JPH02665A

JPH02665A - フタロシアニン系化合物

Info

Publication number: JPH02665A
Application number: JP107489A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Irie; 正浩入江
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1988-01-22
Filing date: 1989-01-06
Publication date: 1990-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、新規なフタロシアニン系化合物に関するもの
である。詳しくは、本発明は各種の記録・記憶材料、複
写材料、調光材料、印刷感光体レーザー用感光材料、写
真植字用感光材料あるいは光学フィルター、マスキング
用材料、光ユ計。

デイスプレィ用材料として有用なフォトクロミック性を
有する新規なフタロシアニン系化合物に関するものであ
る。

［従来の技術及び先行技術］光の照射により発色又は消色する、フォトクロミック性
を有する化合物は種々知られており、これを利用したフ
ォトクロミック材料が従来より提案されている。

例えば、特開昭５５−１４９８１２には、ニトロセルロ
ース系樹脂に次式の様なスピロピラン化合物を分散させ
たフォトクロミック材料が提案されている。

（式中、Ｒ″は水素原子又はハロゲン原子を示し、Ｒｂ
はアルキル基を示し、Ｒｃは水素原子又はアルコキシ基
を示す、）また、特公昭４５−２８８９２号には、次式のようなス
ピロナフトオキサジン系化合物を含有するフォトクロミ
ック材料が提案されている。

（式中、Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭
素数１〜８のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）ところで、近年、このようなフォトクロミック化合物を
可逆的な光記録材料として用いようとする研究か盛んに
行なわれているか、この場合、次のような条件が満足さ
れていることが要求される。

■　半導体レーザー感受性 ■　非破壊読み出し ■　記録の熱安定性 ■　早い応答速度 ■　繰り返し耐久性上記要件のうち■の半導体レーザー感受性を改良した化
合物として次式のようなベンゾチオビラン環を有するス
ピロベンゾピラン誘導体を含有するフォトクロミック材
料が提案されている［浅井伸利他、応用物理学会（春）
予稿集４４２（１９８６）　　コ　。

０（：）１３また、■の記録の熱安定性を特に改良した化合物として
、本発明者は、先に特願昭６１−１２２６９６において
、下記のフォトクロミズムを示すジチェニルジシアノエ
テン誘導体及びそれを使用してなる、記録の熱安定性の
良好な光記録材料を提案した。

（式中、Ｒ’、Ｒｈ、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’はアルキ
ル基を示す。）［発明が解決しようとする課題］フォトクロミック化合物を光記録材料として用いる場合
において、上記■の記録の熱安定性に加えて更に、■の
半導体レーザー感受性の両方の要件を具備することが重
要であるが、従来このような要件を兼備する光記録材料
は提案されておらず、前記スピロベンゾピラン銹導体を
含有するものは、■の記録の熱安定性に劣り、ジチェニ
ルジシアノエテン銹導体よりなるものは■の半導体レー
ザー感受性を備えていないという欠点があった。

本発明は、光記録材料として用いるに好適な、半導体レ
ーザー領域（６００〜９００ｎｍ）に吸収を有し、しか
も記録の熱安定性も良好なフォトクロミズムを示す新規
化合物を提供することを目的とする。

本発明のフタロシアニン系化合物は、一般式［］（式中、Ｍは２Ｈ又は■族、Ｉｂ族、Ｉｌｂ族。

ＩＩＩ　ｂ族、ＩＶａ族、Ｖａ族、Ｖｉａ族、■ａ族の
金属原子及びその酸化物、ハロゲン化物を表わし、Ａ　
Ｉ　、　Ａ　２　、　Ａ３　、　Ａ　４　、　Ｂ　ｌ　
、　Ｂ　２　、　Ｂ　３　、　Ｂ　４は複素環を表わす
。ただし、Ａ１とｓ　Ｉ　　Ａ２とＢ２　　Ａ３とＢ３
．Ａ’とＢ４はそれぞれ光照射によって互いに環化して
、シクロへキサジエン環を形成することにより、その光
学的性質を変化せしめるような複素環である。ただし、
Ｍが２Ｈの場合、Ａ１−Ａ４．Ｂｌ〜Ｂ４は同時にチオ
フェン環ではない。）で表わされるものである。

