JPH0269320A - Ｔ１系超電導体の製造方法 - Google Patents
Ｔ１系超電導体の製造方法Info
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- JPH0269320A JPH0269320A JP63219231A JP21923188A JPH0269320A JP H0269320 A JPH0269320 A JP H0269320A JP 63219231 A JP63219231 A JP 63219231A JP 21923188 A JP21923188 A JP 21923188A JP H0269320 A JPH0269320 A JP H0269320A
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- Japan
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- oxide superconductor
- superconductor
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- cao
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、臨界温度が高いことで知られているＴｌ系超
超電導体製造方法に関する。
超電導体製造方法に関する。
「従来の技術」
近年、常電導状態から超Ｗ１導状態に遷移する際の臨界
温度（Ｔ ｃ）が液体窒素温度を超える値を示す酸化物
系の超ＩＩ導体が種々発見されている。この種の酸化物
超電導体は、Ｙ −Ｂ ａ−Ｃｕ−０系あるいはＢ ｉ
−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系などで代表される酸化物で
あって、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導体では９０Ｋを
超える臨界温度を示し、Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の超電導体では１００Ｋを超える臨界温度を示すこ
とが知られている。
温度（Ｔ ｃ）が液体窒素温度を超える値を示す酸化物
系の超ＩＩ導体が種々発見されている。この種の酸化物
超電導体は、Ｙ −Ｂ ａ−Ｃｕ−０系あるいはＢ ｉ
−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系などで代表される酸化物で
あって、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導体では９０Ｋを
超える臨界温度を示し、Ｂ ｉ−Ｓ ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の超電導体では１００Ｋを超える臨界温度を示すこ
とが知られている。
「発明が解決しようとする課題」
しかるに最近に至り、アメリカ合衆国アーカンソー大学
のＡ 、 Ｍ 、 Ｈｅｒｍａｎｎらが、１２０に近傍
から電気抵抗が低下し始め、１００に近傍で零抵抗を示
すＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０系の超電導体を発見
したことが明らかになり、この知見を基に、世界中の各
研究機関でＴｌ系超超電導体製造するための研究が進め
られている。
のＡ 、 Ｍ 、 Ｈｅｒｍａｎｎらが、１２０に近傍
から電気抵抗が低下し始め、１００に近傍で零抵抗を示
すＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０系の超電導体を発見
したことが明らかになり、この知見を基に、世界中の各
研究機関でＴｌ系超超電導体製造するための研究が進め
られている。
このＴｌ系の酸化物超電導体は、Ｈｅｒａａｎｎらが、
ＮＡＴｔｌＲＥ ＶＯＬ！３２１Ｇ ＭＡＲＣｌｌ １
９８８などにおイテ公表した内容から明らかなように、 ＴｌｔＣａ＋、ｓＢａ＋Ｃｕ５Ｏｓ、ｓ＋Ｘ （Ｔ
