JPH0267724A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0267724A JPH0267724A JP21910988A JP21910988A JPH0267724A JP H0267724 A JPH0267724 A JP H0267724A JP 21910988 A JP21910988 A JP 21910988A JP 21910988 A JP21910988 A JP 21910988A JP H0267724 A JPH0267724 A JP H0267724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- thin film
- substrate
- compound semiconductor
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N dimethylselenide Chemical compound C[Se]C RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化合物半導体薄膜の選択的成長方法に関する
。
。
従来、半導体基板上に選択的に化合物半導体薄膜を製造
する方法の１つで、前記半導体基板上の一部にマスクを
形成する手段と、前記マスクの形成された半導体基板上
に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長する手段と、
前記エピタキシャル成長中に光照射する手段を含む化合
物半導体薄膜の製造方法においては、前記エピタキシャ
ル成長の方法に関してはなんら限定されていなかった。
する方法の１つで、前記半導体基板上の一部にマスクを
形成する手段と、前記マスクの形成された半導体基板上
に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長する手段と、
前記エピタキシャル成長中に光照射する手段を含む化合
物半導体薄膜の製造方法においては、前記エピタキシャ
ル成長の方法に関してはなんら限定されていなかった。
しかし、従来の技術では成長方法によって、十分な選択
比が得られずマスク上にもスペックル状の結晶成長が起
こること、選択成長可能な温度領域、光強度範囲、成長
圧力等が狭くなってしまうこと、再現性が乏しいことな
どの問題点を有していた。そこで本発明は、このような
問題点を解決するものでその目的とするところは、広い
成長条件の範囲で再現性よく選択成長が可能な成長方法
を提供するところにある。
比が得られずマスク上にもスペックル状の結晶成長が起
こること、選択成長可能な温度領域、光強度範囲、成長
圧力等が狭くなってしまうこと、再現性が乏しいことな
どの問題点を有していた。そこで本発明は、このような
問題点を解決するものでその目的とするところは、広い
成長条件の範囲で再現性よく選択成長が可能な成長方法
を提供するところにある。
上記課題を解決するため、本発明の化合物半導体薄膜の
製造方法は、 （１）半導体基板上の一部にマスクを形成する手段と、
前記マスクの形成された半導体基板上に化合物半導体薄
膜をエピタキシャル成長する手段と、前記エピタキシャ
ル成長中に光照射する手段を含む、選択的な化合物半導
体薄膜の製造方法において、前記エピタキシャル成長の
方法が有機金属化学気相成長法であることを特徴とする
。
製造方法は、 （１）半導体基板上の一部にマスクを形成する手段と、
前記マスクの形成された半導体基板上に化合物半導体薄
膜をエピタキシャル成長する手段と、前記エピタキシャ
ル成長中に光照射する手段を含む、選択的な化合物半導
体薄膜の製造方法において、前記エピタキシャル成長の
方法が有機金属化学気相成長法であることを特徴とする
。
（２）前記有機金属化学気相成長法の原料を、■族有機
金属とＶ族水素化合物とすることを特徴とする。
金属とＶ族水素化合物とすることを特徴とする。
（３）前記有機金属化学気相成長法の原料を、■族有機
金属と■族有機化合物とすることを特徴とする。
金属と■族有機化合物とすることを特徴とする。
（４）前記有機金属化学気相成長法の原料を■族■族付
加体有機金属と■族水素化物とすることを特徴とする。
加体有機金属と■族水素化物とすることを特徴とする。
第１図は本発明の実施例における化合物半導体薄膜の選
択成長法を示した製造工程図である（１０１）の単結晶
