JPH0268901A - 薄膜抵抗の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗の製造方法Info
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- JPH0268901A JPH0268901A JP63220939A JP22093988A JPH0268901A JP H0268901 A JPH0268901 A JP H0268901A JP 63220939 A JP63220939 A JP 63220939A JP 22093988 A JP22093988 A JP 22093988A JP H0268901 A JPH0268901 A JP H0268901A
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- Japan
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- thin film
- resistance
- film resistor
- tantalum nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はハイプリント集積回路（ＨＩＣ）等の薄膜抵抗
回路に関わる。特に薄膜抵抗体の抵抗値温度係数により
回路の温度特性を制御するものに関わる。
回路に関わる。特に薄膜抵抗体の抵抗値温度係数により
回路の温度特性を制御するものに関わる。
従来の技術
従来の技術としては、例えば特開昭５８−３３８０２号
公報に示されるように窒化タンタル薄膜抵抗の製造にお
いては、窒化タンタル薄膜形成後に窒素雰囲気で５００
〜５５０°Ｃで熱処理することにより抵抗（！温度係数
を制御してきた。また特開昭５８−３５９５８号公報に
示されるように抵抗率の違う窒化タンタル薄膜を同一基
板上に形成するために、最初に基板上に第１の薄膜抵抗
体を形成、パターニングした後、この薄膜抵抗体表面を
陽極酸化により酸化タンクル（Ｔ ａ ２０５ ）に変
えた後、第１の薄膜抵抗体とは違う抵抗率を持った窒化
タンクル薄膜を形成、エツチングの際に陽極酸化した酸
化タンタルを第１の薄膜抵抗体の保護膜とするプロセス
が発明されている。
公報に示されるように窒化タンタル薄膜抵抗の製造にお
いては、窒化タンタル薄膜形成後に窒素雰囲気で５００
〜５５０°Ｃで熱処理することにより抵抗（！温度係数
を制御してきた。また特開昭５８−３５９５８号公報に
示されるように抵抗率の違う窒化タンタル薄膜を同一基
板上に形成するために、最初に基板上に第１の薄膜抵抗
体を形成、パターニングした後、この薄膜抵抗体表面を
陽極酸化により酸化タンクル（Ｔ ａ ２０５ ）に変
えた後、第１の薄膜抵抗体とは違う抵抗率を持った窒化
タンクル薄膜を形成、エツチングの際に陽極酸化した酸
化タンタルを第１の薄膜抵抗体の保護膜とするプロセス
が発明されている。
発明が解決しようとする課題
現在、マイクロ＄ＩＣにおいてＦＥＴの温度特性補償の
一方法として第４図に示すような回路によりゲート−ソ
ース間バイアス電圧を制御する方法があるが、この場合
Ｒ，，Ｒ２の抵抗値温度係数が違う必要がある。このよ
うに同一基板上に抵抗値温度係数が異なる抵抗体を２種
類以上形成する技術は、２種類の違う材料による薄膜抵
抗体（例えばＮｉ−ＣｒとＴａＮ）を用いることにより
実現されてきた。しかし、窒化タンタル薄膜のように製
造条件により抵抗値温度係数を幅広く変化させられる材
料があるにもかかわらず同一の物質を用いて２種類の抵
抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
ことはエッチャントが同じこともあり容易には実現でき
なかった。また２種類の違う物質を用いて異なる抵抗値
温度係数を持った薄膜抵抗体を形成する場合でも薄膜抵
抗体の作成条件を２種類の物質それぞれにおいて制御す
る必要があり、任意の組合せの抵抗値温度係数を実現す
るためには多大な努力を要した。さらに３種類の抵抗値
温度係数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成するため
には、３種類の違う抵抗値温度係数を持った薄膜抵抗体
が必要であった。
一方法として第４図に示すような回路によりゲート−ソ
ース間バイアス電圧を制御する方法があるが、この場合
Ｒ，，Ｒ２の抵抗値温度係数が違う必要がある。このよ
うに同一基板上に抵抗値温度係数が異なる抵抗体を２種
類以上形成する技術は、２種類の違う材料による薄膜抵
抗体（例えばＮｉ−ＣｒとＴａＮ）を用いることにより
実現されてきた。しかし、窒化タンタル薄膜のように製
造条件により抵抗値温度係数を幅広く変化させられる材
料があるにもかかわらず同一の物質を用いて２種類の抵
抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
ことはエッチャントが同じこともあり容易には実現でき
なかった。また２種類の違う物質を用いて異なる抵抗値
温度係数を持った薄膜抵抗体を形成する場合でも薄膜抵
抗体の作成条件を２種類の物質それぞれにおいて制御す
る必要があり、任意の組合せの抵抗値温度係数を実現す