ｃ＝１０３Ｋ）、Ｔ ｌ＊Ｇ ａｔＢ ａｌ Ｃｕａｏ
Ｘ （Ｔ ｃ＝ １０６Ｋ）、Ｔ ＩｍＣ
ａｔＢ ａｔｃ ｕａｏ Ｘ （Ｔ ｃ＝
１０２Ｋ）、なる組成と臨界温度を示すものである。
ＮＡＴｔｌＲＥ ＶＯＬ！３２１Ｇ ＭＡＲＣｌｌ １
９８８などにおイテ公表した内容から明らかなように、 ＴｌｔＣａ＋、ｓＢａ＋Ｃｕ５Ｏｓ、ｓ＋Ｘ （Ｔ
ｃ＝１０３Ｋ）、Ｔ ｌ＊Ｇ ａｔＢ ａｌ Ｃｕａｏ
Ｘ （Ｔ ｃ＝ １０６Ｋ）、Ｔ ＩｍＣ
ａｔＢ ａｔｃ ｕａｏ Ｘ （Ｔ ｃ＝
１０２Ｋ）、なる組成と臨界温度を示すものである。
以上説明したように種々の酸化物超電導体が発見されつ
つある状況であるが、超電導体は、より高い温度で抵抗
が雰になり、しかも、より高い臨界電流密度を発揮する
ことが好ましいので、前記Ｔｌ系の酸化物超電導体にお
いても、その臨界温度と臨界電流密度を向上させるため
の製造方法が種々試みられている。
つある状況であるが、超電導体は、より高い温度で抵抗
が雰になり、しかも、より高い臨界電流密度を発揮する
ことが好ましいので、前記Ｔｌ系の酸化物超電導体にお
いても、その臨界温度と臨界電流密度を向上させるため
の製造方法が種々試みられている。
本発明は、前記背景に鑑みてなされたらので、臨界温度
と臨界電流密度の高いＴｌ系の酸化物超電導体を製造す
る方法を提供することを目的とする。
と臨界電流密度の高いＴｌ系の酸化物超電導体を製造す
る方法を提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段」
本発明は前記課題を解決するために、ＴｌｚＯｓとＣａ
ＯとＢ ａ−Ｃｕ化合物の内の１つあるいは２つを含育
する層を２つ以上積層してＴｌとＣａとＢａとＣｕとＯ
の総てを具備する積層体を作成し、この積層体を熱処理
して各元素を拡散させることにより、Ｔ Ｉ−Ｃａ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０なる組成の酸化物超電導体を生成させる
ものである。
ＯとＢ ａ−Ｃｕ化合物の内の１つあるいは２つを含育
する層を２つ以上積層してＴｌとＣａとＢａとＣｕとＯ
の総てを具備する積層体を作成し、この積層体を熱処理
して各元素を拡散させることにより、Ｔ Ｉ−Ｃａ−Ｂ
ａ−Ｃｕ−０なる組成の酸化物超電導体を生成させる
ものである。
「作用」
Ｔ １．０ 、とＣａＯとＢ ａ−Ｃｕ化合物の各元素
が積層体の各層間で拡散反応してＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ
−Ｃｕ−０なる組成の酸化物超電導層が生成する。
が積層体の各層間で拡散反応してＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ
−Ｃｕ−０なる組成の酸化物超電導層が生成する。
「実施例」
第１図と第２図は、本発明の第１実施例を説明するため
のもので、この例においては、Ｂ ａ −Ｃｕ化合物層
１を形成し、この化合物層！上に、Ｃａ０層２とＴｌ２
０３層３を順次積層して第１図に示す積層体へを作成す
る。
のもので、この例においては、Ｂ ａ −Ｃｕ化合物層
１を形成し、この化合物層！上に、Ｃａ０層２とＴｌ２
０３層３を順次積層して第１図に示す積層体へを作成す
る。
前記化合物層１を形成するには、基板あるいは線材など
の芯材上に、ＣＶＤ法（化学蒸着法）、スパッタリング
法などの物理蒸着法、溶射法などの種々の手段を用いて
Ｂａ−Ｃｕ化合物からなる層を形成することにより作成
することができる。なお、Ｂａ−Ｃｕ化合物、ＩＩを形
成する場合に、Ｂ ｊｌ！ ＣｕｓＯ５粉末、Ｂａ＋Ｃ
ｕ＊０４粉末などをベヒクル中に分散させたペースト状
の塗布液を作成し、これをスクリーン印刷法あるいはス
プレー塗布法などにより基材上に塗布する方法を行って
も良い。また、Ｃａ０層２とＴ ＬＯ、Ｘ！Ｊ３を形成
する場合も前記スクリーン印刷法を用いることができる
。
の芯材上に、ＣＶＤ法（化学蒸着法）、スパッタリング
法などの物理蒸着法、溶射法などの種々の手段を用いて
Ｂａ−Ｃｕ化合物からなる層を形成することにより作成
