JPH0269681A - 半導体装置の電気的特性測定方法 - Google Patents

半導体装置の電気的特性測定方法

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JPH0269681A
JPH0269681A JP22076788A JP22076788A JPH0269681A JP H0269681 A JPH0269681 A JP H0269681A JP 22076788 A JP22076788 A JP 22076788A JP 22076788 A JP22076788 A JP 22076788A JP H0269681 A JPH0269681 A JP H0269681A
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JP
Japan
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current
semiconductor device
memory
measurement
voltage values
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JP22076788A
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Inventor
Masashi Suzuki
鈴木 昌志
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体装置の電気的特性の測定方法に関し、
特に、半導体装置の静特性等の電気的特性の測定方法に
関する。
[従来の技術] 従来、トランジスタ等の半導体装置の静特性、特に、そ
の特性曲線の歪みやゆれ等を測定する方法としては、カ
ーブトレーサを用いる方法が知られている。この方法は
、半導体装置の静特性をブラウン管面に描かせ、これを
視覚的に認識する方法であって、例えば、特性曲線のゆ
れや歪みを輝線のゆれや歪みの大きさで測定していた。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来の測定方法では半導体装置の静特性の測定
は、測定者が測定条件をボリューム等にて設定し、ブラ
ウン管面を直視し、静特性を求める視覚的測定方式であ
る為、正確な測定値が得られなかった。また、ブラウン
管面直視による疲労で作業能率が低下する欠点があり、
さらに、現在使用されているカーブトレーサーにおいて
は微小電流領域(10nA〜100nA)における正確
な静特性測定が出来ない欠点もあった。
[問題点を解決するための手段] 本発明の測定方法では、まずパーソナルコンピュータ(
以下、パソコンという)等に予め、測定条件、即ち、被
測定半導体装置に対して印加する電流の電流範囲とその
変化幅および測定回数等を設定し、この設定された測定
条件を、定電流電源を制御することのできる装置、例え
ばマイクロコンピュータへ転送する。マイクロコンピュ
ータよりD/Aコンバータを介して定電流電源を制御し
て、階段状に変化する電流値の電流を発生させ、これを
被測定半導体装置に印加する。階段状に変化する電流値
のそれぞれの電流値毎に、電流印加点あるいはその他の
所定個所の電圧値を検出し、次いで、この検出値をA/
Dコンバータによりデジタル変換し、これをマイクロコ
ンピュータ等のメモリにストアする。以上の動作をパソ
コンに設定された測定回数だけ繰返し行う。次に、同−
印加電流値毎にメモリにストアされた複数個の電圧値を
相互に比較し、その差を求め、必要に応じてその結果を
デジタル的に表示する。
[実施例] 次に、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
第1図は、本発明の一実施例を説明するためのブロック
図である。同図において、1は、測定条件を設定するの
に用いるパソコン、2は、インターフェイス8を介し、
パソコン1に設定された測定条件の転送を受けるマイク
ロコンピュータ、10は、マイクロコンピュータ2によ
って、インターフェイス9、D/Aコンバータ3を介し
て制御される定電流電源、11は、定電流電源10の電
流の供給を受ける被測定半導体装14を切替えるリレー
マトリックス、5は、被測定半導体装置4の発生した電
圧値をデジタル値に変換するA/Dコンバータ、12は
、被測定半導体装置の異常発振を検出する発振検出器、
7は、パソコン1に接続されたプリンタ、6は、マイク
ロコンピュータに内蔵されたメモリである。
次に、第2図を参照して、第1図に記載された装置を用
いた測定方法を説明する。まずパソコン1に測定条件を
設定する。測定条件には、印加すべき階段状に変化する
電流の電流値、電流を印加すべき端子、測定項目、測定
回数等が含まれる。
測定条件の一つである゛階段状に変化する電流の電流波
形を第2図(a)に示す。図示された例では最低電流値
が工0、最高電流値がIMでステップ幅がΔI(これは
一定である必要はない)とされている。また、測定回数
は、例えば5回と設定される。パソコン1に設定された
測定条件は、インターフェイス8を介して、マイクロコ
ンピュータ2へ転送され、そのメモリ6に格納される。
マイクロコンピュータ2は、インターフェイス9、D/
Aコンバータ3を介して定電流電源10を制御して、第
2図(a)に示す波形の電流を発生させる。定電流電源
10は、まずIOを発生するが、この電流は、リレーマ
トリックス11を介して、半導体装置4の、測定条件に
より指定された端子に印加される。半導体装置4は、こ
の電流により電圧を発生するので、1示されない電圧計
によってこれを検出する。電圧検出個所は、電流が印加
される個所あるいはその他の指示された個所である。こ
の検出電圧は、A/Dコンバータによってデジタル値に
変換された後、インターフェイス9を介してマイクロコ
