／ｍ１ｎ（
開口部２０ｃｏ＋）で酸化インジウム膜を厚さ３２０人
で成膜した。しかる後に、室温まで冷却し、アルゴンガ
スを２ Ｘ １０− ’Ｔｏｒｒまで導入し、高周波プ
ラズマを発生させ、電子銃加熱法により銀ペレットを加
熱蒸発させて 成膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃ
ｍ／ｍｉｎ （開口部２０ｃｍ）で銀膜を厚さ１６０人
で酸化インジウム膜上に成膜した。さらに、銀膜上に上
記酸化インジウム膜の成膜と同様な方法で酸化インジウ
ム膜を３２０人の厚さで、露出時間１０７秒で形成した
。
得られた透明積層体の透過率及び表面抵抗を測定した。
得られた結果を第１表に示す。
比較例３
ポリエチレンテレフタレートフィルム、チタニウム及び
銀ペレットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャ
ー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した。
銀ペレットをそれぞれ所定の位置にセットしたペルジャ
ー内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで排気した。
しかる後に、酸素ガスを５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで
導入し。
導入し。
高周波プラズマ（１３，５６ＭＨｚ 、３００ Ｗ）を
発生させ。
発生させ。
電子銃加熱法によりチタニウムペレットを加熱蒸発させ
、成膜速度３人／ ｓ ｅ ｃ ＋巻取速度１２ｃ＋ｎ
／ｍ１ｎ（開口部２０印）で酸化チタニウム膜を厚さ３
２０人で成膜した。しかる後に、室温まで冷却し、アル
ゴンガスを２×１０〜’Ｔｏｒｒまで４人し、高周波プ
ラズマを発生させ、電子銃加熱法により銀ペレットを加
熱蒸発させて８成膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃ
ｍ／ｍｉｎ （開口部２０ｃ＋ａ）で銀膜を厚さ１６０
人で酸化チタニウム膜上に成膜した。さらに、銀膜上に
上記酸化チタニウム膜の成膜と同様な方法で酸化チタニ
ウム膜を３２０人の厚さで、露出時間１０７秒で形成し
た。
、成膜速度３人／ ｓ ｅ ｃ ＋巻取速度１２ｃ＋ｎ
／ｍ１ｎ（開口部２０印）で酸化チタニウム膜を厚さ３
２０人で成膜した。しかる後に、室温まで冷却し、アル
ゴンガスを２×１０〜’Ｔｏｒｒまで４人し、高周波プ
ラズマを発生させ、電子銃加熱法により銀ペレットを加
熱蒸発させて８成膜速度５人／ｓｅｃ、巻取速度４０ｃ
ｍ／ｍｉｎ （開口部２０ｃ＋ａ）で銀膜を厚さ１６０
人で酸化チタニウム膜上に成膜した。さらに、銀膜上に
上記酸化チタニウム膜の成膜と同様な方法で酸化チタニ
ウム膜を３２０人の厚さで、露出時間１０７秒で形成し
た。
得られた透明積層体の透過率及び表面抵抗を測定した。
得られた結果を第１表に示す。
第１表
第１表から明らかなように１本発明の方法による透明積
層体は、 ５５０ｎｍの可視光の透過率が高く。
層体は、 ５５０ｎｍの可視光の透過率が高く。
透明性に優れていることを示しており、 １５００ｎｍ
の近赤外線の可視光の透過率が低く、赤外線カット性に
優れていることを示している。また１本発明の方法によ
る透明積層体は１表面抵抗が小さく。
の近赤外線の可視光の透過率が低く、赤外線カット性に
優れていることを示している。また１本発明の方法によ
る透明積層体は１表面抵抗が小さく。
導電性にも優れていることを示している。
（発明の効果）
本発明においては、透明基体上に形成した銀を主成分と
する金属層上に、圧力勾配型放電による反ｆＳ性イオン
プレーティング法を用いて透明な金属酸化物層を形成す
るので、速い成膜速度で金属酸化物層を形成することが
でき、金属酸化物層の形成時に銀を主成分とする金属層
が酸化されることが少なく、透明性に優れた透明積層体
を製造することができるものであり、しかも高い生産性
をもって製造することができる。
する金属層上に、圧力勾配型放電による反ｆＳ性イオン
プレーティング法を用いて透明な金属酸化物層を形成す
るので、速い成膜速度で金属酸化物層を形成することが
でき、金属酸化物層の形成時に銀を主成分とする金属層
が酸化されることが少なく、透明性に優れた透明積層体
を製造することができるものであり、しかも高い生産性
をもって製造することができる。
本発明の方法による透明積層体は、透明熱線カット膜、
透明導電膜、結露防止用の透明面状発熱体等として好適
に利用することができる。
透明導電膜、結露防止用の透明面状発熱体等として好適
に利用することができる。
Claims (1)
- （１）透明基板上に、銀を主成分とする金属層を形成し
、金属層上に透明な金属酸化物層を形成してなる透明積
層体を製造するに際し、圧力勾配型放電による反応性イ
オンプレーティング法によって透明な金属酸化物層を形
成することを特徴とする透明積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466488A JPH0266158A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 透明積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466488A JPH0266158A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 透明積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266158A true JPH0266158A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16659520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21466488A Pending JPH0266158A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 透明積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266158A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612229A (en) * | 1994-05-30 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic device |
| EP1092689A1 (de) * | 1999-10-11 | 2001-04-18 | BPS Alzenau GmbH | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2012138230A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21466488A patent/JPH0266158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612229A (en) * | 1994-05-30 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic device |
| US5738771A (en) * | 1994-05-30 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus |
| EP1092689A1 (de) * | 1999-10-11 | 2001-04-18 | BPS Alzenau GmbH | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6905776B1 (en) | 1999-10-11 | 2005-06-14 | Bps Alzenau Gmbh | Conductive transparent layers and method for their production |
| JP2012138230A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 透明導電薄膜 |
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