るためには多大な努力を要した。さらに３種類の抵抗値
温度係数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成するため
には、３種類の違う抵抗値温度係数を持った薄膜抵抗体
が必要であった。
したがってこの発明は、同一基板上に抵抗値温度係数の
違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異なる
抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度係数
が実質的に０でない第１の薄膜抵抗体と実質的に０の第
１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１の薄膜抵抗
体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係
数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と抵抗値温度
係数が実質的に０の薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
こと、及び２種類の抵抗値温度係数を持った窒化タンタ
ル薄膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体
を同一基板上に形成することを目的とするや 課題を解決するための手段 すなわち、この発明の要旨とするところは絶縁性基板上
に薄膜抵抗を形成するプロセスにおいて薄膜抵抗が窒化
タンタルの場合には、抵抗値温度係数が違うとエツチン
グ速度が違うということを利用して同一基板上に抵抗値
温度係数の違う薄膜抵抗を形成するものである。及び抵
抗値温度係数が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実
質的に０の第１の薄膜抵抗体とを積層することにより第
１の薄膜抵抗体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の
抵抗値温度係数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体
と抵抗値温度係数が実質的にＯの薄膜抵抗体を同一基板
上に形成するものである。及び２種類の抵抗値温度係数
を持った窒化タンタル薄膜により３種類の抵抗値温度係
数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成するものである
。
違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異なる
抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度係数
が実質的に０でない第１の薄膜抵抗体と実質的に０の第
１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１の薄膜抵抗
体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係
数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と抵抗値温度
係数が実質的に０の薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
こと、及び２種類の抵抗値温度係数を持った窒化タンタ
ル薄膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体
を同一基板上に形成することを目的とするや 課題を解決するための手段 すなわち、この発明の要旨とするところは絶縁性基板上
に薄膜抵抗を形成するプロセスにおいて薄膜抵抗が窒化
タンタルの場合には、抵抗値温度係数が違うとエツチン
グ速度が違うということを利用して同一基板上に抵抗値
温度係数の違う薄膜抵抗を形成するものである。及び抵
抗値温度係数が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実
質的に０の第１の薄膜抵抗体とを積層することにより第
１の薄膜抵抗体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の
抵抗値温度係数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体
と抵抗値温度係数が実質的にＯの薄膜抵抗体を同一基板
上に形成するものである。及び２種類の抵抗値温度係数
を持った窒化タンタル薄膜により３種類の抵抗値温度係
数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に形成するものである
。
作用
本発明は以上の構成により、同一基板上に抵抗値温度係
数の違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異
なる抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度
係数が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実質的に０