特に、本発明のフタロシアニン系化合物は、一般式［Ｈ
］（式中、Ｍは２Ｈ又は■族Ｉｂ族、Ｉｌｂ族。

ＩＩＩ　ｂ族、ｒＶａ族、Ｖａ族、ＶＴａ族、■ａ族の
金属原子及びその酸化物、ハロゲン化物を表わし、Ｘ、
ＹはＳ、Ｏ，Ｓｅ原子を表わし、ＲＩ　、　Ｒ２Ｒ８，
Ｒ６，Ｒ７Ｒａ、Ｒ目Ｒ＋２　　Ｒ＋３　　ＲＲ＋７．
　ＲＩ♂、　Ｒ１９，Ｒ”、　Ｒ２３，Ｒ”はアルキル
基を表わし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、ＲＩ　Ｏ、ＲＩ　５　
　ＲＲ２１、Ｒ２２は水素原子又はアルキル基を表わす
。

ただし、Ｍが２Ｈの場合、Ｘ、Ｙは同時にＳ原子ではな
い。）で表わされる化合物であることが好ましく、とりわけ、
上記［Ｉ＋　］式において、ＲＩ　Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１１、Ｒ９、ＲＩ　ＯＲ１ｌ　　ＲＩ　
　ＲＲ宣　’、　　　　Ｒ”　　　　　ＲＩ　６　　　
　Ｒ１７，ＲＩ　８　　　　Ｒ”　　　　　Ｒ”Ｒ２１
，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４が炭素数１〜２０の直鎖状又
は分岐状のアルキル基を示し、Ｍが２ＨＣｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｚｎ、Ｆｅ又は■０を示すものであることが好まし
い。

以下に本発明につき詳細に説明する。

本発明において、Ａ　Ｉ　、　Ａ　２　、　Ａ　３　、
　Ａ　４　、　Ｂ　ｌ　、　Ｂ２Ｂ５．　Ｂ４の複素環
基としては、例えば、下記一般式［ＩＩＩコ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基を表わは置換
されていてもよいアルキル基、アリール基、シクロアル
キル基を表わす。）で示されるもの等が挙げられる。このような複素環基の
具体的な例としては、下記のものが挙げられる。

基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基を表わし、Ｒ
■は水素原子又は置換されていてもよレゾルキル基、ア
リール基、シクロアルキル基を表わす。）あるいは、下記−形成［ＩＶ　］（式中、環Ａは炭化水素環又は複素環を表わし、これら
のうち、特に好ましい複素環基としては、下記−形成［
Ｖ］ ■　　　■　　　■ ＲＲＲは水素又はアルキル基を表わす。）で示されるものが挙げられる。

なお、前記［＋１１１．　［ＩＶ］、　［Ｖ］式におい
て、■　　■　　■　　■　　■　　■　　■ＲＲＲＲ
ＲＲ，Ｒのアルキル基としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、５ｅ
ｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へブチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、
ｎ−ステアリル基等の０１〜２ｏ、好ましくは０１〜４
の直鎖状又は分枝状のアルキル基等が挙げられる。Ｒ■
■　　　■　　　■ Ｒ、Ｒ、Ｒのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げ■　　■ られる。また、Ｒ、Ｒのアルキル基、アリール基又はシ
クロヘキシル基の置換基としては、例えば、アルコキシ
基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシア
ルコキシ基、アリルオキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフリル
基等が挙げられる。

本発明においては、前記−形成［Ｉｆ　］で示されるフ
タロシアニン化合物であって、とりわけ、式９式％Ｒ２３，Ｒ２４で表わされるアルキル基が、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｉ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基
、２−エチルヘキシル基、ｎ−ステアリル基等のＣ８〜
２０％好ましくは０１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基であるものが最も好ましい。

本発明の化合物は、例えば、次のようにして製造するこ
とができる。即ち、まず、下記−形成％式％［（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、
Ｒ８，Ｒ９Ｒ”　　　ＲＩＩ　　ＲＩ２　　Ｒ”　　　
Ｒ１４，Ｒ］５．　　Ｒ１６Ｒ”　　　Ｒ”　　　Ｒ＋
９　　Ｒ”　　　Ｒ”、　　　　２２．　　Ｒ２３Ｒ２
４は前記定義に同じ。）で表わされるジチェニルジシアノエデン誘導体を金属ナ
トリウムの存在下メタノール溶媒等の有機溶媒中、アン
モニアガスを吹き込みながら加熱還流下反応させ、それ
ぞれ下記−形成［Ｘ］、　［ＸＩ］。

