JPH0269931A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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Publication number
JPH0269931A
JPH0269931A JP22280888A JP22280888A JPH0269931A JP H0269931 A JPH0269931 A JP H0269931A JP 22280888 A JP22280888 A JP 22280888A JP 22280888 A JP22280888 A JP 22280888A JP H0269931 A JPH0269931 A JP H0269931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
chamber
gas
filter
valve
Prior art date
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Pending
Application number
JP22280888A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshitaka Shiobara
塩原 敏孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH0269931A publication Critical patent/JPH0269931A/ja
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  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造装置は、反応室内に半導体ウェハーを
配設し、ガスボンベから配管を通して反応ガスを反応室
内に導入して反応させ半導体ウェハーに薄膜等を形成さ
せるものである。しかるに、従来の半導体装置の製造装
置の配管には、反応室内にゴミ等が入り込まないように
フィルタを挿入していた。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかし、従来の装置ては、フィルタに留まらず反応室内
に侵入してしまうゴミ等がある。またフィルタは、必ず
目づまりを起こし、交換時期を誤まると大量のゴミ等で
反応室内を汚染してしまうことかある。その結果半導体
装置の製造歩留が低下するという問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、反応室内にガスボンへから配管を通して反応
ガスを導入し反応させ半導体装置を製造する装置におい
て、配管に帯電 除電ユニットを有することを特徴とす
る。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の構成図である。
チャンバー6内に半導体ウェハー(図示せず)を配設し
、ガスポンへ8から反応ガスを配管3を通して導入して
反応させ半導体装置を製造する。本実施例では配管3の
内壁の帯電 除電を行なう帯電除電ユニット1をフィル
タ5とチャンバー6の間に配置している。チャンバー6
にガスポンへ8よりガスが供給されている時は制御部2
により帯電除電ユニット1は、帯電状態にされ排気系弁
4aを閉し、吸気系弁4bを開とし、フィルタ5で取り
除けなかったゴミを帯電除電ユニット1に静電吸着さぜ
る。そして1バツチ毎に制御部2により帯電除電ユニッ
ト1を除電状態にし、排気系弁4aを開、吸気系弁41
〕を閉とし帯電除電ユニッ)〜1に吸着されていたゴミ
を排出させる。この一連の動作を繰り返しチャンバー6
内にゴミが入り込むことを防止する。
第2図は、本発明の第2の実施例の構成図である。本実
施例の第1の実施例と異る点は、真空ポンプ7がチャン
バ−6に直接取付けられ、バイパス管9が設けられてい
るところである。帯電除電ユニッI〜1はチャンバー6
とフィルタ5の中間に設置されている。チャンバ−6に
ガスポ゛ンヘ8よリガスが供給されている間は、制御部
2により帯電除電ユニット1は帯電状態とされ、バイパ
ス弁4cは閉、吸気系弁4bは開となりフィルタ5で取
り除けなかったゴミを帯電除電ユニッl〜1で静電吸着
させる。そして]バッチ毎に、制御部2により帯電除電
ユニットlを除電状態にし、バイパス弁4cは開、吸気
系弁41〕は閉とし、帯電除電ユニット1に吸着されて
いたゴミをチャンバーを通さずにバイパス管9を通して
排出させる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、配管に帯電・除電ユニッ
)・を取付け、帯電と除電を繰り返すことによりフィル
タで除去できなかったゴミ等のチャンバー内侵入を防止
でき、その結果、半導体装置の製造歩留向上に効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第]の実施例の構成図、第2図は本
発明の第2の実施例の構成図である。 1・帯電 除電ユニット、2・・制御部、3・・配管、
4a・・・排気系弁、4b・・・吸気系弁、4C・・バ
イパス弁、5・・・フィルタ、6・・・チャンバー、7
真空ポンプ、8・・・ガスボンベ、9・・バイパス管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  反応室内にガスボンベから配管を通して反応ガスを導
    入し反応させ半導体装置を製造する装置において、配管
    に帯電・除電ユニットを有することを特徴とする半導体
    装置の製造装置。
JP22280888A 1988-09-05 1988-09-05 半導体装置の製造装置 Pending JPH0269931A (ja)

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JP22280888A JPH0269931A (ja) 1988-09-05 1988-09-05 半導体装置の製造装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320916A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Seiko Instr Inc 集塵機能を有す真空装置
WO2019055126A1 (en) * 2017-09-12 2019-03-21 Applied Materials, Inc. TUBULAR ELECTROSTATIC DEVICE

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320916A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Seiko Instr Inc 集塵機能を有す真空装置
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