することができる。なお、Ｂａ−Ｃｕ化合物、ＩＩを形
成する場合に、Ｂ ｊｌ！ ＣｕｓＯ５粉末、Ｂａ＋Ｃ
ｕ＊０４粉末などをベヒクル中に分散させたペースト状
の塗布液を作成し、これをスクリーン印刷法あるいはス
プレー塗布法などにより基材上に塗布する方法を行って
も良い。また、Ｃａ０層２とＴ ＬＯ、Ｘ！Ｊ３を形成
する場合も前記スクリーン印刷法を用いることができる
。
なお、前記ペーストは、以下に説明する方法で製造する
ことができる。
ことができる。
まず、ベヒクル中に分散させる粉末としてＢａｔＣｕ３
０ｇ粉末を使用する場合は、Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ ２ ＋
３＝５になるようにＢ ａ ＣＯｙ粉末とＣｕＯ粉末を
秤量して混合し、この混合粉末を酸素ガス雰囲気中にお
いて５００〜１０００℃で数時間〜数ＩＯ時間加熱する
仮焼処理を行い、この仮焼物を粉砕して粒径を揃える処
理を行えば良い。また、粉末としてＢａ＋Ｃｔ＋ｓＯ＋
粉末を用いる場合は、Ｂ ａ二Ｃｕ：０＝１：３：４に
なるようにＢａＣＯ５粉末とＣｕＯ粉末を秤量して前記
と同等の処理を行う。これらの粉末を分散させるベヒク
ルは、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール
などの親水性情合剤、あるいは、エチルセルロース、ポ
リビニルアセテート、クロマン樹脂などの疎水性結合剤
などを必要に応じて適宜混合したものを用いることがで
きる。
０ｇ粉末を使用する場合は、Ｂａ：Ｃｕ：Ｏ＝ ２ ＋
３＝５になるようにＢ ａ ＣＯｙ粉末とＣｕＯ粉末を
秤量して混合し、この混合粉末を酸素ガス雰囲気中にお
いて５００〜１０００℃で数時間〜数ＩＯ時間加熱する
仮焼処理を行い、この仮焼物を粉砕して粒径を揃える処
理を行えば良い。また、粉末としてＢａ＋Ｃｔ＋ｓＯ＋
粉末を用いる場合は、Ｂ ａ二Ｃｕ：０＝１：３：４に
なるようにＢａＣＯ５粉末とＣｕＯ粉末を秤量して前記
と同等の処理を行う。これらの粉末を分散させるベヒク
ルは、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール
などの親水性情合剤、あるいは、エチルセルロース、ポ
リビニルアセテート、クロマン樹脂などの疎水性結合剤
などを必要に応じて適宜混合したものを用いることがで
きる。
積層体Ａを形成したならば、この積層体Ａを酸素ガス気
流中などの酸素存在雰囲気中において、８５０〜９２０
℃、より好ましくは８７０〜８９０℃で０．１〜数１０
時間加熱する熱処理を施す。
流中などの酸素存在雰囲気中において、８５０〜９２０
℃、より好ましくは８７０〜８９０℃で０．１〜数１０
時間加熱する熱処理を施す。
この熱処理により各層１，２．３に含存されている元素
がｔ故し、Ｃｕ０層２を中心とした部分において各元素
の反応がなされてＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる
組成の第２図に示すような酸化物超電導層イ。
がｔ故し、Ｃｕ０層２を中心とした部分において各元素
の反応がなされてＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる
組成の第２図に示すような酸化物超電導層イ。
が生成し、酸化物超電導体Ｂが得られる。
以上のように製造された酸化物超電導体Ｂは、Ｂ ａ−
Ｃｕ化合物層ｌとＣｕＯ１２とＴＬＯｓ層３の各元素を
拡散反応させて生成されているので、１００Ｋを超える
高い臨界温度と高い臨界電流密度を示す。
Ｃｕ化合物層ｌとＣｕＯ１２とＴＬＯｓ層３の各元素を
拡散反応させて生成されているので、１００Ｋを超える
高い臨界温度と高い臨界電流密度を示す。
なお、萌記熱処理時において、ＴｌとＣａと［３ａとＣ
ｕの中でＴｌが最ら融点が低い関係から、加熱時にＴｌ
の一部が蒸発し、生成された超電導層４中のＴｌが減少
する傾向がある。従って積層体へを作成する場合は、前
記Ｔｌの蒸発による不足分を補う目的でＴｌｚＯｓ層３
の厚さを他の層に比較して厚くすることによりＴｌ不足