の第１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１のｆｉ
ｌｌ膜抵抗体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵
抗値温度係数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と
抵抗値温度係数が実質的に０の薄膜抵抗体を同一基板上
に形成すること、及び２種類の抵抗値温度係数を持った
窒化タンタル薄膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ
薄膜抵抗体を同一基板上に形成することが可能となる。
数の違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異
なる抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度
係数が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実質的に０
の第１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１のｆｉ
ｌｌ膜抵抗体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵
抗値温度係数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と
抵抗値温度係数が実質的に０の薄膜抵抗体を同一基板上
に形成すること、及び２種類の抵抗値温度係数を持った
窒化タンタル薄膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ
薄膜抵抗体を同一基板上に形成することが可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜を用い、特許請求範
囲第（１）項記載の方法により第４図に示すような回路
を形成した場合を第１図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板１０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンクル薄膜１０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
クル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりバター
ニングする。レジストにより所望のパターンを形成した
後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその上に第２の薄
膜抵抗体として窒化タンタル薄膜１０３を同様に反応性
スパンタリングによりおよそ８００人形成した（ｄ）、
この薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温
度係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化タンタルＩ
ｌｌを公知のフォトリソグラフィー法によりバターニン
グする。
囲第（１）項記載の方法により第４図に示すような回路
を形成した場合を第１図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板１０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンクル薄膜１０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
クル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりバター
ニングする。レジストにより所望のパターンを形成した
後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその上に第２の薄
膜抵抗体として窒化タンタル薄膜１０３を同様に反応性
スパンタリングによりおよそ８００人形成した（ｄ）、
この薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温
度係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化タンタルＩ
ｌｌを公知のフォトリソグラフィー法によりバターニン
グする。
レジストにより所望のパターンを形成した後、エッチン
グを行った（ｅ）、エツチングはＨＦ：ＨＮＯａ：Ｈ２
０＝１ ： １ ： ２のエッチャントを用いて行った
。この組成のエッチャントを用いると第１の窒化タンタ
ル薄膜は２人／ ｓ ｅ ｃの速さで、また第２の窒化
タンタル薄膜は４０人／ ｓ ｅ ｃの速さでエツチン
グされる。従って不要な部分の第２の窒化タンタル薄膜
がエッチングされるまでに２０ｓｅｃかかるわけである
が、実際にはエツチング時間は２５〜３０ｓｅｃかかっ
た。この５〜１０ｓｅｃのオーバーエツチングにより第
１の窒化タンクル薄膜はエッチャントにさらされエツチ
ングされるけれどもエツチングされる膜厚は１０〜２０
人と非常に薄く、この影響により第１の窒化タンクル薄
