JPH02149401A - 超伝導膜の製造方法 - Google Patents
超伝導膜の製造方法Info
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- JPH02149401A JPH02149401A JP63301637A JP30163788A JPH02149401A JP H02149401 A JPH02149401 A JP H02149401A JP 63301637 A JP63301637 A JP 63301637A JP 30163788 A JP30163788 A JP 30163788A JP H02149401 A JPH02149401 A JP H02149401A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｂｉ、 Ｐｂ、 ＴＪを含む層状ペロプスカイト型超伝
導膜の製造方法に関し、 Ｃｕ−０平面の数がＡ単位胞中に３枚含まれる構造の超
伝導体を含み、臨界温度が高く臨界電流密度も大きな超
伝導膜を短時間の焼成で形成することを目的とし、 ペロブスカイト型超伝導膜を基板上に形成する工程にお
いて、蒸気圧が一定値以上の酸化物を高濃度に含有する
層を一層以上含み、超伝導膜の製造方法を構成する。
導膜の製造方法に関し、 Ｃｕ−０平面の数がＡ単位胞中に３枚含まれる構造の超
伝導体を含み、臨界温度が高く臨界電流密度も大きな超
伝導膜を短時間の焼成で形成することを目的とし、 ペロブスカイト型超伝導膜を基板上に形成する工程にお
いて、蒸気圧が一定値以上の酸化物を高濃度に含有する
層を一層以上含み、超伝導膜の製造方法を構成する。
液体窒素温度で超伝導が達成されつる高温超伝導材料の
研究・開発が急激に進められ、これを用いる実用化技術
の開発も進められつつある。
研究・開発が急激に進められ、これを用いる実用化技術
の開発も進められつつある。
臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超える高温超伝導体は液体窒
素温度の応用に温度マージンが広くとれる、臨界電流密
度Ｊｃ、臨界磁界Ｈｃが原理的には上がる、薄膜、線材
の応用、より高いＴｃを持つ高温超伝導材料の可能性等
の観点から研究・開発が進められている。
素温度の応用に温度マージンが広くとれる、臨界電流密
度Ｊｃ、臨界磁界Ｈｃが原理的には上がる、薄膜、線材
の応用、より高いＴｃを持つ高温超伝導材料の可能性等
の観点から研究・開発が進められている。
臨界温度Ｔｃが１００Ｋを超える高温超伝導物質として
、Ｂｔ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体、Ｔｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体が開発されている。
、Ｂｔ−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体、Ｔｌ−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−０系超伝導体が開発されている。
上記Ｂｉ系では臨界温度Ｔｃが約８０Ｋ の低温和と、
約１１０にの高温相の複数の超伝導相が混在し、上記Ｔ
ｌ系では臨界温度Ｔｃが約１０５にの低温和と、約１２
５にの高温相の複数の超伝導相が混在し、高温相の超伝
導相を単独で取り出すことが出来ていない。
約１１０にの高温相の複数の超伝導相が混在し、上記Ｔ
ｌ系では臨界温度Ｔｃが約１０５にの低温和と、約１２
５にの高温相の複数の超伝導相が混在し、高温相の超伝
導相を単独で取り出すことが出来ていない。
上記Ｂｉ系、 ＴＩ系は水や酸素の影響を受けにくい、
作りやすい、加工が容易である、希土類元素を含まない
ので資源の制約を受けにくい、という特徴を有する。し
かし、低Ｔｃ相の作製は容易であるが高Ｔｃ用の単相化
は困難である。
作りやすい、加工が容易である、希土類元素を含まない
ので資源の制約を受けにくい、という特徴を有する。し
かし、低Ｔｃ相の作製は容易であるが高Ｔｃ用の単相化
は困難である。
Ｂ１−５ｒ−Ｃｕ−０系超伝導体は旧ｃｈｅ１等（Ｚ、
Ｐｈｙｓ、８６８１９Ｂ７．４２１）及び１秋光等（Ｊ
ｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２６１９８７、 Ｌ２
０８０）により発見された。この系のＴｃは７にである
。
Ｐｈｙｓ、８６８１９Ｂ７．４２１）及び１秋光等（Ｊ
ｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２６１９８７、 Ｌ２
０８０）により発見された。この系のＴｃは７にである
。
前田等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７．１９
８８． Ｌ２０９）は新しい、高Ｔｃ用Ｂ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系を発見した。この系は、式ＢｉｚＳｒ２
Ｃａ、、−１Ｃｕ、１０．において、ｎ＝１に対するＴ
ｃ＝７にの相、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０にの相、及び
、ｎ・３に対するＴｃ・１０５にの相の、三つの超伝導
相を有することが見出された。ｎが１から３に増加する
につれて、結晶構造中におけるＣｕＯ層の数が増加し、
Ｃ軸は２４人から、３０人、３７人へと変化する。
８８． Ｌ２０９）は新しい、高Ｔｃ用Ｂ１−５ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０系を発見した。この系は、式ＢｉｚＳｒ２
Ｃａ、、−１Ｃｕ、１０．において、ｎ＝１に対するＴ
ｃ＝７にの相、ｎ＝２に対するＴｃ＝８０にの相、及び
、ｎ・３に対するＴｃ・１０５にの相の、三つの超伝導
相を有することが見出された。ｎが１から３に増加する
につれて、結晶構造中におけるＣｕＯ層の数が増加し、
Ｃ軸は２４人から、３０人、３７人へと変化する。
高野等（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２７．１９
８８． Ｌ１０４１）がＢｉをｐｂで置換することによ