を解消することができる。
ｕの中でＴｌが最ら融点が低い関係から、加熱時にＴｌ
の一部が蒸発し、生成された超電導層４中のＴｌが減少
する傾向がある。従って積層体へを作成する場合は、前
記Ｔｌの蒸発による不足分を補う目的でＴｌｚＯｓ層３
の厚さを他の層に比較して厚くすることによりＴｌ不足
を解消することができる。
また、Ｂ ａ−Ｃｕ化合物層Ｉの厚さと、Ｃａ０層２の
厚さと、Ｔ １１０ ｓＮ ３の厚さを所望の値に調節
することで積層体へに含有させるＴｌとＣａとＢａとＣ
ｕの比率を所望の値にすることができ、各層の厚さを調
節することで特性の異なる酸化物超電導体Ｂを製造する
ことができる。
厚さと、Ｔ １１０ ｓＮ ３の厚さを所望の値に調節
することで積層体へに含有させるＴｌとＣａとＢａとＣ
ｕの比率を所望の値にすることができ、各層の厚さを調
節することで特性の異なる酸化物超電導体Ｂを製造する
ことができる。
なお、前記実施例においては、Ｂａ−Ｃｕ化合物ｆｉｌ
の上にＧａ０層２とＴ ＩｔＯａＪｉ ３を形成したが
、Ｂａ−Ｃｕ化合物層！の上に７ ｉｌｏ ｓＮＪ ３
を形成し、その上にＣａ０ＪＩ２を形成して積層体を構
成しても差し支えない。
の上にＧａ０層２とＴ ＩｔＯａＪｉ ３を形成したが
、Ｂａ−Ｃｕ化合物層！の上に７ ｉｌｏ ｓＮＪ ３
を形成し、その上にＣａ０ＪＩ２を形成して積層体を構
成しても差し支えない。
第３図と第４図は、本発明の第２実施例を説明するため
のもので、この例においては、Ｂ ａ−Ｃｕ化合物層６
を形成し、このＢ ａ−Ｃｕ化合物層６上に、ＣａＯと
Ｔｉｍｅｓの混合Ｆｍ７を形成して第３図に示す積層体
Ｃを作成する。
のもので、この例においては、Ｂ ａ−Ｃｕ化合物層６
を形成し、このＢ ａ−Ｃｕ化合物層６上に、ＣａＯと
Ｔｉｍｅｓの混合Ｆｍ７を形成して第３図に示す積層体
Ｃを作成する。
次いで先に説明した熱処理条件と同等の条件で積層体Ｃ
を熱処理する。
を熱処理する。
この熱処理によってＢ ａ−Ｃｕ化合物１ｍＧの元素と
混合層７の元素を拡散させてＢ ａ−Ｃｕ化合物層６と
混合層７の境界部分にＴ Ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０
なる組成の酸化物超電導層８を生成させて第４図に示す
酸化物超電導体りを得ることができる。
混合層７の元素を拡散させてＢ ａ−Ｃｕ化合物層６と
混合層７の境界部分にＴ Ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０
なる組成の酸化物超電導層８を生成させて第４図に示す
酸化物超電導体りを得ることができる。
第５図と第６図は、本発明の第３実施例を説明するため
のもので、この例においては、Ｂａ−Ｃｕ化合物とＣａ
Ｏの混合ＦｇＪ１０を形成し、この混合層Ｉｃ上に、Ｔ
ｌ□０．層１１を形成して第５図に示す積層体Ｅを作成
する。
のもので、この例においては、Ｂａ−Ｃｕ化合物とＣａ
Ｏの混合ＦｇＪ１０を形成し、この混合層Ｉｃ上に、Ｔ
ｌ□０．層１１を形成して第５図に示す積層体Ｅを作成
する。
次いで先に説明した熱処理条件と同等の条件で積層体Ｅ
を熱処理する。
を熱処理する。
この熱処理によって、混合層１０の元素とＴｉｔｏ、Ｊ
Ｉｌｌの元素を拡散させて混合層ｌＯとＴｌｔｏ１層Ｉ
Ｋの境界部分にＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組
成の酸化物超電導層Ｉ２を生成させて第６図に示す酸化
物超電導体Ｆを得ることができる。
Ｉｌｌの元素を拡散させて混合層ｌＯとＴｌｔｏ１層Ｉ
Ｋの境界部分にＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組
成の酸化物超電導層Ｉ２を生成させて第６図に示す酸化
物超電導体Ｆを得ることができる。
第７図と第８図は本発明の第４実施例を説明するための
もので、この例においては、ＣａＯ１１５を形成し、こ
のＣａ０層１５上にＴｉｍｅｓとＢａ−Ｃｕ化合物から
なる混合Ｊｉ１６を形成して第７図に示す積層体Ｇを作
成する。
もので、この例においては、ＣａＯ１１５を形成し、こ