半導体基板上に（１０２）の誘電体膜を形成する（第１
図（ａ）、（ｂ））。次に（１０２）を任意の形状に残
して、エツチング除去する（第１図（Ｃ））。
択成長法を示した製造工程図である（１０１）の単結晶
半導体基板上に（１０２）の誘電体膜を形成する（第１
図（ａ）、（ｂ））。次に（１０２）を任意の形状に残
して、エツチング除去する（第１図（Ｃ））。
次に、この基板上に（１０５）の化合物半導体層をエピ
タキシャル成長させるが、この時同時に（１０４）の光
照射を基板全面に行なう（第１図（ｄ））。これによっ
て、マスクの誘電体膜を除去した基板表面上にはエピタ
キシャル成長が起こり、（１０３）のパターニングした
誘電体膜上ではいがなる堆積物も得られず、選択成長で
きる。
タキシャル成長させるが、この時同時に（１０４）の光
照射を基板全面に行なう（第１図（ｄ））。これによっ
て、マスクの誘電体膜を除去した基板表面上にはエピタ
キシャル成長が起こり、（１０３）のパターニングした
誘電体膜上ではいがなる堆積物も得られず、選択成長で
きる。
第２図に本発明の実施例におけるＡｌＧａＡｓ薄膜の選
択成長の有機金属化学気相法（以下ＭＯＣＶＤ法と記す
）による成長装置の基本構成図を示す。（２０６）の反
応管には（２０８）石英窓が設置されており、（２０３
）光照射が可能となる。（２０５）のサセプター上に（
２０４）ＧａＡｓ単結晶基板を設置し、（２０７）の高
周波発振器により基板温度を保持する。Ｇａ及びＡＩの
■族下料は、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）及びＴＭＡ
（）リメチルアルミニウム）の有機金属を用い、（２１
１）、（２１２）のバブラー中の原料が、（２１０）水
素ガスをキャリアとして反応管中に導入される。Ｖ族原
料は、水素化物であるＡｓＨ３（アルシン）を用い、（
２０９）のボンベより（２０６）反応管中に導入し、（
２０４）の基板上にエピタキシャル成長させる。その時
、同時に（２０１）のエキシマレーザからの紫外光が（
２０２）の光学系を通して平行ビームとなり基板全面に
一様に照射される。ＧａＡｓ基板の表面には、５ｉ０２
膜がパターン状に形成されており、第１図（ｄ）に示し
たように、ＧａＡｓの而が露出した部分にだけＡ、１Ｊ
ＧａＡｓ薄膜の成長が可能となる。
択成長の有機金属化学気相法（以下ＭＯＣＶＤ法と記す
）による成長装置の基本構成図を示す。（２０６）の反
応管には（２０８）石英窓が設置されており、（２０３
）光照射が可能となる。（２０５）のサセプター上に（
２０４）ＧａＡｓ単結晶基板を設置し、（２０７）の高
周波発振器により基板温度を保持する。Ｇａ及びＡＩの
■族下料は、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）及びＴＭＡ
（）リメチルアルミニウム）の有機金属を用い、（２１
１）、（２１２）のバブラー中の原料が、（２１０）水
素ガスをキャリアとして反応管中に導入される。Ｖ族原
料は、水素化物であるＡｓＨ３（アルシン）を用い、（
２０９）のボンベより（２０６）反応管中に導入し、（
２０４）の基板上にエピタキシャル成長させる。その時
、同時に（２０１）のエキシマレーザからの紫外光が（
２０２）の光学系を通して平行ビームとなり基板全面に
一様に照射される。ＧａＡｓ基板の表面には、５ｉ０２
膜がパターン状に形成されており、第１図（ｄ）に示し
たように、ＧａＡｓの而が露出した部分にだけＡ、１Ｊ
ＧａＡｓ薄膜の成長が可能となる。
第３図に本発明の実施例におけるＩｎＰ薄膜の選択成長
のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す。基
本的には第２図と同様で、■族原料に有機金属のＴＭＩ
（）リメチルインジウム）を（３０２）のバブラー
に入れて用い、Ｖ族原料に水素化物のＰＨ３（ホスフィ
ン）を（３０３）のボンベより供給する。上記のＡｊｌ
ＧａＡｓの場合と同様に、（３０１）ＩｎＰ基板上のマ
スクに覆軌れていないＩｎＰの露出した部分にのみ、■
ｎＰ薄膜の成長が可能となる。
のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す。基
本的には第２図と同様で、■族原料に有機金属のＴＭＩ
（）リメチルインジウム）を（３０２）のバブラー
に入れて用い、Ｖ族原料に水素化物のＰＨ３（ホスフィ