［Ｘ［［］、　［Ｘ［ＩＩ］（式中、Ｒｌ　、　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒａ　、
　Ｒ？　、　Ｒ６、Ｒ９Ｒ１ｏ　　Ｒ口　Ｒ１２，Ｒ＋
３．　Ｒ１４，Ｒ１５，ＲＲ１７，−Ｒ”、Ｒ”、Ｒ”
、Ｒ”、Ｒ２２，Ｒ２３Ｒ２４は前記定義に同じ。）で表わされるジイミノインドリン化合物を得る。

次いで、これらを２−　（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エ
タノールまたはブタノール等の有機溶媒に溶解し、その
まま（Ｍが２Ｈの場合）、あるいは下記−形成［項］ＭＣｆｌｘ　　　　　　　　　　　　　　　’−”［Ｘ
ＩＶコ（式中、Ｍは２Ｈ以外の前記定義に同じ、）で表
わされる金属塩を加えて加熱還流することにより環化し
て、−形成［ＩＩに示されるフタロシアニン系化合物を
製造することができる。

Ｒ” ＩＪＲ’″ｌＲ” なお、ジイミノインドリン化合物を製造する際に使用さ
れる有機溶媒としては、メタノールの他、エタノール、
ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノール、１ｓｏ−プロパツ
ール等のアルコール系溶媒が好ましい。さらに使用され
る金属としては、ナトリウムの他、カリウム等が挙げら
れる。

反応温度としては、室温から１５０℃が好ましく、特に
６０〜９０℃が好ましい。

また、ジイミノインドリン化合物からフタロシアニン系
化合物を製造する際に使用される有機溶媒としては、Ｎ
、Ｎ−ジメチルアミノエタノール、Ｎ、Ｎ−ジエチルア
ミノエタノール、Ｎ、　Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノエ
タノール等のＮ、Ｎ−アルキルアミノアルコール系ある
いはブタノール系溶媒が好適であり、反応温度としては
、８０〜２００℃、特に１００〜１５０℃が好ましい。

このような本発明の新規フタロシアニン系化合物は、下
記のような公知の方法に準じた方法により、これを含有
する記録層を形成し、光記録材料とすることができる。

例えば、 ■　本発明のフタロシアニン系化合物を必要に応じて、
ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポ
リメタクリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、酢酸セルロー
ス、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のバインダーと共
に、四塩化炭素、ベンゼン、シクロヘキサン、メチルエ
チルケトン、テトラクロロエタン等の溶媒に分散又は溶
解させて、適当な基板上に塗布する。

■　本発明のフタロシアニン系化合物を、公知の蒸着法
又は他の化合物との共蒸着法により、適当な基板上に蒸
着する。

■　本発明のフタロシアニン系化合物を上述のような溶
媒に溶解し、ガラスセル等に封入する。

等の方法により、記録層を形成することにより、光記録
材料を製造することができる。

なお、■の方法において、使用される基板としては、使
用する光に対して透明又は不透明のいずれでも良い。基
板材料の材質としては、ガラス、プラスチック、紙、板
状又は箔状の基板等の一般の記録材料の支持体が挙げら
れ、これらのうちプラスチックが種々の点から好適であ
る。プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタアクリ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセル
ロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂
等が挙げられる。

塗布方法としては、ドクターブレード法、キャスト法、
スピナー法、浸漬法など一般に行なわれている塗膜形成
法を採用することができる。

方、蒸着法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等
を採用することができる。

基板上に形成する記録層の膜厚は、１００人〜１００μ
ｍ、特に１０００人〜１０μｍとするのが好ましい。記
録層は、基板の両面に設けてもよいし、片面だけに設け
てもよい。

上記の様にして得られる本発明フタロシアニン系化合物
を用いた光学記録材料への記録は、基体の両面又は片面
に設けた記録層あるいはセル中の記録層に１〜１０μｍ
程度に集束した半導体レーザー光をあてることにより、
容易に行なうことができる。しかして、光照射された部
分は、光エネルギーの吸収により色変化が起こる。記録
された情報の再生は、光による色変化が起きている部分
と起きていない部分の反射率あるいは吸光度の差を読み
とることにより行なうことができる。