のＣａ０層１５上にＴｉｍｅｓとＢａ−Ｃｕ化合物から
なる混合Ｊｉ１６を形成して第７図に示す積層体Ｇを作
成する。
次いで先に説明した熱処理条件と同等の条件で積層体Ｇ
を熱処理する。
を熱処理する。
この熱処理によって、Ｃａ０ＪｉＩ５の元素と、混合層
１６の元素を拡散させてＣａ０層＋５と混合層１６の境
界部分にＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組成の酸
化物超電導層Ｉ７を生成させて第８図に示す酸化物超電
導体■（を得ることができる。
１６の元素を拡散させてＣａ０層＋５と混合層１６の境
界部分にＴ Ｉ−Ｃａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組成の酸
化物超電導層Ｉ７を生成させて第８図に示す酸化物超電
導体■（を得ることができる。
以上説明した第２実施例〜第４実施例を実施することに
よっても第１実施例と同様に特性の優れた酸化物超電導
体を製造することができる。
よっても第１実施例と同様に特性の優れた酸化物超電導
体を製造することができる。
「製造例」
ＡｌｖＯｓ製の基板の上に、スクリーン印刷法で種々の
層を形成して４種類のＷ２Ｂ体を作成し、これらの積層
体を酸素ガス中において８８０℃で１時間加熱して試料
Ｎｏ１＝Ｎｏ４の酸化物超電導体を製造した。得られた
各酸化物超電導体の臨界温度（Ｔｃ）（零抵抗時の温度
）と臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果を第１表に示
す。また、比較例として、ＴｉｍｅｓとＣａＯとＢａｔ
ＣｕｓＯｓの混合層を基板上に形成し、前記と同等の条
件の熱処理を行って形成した試料Ｎｏ５の酸化物超電導
体の特性も併せて第１表に示す。
層を形成して４種類のＷ２Ｂ体を作成し、これらの積層
体を酸素ガス中において８８０℃で１時間加熱して試料
Ｎｏ１＝Ｎｏ４の酸化物超電導体を製造した。得られた
各酸化物超電導体の臨界温度（Ｔｃ）（零抵抗時の温度
）と臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果を第１表に示
す。また、比較例として、ＴｉｍｅｓとＣａＯとＢａｔ
ＣｕｓＯｓの混合層を基板上に形成し、前記と同等の条
件の熱処理を行って形成した試料Ｎｏ５の酸化物超電導
体の特性も併せて第１表に示す。
なお、第１表において、拡散方式（ａ）で示す酸化物超
電導体は、前記第１実施例で説明した場合と同様に、Ｂ
ａ−Ｃｕ化合物層上にＴｌｔＯｓｌを形成した後に熱
処理して製造したものである。また、拡散方式（ｂ）で
示す酸化物超電導体は、前記第２実施例で説明した場合
と同様に、Ｂ ａ−Ｇ ｕ化合物層上にＴｉｍｅｓとＣ
ａＯの混合層を形成した後に熱処理して製造したもので
ある。拡散方式（ｃ）で示す酸化物超電導体は、前記第
３実施例で説明した場合と同様に、Ｂａ−Ｃｕ化合物と
ＣａＯの混合層上にＴｌｍＯｓ層を形成した後に熱処理
して製造したものである。更に、拡散方式（ｄ）で示す
酸化物超電導体は、前記第４実施例で説明した場合と同
様に、ＣａＯ層上にＴｉｔ’ｓとＢ ａ−Ｃｕ化合物の
混合層を形成した後に熱処理して製造したものである。
電導体は、前記第１実施例で説明した場合と同様に、Ｂ
ａ−Ｃｕ化合物層上にＴｌｔＯｓｌを形成した後に熱
処理して製造したものである。また、拡散方式（ｂ）で
示す酸化物超電導体は、前記第２実施例で説明した場合
と同様に、Ｂ ａ−Ｇ ｕ化合物層上にＴｉｍｅｓとＣ
ａＯの混合層を形成した後に熱処理して製造したもので
ある。拡散方式（ｃ）で示す酸化物超電導体は、前記第
３実施例で説明した場合と同様に、Ｂａ−Ｃｕ化合物と
ＣａＯの混合層上にＴｌｍＯｓ層を形成した後に熱処理
して製造したものである。更に、拡散方式（ｄ）で示す
酸化物超電導体は、前記第４実施例で説明した場合と同
様に、ＣａＯ層上にＴｉｔ’ｓとＢ ａ−Ｃｕ化合物の
混合層を形成した後に熱処理して製造したものである。
なおまた、第１表において、仕込み組成とは、積層体の
全体においてＴｌとＢａとＣａとＣｕとがどのような比
