JPH0477346A - 超電導厚膜焼結体及びその製造法 - Google Patents
超電導厚膜焼結体及びその製造法Info
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- JPH0477346A JPH0477346A JP2187406A JP18740690A JPH0477346A JP H0477346 A JPH0477346 A JP H0477346A JP 2187406 A JP2187406 A JP 2187406A JP 18740690 A JP18740690 A JP 18740690A JP H0477346 A JPH0477346 A JP H0477346A
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- superconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超電導厚膜焼結体及びその製造法に関する。
（従来の技術）
従来の酸化物超電導体としては、１９８８年。
金属材料技術研究所の前出総合研究官らによって発見さ
れたビスマス、ストロンチウム、７フルシクム及び銅を
主成分とするＢｊ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系の酸化物
超電導体若しくはこれらの元素置換又は添加によって得
られたビスマスＩｉｌ ストロ７ｆウム、カルシウム
及び銅を主成分とするＢ１−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の酸化物超電導体等が一般に知られている。
れたビスマス、ストロンチウム、７フルシクム及び銅を
主成分とするＢｊ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系の酸化物
超電導体若しくはこれらの元素置換又は添加によって得
られたビスマスＩｉｌ ストロ７ｆウム、カルシウム
及び銅を主成分とするＢ１−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系の酸化物超電導体等が一般に知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながらＢ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ〜０系の酸化物超
電導体は、電気抵抗が零になる臨界温度（以下Ｔ：ｅｒ
ｏとする）において、ｌｌ０Ｋ付近の高温相が生成しＫ
（＜、 Ｔ：”’が８０に付近の中温相や超電導体相
以外の結晶相が生成し易いという欠点が生じ、Ｔｃ
の高いものが得られないという欠点がある。
電導体は、電気抵抗が零になる臨界温度（以下Ｔ：ｅｒ
ｏとする）において、ｌｌ０Ｋ付近の高温相が生成しＫ
（＜、 Ｔ：”’が８０に付近の中温相や超電導体相
以外の結晶相が生成し易いという欠点が生じ、Ｔｃ
の高いものが得られないという欠点がある。
一方Ｂ１−Ｐｂ −５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系の酸化物
超電導体は、高温相が得られ易いが、高温相のヤん片状
の結晶粒子がランダムだ成長するため、緻密な焼結体が
得られない。臨界電流密度（以下Ｊｃとする）などの超
電導特性１機械的強度などの機械的特性、嵩密度等に優
れ、緻密で粒子配向させ九超電導体を得るには熱処理工
程の他にロール圧延。
超電導体は、高温相が得られ易いが、高温相のヤん片状
の結晶粒子がランダムだ成長するため、緻密な焼結体が
得られない。臨界電流密度（以下Ｊｃとする）などの超
電導特性１機械的強度などの機械的特性、嵩密度等に優
れ、緻密で粒子配向させ九超電導体を得るには熱処理工
程の他にロール圧延。
プレス圧延等の機械加工を施すことが好ましいがセラミ
ックスの基板では機械加工に対応することができない。
ックスの基板では機械加工に対応することができない。
機械加工を施す場合は、金属など延性のある基板が必要
となる。金属基板を用いれば応用の面からセラミックス
との併用は有効である。