り、高Ｔｃ用の割合が増加することを報告した。しかし
ながら、ｐｂの役割はまだ明確ではない。
８８． Ｌ１０４１）がＢｉをｐｂで置換することによ
り、高Ｔｃ用の割合が増加することを報告した。しかし
ながら、ｐｂの役割はまだ明確ではない。
上記の如＜ 、１ｌｉ−（Ｐｂ）−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系超伝導体、もしくは、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系超伝導体の高Ｔｃ用の単相化のプロセスの確立が要望
されている。
０系超伝導体、もしくは、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系超伝導体の高Ｔｃ用の単相化のプロセスの確立が要望
されている。
例えばＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０の超伝導膜を製造す
る方法としては、５ｒＴｉＯｚ＋ ＭｇＯ等の基板上に
スパッタ法、蒸着法等により酸化物を堆積させた後、熱
処理により、堆積酸化膜を反応させ、超伏４膜を得る方
法が一般的である。
る方法としては、５ｒＴｉＯｚ＋ ＭｇＯ等の基板上に
スパッタ法、蒸着法等により酸化物を堆積させた後、熱
処理により、堆積酸化膜を反応させ、超伏４膜を得る方
法が一般的である。
層状ペロブスカイト型超伝導膜は、それを構成する金属
元素ガく４以上あり、それぞれの組成比を化学量論組成
に合わせることは、困難であった。
元素ガく４以上あり、それぞれの組成比を化学量論組成
に合わせることは、困難であった。
さらに、蒸気圧が比較的高いＢｉ、 Ｐｂ、 ＴＩなど
は、膜を堆積中にその一部が蒸発するなどにより、膜か
ら欠損しやすく、またその欠１■量は、基板温度膜の堆
積速度などにより変化をうけ、再現性のある、成膜が困
難であった。
は、膜を堆積中にその一部が蒸発するなどにより、膜か
ら欠損しやすく、またその欠１■量は、基板温度膜の堆
積速度などにより変化をうけ、再現性のある、成膜が困
難であった。
元素、酸化物の蒸気圧（Ｐ） は−最に下式で表される
。ｌｏｇ Ｐ＝＾Ｔ−’＋ＢＩｏｇＴ＋Ｃ＊１０−’＊
Ｔ＋Ｄ（金属データハンドブックρ８６） Ｔ：絶対温度（Ｋ）が１０７３Ｋ（８００″Ｃ）におけ
る元素酸化物の蒸気圧の一例は下記の通りである。
。ｌｏｇ Ｐ＝＾Ｔ−’＋ＢＩｏｇＴ＋Ｃ＊１０−’＊
Ｔ＋Ｄ（金属データハンドブックρ８６） Ｔ：絶対温度（Ｋ）が１０７３Ｋ（８００″Ｃ）におけ
る元素酸化物の蒸気圧の一例は下記の通りである。
酸化物 ｐ 、１１元
素 Ａ Ｂ ＣＤ ｌｏｇＰ （Ｐ
ａ）ＰｂＯ−１３４８０−０，９２−０，３５１４，３
６−１，３６６０，０５７（４００°ｃ −８，５０
７） Ｐｂ −１０１３０−０，９８５１１，１６−１，２
６６０，０７２８ｉｚ（ｈ Ｂｉ −１０４００−１，２６１２，３５−１，１６
０，０９２ｕＯ Ｃｕ −１７７００−０，８６１２，２９−６，
８１２２寧１０Ｐ：ｍｍＨｇ＋ ｐｏ＋１ ：Ｐａ 第４図は、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：２：３の
酸化物の焼成体ターゲット （酸化物混合物を８００“
Ｃ２４時間大気雰囲気中焼成）を用いてＭｇＯ基板上に
基板温［４００’Ｃ１ＩＰａ の減圧下で、ＲＦマグネ
トロンスパンタリング法により、スパッタした膜（膜厚
１ μ）を８７５℃で５時間焼成した場合のＸ線回折パ
ターン及び膜組成を示す図である。Ｘ １５１回折パタ
ーンに示されるように膜は、ＢｉｚＳｒｚＣｕＯｘ及び
８０Ｋ 吸の低Ｔｃ相ＢｉｚＳｒｚＣａＣｕ、Ｏｘの２
つの相からなっている。
素 Ａ Ｂ ＣＤ ｌｏｇＰ （Ｐ
ａ）ＰｂＯ−１３４８０−０，９２−０，３５１４，３
６−１，３６６０，０５７（４００°ｃ −８，５０
７） Ｐｂ −１０１３０−０，９８５１１，１６−１，２
６６０，０７２８ｉｚ（ｈ Ｂｉ −１０４００−１，２６１２，３５−１，１６
０，０９２ｕＯ Ｃｕ −１７７００−０，８６１２，２９−６，
８１２２寧１０Ｐ：ｍｍＨｇ＋ ｐｏ＋１ ：Ｐａ 第４図は、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：２：３の
酸化物の焼成体ターゲット （酸化物混合物を８００“
Ｃ２４時間大気雰囲気中焼成）を用いてＭｇＯ基板上に
基板温［４００’Ｃ１ＩＰａ の減圧下で、ＲＦマグネ
トロンスパンタリング法により、スパッタした膜（膜厚
１ μ）を８７５℃で５時間焼成した場合のＸ線回折パ
ターン及び膜組成を示す図である。Ｘ １５１回折パタ
ーンに示されるように膜は、ＢｉｚＳｒｚＣｕＯｘ及び
８０Ｋ 吸の低Ｔｃ相ＢｉｚＳｒｚＣａＣｕ、Ｏｘの２
つの相からなっている。
また、電子プローブマイクロアナリシス （Ｅｌ”ＭＡ
）法による測定結果が示す如＜ 、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：
Ｃｕ＝０゜６３：１．ＯＯ：１．０７：１．４０ と、
Ｂｉがターゲット組成より少なくなり、１１０に付近に
臨界温度をもついわゆる高温和（ＢｉｚＳｒｚＣａｚＣ
ｕｚＯｘ）の化学量論組成から大きくずれていることが
わかる。
）法による測定結果が示す如＜ 、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：
Ｃｕ＝０゜６３：１．ＯＯ：１．０７：１．４０ と、
Ｂｉがターゲット組成より少なくなり、１１０に付近に
臨界温度をもついわゆる高温和（ＢｉｚＳｒｚＣａｚＣ
ｕｚＯｘ）の化学量論組成から大きくずれていることが
わかる。
このような化学量論組成からずれた膜にｐｂを入れた場
合即ち、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．４：
２：２：３のＰｂドープ酸化物の焼結体ターゲットを用
いて上記と同様に焼成した場合（大気雰囲気中、８５０
’Ｃ１２時間焼成）、高温相はあられれるものの、（第
５図）その量は多くない。電気抵抗の温度変化は第６図
に示される如＜ ｌｌ０Ｋ付近にオンセントはみられる
ものの低温側にすそをひき、電気抵抗がゼロとなるのは
７５にと低かった。
合即ち、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．４：