率で含有されていたかを示すものであり、この例では、
各層の厚さを調節することで、仕込み組成を調節した。
全体においてＴｌとＢａとＣａとＣｕとがどのような比
率で含有されていたかを示すものであり、この例では、
各層の厚さを調節することで、仕込み組成を調節した。
なお、第１表において、各酸化物超電導体の特性は、拡
散反応により生成された酸化物超電導層において、厚さ
３０μｍの部分について測定した値を掲載した。
散反応により生成された酸化物超電導層において、厚さ
３０μｍの部分について測定した値を掲載した。
第１表
第１表に示す結果から、Ｔ Ｉ、０ 、とＣａＯとＢａ
ｔＣｕ＝ ０５を全て混合した層を熱処理して得られた
試料Ｎｏ５の酸化物超７Ｉ！導体よりも、これらの元素
を各層に分けて含有させた層から拡散させて製造した試
料１．２．３．４の酸化物超電導体の方が、臨界電流密
度が高いことが判明した。
ｔＣｕ＝ ０５を全て混合した層を熱処理して得られた
試料Ｎｏ５の酸化物超７Ｉ！導体よりも、これらの元素
を各層に分けて含有させた層から拡散させて製造した試
料１．２．３．４の酸化物超電導体の方が、臨界電流密
度が高いことが判明した。
従って本発明を実施することにより、臨界電流密度の高
いＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃ，ｕ−０系の酸化物超電導
体を製造できることが明らかとなった。
いＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃ，ｕ−０系の酸化物超電導
体を製造できることが明らかとなった。
「発明の効果」
以上説明したように本発明は、Ｔｌ５Ｏ３とＣａＯとＢ
ａ−Ｇ ｕ化合物を１つあるいは２つ含有する層を積
層した積層体に熱処理を施すので、各元素を拡散反応さ
せることにより１００Ｋ以上の臨界温度を示し、臨界電
流密度も高いＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組成
の酸化物超電導体を生成させることができる。また、積
層体の各層の厚さを所望の値に設定することができるの
で、ＴｌとＣａとＢａとＣｕの比率を所望の値に調節し
て特性の良好な酸化物超電導体を生成できる効果がある
。
ａ−Ｇ ｕ化合物を１つあるいは２つ含有する層を積
層した積層体に熱処理を施すので、各元素を拡散反応さ
せることにより１００Ｋ以上の臨界温度を示し、臨界電
流密度も高いＴ ｉｃ ａ−Ｂ ａ−Ｃｕ−０なる組成
の酸化物超電導体を生成させることができる。また、積
層体の各層の厚さを所望の値に設定することができるの
で、ＴｌとＣａとＢａとＣｕの比率を所望の値に調節し
て特性の良好な酸化物超電導体を生成できる効果がある
。
第１図と第２図は本発明の第１実施例を示すもので、第
１図は積層体の断面図、第２図は酸化物超電導体の断面
図、第３図と第４図は本発明の第２実施例を示すもので
、第３図は積層体の断面図、第４図は酸化物超電導体の
断面図、第５図と第６図は本発明の第３実施例を示すも
ので、第５図は積層体の断面図、第６図は酸化物超電導
体の断面図、第７図と第８図は本発明の第４実施例を示
すもので、第７図は積層体の断面図、第８図は酸化物超
電導体の断面図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 Δ、Ｃ、Ｅ 、Ｇ・・・積層体、 Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ・・・酸化物超電導体、１− Ｂ ａ−
Ｃｕ化合物層、２−Ｃａ０Ｆ３．３・・・Ｔｌ，０．Ｅ
Ｊ、 ６− Ｂ ａ−Ｃｕ化合物層、７・混合層
、 １０・・・混合層、１ １− Ｔ Ｉ２Ｏ
ｓ層、 １５−＝ＣａＯｌ、１６・・・混合層、 ４．８．１２．１７・・・酸化物超電導層。 第５図 第６図
１図は積層体の断面図、第２図は酸化物超電導体の断面
図、第３図と第４図は本発明の第２実施例を示すもので
、第３図は積層体の断面図、第４図は酸化物超電導体の
断面図、第５図と第６図は本発明の第３実施例を示すも