となる。金属基板を用いれば応用の面からセラミックス
との併用は有効である。
上記の金属としては、銀を用いることが一般的に知られ
ている。しかし銀の上面に直接Ｂｉ −８ｒ −Ｃａ−
Ｃｕ−Ｑ系の酸化物超電導体、 Ｂ１−Ｐｂ−８ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導体等のＢｉ系超超電
導体層形成すると、高温相の生成する焼成温度領域が狭
くなり、Ｔ二ｅｒＯが低下し易くなるという問題がある
。
ている。しかし銀の上面に直接Ｂｉ −８ｒ −Ｃａ−
Ｃｕ−Ｑ系の酸化物超電導体、 Ｂ１−Ｐｂ−８ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系の酸化物超電導体等のＢｉ系超超電
導体層形成すると、高温相の生成する焼成温度領域が狭
くなり、Ｔ二ｅｒＯが低下し易くなるという問題がある
。
本発明は上記のような問題のない超電導特性などに優れ
る超電導厚膜焼結体及びその製造法を提供することを目
的とするものである。
る超電導厚膜焼結体及びその製造法を提供することを目
的とするものである。
（！１題を解決する之めの手段）
本発明者らは、上記の欠点について種々検討した結果、
各種金属とＢｉ系超超電導体の熱処理時・における反応
を調べたところ、金を主成分とする金属を用いれば高温
相の結晶粒子が成長し易く。
各種金属とＢｉ系超超電導体の熱処理時・における反応
を調べたところ、金を主成分とする金属を用いれば高温
相の結晶粒子が成長し易く。
Ｔぎ０などが低下しないということをつきとめさらに検
討を進めた。
討を進めた。
その結果、基板としてハステロイ（米国、 Ｈａｙｎｅ
ｓＳｔｅｌｌｉｔｅ社の商品名）基板を使用し、このハ
ステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を形成し
、かつ金を主成分とする金属層の上面にビスマス、鉛、
ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする超電
導体層を形成することにより。
ｓＳｔｅｌｌｉｔｅ社の商品名）基板を使用し、このハ
ステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を形成し
、かつ金を主成分とする金属層の上面にビスマス、鉛、
ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とする超電
導体層を形成することにより。
高温相の結晶粒子が成長し易（、Ｊｃなどの超電導特性
に優れたＢ ｉｚ Ｓ ｒｉ ＣａｌＣｕ５ Ｏｔ。の
結晶相を有する超電導厚膜焼結体が得られることを見出
し本発明を完成するに至った。
に優れたＢ ｉｚ Ｓ ｒｉ ＣａｌＣｕ５ Ｏｔ。の
結晶相を有する超電導厚膜焼結体が得られることを見出
し本発明を完成するに至った。
本発明はハステロイ基板の上面沈金を主成分とする金属
層を形成し、かつ金を主成分とする金属層の上面にビス
マス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分
上す４ Ｂ ｉｚ Ｓｒ２ Ｃａ２Ｃｕ３０＋ｏの結晶
相を有する超電導体層を形成してなる超電導厚膜焼結体
及びハステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を
形成し、この後金を主成分とする金属層の上面にビスマ
ス、鉛、ストロンチウム。
層を形成し、かつ金を主成分とする金属層の上面にビス
マス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分
上す４ Ｂ ｉｚ Ｓｒ２ Ｃａ２Ｃｕ３０＋ｏの結晶
相を有する超電導体層を形成してなる超電導厚膜焼結体
及びハステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を
形成し、この後金を主成分とする金属層の上面にビスマ
ス、鉛、ストロンチウム。
カルシウム及び銅を主成分とした超電導体用ペーストを
塗布し９次いで焼成して超電導体層を形成する超電導厚
膜焼結体の製造法に関する。
