JPH0266751A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、特に
再生時の反射光量を増加させて再生性能を向上させた光
磁気記録媒体に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果
を利用した光磁気記録媒体をか精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、重ね書き（オーバーライド）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピューター用メモリ等への利用が期待されてい
る。

上記光磁気記録媒体は、垂直磁化膜すなわち膜面に垂直
な方向に磁気容易軸を有する磁性膜を記録層とし、レー
ザービームを照射するとともに磁界を印加することによ
り情報の記録、再生及び消去が行えるようになっている
。

すなわち、情報の記録は、垂直磁化膜の磁化方向を予め
一定方向にそろえておき、垂直磁化膜の微小部分にレー
ザービームを集光し、その部分のみを昇温させて磁化を
失わせ、その後温度が室温に戻る時に磁界をその部分の
磁化方向が周囲と逆になるように印加し磁化させること
によりビットを形成して行う。

情報の再生は、一般に、再生用のレーザービーム（パワ
ーが記録用より小）を記録層に照射し、その照射部分の
磁化方向の違いにより反射ビームの偏光面の回転方向が
異なる磁気カー効果を利用して行う。

また情報の消去は、記録ビットにレーザービームを照射
するとともに、記録の際の磁界と逆方向の磁界を印加す
ることにより行う。

一方、光磁気記録媒体に要求される特性の１つに再生性
能が良好なことが挙げられる。この再生性能は性能指数
、／Ｆａｋ（Ｒ；反射率、θ、；カー回転角）で評価さ
れ、性能指数が大きいほど、すなわち反射率Ｒとカー回
転角θ、が大きいほどよいとされる。

従来、再生性能を向上させるために、カー回転角θ□の
できるだけ大きい記録材料を得るべく多くの努力がなさ
れており、種々の記録材料が特許公報、文献等に発表さ
れている。また、カー効果を増大させるために、基板と
磁性膜の間に光干渉用の透明膜を設ける技術も提案され
ている（特開昭６３−１８５４６号公報等）。このよう
に、従来は、再生性能を向上させるためにカー回転角θ
、のみに注目が集っていたのが実情である。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来のようにカー回転角θ　だけの改良
では再生性能に限界があることがわかった。その一方、
最近の情報処理の高速化、高精度化に対応するために、
より一層の再生性能の向上が期待されている。

従って、本発明はこの点に鑑み、さらに再生性能を向上
させた光磁気記録媒体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕上述のように、
再生性能は反射率Ｒとカー回転角θ　が大きいほどよい
とされている。ここで力に 一回転角θ　の改良には限界がある。そこで、反に 射率Ｒに着目した場合、レーザー光で記録するとき、信
号レベルに必要な光量が反射し、残りは記録のための磁
化反転し、有効に使用されるのが望ましい。

また、再生するときは、できるだけ多くのレーザ光が反
射して信号として使用されるのが望ましい。

換言すれば、記録するときは最小限の反射量であり、再
生するときはより多くの反射量があれば、再生性能をよ
り一層向上させることができる。

本発明者は以上のことを考慮しながら鋭意研究を重ねた
結果、本発明を完成するに至った。

すなわち、上記目的を達成するため、本発明によれば、
透光性の基板上に、直接もしくは下地層を介して光干渉
用の透明膜を設け、該透明膜上に磁性膜を設け、さらに
その上に保護膜を設けてなる光磁気記録媒体において、
前記透明膜が、レーザーの光熱により屈折率変化を起こ
す物質により構成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。

レーザーの光熱により屈折率変化を起こす物質としては
、例えばカルコゲン（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）を少なくとも１
種以上組成元素として含むものが好ましく使用される。

その具体的な化合物例としては、Ａｓ３ＳｅＳｎＳ４Ｇ
ｅ、　Ａｓ、□５ｅ４ＳＴｅ、、Ｇｅ□、、　ＧｃＪＳ
ｂＳｎＳｅ、、、ＡｓＳｅ、５ｂＧｅａ等のカルコゲナ
イド（カルコゲンを含む化合物）が挙げられる。

一 上記物質を、基板と磁性膜との間に設ける透明膜に使用
した場合、磁化反転の前後で屈折率が変化し、それに伴
って反射率が変化することがわがった。すなわち、記録
時には最小限の反射量であり、再生するときはより多く
の反射量となるように変化する。これにより、再生特性
のより一層の向上が可能となる。また、これらの物質は
消去作用により磁化が元に戻れば、変化した屈折率も元
へ戻ることがわかった。この可逆性により書き換え可能
な光磁気記録媒体への適用が可能となる。