ン）を（３０３）のボンベより供給する。上記のＡｊｌ
ＧａＡｓの場合と同様に、（３０１）ＩｎＰ基板上のマ
スクに覆軌れていないＩｎＰの露出した部分にのみ、■
ｎＰ薄膜の成長が可能となる。
第４図に本発明の実施例におけるＺｎ５ｅ薄膜の選択成
長のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す。
長のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す。
基本的には第２図と同様で、■族原料に水素化物のＨ２
Ｓｅ（セレン化水素）を（４０３）のボンベから供給し
、■族原料として有機金属付加体のＤＭＺｎ−ＤＭＳｅ
付加体（ジメチルジンク・ジメチルセレン付加体）を（
４０２）のバブラーから供給する。付加体はＤＭＺｎと
Ｈ２Ｓｅが基板に到達する前に付加反応してしまうのを
抑制している。
Ｓｅ（セレン化水素）を（４０３）のボンベから供給し
、■族原料として有機金属付加体のＤＭＺｎ−ＤＭＳｅ
付加体（ジメチルジンク・ジメチルセレン付加体）を（
４０２）のバブラーから供給する。付加体はＤＭＺｎと
Ｈ２Ｓｅが基板に到達する前に付加反応してしまうのを
抑制している。
上記のＡΩＧａＡｓの場合と同様に（４０１）ＧａＡｓ
基板上のマスクに覆われていないＧａＡＳの露出した部
分にのみ、Ｚｎ５ｅ薄膜の成長が可能となる。
基板上のマスクに覆われていないＧａＡＳの露出した部
分にのみ、Ｚｎ５ｅ薄膜の成長が可能となる。
第５図に本発明の実施例におけるＺｎＳＳｅ薄膜の選択
成長のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す
。基本的には第２図と同様で、■族原料に有機金属のＤ
ＭＺｎを（５０２）をバブラーに入れて用い、■族原料
に有機化合物のＤＭＳｅとＤＭＳ （ジメチルイオウ）
を（５０３）、（５０４）のバブラーに入れて供給する
。前記のＡＪ７ＧａＡｓの場合と同様に（５０１）Ｇａ
Ａｓ基板上のマスクに覆われていないＧａＡｓの露出し
た部分にのみＺｎＳＳｅ薄膜の成長が可能である。
成長のＭＯＣＶＤ法による成長装置の基本構成図を示す
。基本的には第２図と同様で、■族原料に有機金属のＤ
ＭＺｎを（５０２）をバブラーに入れて用い、■族原料
に有機化合物のＤＭＳｅとＤＭＳ （ジメチルイオウ）
を（５０３）、（５０４）のバブラーに入れて供給する
。前記のＡＪ７ＧａＡｓの場合と同様に（５０１）Ｇａ
Ａｓ基板上のマスクに覆われていないＧａＡｓの露出し
た部分にのみＺｎＳＳｅ薄膜の成長が可能である。
本発明の成長方法と他の成長方法の成長温度の違いによ
る成長結果を第１表に示す。選択成長が可能であったも
のは○、マスク上にも堆積したもの、あるいは選択成長
しても膜質が粗悪なものは×とした。ただしＧａＡｓ１
Ｍの場合でマスクは５ｉ０２膜である。またいづれも成
長中Ｉ Ｗ ／ ｃｊの紫外光を照射した。
る成長結果を第１表に示す。選択成長が可能であったも
のは○、マスク上にも堆積したもの、あるいは選択成長
しても膜質が粗悪なものは×とした。ただしＧａＡｓ１
Ｍの場合でマスクは５ｉ０２膜である。またいづれも成
長中Ｉ Ｗ ／ ｃｊの紫外光を照射した。
第１表
以上のように、本発明の成長方法であるＭＯＣＶＤ法が
他の成長方法に比べて、より低い温度で選択成長が可能
であった。次に同様の実験を照射光の強度を変えて行っ
た結果を第２表に示す。ただし成長温度は５００℃であ
る。
他の成長方法に比べて、より低い温度で選択成長が可能
であった。次に同様の実験を照射光の強度を変えて行っ
た結果を第２表に示す。ただし成長温度は５００℃であ
る。
第２表
以上のように本発明のＭＯＣＶＤ法では、成長温度５０
０℃の場合０ 、４ Ｗ ／ ｃｄの低い光照射強度か
ら選択成長が可能だった。ＩＯＷ／ｃｄになると、いず
れの成長方法でも表面モフォロジーが悪く膜質が劣化し
た。
０℃の場合０ 、４ Ｗ ／ ｃｄの低い光照射強度か
ら選択成長が可能だった。ＩＯＷ／ｃｄになると、いず
れの成長方法でも表面モフォロジーが悪く膜質が劣化し
た。
また、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系などの成長可能なあらゆる
組み合せの混晶を含む■−■族化合物半導体、またＺｎ
Ｓ系、Ｚｎ５ｅ系、ＣｄＴｅ系等の成長可能なあらゆる
組み合せの混晶を含む■−■族化合物半導体についても
同様の結果が得られ、ＭＯＣＶＤ法が最も広い条件範囲