２：２：３のＰｂドープ酸化物の焼結体ターゲットを用
いて上記と同様に焼成した場合（大気雰囲気中、８５０
’Ｃ１２時間焼成）、高温相はあられれるものの、（第
５図）その量は多くない。電気抵抗の温度変化は第６図
に示される如＜ ｌｌ０Ｋ付近にオンセントはみられる
ものの低温側にすそをひき、電気抵抗がゼロとなるのは
７５にと低かった。
一般にバルクではＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０にｐｂを
適量添加した場合、比較的多量の高温和が得られること
がＫｏｙａｍａ ｅｔ ａｌ、 から報告されている
（ＪＪＡＰＩ。
適量添加した場合、比較的多量の高温和が得られること
がＫｏｙａｍａ ｅｔ ａｌ、 から報告されている
（ＪＪＡＰＩ。
ＶｏＬ２７． ｐｐ−Ｌ１８６１−Ｌ１８６３）が、ｐ
ｂは、成膜中に蒸発しやすいことからスパッタや蒸着法
では、十分な量のｐｂを添加できなかった。
ｂは、成膜中に蒸発しやすいことからスパッタや蒸着法
では、十分な量のｐｂを添加できなかった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みなされたもので、
層状ペロブスカイト構造を構成する元素のうち、蒸気圧
が高く堆積しにくい元素の酸化物例えばＢｉｚＪ、 Ｐ
ｂＯ，ＴｌｚＯ＊ について、それらを高濃度に含有す
る層を堆積膜中に設け、膜全体の組成比を化学量論組成
に近づけ、 Ｃｕ−０平面の数が４単位胞中に３枚含ま
れる構造の超伝導体を含み、臨界温度が高く臨界電流密
度も大きな超伝導膜を短時間の焼成で形成する製造方法
を提供することを目的とする。
層状ペロブスカイト構造を構成する元素のうち、蒸気圧
が高く堆積しにくい元素の酸化物例えばＢｉｚＪ、 Ｐ
ｂＯ，ＴｌｚＯ＊ について、それらを高濃度に含有す
る層を堆積膜中に設け、膜全体の組成比を化学量論組成
に近づけ、 Ｃｕ−０平面の数が４単位胞中に３枚含ま
れる構造の超伝導体を含み、臨界温度が高く臨界電流密
度も大きな超伝導膜を短時間の焼成で形成する製造方法
を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明はペロブスカイト型超伝導膜を堆積する工程にお
いて、蒸気圧が８００’Ｃにおいて１０−４Ｐａ以上と
なる酸化物を高濃度に含有する層を一層以上含み、堆積
した膜を、７５０℃〜８９０℃の温度で、大気中又は、
酸素分圧が１気圧以下の雰囲気中において、熱処理を行
うことを特徴とする。
いて、蒸気圧が８００’Ｃにおいて１０−４Ｐａ以上と
なる酸化物を高濃度に含有する層を一層以上含み、堆積
した膜を、７５０℃〜８９０℃の温度で、大気中又は、
酸素分圧が１気圧以下の雰囲気中において、熱処理を行
うことを特徴とする。
上記熱処理を７５０℃〜８９０℃の温度で行うのは７５
０℃より低温では高Ｔｃ相超伝導体は形成されない、ま
た、８９０℃より高温では超伝導体が溶融分解する。
０℃より低温では高Ｔｃ相超伝導体は形成されない、ま
た、８９０℃より高温では超伝導体が溶融分解する。
上記蒸気圧が８００’Ｃにおいて１０−４Ｐａ以上とな
る酸化物と規定したのは、上記熱処理温度では、ペロブ
スカイト型超伝導体を構成する、或いは、超伝導体形成
に促進剤として作用する、該酸化物の元素もしくは酸化
物の蒸発が顕著であり、組成変動、或いは、成分の変化
が著しく、蒸発成分の補償・添加が化学量論組成の高Ｔ
ｃ相超伝導体形成に必要とされるからである。
る酸化物と規定したのは、上記熱処理温度では、ペロブ
スカイト型超伝導体を構成する、或いは、超伝導体形成
に促進剤として作用する、該酸化物の元素もしくは酸化
物の蒸発が顕著であり、組成変動、或いは、成分の変化
が著しく、蒸発成分の補償・添加が化学量論組成の高Ｔ
ｃ相超伝導体形成に必要とされるからである。
前記ペロブスカイト型超伝導物質は、一般式％式％
をもって表される超伝導物質である。
又は、前記ペロブスカイト型超伝導物質は、一般式 Ｔ
Ｉ＋ （Ｂａｔ−ｘｃａｘ）＊Ｃｕ＋＋ＯＺ 又は、
Ｔｌｚ（Ｂａｔ−ｘｃａＸ）１１ｃｕｎＯＺをもって表
される超伝導物質である。
Ｉ＋ （Ｂａｔ−ｘｃａｘ）＊Ｃｕ＋＋ＯＺ 又は、
Ｔｌｚ（Ｂａｔ−ｘｃａＸ）１１ｃｕｎＯＺをもって表
される超伝導物質である。
（なお、低Ｔｃ相はｍ−３、ｎ ＝２ ；高Ｔｃ相はｍ
−４、ｎ＝３に近い組成を持つといわれる）もしくは、
前記ペロブスカイト型超伝導物質は、上記超伝導物質の
一部をｐｂでおきがえたもの及びｐｂを添加した超伝導
物質である。
−４、ｎ＝３に近い組成を持つといわれる）もしくは、
前記ペロブスカイト型超伝導物質は、上記超伝導物質の
一部をｐｂでおきがえたもの及びｐｂを添加した超伝導
物質である。
又、前記酸化物は、Ｂｉｘ０）＋ ＴｌｚＯｓ、 ｐｂ
ｏ テある。
ｏ テある。
その工程の一例としては、基板上に層状ペロブスカイト
構造を有する超伝導体を構成する元素を含む酸化物堆積
層を、スパッタ法、蒸着法、分子線エピタキシャル成長
゛法等により、第１の温度（Ｔ、）で堆積する工程と、
しかる後、該酸化物堆積層を酸素を含む酸化雰囲気中該
第１の温度（Ｔ１）より高温の第２の温度（Ｔ２）で熱
処理して層状ペロブスカイト構造の超伝導体層とする工
程を有する超伝導体膜の製造方法に於て、 上記酸化物堆積層を積層構造とするとともに、上記超伝
導体を構成する元素のうち、該（第１の温度もしくは）
第２の温度で蒸気圧が高い酸化物については、該酸化物
を高濃度に含有する補償層を少くともＩＮ設け、上記第
２の温度（Ｔ２）で熱処理焼成後、膜全体の組成比が上
記層状ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体の化
学量論組成となるように組成制御することを特徴とする
。
構造を有する超伝導体を構成する元素を含む酸化物堆積
層を、スパッタ法、蒸着法、分子線エピタキシャル成長
゛法等により、第１の温度（Ｔ、）で堆積する工程と、
しかる後、該酸化物堆積層を酸素を含む酸化雰囲気中該
第１の温度（Ｔ１）より高温の第２の温度（Ｔ２）で熱
処理して層状ペロブスカイト構造の超伝導体層とする工
程を有する超伝導体膜の製造方法に於て、 上記酸化物堆積層を積層構造とするとともに、上記超伝
導体を構成する元素のうち、該（第１の温度もしくは）