膜のシート抵抗、抵抗値温度係数は殆ど影響を受けるこ
とはなかった。
グを行った（ｅ）、エツチングはＨＦ：ＨＮＯａ：Ｈ２
０＝１ ： １ ： ２のエッチャントを用いて行った
。この組成のエッチャントを用いると第１の窒化タンタ
ル薄膜は２人／ ｓ ｅ ｃの速さで、また第２の窒化
タンタル薄膜は４０人／ ｓ ｅ ｃの速さでエツチン
グされる。従って不要な部分の第２の窒化タンタル薄膜
がエッチングされるまでに２０ｓｅｃかかるわけである
が、実際にはエツチング時間は２５〜３０ｓｅｃかかっ
た。この５〜１０ｓｅｃのオーバーエツチングにより第
１の窒化タンクル薄膜はエッチャントにさらされエツチ
ングされるけれどもエツチングされる膜厚は１０〜２０
人と非常に薄く、この影響により第１の窒化タンクル薄
膜のシート抵抗、抵抗値温度係数は殆ど影響を受けるこ
とはなかった。
実施例２
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜を用い、特許請求範
囲第（２）項記載の方法により第３図に示すような回路
を形成した場合を第２図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板２０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
クル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりバター
ニングする。レジストにより所望のパターンを形成した
後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその上に第２の薄
膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０３を同様に反応性
スパッタリングによりおよそ８００人形成した（ｄ）、
この薄膜抵抗体のシート抵抗は２５Ω／口、抵抗値温度
係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化タンタル薄膜
を公知のフォトリソグラフィー法によりバターニングす
る。
囲第（２）項記載の方法により第３図に示すような回路
を形成した場合を第２図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板２０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
クル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりバター
ニングする。レジストにより所望のパターンを形成した
後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその上に第２の薄
膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０３を同様に反応性
スパッタリングによりおよそ８００人形成した（ｄ）、
この薄膜抵抗体のシート抵抗は２５Ω／口、抵抗値温度
係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化タンタル薄膜
を公知のフォトリソグラフィー法によりバターニングす
る。
レジストにより所望のパターンを形成した後、エツチン
グを行った（ｅ）、バターニングの際、第１の窒化タン
タル薄膜と第２の窒化タンタル薄膜が積層されている部
分を作成した。この第１の窒化タンタル薄膜と第２の窒
化タンタル薄膜が積層されている部分の抵抗の合成シー
ト抵抗はおよそ１２．５Ω／口、抵抗値温度係数は約−
５００ｐｐｍであった。また第１の窒化タンタル薄膜と
第２の窒化タンタル薄膜が積層されておらず、第２の窒
化タンタル薄膜のみにより薄膜抵抗体を形成している部
分のシート抵抗は２５Ω／口、抵抗値温度係数は実質的
にＯＰＰｍであった。
グを行った（ｅ）、バターニングの際、第１の窒化タン
タル薄膜と第２の窒化タンタル薄膜が積層されている部
分を作成した。この第１の窒化タンタル薄膜と第２の窒
化タンタル薄膜が積層されている部分の抵抗の合成シー
ト抵抗はおよそ１２．５Ω／口、抵抗値温度係数は約−
５００ｐｐｍであった。また第１の窒化タンタル薄膜と
第２の窒化タンタル薄膜が積層されておらず、第２の窒
化タンタル薄膜のみにより薄膜抵抗体を形成している部
分のシート抵抗は２５Ω／口、抵抗値温度係数は実質的
にＯＰＰｍであった。
実施例３
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜を用い、特許請求範
囲第（３）項記載の方法により第３図に示すような回路
を形成した場合を第３図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板３０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜３０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
タル”ｉｉｌ ＩＩＩを公知のフォトリソグラフィー法
によりパターニングする。レジストにより所望のパター