塗布し９次いで焼成して超電導体層を形成する超電導厚
膜焼結体の製造法に関する。
本発明とおいてビスマス、＃１．ストロンチウム。
カルシウム及びｒｉ４を主成分とするＢ ｉｔ Ｓｒｚ
Ｃａｔ Ｃｕ３０１゜の結晶相を有する超電導体層を
形成するための超電導体材料としてはＢ１−Ｐｂ−８ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系。
Ｃａｔ Ｃｕ３０１゜の結晶相を有する超電導体層を
形成するための超電導体材料としてはＢ１−Ｐｂ−８ｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系。
Ｂｉ−ＰＢｌ−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−系、 Ｂ１
−Ｐｂ−８ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−Ｂａ−０系、 ＢｉＢ
ｌ−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−−Ｂａ−０系等の複合醸
化物が用いられる。なお上記超電導体材料にはＰｂが含
まれるが、ＰｂｔｉＢｉと同様焼成中に一部気散して消
失し、またＢｉとＰｂＦｉｘｓ回折において同じピーク
値を示すため、結晶相ＦｉＢｉとｐｂとを合わせてＢｉ
で示す。
−Ｐｂ−８ｒ −Ｃａ−Ｃｕ−Ｂａ−０系、 ＢｉＢ
ｌ−Ｐｂ−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−−Ｂａ−０系等の複合醸
化物が用いられる。なお上記超電導体材料にはＰｂが含
まれるが、ＰｂｔｉＢｉと同様焼成中に一部気散して消
失し、またＢｉとＰｂＦｉｘｓ回折において同じピーク
値を示すため、結晶相ＦｉＢｉとｐｂとを合わせてＢｉ
で示す。
金を主成分とする金属層及び超電導体１を形成するため
の焼成＠度は、各ペースト時の組成及び配合割合によシ
決定するものとし１％に制限はない。
の焼成＠度は、各ペースト時の組成及び配合割合によシ
決定するものとし１％に制限はない。
また焼成雰囲気は、大気中、空気気流中又は低１ｍ！！
素圧雰囲気（酸素の含有量が１〜２０体ｆＪ％。
素圧雰囲気（酸素の含有量が１〜２０体ｆＪ％。
好ましくは２〜２０体積チの範囲）とすることが好まし
い。
い。
超電導体層の結晶相において、高温相とは１１０に付近
のＴｃ を示す結晶相を有するものを意味し、中温和
とは８０に付近の、ｚｅｒｏを示す結晶相を有するもの
を意味する。
のＴｃ を示す結晶相を有するものを意味し、中温和
とは８０に付近の、ｚｅｒｏを示す結晶相を有するもの
を意味する。
また本発明によって得られるビスマス、鉛、ストロンチ
ウム、カルシウム及び銅を主成分とするＢｉ２ＳｒスＣ
ａ２ Ｃｕ３０１ｏの結晶相を有する超電導体層に。
ウム、カルシウム及び銅を主成分とするＢｉ２ＳｒスＣ
ａ２ Ｃｕ３０１ｏの結晶相を有する超電導体層に。
高温相を意味するものである。
本発明で用いられる金を主成分とする金属層としては、
純金を用いることが好ましいが、必ずしも純金である必
要はなく、多少の不純物が混入されていても差し支えな
い。
純金を用いることが好ましいが、必ずしも純金である必
要はなく、多少の不純物が混入されていても差し支えな
い。
（実施例）
以下不発明の詳細な説明する。
実施例１
超電導体層を構成する超電導体材料の出発原料として、
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で１．８：０．６：２：２：３となるように
、Ｂ１□０３（高劉度化学研死所裏。
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で１．８：０．６：２：２：３となるように
、Ｂ１□０３（高劉度化学研死所裏。
純１ｆ９９．９ ％ ） ３１５８ ｇ、 ＰｂＯ（
＊色、高ｉｚ化学研究所友、純度９９．９％） ｌ Ｏ
，４０ｇ、 ５ｒＣ（ｈ（高純度化学研究所製、純度９
９．９％）２Ｚ９４ｇ、 ＣａＣ０３（高純度化学研
究所↓、線純度 ９．９ ％ ）１５．５５１ｉ及びＣ