第２の温度で蒸気圧が高い酸化物については、該酸化物
を高濃度に含有する補償層を少くともＩＮ設け、上記第
２の温度（Ｔ２）で熱処理焼成後、膜全体の組成比が上
記層状ペロブスカイト構造を有する酸化物超伝導体の化
学量論組成となるように組成制御することを特徴とする
。
又具体的には、基板上に上記層状ペロブスカイト構造を
有する超伝導体を構成する元素を含む複合酸化物よりな
る第１の層を形成する工程と、該第１の層に隣接して、
蒸気圧が８００’Ｃにおいて１゜４Ｐ、、以上となる酸
化物を高濃度に含有する第２の層を形成する工程と、上
記積層構造を有する基板を酸素を含む酸化雰囲気中焼成
する工程を有して構成する。
有する超伝導体を構成する元素を含む複合酸化物よりな
る第１の層を形成する工程と、該第１の層に隣接して、
蒸気圧が８００’Ｃにおいて１゜４Ｐ、、以上となる酸
化物を高濃度に含有する第２の層を形成する工程と、上
記積層構造を有する基板を酸素を含む酸化雰囲気中焼成
する工程を有して構成する。
なお、酸化物堆積層の積層構造体としては、組成がステ
ップ状に変化する積層構造であっても、構成元素の特定
元素に対して傾斜状（グレーディッド）に変化する積層
構造であってもよい。
ップ状に変化する積層構造であっても、構成元素の特定
元素に対して傾斜状（グレーディッド）に変化する積層
構造であってもよい。
また、酸化物堆積層の堆積法としては、スパッタリング
５蒸着、 ＭＢＥ、等の物理気相堆積法の他、プラズマ
法、化学気相堆積法等を用いてもよい。
５蒸着、 ＭＢＥ、等の物理気相堆積法の他、プラズマ
法、化学気相堆積法等を用いてもよい。
また、酸化物堆積層の積層構造体の積層順序としては、
基板（ＭｇＯ等）の直上は、膜と基板の密着性を確保す
るためＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０複合酸化物層を形成
するのが望ましく、又、積層構造体の最上層は、蒸気圧
が高い酸化物の蒸発を防くため、ＢｉＳ ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０？！合酸化物層であるのが望ましい。
基板（ＭｇＯ等）の直上は、膜と基板の密着性を確保す
るためＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０複合酸化物層を形成
するのが望ましく、又、積層構造体の最上層は、蒸気圧
が高い酸化物の蒸発を防くため、ＢｉＳ ｒ −Ｃａ
−Ｃｕ −０？！合酸化物層であるのが望ましい。
また酸化物堆積層の積層構造体は、超伝導体を構成する
元素の酸化物又は超伝導体形成に促進剤として作用する
元素を含む酸化物のうち蒸気圧が高い酸化物を高濃度に
含有する層をＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の複合酸化
物（もしくは各々の酸化物の混合物）の層でサントイ・
ジチする構成を１回以上、複数回くり返しＩｆｆ積した
＋１４造体としうる。
元素の酸化物又は超伝導体形成に促進剤として作用する
元素を含む酸化物のうち蒸気圧が高い酸化物を高濃度に
含有する層をＢ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の複合酸化
物（もしくは各々の酸化物の混合物）の層でサントイ・
ジチする構成を１回以上、複数回くり返しＩｆｆ積した
＋１４造体としうる。
（作用］
本発明では、層状ペロブスカイト４Ｒ造を構成する元素
のうち、蒸気圧が高く堆積しにくい元素の酸化物のみを
、集中的に膜中に堆積させるため、これらの層の堆積時
間を短くすることができ、堆積中の蒸発等による組成の
変化が無視できる。また、その上に直ちに、蒸発しにく
い酸化物を堆積させることにより、膜全体の堆積中の蒸
発も極めて少量におさえることができる。
のうち、蒸気圧が高く堆積しにくい元素の酸化物のみを
、集中的に膜中に堆積させるため、これらの層の堆積時
間を短くすることができ、堆積中の蒸発等による組成の
変化が無視できる。また、その上に直ちに、蒸発しにく
い酸化物を堆積させることにより、膜全体の堆積中の蒸
発も極めて少量におさえることができる。
これらにより、膜組成は、極めて厳密に制御できるため
、組成の最適化により、高Ｔｃ化、高Ｊｃ化を達成でき
る。
、組成の最適化により、高Ｔｃ化、高Ｊｃ化を達成でき
る。
第１図に本発明にしたがって堆積した薄膜の層構造を示
す。これは、ｐｂをドープしたＢ１−３ｒ−ＣａＣｕ−
０系の例である。
す。これは、ｐｂをドープしたＢ１−３ｒ−ＣａＣｕ−
０系の例である。
堆積後８５０”Ｃで１時間焼成した膜の組成分析の結果
は、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．８７：０．３
４：１．００：１．２７：１．８８であり、Ｂｉは適量
が補正され、Ｐｂも十分膜中にドープされたことがわか
る。
は、Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．８７：０．３
４：１．００：１．２７：１．８８であり、Ｂｉは適量
が補正され、Ｐｂも十分膜中にドープされたことがわか
る。
焼成後の膜の電気抵抗の温度変化を第２図に示す、 Ｔ
ｃｅ＝１０６．５にと十分高い臨界温度を示した。
ｃｅ＝１０６．５にと十分高い臨界温度を示した。
また、電流密度を変えて、電気抵抗の温度変化をみた場
合の特性を第３図に示す、？＆体富窒素温度おいて、２
．４ Ｘ １０’ Ａ／ａｍ２ と十分な特性が得られ
た。
合の特性を第３図に示す、？＆体富窒素温度おいて、２
．４ Ｘ １０’ Ａ／ａｍ２ と十分な特性が得られ
た。
即ち、第１図は本発明の一実施例により堆積した薄膜の
積層構造体を示す。
積層構造体を示す。
薄膜積層構造はＲＦマグネトロンスパッタリングにより
、ＭｇＯ単結晶（１００）基板上に、下記条件でＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯＮ （以下ａｓｃｃｏ Ｊ？！
ｌとする）を堆積した。
、ＭｇＯ単結晶（１００）基板上に、下記条件でＢ１−
５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯＮ （以下ａｓｃｃｏ Ｊ？！
ｌとする）を堆積した。
−ｇｏ基板は約４００℃に加熱