ンを形成した後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその
上に第２の薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０３を
同様に反応性スパツタリングによりおよそ８００人形成
した（ｄ）。この薄膜抵抗体のシート抵抗は２５Ω／口
、抵抗値温度係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化
タンタル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりパ
ターニングする。
囲第（３）項記載の方法により第３図に示すような回路
を形成した場合を第３図により説明する。基板として鏡
面研摩されたアルミナ基板３０１を用い（ａ）、第１の
薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜３０２を反応性スパ
ッタリングによりおよそ４０００人形成した（ｂ）。こ
の薄膜抵抗体のシート抵抗は約２５Ω／口、抵抗値温度
係数はおよそ一１０００ｐｐｍであった。この窒化タン
タル”ｉｉｌ ＩＩＩを公知のフォトリソグラフィー法
によりパターニングする。レジストにより所望のパター
ンを形成した後、エツチングを行った（Ｃ）。次にその
上に第２の薄膜抵抗体として窒化タンタル薄膜２０３を
同様に反応性スパツタリングによりおよそ８００人形成
した（ｄ）。この薄膜抵抗体のシート抵抗は２５Ω／口
、抵抗値温度係数は実質的にＯｐｐｍである。この窒化
タンタル薄膜を公知のフォトリソグラフィー法によりパ
ターニングする。
レジストにより所望のパターンを形成した後、エツチン
グを行った（Ｃ）、エツチングはｌ−［Ｆ ： ＨＮ
Ｏ３：Ｈ２０＝１：１：２のエッチャントを用いて行っ
た。この組成のエンチャントを用いると第１の窒化タン
タル薄膜は２人／ ｓ ｅ ｃの速さで、また第２の窒
化タンタル薄膜は４０人／ Ｓ ＣＣの速さで工、チン
グされる。従って不要な部分の第２の窒化タンタル薄膜
がエツチングされるまでに２０ｓｅｃかかるわけである
が、実際にはエツチング時間は２５〜３０ｓｅｃかかっ
た。この５〜１０ｓｅｃのオーバーエツチングにより第
１の窒化タンタル薄膜はエッチャントにさらされエツチ
ングされるけれどもエツチングされる膜厚は１０〜２０
人と非常に薄く、この影響により第１の窒化タンタル薄
膜のシート抵抗、抵抗値温度係数は殆ど影響を受けるこ
とはなかった。また、パターニングの際、第１の窒化タ
ンタル’ｉＲｎ９と第２の窒化タンタル薄膜が積層され
ている部分を作成した。
グを行った（Ｃ）、エツチングはｌ−［Ｆ ： ＨＮ
Ｏ３：Ｈ２０＝１：１：２のエッチャントを用いて行っ
た。この組成のエンチャントを用いると第１の窒化タン
タル薄膜は２人／ ｓ ｅ ｃの速さで、また第２の窒
化タンタル薄膜は４０人／ Ｓ ＣＣの速さで工、チン
グされる。従って不要な部分の第２の窒化タンタル薄膜
がエツチングされるまでに２０ｓｅｃかかるわけである
が、実際にはエツチング時間は２５〜３０ｓｅｃかかっ
た。この５〜１０ｓｅｃのオーバーエツチングにより第
１の窒化タンタル薄膜はエッチャントにさらされエツチ
ングされるけれどもエツチングされる膜厚は１０〜２０
人と非常に薄く、この影響により第１の窒化タンタル薄
膜のシート抵抗、抵抗値温度係数は殆ど影響を受けるこ
とはなかった。また、パターニングの際、第１の窒化タ
ンタル’ｉＲｎ９と第２の窒化タンタル薄膜が積層され
ている部分を作成した。
この第１の窒化タンタル薄膜と第２の窒化タンタル薄膜
が積層されている部分の抵抗の合成シート抵抗はおよそ
１２．５Ω／口、抵抗値温度係数は約−５００ｐ ｐｍ
であった。また第１の窒化タンタル薄膜と第２の窒化タ
ンタル薄膜が積層されておらず、第２の窒化タンタル薄
膜のみにより薄膜抵抗体を形成している部分のシート抵
抗は２５Ω／口、抵抗値温度係数は実質的にＯｐｐｍで
あった。結果として第１の窒化タンタル薄膜からなるシ
ート抵抗２５Ω／口、抵抗値温度係数が約−１０００ｐ
ｐｍの薄膜抵抗体、第２の窒化タンタル薄膜からなるシ
ート抵抗２５Ω／口、抵抗値温度係数が実質的にＯｐｐ
ｍの薄膜抵抗体、第１および第２の窒化タンタル薄膜が
積層されシート抵抗１２．５Ω／口、抵抗値温度係数が
約−５００ｐｐｍの３種類の薄膜抵抗体が２種類の窒化
タンタル薄膜を用いて同一基板上に形成できた。
が積層されている部分の抵抗の合成シート抵抗はおよそ
１２．５Ω／口、抵抗値温度係数は約−５００ｐ ｐｍ
であった。また第１の窒化タンタル薄膜と第２の窒化タ
ンタル薄膜が積層されておらず、第２の窒化タンタル薄
膜のみにより薄膜抵抗体を形成している部分のシート抵
抗は２５Ω／口、抵抗値温度係数は実質的にＯｐｐｍで
あった。結果として第１の窒化タンタル薄膜からなるシ
ート抵抗２５Ω／口、抵抗値温度係数が約−１０００ｐ
ｐｍの薄膜抵抗体、第２の窒化タンタル薄膜からなるシ
ート抵抗２５Ω／口、抵抗値温度係数が実質的にＯｐｐ
ｍの薄膜抵抗体、第１および第２の窒化タンタル薄膜が
積層されシート抵抗１２．５Ω／口、抵抗値温度係数が
約−５００ｐｐｍの３種類の薄膜抵抗体が２種類の窒化
タンタル薄膜を用いて同一基板上に形成できた。
発明の効果
以上この発明によれば、同一基板上に抵抗値温度係数の