ｕＯｆ高純度化学研究所製、別置９９．９ｔｓ）１８．
５４９を秤量した後９合成樹脂製のボールミルで７２時
時間式混合し９次いで１００℃で１５時間乾燥して、混
合粉末を得恵。
＊色、高ｉｚ化学研究所友、純度９９．９％） ｌ Ｏ
，４０ｇ、 ５ｒＣ（ｈ（高純度化学研究所製、純度９
９．９％）２Ｚ９４ｇ、 ＣａＣ０３（高純度化学研
究所↓、線純度 ９．９ ％ ）１５．５５１ｉ及びＣ
ｕＯｆ高純度化学研究所製、別置９９．９ｔｓ）１８．
５４９を秤量した後９合成樹脂製のボールミルで７２時
時間式混合し９次いで１００℃で１５時間乾燥して、混
合粉末を得恵。
得られた混合粉末を、電気炉を用いて大気中で８１０℃
で１２時間仮焼し９次いで乳鉢で粗粉砕して仮焼粉を得
た。
で１２時間仮焼し９次いで乳鉢で粗粉砕して仮焼粉を得
た。
該仮焼粉を９体積比でＱ２： Ｎ２＝ １ ： １０の
低酸素雰囲気中で８５５℃で４０時間熱処理を行い。
低酸素雰囲気中で８５５℃で４０時間熱処理を行い。
次いで乳鉢で粗粉砕した後、ジルコニア表ボールミルで
２４時時間式粉砕し、芝燥して平均粒径３μｍの超電導
体用組成物を得た。
２４時時間式粉砕し、芝燥して平均粒径３μｍの超電導
体用組成物を得た。
次と上記の超電導体用組成物１００］ｉ量部に対し、エ
チルセルロース（和光補薬工業↓、４５ｃｐ）を５重量
部及びテルピネオール（和光紬薬工業製。
チルセルロース（和光補薬工業↓、４５ｃｐ）を５重量
部及びテルピネオール（和光紬薬工業製。
試薬）を２０重量部添加し、均一に混合して超電導体用
ペーストを得意。
ペーストを得意。
この後、厚さ０．１＋ａｍのハステロイ基板の上面に金
ペースト（日中マツセイ製、商品名ＴＲ−１１２Ｃ）を
スクリーン印刷し、乾燥後、大気中で８５０℃の温度で
１０時間焼成して厚さ１０μｍの金の層を形成した。
ペースト（日中マツセイ製、商品名ＴＲ−１１２Ｃ）を
スクリーン印刷し、乾燥後、大気中で８５０℃の温度で
１０時間焼成して厚さ１０μｍの金の層を形成した。
この後、金の層の上面に上記で得た超電導体用ペースト
を６０μｍの厚さにスクリーン印刷し。
を６０μｍの厚さにスクリーン印刷し。
体積比でＯｘ ： Ｎ２＝ １ ： １０の低酸素雰囲
気中で８５０℃で３０時間焼成して厚膜焼結体を得た。
気中で８５０℃で３０時間焼成して厚膜焼結体を得た。
得られた厚膜焼結体にロール圧延加工を施し１次いで体
積比で（ｈ ： Ｎ２ ＝ １ ＋ １０の低酸素雰囲
気中で８５０℃で３０時間再焼成して、超電導厚膜焼結
体を得た。
積比で（ｈ ： Ｎ２ ＝ １ ＋ １０の低酸素雰囲
気中で８５０℃で３０時間再焼成して、超電導厚膜焼結
体を得た。
この：うにして得られた超電導厚膜焼結体について４端
子法で抵抗の温度変化を測定し、Ｔ：ｅｒ。
子法で抵抗の温度変化を測定し、Ｔ：ｅｒ。
を求めたところ ｒｐＺｅｒｏに１０７にと良好な値を
示した。
示した。
また、Ｘ線回折の葡果ルら高温相（Ｂｉ２ＳｒｚＣａｚ
Ｃｕ３０＋。相）の回折ピークが観察され、高温相の生
成が確認された。
Ｃｕ３０＋。相）の回折ピークが観察され、高温相の生
成が確認された。
比較例１
厚さ０．１ ｍｍの銀の基板の上面に直接実施例１と同
様の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法及び条
件でスクリーン印判、焼成、ロール圧延及び再焼成を行
い超電導厚膜焼結体を得た。
様の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法及び条
件でスクリーン印判、焼成、ロール圧延及び再焼成を行
い超電導厚膜焼結体を得た。
このようにして得られた超電導厚膜焼結体について実施
例１と同様の方法でＴぎ０を求めたとこ口、 Ｔ二ｅ
ｒＯは５７にと低い値であった。
例１と同様の方法でＴぎ０を求めたとこ口、 Ｔ二ｅ
ｒＯは５７にと低い値であった。
また、Ｘ線回折の結果から高温相（Ｂｉｇ ５ｒ２Ｃａ
２Ｃｕ３０ｔｏ相）の回折ピークは認められず、中温相
（Ｂｉｔ ８ｒｚＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温相（Ｂｉ
ｇ ５ｒ２ＣｕＯａ相）の回折ピークが主に観察された
。