ので、第５図は積層体の断面図、第６図は酸化物超電導
体の断面図、第７図と第８図は本発明の第４実施例を示
すもので、第７図は積層体の断面図、第８図は酸化物超
電導体の断面図である。 第１図 第２図 第３図 第４図 Δ、Ｃ、Ｅ 、Ｇ・・・積層体、 Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ・・・酸化物超電導体、１− Ｂ ａ−
Ｃｕ化合物層、２−Ｃａ０Ｆ３．３・・・Ｔｌ，０．Ｅ
Ｊ、 ６− Ｂ ａ−Ｃｕ化合物層、７・混合層
、 １０・・・混合層、１ １− Ｔ Ｉ２Ｏ
ｓ層、 １５−＝ＣａＯｌ、１６・・・混合層、 ４．８．１２．１７・・・酸化物超電導層。 第５図 第６図
Claims (1)
- Ｔｌ＿２Ｏ＿３とＣａＯとＢａ−Ｃｕ化合物の内の１つ
あるいは２つを含有する層を２つ以上積層してＴｌとＣ
ａとＢａとＣｕとＯの総てを具備する積層体を作成する
とともに、この積層体を熱処理して各元素を拡散させ、
Ｔｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏなる組成の酸化物超電導体
を生成させることを特徴とするＴｌ系超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219231A JPH0269320A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | Ｔ１系超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219231A JPH0269320A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | Ｔ１系超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269320A true JPH0269320A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16732257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219231A Pending JPH0269320A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | Ｔ１系超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269320A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 超伝導膜の製造方法 |
| US5545610A (en) * | 1992-09-04 | 1996-08-13 | Hitachi, Ltd. | Oxide-based superconductor, a process for preparing the same and a wire material of comprising the same |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219231A patent/JPH0269320A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149401A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-08 | Fujitsu Ltd | 超伝導膜の製造方法 |
| US5545610A (en) * | 1992-09-04 | 1996-08-13 | Hitachi, Ltd. | Oxide-based superconductor, a process for preparing the same and a wire material of comprising the same |
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