＾ｒ：０ｘ＝１：１＋ Ｉ Ｐａ。
１２Ｆパワーは１ｏｏｋ （約１．３Ｗ／ｃ＋ｍ”）タ
ーゲットは （１） ＢｉｚＳｒ２ＣａｚＣｕＪｚ’組成の焼結体
クーゲット１（８００″Ｃ２４ｈ焼結） （２） ＰｂをＢｉの約２０χ ドープしたＢｉｚＰ
ｂｏ、 ｎ５ｒｚｃａｚＣｕ３０ｚ組成の焼結体クーゲ
ット１１（８００℃２−ｊｈ焼結） （３） Ｂｉ補償の為のＢｉｚＯｚ ターゲット■
（４） Ｐｂ添加の為のｐｂｏ クーゲット■
を用いた。
ーゲットは （１） ＢｉｚＳｒ２ＣａｚＣｕＪｚ’組成の焼結体
クーゲット１（８００″Ｃ２４ｈ焼結） （２） ＰｂをＢｉの約２０χ ドープしたＢｉｚＰ
ｂｏ、 ｎ５ｒｚｃａｚＣｕ３０ｚ組成の焼結体クーゲ
ット１１（８００℃２−ｊｈ焼結） （３） Ｂｉ補償の為のＢｉｚＯｚ ターゲット■
（４） Ｐｂ添加の為のｐｂｏ クーゲット■
を用いた。
〔比較例１〕
最初、どの（らいＢｉを補償すべきかを決定するために
、薄膜を単一のＢ５ＣＣ０焼結体ターゲット！（Ｂｉ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：２：３ のクーゲントＭ
ｉ成）を用い、４００℃に加熱されたＭｇＯ基板上に単
層法で約１μｍの膜厚に堆積し、しかる後、大気中８７
５℃５時間熱処理した。
、薄膜を単一のＢ５ＣＣ０焼結体ターゲット！（Ｂｉ
：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：２：３ のクーゲントＭ
ｉ成）を用い、４００℃に加熱されたＭｇＯ基板上に単
層法で約１μｍの膜厚に堆積し、しかる後、大気中８７
５℃５時間熱処理した。
熱処理した試料のＸ線回折パターンを第４図に示す。第
４図に示される如＜ 、８７５℃５時間焼成後、Ｔｃｅ
が１０に級のＢｉｚＳｒｔＣｕＯｘ及びＴｃｅが８０
Ｋ 級のＢｉｚＳｒｚＣａＣｕｚＯｘ の低Ｔｃ相が形
成される。
４図に示される如＜ 、８７５℃５時間焼成後、Ｔｃｅ
が１０に級のＢｉｚＳｒｔＣｕＯｘ及びＴｃｅが８０
Ｋ 級のＢｉｚＳｒｚＣａＣｕｚＯｘ の低Ｔｃ相が形
成される。
ＥＰＭＡ法により決定された、薄膜組成は、第４図に示
される如く、ターゲットの組成（Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝２：２：２：３）に比較し、薄膜の組成（Ｂｉ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６３：１．００：１．０７：１．
４０）の如＜Ｂｉ分の減少が著しい。
される如く、ターゲットの組成（Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃ
ｕ＝２：２：２：３）に比較し、薄膜の組成（Ｂｉ：Ｓ
ｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６３：１．００：１．０７：１．
４０）の如＜Ｂｉ分の減少が著しい。
〔比較例２〕
単一のｐｂドープＢ５ＣＣ０焼結体ターゲットｌ１（Ｂ
ｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．４：２：２：３
のターゲット組成）を用い４００℃に加熱されたＭｇ
Ｏ基板上に単層法で約１１１ｍ膜厚に堆積し、しかる後
火気中８５０″ＣＩ２時間熱処理して超伝導体膜を形成
した。
ｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：０．４：２：２：３
のターゲット組成）を用い４００℃に加熱されたＭｇ
Ｏ基板上に単層法で約１１１ｍ膜厚に堆積し、しかる後
火気中８５０″ＣＩ２時間熱処理して超伝導体膜を形成
した。
第５図はそのＸ線回折パターンを示す。第５図のＸ線回
折パターンに示される如く、８５０℃１２時間焼成後に
おいても、薄膜の高Ｔｃ用の割合は低Ｔｃ相の割合に比
べ小量である。
折パターンに示される如く、８５０℃１２時間焼成後に
おいても、薄膜の高Ｔｃ用の割合は低Ｔｃ相の割合に比
べ小量である。
第６図はその電気抵抗の温度依存性を示す。オンセット
温度はｌｌｏＫ以上であるが、Ｔｃｅ は７５にである
。
温度はｌｌｏＫ以上であるが、Ｔｃｅ は７５にである
。
ＥＰＭＡ法により薄膜組成を決定した。薄膜はＢｉが不
足し、そして非化学量論組成である。又少量のＰｂが薄
膜中にドープされるのみであり、高Ｔｃ用形成の為には
不十分であることが判った。
足し、そして非化学量論組成である。又少量のＰｂが薄
膜中にドープされるのみであり、高Ｔｃ用形成の為には
不十分であることが判った。
〔実施例１〕
Ｂ５ＣＣ０（ＢｉｚＳｒｚＣａ２Ｃｕ３０ｚ） ＆ＩＩ
成の焼結体ターゲット１及びＢｉ２Ｏ２ターゲット■の
２つのターゲ・ントを用い、４００″Ｃに加熱されたＭ
ｇＯ基板上に、多層法で、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
［及びＢｉｚＯ＊ Ｆ！をマグネトロンスパッタリング
法により堆積した。
成の焼結体ターゲット１及びＢｉ２Ｏ２ターゲット■の
２つのターゲ・ントを用い、４００″Ｃに加熱されたＭ
ｇＯ基板上に、多層法で、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
［及びＢｉｚＯ＊ Ｆ！をマグネトロンスパッタリング
法により堆積した。
Ｂ１５ｒＣａＣｕＯ層二層厚２０００人１層数５層Ｂｉ
Ｊｓ 層−層厚１５０ 人２層数３Ｎの積層構造を堆積
し、全体の膜厚として約１μｍとなるように堆積した。
Ｊｓ 層−層厚１５０ 人２層数３Ｎの積層構造を堆積
し、全体の膜厚として約１μｍとなるように堆積した。
しかる後大気中８７５℃５時間アニールした。
このようにして形成された′ｇｉ膜はＥＰＭＡによる組
成分析の結果、Ｂｉは適切に補償されることができ、組
成は非常に高Ｔｃ用の化学量論組成に近いことが判った
。
成分析の結果、Ｂｉは適切に補償されることができ、組
成は非常に高Ｔｃ用の化学量論組成に近いことが判った
。
しかしながら、薄膜のＸ線回折パターンによれば、高Ｔ
ｃ用はかろうじて検出されうる程度しか生成していない
ことが判った。
ｃ用はかろうじて検出されうる程度しか生成していない
ことが判った。
〔実施例２〕
Ｂ５ＣＣ０組成（ＢｉｚＳｒｚＣａｚＣｕ：＋Ｏｚ）の
焼結体ターゲット１ 、 Ｂｉｇ（ｈ ターゲット■