２Ｃｕ３０ｔｏ相）の回折ピークは認められず、中温相
（Ｂｉｔ ８ｒｚＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温相（Ｂｉ
ｇ ５ｒ２ＣｕＯａ相）の回折ピークが主に観察された
。
比較例２
実施例１と同様のハステロイ基板の上面に直接実施例１
と同様の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法で
スクリーン印刷し９次いで実施例１と同様の方法及び条
件で＊成、 ロール圧延及び再焼成を行い超電導厚膜
焼結体を得たつこのようにして得られた超電導厚膜焼結
体について実施例１と同様の方法で耳ｅＴＯを求めたと
こ口、 Ｔ：ｅｒｏ Ｆｉ８７ Ｋト低イ値Ｔアツ＊。
と同様の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法で
スクリーン印刷し９次いで実施例１と同様の方法及び条
件で＊成、 ロール圧延及び再焼成を行い超電導厚膜
焼結体を得たつこのようにして得られた超電導厚膜焼結
体について実施例１と同様の方法で耳ｅＴＯを求めたと
こ口、 Ｔ：ｅｒｏ Ｆｉ８７ Ｋト低イ値Ｔアツ＊。
また、Ｘ線回折の結果から高温相（Ｂｉ２５ ｒ２ Ｃ
ａ２Ｃｕ３０１ｏ相）の回折ピークｈｇめられず、甲温
相（Ｂｉ２８ｒｚ Ｃａ Ｃｕ３０ｓ相）の回折ピーク
が観察されると共に高温相と同定不能な回折ピークが少
し観察された。
ａ２Ｃｕ３０１ｏ相）の回折ピークｈｇめられず、甲温
相（Ｂｉ２８ｒｚ Ｃａ Ｃｕ３０ｓ相）の回折ピーク
が観察されると共に高温相と同定不能な回折ピークが少
し観察された。
実施例２
超電導体層を構成する超電導体材料の出発原料として、
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅及びマ
グネシウムの比率が原子比で１．８：０．６：Ｌ６：２
：３：０．３となるように実施例１と同様のＢｉｔ’ｓ
３ユ８１９． ＰｂＯ１０，８０９゜５ｒＣＯｓ
１９．０４ ｇ、 ＣａＣＯ５１６，１４ｇ、 Ｃｕ
０１９．２４９及びＭｇ０Ｃ高純度化学研究所裂、Ｎ度
９９．９９％）０．９７９を秤量し、以下実施例１と同
様の工程を経て仮焼粉を４た。
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅及びマ
グネシウムの比率が原子比で１．８：０．６：Ｌ６：２
：３：０．３となるように実施例１と同様のＢｉｔ’ｓ
３ユ８１９． ＰｂＯ１０，８０９゜５ｒＣＯｓ
１９．０４ ｇ、 ＣａＣＯ５１６，１４ｇ、 Ｃｕ
０１９．２４９及びＭｇ０Ｃ高純度化学研究所裂、Ｎ度
９９．９９％）０．９７９を秤量し、以下実施例１と同
様の工程を経て仮焼粉を４た。
得られた仮焼粉を９体積比でＱ、 ： Ｎ２＝ １ ：
１０の低酸素雰囲気中で８４５℃で４０時間熱処理を
行い、以下実施例１と同様の工程を経て超電導体用ペー
ストを得た。
１０の低酸素雰囲気中で８４５℃で４０時間熱処理を
行い、以下実施例１と同様の工程を経て超電導体用ペー
ストを得た。
この後、実施例１と同様の工程を経てノ・ステロイの基
板の上面に金の層を形成した。
板の上面に金の層を形成した。
次に金の層の上面に上記で得た超電導体用ペーストを６
０μｍの厚さにスクリーン印刷し９体積比で０２：Ｎ２
＝１：１０の低酸素雰囲気中で８４０℃で３０時間焼成
して厚膜焼結体を得た。得られた厚膜焼結体にロール圧
延加工を施し１次いで体積比で０２： Ｎ２＝ １ ：
Ｉ Ｏの低酸素雰囲気中で８４０℃で３０時間再焼成
して超電導厚膜焼結体を得た。
０μｍの厚さにスクリーン印刷し９体積比で０２：Ｎ２
＝１：１０の低酸素雰囲気中で８４０℃で３０時間焼成
して厚膜焼結体を得た。得られた厚膜焼結体にロール圧
延加工を施し１次いで体積比で０２： Ｎ２＝ １ ：
Ｉ Ｏの低酸素雰囲気中で８４０℃で３０時間再焼成
して超電導厚膜焼結体を得た。
このようＫして得られた超電導厚膜焼結体について実施
例１と同様の方法で耳ｅｒＯを求めたとこローＴｃ
は１０５にと良好な値を示し念。
例１と同様の方法で耳ｅｒＯを求めたとこローＴｃ
は１０５にと良好な値を示し念。