違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異なる
抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度係数
が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実質的に０の第
１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１の薄膜抵抗
体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係
数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と抵抗値温度
係数が実質的にＯの薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
こと、及び２種類の抵抗値温度係数を持った窒化タンク
ル″ｆｉ膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵
抗体を同一基板上に形成することができる。なお第２の
実施例においては薄膜抵抗体を窒化タンタルに限定する
必要はなく、薄膜抵抗体として使用されている物質すべ
て使用可能である。
違う窒化タンタル薄膜を用いて抵抗値温度係数が異なる
抵抗体を２種類以上形成すること、及び抵抗値温度係数
が実質的にＯでない第１の薄膜抵抗体と実質的に０の第
１の薄膜抵抗体とを積層することにより第１の薄膜抵抗
体の抵抗値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係
数の間の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体と抵抗値温度
係数が実質的にＯの薄膜抵抗体を同一基板上に形成する
こと、及び２種類の抵抗値温度係数を持った窒化タンク
ル″ｆｉ膜により３種類の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵
抗体を同一基板上に形成することができる。なお第２の
実施例においては薄膜抵抗体を窒化タンタルに限定する
必要はなく、薄膜抵抗体として使用されている物質すべ
て使用可能である。
また、窒化タンタル薄膜のエツチングレートが抵抗値温
度係数により変化する理由としては以下のように考えら
れる。通常、抵抗値温度係数が大きい窒化タンタル薄膜
は抵抗値温度係数が実質的にＯＰＰｍの膜よりも窒素分
圧が高い領域で作製される。つまり窒化タンタル薄膜内
の窒素の含有量により抵抗値温度係数が決定されると考
えられるが、窒素の含有量が多くなるとタンタルの窒化
率が高（なり、エツチングされにくくなると考えられる
。
度係数により変化する理由としては以下のように考えら
れる。通常、抵抗値温度係数が大きい窒化タンタル薄膜
は抵抗値温度係数が実質的にＯＰＰｍの膜よりも窒素分
圧が高い領域で作製される。つまり窒化タンタル薄膜内
の窒素の含有量により抵抗値温度係数が決定されると考
えられるが、窒素の含有量が多くなるとタンタルの窒化
率が高（なり、エツチングされにくくなると考えられる
。
第１図、第２図、第３図は本発明による薄膜抵抗作成時
の断面図、第４図はＦＥＴのゲート−ソース間にバイア
ス電圧を与えるための回路図、第５図は窒化タンタル薄
膜の場合の抵抗値温度係数エツチングレートの関係を示
したグラフである。 （但し、エッチャントとしてＨＦ：ＨＮＯａ：Ｈ２０＝
１：１：２を用いた場合） ＋０１・・・・・・アルミナ基板、１０２・・・・・・
第１窒化タンタル薄膜、１０３・・・・・・第２窒化タ
ンタル薄膜、２０１・・・・・・アルミナ基板、２０２
・・・・・・第１窒化タンタル薄膜、２０３・・・・・
・第２窒化タンタル薄膜、３０１・・・・・・アルミナ
基板、３０２・・・・・・第１窒化タンタル薄膜、３０
３・・・・・・第２窒化タンタル薄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名図 ＋ｏｔ−−−アルミ九纂叛 ｆ０２−−一墳ζ１７化タンタル３１月槃１０３−１ζ
２ｔイビタンタルｊ１膜
の断面図、第４図はＦＥＴのゲート−ソース間にバイア
ス電圧を与えるための回路図、第５図は窒化タンタル薄
膜の場合の抵抗値温度係数エツチングレートの関係を示
したグラフである。 （但し、エッチャントとしてＨＦ：ＨＮＯａ：Ｈ２０＝
１：１：２を用いた場合） ＋０１・・・・・・アルミナ基板、１０２・・・・・・
第１窒化タンタル薄膜、１０３・・・・・・第２窒化タ
ンタル薄膜、２０１・・・・・・アルミナ基板、２０２
・・・・・・第１窒化タンタル薄膜、２０３・・・・・
・第２窒化タンタル薄膜、３０１・・・・・・アルミナ
基板、３０２・・・・・・第１窒化タンタル薄膜、３０
３・・・・・・第２窒化タンタル薄膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名図 ＋ｏｔ−−−アルミ九纂叛 ｆ０２−−一墳ζ１７化タンタル３１月槃１０３−１ζ
２ｔイビタンタルｊ１膜
Claims (3)
- （１）絶縁性基板上に第１の薄膜抵抗体として抵抗値温
度係数が実質的に０でない窒化タンタル薄膜を形成、パ