及びｐｂｏ ターゲット■の３つのターゲットを用い、
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、４００℃に
加熱されたＭｇＯ基板上に多層法でＢ１−３ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０層、ＢｉｚＯｚ層及びｐｂｏ層を順次堆積する
工程をくり返して、第１図に示される酸化物堆積積層構
造体を形成した。
焼結体ターゲット１ 、 Ｂｉｇ（ｈ ターゲット■
及びｐｂｏ ターゲット■の３つのターゲットを用い、
ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、４００℃に
加熱されたＭｇＯ基板上に多層法でＢ１−３ｒ−Ｃａ−
Ｃｕ−０層、ＢｉｚＯｚ層及びｐｂｏ層を順次堆積する
工程をくり返して、第１図に示される酸化物堆積積層構
造体を形成した。
Ｂ１５ｒＣａＣｕＯＩＪの各層厚は３０００人、ＢｉＪ
３層の各層厚は２００人、ｐｂｏ １の各Ｎ厚は１００
人となるように堆積させ、積層構造体全体の膜厚が約１
μｍとなるようにした。（なお、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０層、Ｂ１５Ｏ＊層、ｐｂｏ ｒｇの層厚、積層回
数、積層構造は、熱処理温度、熱処理時間、目的とする
薄膜組成を勘案し、適宜選択・制御する。）しかる後、
大気中８５０℃所定時間（１０分〜１５時間）焼成した
。
３層の各層厚は２００人、ｐｂｏ １の各Ｎ厚は１００
人となるように堆積させ、積層構造体全体の膜厚が約１
μｍとなるようにした。（なお、Ｂ１−５ｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０層、Ｂ１５Ｏ＊層、ｐｂｏ ｒｇの層厚、積層回
数、積層構造は、熱処理温度、熱処理時間、目的とする
薄膜組成を勘案し、適宜選択・制御する。）しかる後、
大気中８５０℃所定時間（１０分〜１５時間）焼成した
。
本発明の多層性積層堆積法では薄膜が熱処理焼成されつ
づけるにつれて、より多くのｐｂが蒸発しそして、８５
０℃３時間後、薄膜中には少量のｐｂしか残らないこと
が判った。 ８５０’Ｃ１０分間の焼成の間に、堆積
後は非晶質であった酸化膜は反応した、そして、薄膜の
１／３が高Ｔｃ用であった。１時間焼成後、２以上が高
Ｔｃ用であった。１５時間焼成後、Ｐｂは少量しか残っ
ていないが、薄膜のほとんどは高Ｔｃ用であった。
これはＰｂは高Ｔｃ用生成を促進するが、高Ｔｃ用はｐ
ｂを常には必要としないと云うことを示唆する。
づけるにつれて、より多くのｐｂが蒸発しそして、８５
０℃３時間後、薄膜中には少量のｐｂしか残らないこと
が判った。 ８５０’Ｃ１０分間の焼成の間に、堆積
後は非晶質であった酸化膜は反応した、そして、薄膜の
１／３が高Ｔｃ用であった。１時間焼成後、２以上が高
Ｔｃ用であった。１５時間焼成後、Ｐｂは少量しか残っ
ていないが、薄膜のほとんどは高Ｔｃ用であった。
これはＰｂは高Ｔｃ用生成を促進するが、高Ｔｃ用はｐ
ｂを常には必要としないと云うことを示唆する。
本発明方法によりＢ１５ｒＣａＣｕＯ＠に隣接して、Ｂ
ｔ２ｏｚ、 ＰｂＯの熱処理中における蒸発を補償する
ＢｉＪｉ ＪＷ、ｐｂｏ層を積層するとともに、これら
をくり返して積層堆積する方法により得られた薄膜の電
気抵抗の温度依存性は、第２図に示す通りである。 電
気抵抗は温度とともに直線的に減少し、１１０に近傍で
急速に低下する。１０分間焼成後のＴｃｅ値は９４ 、
５にであり、１時間焼成後のＴｃｅ値は１０６゜５にで
ある。１５時間焼成に対し、オンセット温度はわずかに
これより高くなる、しかしＴｃｅ値はほとんど同じであ
ることが判った。
ｔ２ｏｚ、 ＰｂＯの熱処理中における蒸発を補償する
ＢｉＪｉ ＪＷ、ｐｂｏ層を積層するとともに、これら
をくり返して積層堆積する方法により得られた薄膜の電
気抵抗の温度依存性は、第２図に示す通りである。 電
気抵抗は温度とともに直線的に減少し、１１０に近傍で
急速に低下する。１０分間焼成後のＴｃｅ値は９４ 、
５にであり、１時間焼成後のＴｃｅ値は１０６゜５にで
ある。１５時間焼成に対し、オンセット温度はわずかに
これより高くなる、しかしＴｃｅ値はほとんど同じであ
ることが判った。
以上のように、従来の単一焼成ターゲット （ターゲッ
ト組成り１ｚＳｒ２ＣａｚＣｕｚ０２） を用い、ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法で薄膜をＭｇＯ等の基板
上に堆積し、しかる後、所定温度で酸素雰囲気中熱処理
した場合、形成されるｇＪ膜はＢｉが不足して非化学量
論組成となる。又、高Ｔｃ用生成を促進すると云われる
ｐｂをドーピングした、単一焼結ターゲット （ターゲ
ント組成りｊｚＰｂｏ、 ａｓｒｚｃａｚｃｕ３０２）
を用い同様な工程で形成される薄膜はＢｉ分が不足して
非化学量論組成となる。又高Ｔｃ用生成に十分な借のｐ
ｂは堆積されえない。その結果上記従来の、単一ターゲ
ットを用いる単層法で形成されるＩＩ模は多相となり高
Ｔｃ用超伝導体の単相化は達成されない、又高Ｔｃ用は
生成したとしても小量である。
ト組成り１ｚＳｒ２ＣａｚＣｕｚ０２） を用い、ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法で薄膜をＭｇＯ等の基板
上に堆積し、しかる後、所定温度で酸素雰囲気中熱処理
した場合、形成されるｇＪ膜はＢｉが不足して非化学量
論組成となる。又、高Ｔｃ用生成を促進すると云われる
ｐｂをドーピングした、単一焼結ターゲット （ターゲ
ント組成りｊｚＰｂｏ、 ａｓｒｚｃａｚｃｕ３０２）
を用い同様な工程で形成される薄膜はＢｉ分が不足して
非化学量論組成となる。又高Ｔｃ用生成に十分な借のｐ
ｂは堆積されえない。その結果上記従来の、単一ターゲ
ットを用いる単層法で形成されるＩＩ模は多相となり高
Ｔｃ用超伝導体の単相化は達成されない、又高Ｔｃ用は
生成したとしても小量である。
これに対し、本発明の、層状ペロブスカイト構造を存す
る超伝導体を構成する元素を含む複合酸化物層を堆積さ
せる為に用いる焼結クーゲラしくターゲット組成り１ｚ
ＳｒｚＣａｚＣｕ：＋Ｏｚ＋ ＢｉｚＰｂｏ、ａＳｒ
ｚＣａ２ＣｕＪｚ等）、超伝導体を構成する元素の中で