また、ＸＳ回折の結果から高温相（Ｂｉ２８ｒ２ Ｃａ
２Ｃｕ５Ｏ１゜相）の回折ピークが観察され、高温相の
生成が確認された。
２Ｃｕ５Ｏ１゜相）の回折ピークが観察され、高温相の
生成が確認された。
比較例３
比較例１と同様の銀の基板の上面に直接実兄例２と同様
の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法でスクリ
ーン印刷し９次いで実施例２と同様の方法及び条件で焼
成、ロール圧延及び再焼成を行い超電導Ｊｌ膜焼結体を
得た。
の超電導体用ペーストを実施例１と同様の方法でスクリ
ーン印刷し９次いで実施例２と同様の方法及び条件で焼
成、ロール圧延及び再焼成を行い超電導Ｊｌ膜焼結体を
得た。
このようにして得られた超電導厚膜焼結体について実施
例１と同様の方法でＴ ： ｅｒＱを求めた。この結果
Ｔ：ｅｒｏは５２にと低い値であった。
例１と同様の方法でＴ ： ｅｒＱを求めた。この結果
Ｔ：ｅｒｏは５２にと低い値であった。
また、Ｘｉ回折の結果から高温相（Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ２
ＣｕｓＯｔｏ相）の回折ピークは認められず、中温孔（
Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温相（ＢｉｚＳ
ｒｚＣｕＯｓ相）の回折ピークが主に観察された。
ＣｕｓＯｔｏ相）の回折ピークは認められず、中温孔（
Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温相（ＢｉｚＳ
ｒｚＣｕＯｓ相）の回折ピークが主に観察された。
実施例３
超電導体層を構成する超電導体材料の出発原料として、
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅、マグ
ネシウム及びバリウムの比率が原子比で１．８ ： ０
．６ ： １．６：２：３：０．２：０．２となるよう
に実施例１及び実施例２と同様のＢｉｚ Ｏｓ：３Ｚ８
７ ｇ、 ＰｂＯ１０，５０ｇ、 ５ｒＣＯ３１８
，５１ｇ。
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅、マグ
ネシウム及びバリウムの比率が原子比で１．８ ： ０
．６ ： １．６：２：３：０．２：０．２となるよう
に実施例１及び実施例２と同様のＢｉｚ Ｏｓ：３Ｚ８
７ ｇ、 ＰｂＯ１０，５０ｇ、 ５ｒＣＯ３１８
，５１ｇ。
ＣａＣＯ３１５，６９ｇ、 ＣｕＯ１８，７０ｇ、
＞ｉｇｏ Ｏ，６３９及びＢａＣＯ５（和光補薬工業ｇ
、Ｎ度９９，９１３．０９ｇを秤ｔし、以下笑施例工と
同様の工程を経て仮焼粉を得た。
＞ｉｇｏ Ｏ，６３９及びＢａＣＯ５（和光補薬工業ｇ
、Ｎ度９９，９１３．０９ｇを秤ｔし、以下笑施例工と
同様の工程を経て仮焼粉を得た。
得らｆた仮焼粉を、実施例２と同様の工程を経て超電導
体用ペーストを得た。
体用ペーストを得た。
この後、実施例１と同様の工程を経てハステロイの基板
の上面に金の層を形成し１次いで上記で得次超電導体用
ペーストを用いて実施例２と同様の方法及び条件で焼成
、ロール圧延及び再焼成を行い超電導厚膜焼結体を得た
。
の上面に金の層を形成し１次いで上記で得次超電導体用
ペーストを用いて実施例２と同様の方法及び条件で焼成
、ロール圧延及び再焼成を行い超電導厚膜焼結体を得た
。
この上うＫして得られた超電導厚膜焼結体について実施
例１と同様の方法でＴぎ０を求めたところ、Ｔ二ｅｒＯ
は１０８にと良好な値を示した。
例１と同様の方法でＴぎ０を求めたところ、Ｔ二ｅｒＯ
は１０８にと良好な値を示した。
まｅ、 ｘ＊回折の結果から高温相（Ｂｉ ２ Ｓｒ２
Ｃａ２Ｃｕ５ Ｏ１ｏ相）の回折ピークが観察され、
高温相の生成が確認された。
Ｃａ２Ｃｕ５ Ｏ１ｏ相）の回折ピークが観察され、
高温相の生成が確認された。
比較例４
比較例１と同様の銀の基板上に直接実施例３と同様の超
電導体用ペーストを実施例１と同様の方法でスクリーン
印刷し１次いで実施タリ２と同様の方法及び条件で焼成
、ロール圧延及び再９５Ｘを行い超電導厚膜焼結体を得
た。
電導体用ペーストを実施例１と同様の方法でスクリーン