ターニングした後、第２の薄膜抵抗体として抵抗値温度
係数が実質的に０の窒化タンタル薄膜を形成し、パター
ニングする際に第１の薄膜抵抗体より第２の薄膜抵抗体
のほうがエッチングされる速度が速いことを利用して、
２種類の異なる抵抗値温度係数を持った薄膜抵抗体を同
一基板上に形成する薄膜抵抗の製造方法。 - （２）絶縁性基板上に第１の薄膜抵抗体として抵抗値温
度係数が実質的に０でない薄膜抵抗体を形成、パターニ
ングした後、第２の薄膜抵抗体として抵抗値温度係数が
実質的に０の薄膜抵抗体を形成し、パターニングする際
に第１の薄膜抵抗体と第２の薄膜抵抗体の積層された部
分を形成することにより、抵抗値温度係数が実質的に０
の薄膜抵抗体、及び第１の薄膜抵抗体の抵抗値温度係数
と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係数の合成された抵抗
値温度係数を持つ薄膜抵抗体の２種類の異なる抵抗値温
度係数を持った薄膜抵抗体を同一基板上に形成する薄膜
抵抗の製造方法。 - （３）絶縁性基板上に第１の薄膜抵抗体として抵抗値温
度係数が実質的に０でない窒化タンタル抵抗薄膜を形成
、パターニングした後、第２の薄膜抵抗体として抵抗値
温度係数が実質的に０の窒化タンタル抵抗薄膜を形成し
、パターニングする際に第１の薄膜抵抗体より第２の薄
膜抵抗体のほうがエッチングされる速度が速いことを利
用し、さらに第１の薄膜抵抗体と第２の薄膜抵抗体が積
層された部分を形成することにより、抵抗値温度係数が
実質的に０の薄膜抵抗体、及び第１の薄膜抵抗体の抵抗
値温度係数と第２の薄膜抵抗体の抵抗値温度係数の合成
された抵抗値温度係数をもつ薄膜抵抗体、及び第２の薄
膜抵抗体の抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体の３種類の
異なる抵抗値温度係数を持つ薄膜抵抗体を同一基板上に
２種類の異なる抵抗値温度係数を持つ窒化タンタル薄膜
で形成する薄膜抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220939A JPH0724241B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 薄膜抵杭の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63220939A JPH0724241B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 薄膜抵杭の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268901A true JPH0268901A (ja) | 1990-03-08 |
| JPH0724241B2 JPH0724241B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=16758927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63220939A Expired - Lifetime JPH0724241B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 薄膜抵杭の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724241B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998035385A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-13 | Harris Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| US6441447B1 (en) | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63220939A patent/JPH0724241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998035385A1 (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-13 | Harris Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
| US6441447B1 (en) | 1998-02-12 | 2002-08-27 | Intersil Corporation | Co-patterning thin-film resistors of different compositions with a conductive hard mask and method for same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724241B2 (ja) | 1995-03-15 |
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