［実施例］次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。

実施例１（１）　ジイミノインドリン化合物の製゛告５０ｃｃの
３つロフラスコに塩化カルシウム管の付いた冷却管、温
度計、ガス導入口を装着した。この中に乾燥メタノール
５０ｍＪＺを入れ、金属ナトリウム０．１２ｇ（５，２
ｘｌＯ−’ｍｏＩｌ）及び下記構造式で表わされるジシアノビス（２，４，５−１−リメチル
チェニル）エテノ（分子ｆｆ１３２６）２．１ｇ（６，
５ｘ　１０””ｍｏｕ）を順次溶解した。ガス導入口か
ら乾燥アンモニアガスを導入しながら、室温で１時間攪
拌、続いて３時間速流下反応させた。溶媒を留去後、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより分取精製し、
下記構造式で表わされるジイミノインドリン化合物（分
子量３４３）１．７１ｇ　（４，９９Ｘ１０””ｍｏλ
）を得た。（収率７７％）。

（２）　ジイミノインドリン化合物の物性値（ｉ　）’
　Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｕｓ　）δ　＝１．　７６　　　
　　　　ｓ　　　　　　　３Ｈ１、７９ｓ　　　　　　
　３Ｈ２，０７ｓ　　　　　　　３Ｈ２，０９ｓ　　　　　　　３Ｈ２、２５ｓ　　　　　　　６Ｈ３，６０ｂｒ　、　ｓ　　　３Ｈ（ｉｉ）　　１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＪＺ３　）δ＝１
６６．５，１３６．０　１３５．０１３４．８，１３１
．８，１３１．０゜１２７．８，１２７．７，１４．２１　３．２．　１　３．　０（ｉｉｉ）　　ＩＲ（ＫＢｒ）１６４５ｃｍ−’（＝ＮＨ）（３）　フタロシアニン系化合物の製造−１（１）で得
られた下記構造式で表わされるフタロシアニン系化合物（分子量ｔ３０６
）１６ｍｇを得た。（収率３％）。

で表わされるジイミノインドリン化合物０．５ｇ（１，
４６ｘｌＯ−３ｍｏＪ２）を２−　（Ｎ、Ｎ−ジメチル
アミノ）エタノール１０ｍＩＬに溶解し、２０時間加熱
還流した。この反応液を濾過し、生成物を少量のメタノ
ール、アセトンで数回洗浄後乾燥し、下記構造式（１）で得られた下記構造式で表わされるジイミノインドリン化合物０．１５ｇを塩
化カルシウム乾燥管付還流管のついたフラスコ中、乾燥
ブタノール５ｍｆｌに溶かし、加熱還流した。７時間後
、生成した沈殿を濾別し、メタノール続いてアセトンで
洗浄後、乾燥して（２）と同様のフタロシアニン系化合
物１２．８ｍＨな得た（収率８．５％）。更に、濾液を
反応容器にもどし、１３時間加熱後、生成した沈殿を濾
別、メタノール続いてアセトンで洗浄後、乾燥して再び
フタロシアニン系化合物２３．８ｍｇを得た（収率１６
％）。得られたものを合計してフタロシアニン系化合物
３６．６ｍｇを得た（収率２４．８％）。

（５）　フタロシアニン系化合物の物性値（３）（４）
で得られたフタロシアニン系化合物のλ１ｌｌａｘ（０
−ジクロロベンゼン中）は第１図に示したように６７３
ｎｍ、６１０ｎｍにあり、半導体レーザー領域（６００
〜９００ｎｍ）に吸収があることを確認した。

実施例２実施例１において、下記構造式で表わされるジシアノビス（２，４，５−トリエチルチ
エニル）エテノ２．７ｇを用いた以外は実施例１と同様
にして下記構造式のフタロシアニン系化合物を得た。

で表わされるジシアノビス（２，４，５−トリメチルチ
エニル）エテノ２．１ｇの代りに下記構造式氷晶のλ□Ｘ　　（Ｏ−ジクロロベンゼン中）は６７４
ｎｍ、６１０ｎｍであり、実施例１で得られたものと同
様、半導体レーザー領域（６００〜９００ｎｍ）に吸収
があることが確認された。

実施例３〜９実施例１に準じた方法により、前記−形成［１！コにお
けるＭが２Ｈ，Ｘ及びＹがＳ原子、Ｒ１−Ｒ２４が第１
表に示すアルキル基である化合物を合成し、それぞれ０
−ジクロロベンゼン中のλ□８を測定し、結果を第１表
に示した。