、［１ｉｘＯｉ、ＴｌｚＯｆｆのように、層堆積温度、
あるいは堆積層アニール温度条件で蒸気圧が高く、この
ような処理工程で、蒸発してしまい、超伝導体組成から
不足する成分を補償する、補償層をｌｌｆ積させる為に
用いる補償成分用ターゲット（Ｂｉ２０ｔ、 ＴＩｚＯ
＊等）、及び超伝導体の高Ｔｃ相成分としては必須成分
ではないが、高Ｔｃ用生成を促進する作用を有するが、
層堆積工程あるいは堆積層熱処理工程のｌ畠度条件で茎
発しやすいｐｂｏのような高Ｔｃ用生成促進成分を十分
に供給する層を堆積させる為に用いいる高Ｔｃ用生成促
進成分用ターゲット（ＰｂＯ等）等、複数のターゲット
を用い、基板上に多層に堆積させた後、熱処理アニール
する本発明の多層法により ■ Ｂｉ、 ＴＩ酸成分適切に補償することができ、形
成される超伝導体膜の組成を化学量論組成にすることが
できる。
る超伝導体を構成する元素を含む複合酸化物層を堆積さ
せる為に用いる焼結クーゲラしくターゲット組成り１ｚ
ＳｒｚＣａｚＣｕ：＋Ｏｚ＋ ＢｉｚＰｂｏ、ａＳｒ
ｚＣａ２ＣｕＪｚ等）、超伝導体を構成する元素の中で
、［１ｉｘＯｉ、ＴｌｚＯｆｆのように、層堆積温度、
あるいは堆積層アニール温度条件で蒸気圧が高く、この
ような処理工程で、蒸発してしまい、超伝導体組成から
不足する成分を補償する、補償層をｌｌｆ積させる為に
用いる補償成分用ターゲット（Ｂｉ２０ｔ、 ＴＩｚＯ
＊等）、及び超伝導体の高Ｔｃ相成分としては必須成分
ではないが、高Ｔｃ用生成を促進する作用を有するが、
層堆積工程あるいは堆積層熱処理工程のｌ畠度条件で茎
発しやすいｐｂｏのような高Ｔｃ用生成促進成分を十分
に供給する層を堆積させる為に用いいる高Ｔｃ用生成促
進成分用ターゲット（ＰｂＯ等）等、複数のターゲット
を用い、基板上に多層に堆積させた後、熱処理アニール
する本発明の多層法により ■ Ｂｉ、 ＴＩ酸成分適切に補償することができ、形
成される超伝導体膜の組成を化学量論組成にすることが
できる。
■ ５伝導体の高Ｔｃ用生成を促進するのに十分な量の
ｐｂをドーピングすることができる。
ｐｂをドーピングすることができる。
■ 上記により、形成される薄膜の組成を超伝導体の高
Ｔｃ用の化学量論組成に近ずけることが出来、高Ｔｃ用
生成に促進剤として作用するｐｂを十分ドープすること
が出来るので、極めて短時間の熱処理で、高品質な高Ｔ
ｃ用を呈する超伝導体膜を形成することが出来る。
Ｔｃ用の化学量論組成に近ずけることが出来、高Ｔｃ用
生成に促進剤として作用するｐｂを十分ドープすること
が出来るので、極めて短時間の熱処理で、高品質な高Ｔ
ｃ用を呈する超伝導体膜を形成することが出来る。
以上説明したように本発明によれば、膜堆積中に膜から
蒸発し、欠損し、あるいは十分な添加ができないＢｉ、
Ｐｂ、 ＴＩ等の元素を厳密に組成制御し、高温相が
生成するための組成に正確に合わせることが可能となり
、短時間の焼成でも、十分臨界温度が高く、十分大きな
臨界電流密度を有する層状ペロブスカイト型超伝導膜が
形成できる。
蒸発し、欠損し、あるいは十分な添加ができないＢｉ、
Ｐｂ、 ＴＩ等の元素を厳密に組成制御し、高温相が
生成するための組成に正確に合わせることが可能となり
、短時間の焼成でも、十分臨界温度が高く、十分大きな
臨界電流密度を有する層状ペロブスカイト型超伝導膜が
形成できる。
気抵抗の温度依存性を゛示す図、
第３図は本発明により作製した超伝導体膜の電流密度を
変化させた時の電気抵抗の温度依存性を示す図、 第４図は、従来法による単一Ｂ５ＣＣ０ＩＡ結体ターゲ
ットＩを用いて作製した膜のＸ線回折パターンを示す図
、 第５図は従来法による単一ＰｂドープＢ５ＣＣ０焼結体
ターゲット■を用いて作製した膜のＸ線回折パターンを
示す図、 第６図は従来法による単一ｐｂドープＢ５ＣＣ０焼結体
ターゲット■を用いて作製した膜の電気抵抗の温度依存
性を示す図である。
変化させた時の電気抵抗の温度依存性を示す図、 第４図は、従来法による単一Ｂ５ＣＣ０ＩＡ結体ターゲ
ットＩを用いて作製した膜のＸ線回折パターンを示す図
、 第５図は従来法による単一ＰｂドープＢ５ＣＣ０焼結体
ターゲット■を用いて作製した膜のＸ線回折パターンを
示す図、 第６図は従来法による単一ｐｂドープＢ５ＣＣ０焼結体
ターゲット■を用いて作製した膜の電気抵抗の温度依存
性を示す図である。
第１図は本発明の１実施例における酸化物堆積層の積層
構造を示す断面図、 第２図は本発明により作製した超伝導体膜の電Ｍ（ｄ。 （基狙） 水掻Ｕ月＋：ｌＪろ咲の淳青盾１ ｚｌ目 を糀Ｚ度を変北させに哨力 ′【気枢坑の１願翔Ｕ虻肥 ｌＯθ ２θθ Ｔｅｍｐｅｒｃｌｔｕｒｅ （Ｋ） 本イト日恥１）ｆｉ劣１しなｐｂ甥≦力ロＢ１−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−Ｏａｙ簿膜＊電ｊ’ｌ抵洸０ス４度変」ヒ １０ ２θ ２θ（σｅ９．） Ｈ奏狙仄比 Ｂ１５Ｓｒ：ＣａＺＣＬｊ＝ ０、ｂ３ ： ７．θ０ ： ／、θ７：１、ｄθ 溺（永迭ｌ；よリイ下摂しｉ７Ｈ爽の Ｘ春目性パターン 名ｔ＋目 ｌｏ ２０ ２θ（ｄｅｃｋ、） ３θ ε０ １２０ １６０ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ （Ｋ ） イ疋永悲＋＝、：ｒ９Ｐｂダ療カロしたＢ１−３ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０’＄ｒＦｆｆｊ：、必ＲＥＪｉ’ｈパター
ン４、ＩＪうＩｔはすｐｂ乞ン然刀口したＢ１−３ｒ
−Ｃｌｌ−Ｃｕ−ＯＦｊｆ ＠の１１気↑ｅｓ杭、、；
＝ａ麦化寥５図 第６０
構造を示す断面図、 第２図は本発明により作製した超伝導体膜の電Ｍ（ｄ。 （基狙） 水掻Ｕ月＋：ｌＪろ咲の淳青盾１ ｚｌ目 を糀Ｚ度を変北させに哨力 ′【気枢坑の１願翔Ｕ虻肥 ｌＯθ ２θθ Ｔｅｍｐｅｒｃｌｔｕｒｅ （Ｋ） 本イト日恥１）ｆｉ劣１しなｐｂ甥≦力ロＢ１−３ｒ−
Ｃａ−Ｃｕ−Ｏａｙ簿膜＊電ｊ’ｌ抵洸０ス４度変」ヒ １０ ２θ ２θ（σｅ９．） Ｈ奏狙仄比 Ｂ１５Ｓｒ：ＣａＺＣＬｊ＝ ０、ｂ３ ： ７．θ０ ： ／、θ７：１、ｄθ 溺（永迭ｌ；よリイ下摂しｉ７Ｈ爽の Ｘ春目性パターン 名ｔ＋目 ｌｏ ２０ ２θ（ｄｅｃｋ、） ３θ ε０ １２０ １６０ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ （Ｋ ） イ疋永悲＋＝、：ｒ９Ｐｂダ療カロしたＢ１−３ｒ−Ｃ