で選択成長可能であった。
組み合せの混晶を含む■−■族化合物半導体、またＺｎ
Ｓ系、Ｚｎ５ｅ系、ＣｄＴｅ系等の成長可能なあらゆる
組み合せの混晶を含む■−■族化合物半導体についても
同様の結果が得られ、ＭＯＣＶＤ法が最も広い条件範囲
で選択成長可能であった。
以上述べたように本発明によれば、エピタキシャル成長
の方法をＭＯＣＶＤ法とすることにより、化の成長方法
よりもさらに低温プロセスとなり、デバイス応用におい
て他素子の特性を劣化させることがなくなる。また低成
長温度においても、光照射強度を基板にダメージを与え
ることのない程度に低く設定できるため、高品質の化合
物半導体薄膜を選択成長できる。またＭＯＣＶＤ法は大
面積に均一に成長でき、さらに他の成長方法に比ベバッ
チ間の再現性も優れているため、デバイスプロセスに応
用した際、コストの低減、作業の簡略化が実施できる、
等の効果を有する。
の方法をＭＯＣＶＤ法とすることにより、化の成長方法
よりもさらに低温プロセスとなり、デバイス応用におい
て他素子の特性を劣化させることがなくなる。また低成
長温度においても、光照射強度を基板にダメージを与え
ることのない程度に低く設定できるため、高品質の化合
物半導体薄膜を選択成長できる。またＭＯＣＶＤ法は大
面積に均一に成長でき、さらに他の成長方法に比ベバッ
チ間の再現性も優れているため、デバイスプロセスに応
用した際、コストの低減、作業の簡略化が実施できる、
等の効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例における化合物
半導体薄膜の選択成長法を示した製造工程図。 第２図は本発明の実施例におけるＡＪＧａＡｓ薄膜の成
長装置の基本構成図。 第３図は本発明の実施例におけるＩｎＰ薄膜の成長装置
の基本構成図。 第４図は本発明の実施例におけるＺｎ５ｅ薄膜の成長装
置の基本構成図。 第５図は本発明の実施例におけるＺｎＳＳｅ薄膜の成長
装置の基本構成図。 （１０１） ・ ・ ・ （１０２） ・ ・ ・ （１０３） ・ ・ ・ 単結晶半導体基板 誘電体膜 パターン状に残った誘電体 膜 照射光 化合物半導体薄膜 光学系 照射光 サセプター 反応管 排気系 水素ボンベ ３ｏｒ ＆Ｐ鉢 ３ｏ２−ＴＭ工ｔ ｓ１η゛）− ３’３ ｐ’Ｈ３；Ｉで′ンべ′ＬＩｏｌ Ｌ＋０２ ’＃３ ＃ｅＡん１脹 イ：Ｔｐロイ４；バ′７゛う ＨユＳＣギリベ゛ 叫Ａ≦靭 −Ｄ閃Ｚ＾バ）゛）− （）ＭＳムｔ ｌ”７’乃− りＭ５Ｂ’ｙ”’）−
半導体薄膜の選択成長法を示した製造工程図。 第２図は本発明の実施例におけるＡＪＧａＡｓ薄膜の成
長装置の基本構成図。 第３図は本発明の実施例におけるＩｎＰ薄膜の成長装置
の基本構成図。 第４図は本発明の実施例におけるＺｎ５ｅ薄膜の成長装
置の基本構成図。 第５図は本発明の実施例におけるＺｎＳＳｅ薄膜の成長
装置の基本構成図。 （１０１） ・ ・ ・ （１０２） ・ ・ ・ （１０３） ・ ・ ・ 単結晶半導体基板 誘電体膜 パターン状に残った誘電体 膜 照射光 化合物半導体薄膜 光学系 照射光 サセプター 反応管 排気系 水素ボンベ ３ｏｒ ＆Ｐ鉢 ３ｏ２−ＴＭ工ｔ ｓ１η゛）− ３’３ ｐ’Ｈ３；Ｉで′ンべ′ＬＩｏｌ Ｌ＋０２ ’＃３ ＃ｅＡん１脹 イ：Ｔｐロイ４；バ′７゛う ＨユＳＣギリベ゛ 叫Ａ≦靭 −Ｄ閃Ｚ＾バ）゛）− （）ＭＳムｔ ｌ”７’乃− りＭ５Ｂ’ｙ”’）−
Claims (4)
- （１）半導体基板上の一部にマスクを形成する手段と、
前記マスクの形成された半導体基板上に化合物半導体薄
膜をエピタキシャル成長する手段と、前記エピタキシャ
ル成長中に光照射する手段を含む、選択的な化合物半導
体薄膜の製造方法において、前記エピタキシャル成長の
方法が有機金属化学気相成長法であることを特徴とする
化合物半導体薄膜の製造方法。 - （２）前記有機金属化学気相成長法の原料を、III族有
機金属とＶ族水素化合物とすることを特徴とする請求項
１記載の化合物半導体薄膜の製造方法。 - （３）前記有機金属化学気相成長法の原料を、II族有機
金属とVI族有機化合物とすることを特徴とする化合物半
導体薄膜の製造方法。 - （４）前記有機金属化学気相成長法の原料をII族VI族付
加体有機金属とVI族水素化物とすることを特徴とする請
求項１記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21910988A JPH0267724A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21910988A JPH0267724A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267724A true JPH0267724A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16730393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21910988A Pending JPH0267724A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267724A (ja) |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP21910988A patent/JPH0267724A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69128678T2 (de) | Verfahren zum selektiven epitaxialen Wachstum und Ätzen von III-V oder II-VI-Halbleitern in demselben Wachstumsapparat | |
| JPH05186295A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS62232919A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| GB2162862A (en) | Process for forming monocrystalline thin film of compound semiconductor | |
| JPS6134927A (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長法 | |
| JPH0267724A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2736655B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| JP2753009B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JP2549835B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0267721A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JP3406504B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH01215014A (ja) | 半導体結晶の成長方法 | |
| JPH05226257A (ja) | 気相の成長方法及び光励起気相成長装置 | |
| JP2620546B2 (ja) | 化合物半導体のエピタキシヤル層の製造方法 | |
| JPH0267723A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0562916A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH04254499A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JP2729866B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャル成長方法 | |
| JPS627692A (ja) | 半導体の選択成長法 | |
| JPH03119721A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3134315B2 (ja) | 化合物半導体結晶の選択成長方法 | |
| JPH10172912A (ja) | 量子構造の形成方法 | |
| JPH0258215A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 |