〔実施例〕

以下本発明を実施例により詳細に説明する。

ポリカーボネート（ｐｃ）基板上に、ＲＦ（高周波）ス
パッタにより、光干渉用の透明膜としてカルコゲナイド
膜Ａｓ３ＳｅＳｎＳ４Ｇｅを８００人の膜厚で付着させ
、次にその上に磁性膜丁ｂＦｅＣｏを７００Ａの膜厚で
付着させ、続いて保護膜ＳｉＮを９００人の膜厚で付着
させ、第１図に示すような膜構成の光磁気記録媒体を得
た。なお、図中１は基板、２は光干渉用の透明膜、３は
磁性膜、４は保詣膜である。また、上記スパン夕の条件
は以下の通りである。

・１チヤンバー複数ターゲツト（バッチタイプ）・ター
ゲットと基板との距１ｉ９　８０ｍｍ・真空度（バック
グラウンド）　１〜５　Ｘ　ＬＰ’　Ｔｏｒｒ同（スパ
ッタ時）　　４−９　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ（Ａｒガス
）・印加電力　　　　　　　０．７５ｋＷ（ＲＦ　１３
．６１１７）・スパッタレイト　　　　３〜５人／　ｓ
ｅｃ上記のようにして作製した光磁気記録媒体に、波長
８２０ｎｍの半導体レーザーで記録を行うとき、全光量
の２３．１％が反射され、残りの７６．９％が磁性膜に
吸収され、磁化反転に必要な温度ヒ昇が起こり、磁化が
反転する。このとき、表−１に示すようにカルコゲナイ
ド膜Ａｓ３ＳｅＳｎＳ４Ｇｅに屈折率の変化が起こるこ
とがわかった。すなわち、磁化の反転の前後で屈折率が
２．３から２．１に変化した。そしてそれに伴って、反
射率が２３．１％から２６．７に変化した。

表−１ また、消去作用によって磁化が元に戻ればカルコゲナイ
ド膜の屈折率も２．１から２．３に変化し、元へ戻るこ
とがわかった。これは、磁化反転の影響のほかにレーザ
ーの光熱［こよってカルコゲナイド膜に組成変化が起き
るためと考えられる。ここで第２図に上記の現象の概念
図を示す。

本実施例の光磁気記録媒体の再生性能を評価したところ
、性能指数（１θ、）が≠］窮ｘ　００３＝０．１４４
から≠、２６７　Ｘ　０．３＝０．１５５と向上するこ
とによって、Ｃ／Ｎが５３　ｄ　Ｂとなり、従来の屈折
率変化が起こらないもの（４９ｄＢ）より４ｄＢ向上し
た。

また、光干渉用の透明膜としてカルコゲナイド膜Ａｓ、
□Ｓｅ、、、Ｔｅ１．Ｇｅ□。、Ｇｅ３ＳｂＳｎＳｅ５
、Ａｓ５ｅ４ＳｂＧｅ３をそれぞれ用いて上記実施例と
同様にして光磁気記録媒体を作製し、その再生性能を評
価したところ、上記と同等の効果を得ることができた。

〔発明の効果〕

以−１こ詳細に説明したように、本発明によれば、基板
と磁性膜の間に設けた光干渉用の保護膜を、レーザーの
光熱により屈折率変化を起こす物質で楕成したので、こ
の屈折率変化に伴って、記録時には最小限の反射量、再
生時にはより多くの反射量が得られるように反射率が変
化し、再生性能をより一層向上させることが可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の膜構成を示す断
面図、第２図はに配光磁気記録媒体の光干渉用の透明膜
に生じる屈折率変化の概念図である。 １・・・基板 ２・・・光干渉用の透明膜 ３・磁性膜 ４・・保護膜 特許出願人　株式会社　リ　　コ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性の基板上に、直接もしくは下地層を介して
   光干渉用の透明膜を設け、該透明膜上に磁性膜を設け、
   さらにその上に保護膜を設けてなる光磁気記録媒体にお
   いて、 前記透明膜が、レーザーの光熱により屈折率変化を起こ
   す物質により構成されていることを特徴とする光磁気記
   録媒体。