ａ−Ｃｕ−０’＄ｒＦｆｆｊ：、必ＲＥＪｉ’ｈパター
ン４、ＩＪうＩｔはすｐｂ乞ン然刀口したＢ１−３ｒ
−Ｃｌｌ−Ｃｕ−ＯＦｊｆ ＠の１１気↑ｅｓ杭、、；
＝ａ麦化寥５図 第６０
Claims (1)
- （１）ペロブスカイト型超伝導膜を堆積する工程におい
て、蒸気圧が８００℃において１０＾−＾４Ｐａ以上と
なる酸化物を高濃度に含有する層を一層以上含むことを
特徴とするペロブスカイト型超伝導膜の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63301637A JP2748457B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 超伝導膜の製造方法 |
| CA002003850A CA2003850C (en) | 1988-11-29 | 1989-11-24 | Process for preparing a perovskite type superconductor film |
| KR1019890017434A KR930008648B1 (ko) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | 페로브스키트형 초전도체막 준비공정 |
| DE68928256T DE68928256T2 (de) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnenschicht des Perovskit-Typs |
| EP89312400A EP0372808B1 (en) | 1988-11-29 | 1989-11-29 | Process for preparing a perovskite type superconductor film |
| US07/565,209 US5141917A (en) | 1988-11-29 | 1990-08-09 | Multilayer deposition method for forming Pb-doped Bi-Sr-Ca-Cu-O Superconducting films |
| US08/378,087 US5585332A (en) | 1988-11-29 | 1995-01-25 | Process for preparing a perovskite Bi-containing superconductor film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63301637A JP2748457B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 超伝導膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149401A true JPH02149401A (ja) | 1990-06-08 |
| JP2748457B2 JP2748457B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17899339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63301637A Expired - Fee Related JP2748457B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 超伝導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748457B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244024A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-14 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0244029A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-14 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0269320A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-08 | Fujikura Ltd | Ｔ１系超電導体の製造方法 |
| JPH0297427A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0297419A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63301637A patent/JP2748457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244024A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-14 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0244029A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-14 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0269320A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-08 | Fujikura Ltd | Ｔ１系超電導体の製造方法 |
| JPH0297427A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH0297419A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748457B2 (ja) | 1998-05-06 |
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