実施例１０実施例１の（１）で得られた下記構造式領域（６００〜
９００ｎｍ）に吸収があることを確認した。

で表わされるジイミノインドリン化合物０．１７ｇと下
記構造式％式％）で表わされる酢酸銅（Ｉ＋）０．０２７ｇを溶かした乾
燥ブタノール溶液を実施例１の（４）と同様の装置で２
０時間加熱還流し、反応させた。反応混合物を実施例１
の（４）と同様に処理し、下記構造式で表わされるフタ
ロシアニン系化合物８０ｍｇを得た（収率４６．８％）
。

得られたフタロシアニン系化合物のλ。ｉｌＸ　　（ク
ロロナフタレン中）は第２図に示したように５８３ｎｍ
、６３９ｎｍにあり、半導体し一ザー実施例１１実施例１の（１）で得られた下記構造式で表わされるジ
イミノインドリン化合物０，１３ｇと下記構造式％式％で表わされる塩化ニッケル０．０９ｇを５ｍＩＬの乾燥
ブタノールに加え、２０時間加熱通流して反応させた。

反応生成物を実施例１の（４）と同様に処理し、下記構
造式で表わされるフタロシアニン系化合物２．８ｍｇを
得た（収率２．２％）。

得られたフタロシアニン系化合物のλ、ｎ！８（１−メ
チルナフタレン中）は５８０ｎｍ。

６３９ｎｍであり、半導体レーザー領域（６００〜９０
０ｎｍ）に吸収があることを確認した。

実施例１２実施例１の（１）で得られた下記構造式で表わされるジ
イミノインドリン化合物０．５０ｇを５ｍｌ１の乾燥２
−　（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エタノールに溶解し、
これに下記構造式２式％で表わされる酢酸亜鉛二本和物を加え、２０時間加熱還
流した。生じた沈殿をメタノールで洗浄後、アセトンで
抽出をくり返し、下記構造式で表わされるフタロシアニ
ン系化合物２ｍｇを得た（収率０．４％）。

氷晶のフタロシアニン系化合物のλ、、、（１−メチル
ナフタレン）は５９０ｎｍ、６４３ｎｍであり、半導体
レーザー領域（６００〜９００ｎｍ）に吸収があることを確認した。

実施例１実施例１実施例１３〜４反応させる化合物を適宜選定し、上述の実施例と同様にして下記構造式で示されるフタロシアニン系化
合物を製造した。

これらはいずれも半導体レーザー領域に吸収があることが確認された。

実施例１実施例１実施例１実施例１実施例１実施例２実施例２実施例２実施例２実施例２実施例２実施例２実施例２実施例２８実施例３実施例３実施例２実施例３実施例３実施例３実施例３実施例３実施例３９実施例４０実施例３７実施例３８実施例４１（１）合成例下記構造式で表わされるジイミノインドリン化合物０．２５ｇと下
記構造式％式％）で表わされる酢酸銅（ＩＩ）０．０２７ｇを溶かした乾
燥ブタノール溶液を実施例１の（４）と同様の装置で２
０時間加熱還流し、反応させた。反応混合物を実施例１
の（４）と同様に処理し、下記構造式で表わされるフタ
ロシアニン系化合物５０ｍｇを得た。

得られたフタロシアニン系化合物のえ０．Ｘ　（クロロ
ナフタレン中）は６３０ｎｍ、６８０ｎｍにあり、半導
体レーザー領域（６００〜９００ｎｍ）に吸収があるこ
とを確認した。

得られた化合物のベンゼン溶液をガラスセルに封入し、
このガラスセルに４０４．５ｎｍの単色光を２分間照射
したところ、青色から青紫色に着色した。この着色状態
は熱的に非常に安定であった。次に水銀ランプとフィル
ターを組み合せ、６８０ｎｍの単色光を５分間照射した
ところ、直ちに消色した。この変化は可逆的に繰り返し
行うことができた。

（３）゛学記録法２得られた化合物２００ｎｍとポリスチレン（分子量１６
万）２０ｇとをトルエン４００ｍｊ２に溶解し、その溶
液をガラス基板上に塗布、乾燥して、記録層を作成した
。