ンピュータ2へ伝送され、そのメモリ6に格納される。
次に、定電流電源の電流値は、1ステツプ上昇し、先の
説明と同様の過程を経て、検出電圧がマイクロコンピュ
ータのメモリ6に格納される。以下、同様にして、電流
値を第2図(a)に示すように1ステツプずつ変化させ
ると、それにつれて、検出電圧値も第2図(b)に示す
ように変化する。このステップ状に変化した電圧値のそ
れぞれをデジタル化してメモリ6に格納しておく。なお
、半導体素子の耐圧を測定するのであれば、最大電流値
を予めそれに必要な随に設定しておかなければならない
。第2図(a)に示された電流波形について、測定が完
了したら、同じ測定を測定条件によって設定された回数
、例えば5回繰返し、その測定結果をメモリ6に格納し
ておく。
次に、メモリ6内のデータのうち、同一電流値に関する
出力電圧値を相互に比較する。比較の方法としては、差
の絶対値の最大値を求める、差の絶対値の和を求める、
標準偏差を求める等の方法を採用することができる。こ
の演算を全ての電流値に関して行う。
以上、求められたメモリ内のデータおよびそのデータに
ついての演算結果により、半導体装置の静特性として、
逆方向耐圧、順方向電圧、電流−電圧特性、及びそのゆ
れ、歪み、変曲点、ループの発生等を測定することがで
きる。こNで、良品と不良品との判定を下すのであれば
、出力電圧値あるいはその差が予め定められた設定値内
に入っているか否かを判断すればよい。
次に、第3図を参照して、本発明の他の実施例について
説明する。
第3図は、本発明の測定方法を適用する装置のブロック
図である。この実施例は、測定条件の設定、静特性の測
定方法については、前述の測定方法と同様であるが、こ
の実施例では電流容量の小さい定電流電源13の他に電
流容量の大きな定電流電源14を追加することにより、
前述の実施例では小電流領域の静特性のみしか測定出来
なかったが、この実施例では、大電流領域までの静特性
を測定出来るようになる。
本発明の方法にあっては、測定条件を設定しておけば、
スタートボタンを押すだけで自動的に測定を開始するこ
とができる。さらに、本発明に被測定半導体装置の搬入
、搬出にハンドラーを用いる方法を併用するならば、被
測定半導体装置のカセットからの出し入れを含む全工程
を自動化することができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、従来カーブトレ
ーサで視覚的に把握していた特性曲線のゆれ、歪みその
他の特性を定量的にとらえることができるので、測定値
を正確なものとすることができるほか、作業者の疲労を
かるくすることができる。また、カーブトレーサ等での
測定では、測定項目数が増加すると、測定時間が著しく
増加していたのに対し、本発明によれば、データの演算
によって各種測定項目の値を求めるものであるから、こ
れを短時間で行うことができる。更に、従来の測定方法
は視覚に頼るものであったので自動化が困難であったが
、本発明によれば、ハンドラーの使用により容易に自動
化することができる。
また、本発明によれば、定電流電源のレンジを変えるこ
とにより、微小電流の範囲についても正確に測定するこ
とができる。
3・・・D/Aコンバータ、 4・・・被測定半導体装 置、  5・・・A/Dコンバータ、  6・・・メモ
リ、10.13.14・・・定電流電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 次の(1)〜(6)の段階を具備することを特徴とする
    半導体装置の電気的測定方法。 (1)被測定半導体装置に印加する、階段状に変化する
    電流のそれぞれの電流値およびその階段状に変化する電
    流の被測定半導体装置への印加回数を含む測定条件を設
    定する、 (2)定電流電源を制御して、設定された測定条件を満
    たす段階状に変化する電流を発生させる、(3)段階状
    に変化する電流のそれぞれの電流値毎に、被測定半導体
    装置の所定の個所の電圧値を測定する、 (4)測定した電圧値を記憶装置に格納する、(5)前
    記測定条件で設定された回数だけ、前記(2)から(4
    )までの段階を繰返す、 (6)同一電流値についての検出電圧値を相互に比較し
    、その差を求める。
JP22076788A 1988-09-03 1988-09-03 半導体装置の電気的特性測定方法 Pending JPH0269681A (ja)

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JPH0269681A true JPH0269681A (ja) 1990-03-08

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ID=16756237

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JP (1) JPH0269681A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06300813A (ja) * 1993-04-16 1994-10-28 Sony Tektronix Corp 素子特性測定装置
JP2002311081A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nippon Inter Electronics Corp 半導体素子の特性検査方法
JP2009216595A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Yokogawa Electric Corp 掃引型測定装置

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