印刷し１次いで実施タリ２と同様の方法及び条件で焼成
、ロール圧延及び再９５Ｘを行い超電導厚膜焼結体を得
た。
このようにして得られた超電導厚膜焼結体について実施
例１と同様の方法でＴ、 を求めたこの結果Ｔ ：ｅｒ
Ｏば６０にと低い値であつ念。
例１と同様の方法でＴ、 を求めたこの結果Ｔ ：ｅｒ
Ｏば６０にと低い値であつ念。
また、Ｘ線回折の結果から高温相！ Ｂｉｚ Ｓｒｚ
Ｃａ２Ｃｕ５Ｏｒｏ相）の回折ピークＦｉ認められず、
”Ｐ温和（Ｂｉ２ Ｓｒ、ＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温
相（Ｂｉｚ Ｓｒ２ Ｃｕｂｓ相）の回折ピークが主に
観察された。
Ｃａ２Ｃｕ５Ｏｒｏ相）の回折ピークＦｉ認められず、
”Ｐ温和（Ｂｉ２ Ｓｒ、ＣａＣｕ２０ｓ相）及び低温
相（Ｂｉｚ Ｓｒ２ Ｃｕｂｓ相）の回折ピークが主に
観察された。
（発明の効果）
本発明になる超電導厚膜焼結体は、高温相（Ｂｉｚ ８
ｒ２ Ｃａｗ Ｃｕ５Ｏｔｏ相）の結晶粒子が成長し易
く。
ｒ２ Ｃａｗ Ｃｕ５Ｏｔｏ相）の結晶粒子が成長し易
く。
Ｔぎ０が高く超電導特性に優れ、またノ・ステＯぺ基板
（金属基板）を用いる次め加工性に優れ、工業的に極め
て好適表超電導厚膜焼結体であると共に上記のような効
果を有する超電導厚膜焼結体の製造法を提供することが
できる。
（金属基板）を用いる次め加工性に優れ、工業的に極め
て好適表超電導厚膜焼結体であると共に上記のような効
果を有する超電導厚膜焼結体の製造法を提供することが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を
形成し、かつ金を主成分とする金属層の上面にビスマス
、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分とす
るＢｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿１＿０の結晶
相を有する超電導体層を形成してなる超電導厚膜焼結体
。 ２ ハステロイ基板の上面に金を主成分とする金属層を
形成し、この後金を生成分とする金属層の上面にビスマ
ス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主成分と
した超電導体用ペーストを塗布し、次いで焼成して超電
導体層を形成することを特徴とする超電導厚膜焼結体の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187406A JPH0477346A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 超電導厚膜焼結体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2187406A JPH0477346A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 超電導厚膜焼結体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477346A true JPH0477346A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16205474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2187406A Pending JPH0477346A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 超電導厚膜焼結体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0477346A (ja) |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP2187406A patent/JPH0477346A/ja active Pending
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