この記録層に４０４．５ｎｍの単色光を３分間照射し、
全面を着色状態にした。この着色状態は熱的に安定であ
り、８０℃において１２時間以上退色は認められなかっ
た。次にＨｅ−Ｎｅレーザー（６３３ｎｍ）１０ｍＷに
より書き込みを試みたところ、１０秒間の照射で着色は
直ちに退色した。この着色、退色のサイクルは５０回以
上繰り返しが可能であった。

（４）′学記録法３得られた化合物１ｇを２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真空下で
、約８０〜１５０℃に加熱し、板厚１２ｍｍのメタアク
リル樹脂基板上に真空蒸着した。

し発明の効果］以上詳述した通り、本発明のフタロシアニン系化合物は
半導体レーザー領域（６００〜９００ｎｍ）に吸収があ
り、半導体レーザー感受性を有し、かつ記録の熱安定性
良好な新規なフォトクロミズムを示す化合物である。

特に前記−数式［１１］で示されるフタロシアニン系化
合物、とりわけ−数式［Ｉ＋　］において、Ｒｌ　、　
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ＲＳ　、　Ｒ８、Ｒ？　、　Ｒａ　
、　Ｒ９、ＲＩ　ＯＲ日　Ｒ１２Ｒ１３Ｒ”　　ＲＩ５
Ｒ”　　Ｒ１７Ｒ”　　Ｒ”、Ｒ”、Ｒ”　　Ｒ２２，
Ｒ”、Ｒ”が炭素数１〜２０の直鎮状又は分岐状のアル
キル基であって、Ｍが２Ｈ，Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ。

Ｆｅ又は■Ｏであるフタロシアニン系化合物であれば、
極めて優れた半導体レーザー感受性、記録の熱安定性を
示す。

従って、本発明の化合物は、各種の記録・記憶材料、複
写材料、調光材料、印刷感光体、レーザー用感光材料、
写真植字用感光材料あるいは光フイルタ−、マスキング
用材料、光量計、デスプレイ用材料等として極めて有用
である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、それぞれ実施例１．実施例１Ｏで合
成した本発明に係るフタロシアニン系化合物の吸収スペ
クトルを示す図であって、横軸は波長（ｎｍ）を示し、
縦軸は吸光度を示す。代理人　　弁理士　　重　野　　剛

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］（式中、Ｍは２Ｈ又はVIII族、 I ｂ族、IIｂ族、IIIｂ
族、IVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIIａ族の金属原子及び
その酸化物、ハロゲン化物を表わし、Ａ＾１、Ａ＾２、
Ａ＾３、Ａ＾４、Ｂ＾１、Ｂ＾２、Ｂ＾３、Ｂ＾４は複
素環を表わす。ただし、Ａ＾１とＢ＾１、Ａ＾２とＢ＾
２、Ａ＾３とＢ＾３、Ａ＾４とＢ＾４はそれぞれ光照射
によって互いに環化して、シクロヘキサジエン環を形成
することにより、その光学的性質を変化せしめるような
複素環である。ただし、Ｍが２Ｈの場合、Ａ＾１、Ａ＾
２、Ａ＾３、Ａ＾４、Ｂ＾１、Ｂ＾２、Ｂ＾３、Ｂ＾４
は同時にチオフェン環ではない。）で表わされるフタロシアニン系化合物。
（２）フタロシアニン系化合物が一般式［II］▲数式、
化学式、表等があります▼・・・［II］（式中、Ｍは２Ｈ又はVIII族、 I ｂ族、IIｂ族、IIIｂ
族、IVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIIａ族の金属原子及び
その酸化物、ハロゲン化物を表わし、Ｘ、ＹはＳ、Ｏ、
Ｓｅ原子を表わし、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾５、Ｒ＾６、
Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３
、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾９、
Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾３、Ｒ＾２＾４はアルキル基を表
わし、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾
５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾２＾１、Ｒ＾２＾２は水素原子又
はアルキル基を表わす。ただし、Ｍが２Ｈの場合、Ｘ、Ｙは同時にＳ原子ではな
い。）で表わされる化合物であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のフタロシアニン系化合物。
（３）前記一般式［II］において、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ
＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾
９、Ｒ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾４
、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾７、
Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾１、Ｒ
＾２＾２、Ｒ＾２＾３、Ｒ＾２＾４が炭素数１〜２０の
直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、Ｍが２Ｈ、Ｃｕ
、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ又はＶｏを示すことを特徴と
する特許請求の範囲第２項に記載のフタロシアニン系化
合物。