JPH09320916A

JPH09320916A - 集塵機能を有す真空装置

Info

Publication number: JPH09320916A
Application number: JP8138872A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Adachi; 達哉足立; Toshiaki Fujii; 利昭藤井
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1996-05-31
Filing date: 1996-05-31
Publication date: 1997-12-12

Abstract

(57)【要約】【課題】真空容器に進入する塵を阻止する。また、真
空容器内に存在する塵が舞い上がらないようにすること
によって、ＩＣ製造に有害な塵が製造工程に影響しない
よう廃絶する。【解決手段】大気圧より低い圧力の状態になっている
真空容器の内部圧力を大気圧にする目的でガスを導入す
るリークバルブにおいて、ガスの流入経路に高電圧電源
が接続される第１の電極と、接地電位に接続される第２
の電極を持つことを特徴とするリークバルブ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大気圧より低い圧
力の状態になっている真空容器の内部圧力を大気圧に戻
す目的で真空容器にガスを導入する真空装置及び荷電粒
子照射装置に関する。

【０００２】また、大気圧より低い圧力の状態になって
いる真空容器の底部に集塵器を持つ真空装置及び荷電粒
子照射装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】近年ＩＣの高集積化、微細化に伴い、製
造工程において従来より清浄度の高い製造環境が要求さ
れるようになっている。そのため、ＩＣが形成されるウ
エハーの移動する空間や、ウエハーに各種製造プロセス
を施す製造装置、更に製造工程の状況を確認する検査装
置などの槽内において、ウエハーの表面に微細な塵が付
着しないよう細心の注意が払われている。真空状態を利
用する製造装置として、例えば製造装置ではイオン注入
装置、減圧ＣＶＤ装置、イオンエッチング装置、スパッ
タリング装置、エピタキシャル成長装置などがある。こ
こで、これらを真空装置と言う。また、真空状態を利用
する検査装置では電子顕微鏡、集束イオンビーム装置な
どがある。これらは、真空雰囲気内、或いは低圧力ガス
雰囲気内で、ウエハーに製造プロセスを施す、またはウ
エハーを検査する目的で真空容器が設置されている。

【０００４】真空、或いは低圧力雰囲気である真空容器
内を大気圧に戻すために、ガスを導入するためのリーク
バルブを備えたガス導入用配管が設けられている。リー
クバルブによって真空容器にガスを導入する際、真空容
器の底にわずかではあるかもしれないが堆積している塵
が発生する。例えばウエハーを処理するための所定の位
置に移動するために動作する搬送系から塵が発生する事
が考えられる。ガスの導入によって舞い上がらないよう
にノズルの形状を工夫すること、また、導入するガスに
混入している塵が真空容器に進入しないように、塵を捕
捉するためのフィルターをガス貯蔵容器と真空容器とを
流体的に接続する配管に設置すること、などの対策が施
されている。

【０００５】ガスを貯蔵したガス容器と真空容器との間
に設置されるフィルター１を設けた場合の原理を以下に
述べる。図１に示すように、ガスに混入していて、製造
工程や検査工程で問題となる塵３より小さな穴２をフィ
ルター１に複数設ける。その穴２にガスを通すようにす
ることによってガスに混入している問題となる塵３の真
空容器への進入を阻止することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが従来技術に示
したようなガス導入用配管にフィルター１を設置した場
合、第１の課題として、使用しているうちにフィルター
１の穴２に捕捉された塵３が詰まり、ガスの透過率が低
減するためフィルター１の交換が必要となる。そのた
め、装置の運転率の低下、交換部品を用意するための運
転費用が発生する。そして、今後更にＩＣの高集積化、
微細化が進められた場合、従来より微細な塵が問題とな
るためフィルター１の穴２をさらに小さくする必要があ
る。その小さな穴２を形成するためには製造工程が複雑
となり高価になること、穴２が小さいために短い使用時
間で使用不能になるなどがあげられる。

【０００７】また、別な課題として真空容器の底部に堆
積した塵は、リークバルブのノズル形状を工夫すること
によってガスを導入する際に舞い上がる量が少なくする
ようにしているが、完全になくすことはできない。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１の手段と
して、導入ガスを調整するリークバルブを備え、真空容
器にガス貯蔵容器からガスを導入するガス導入経路とし
ての第１の配管に、高電圧電源を接続する第１の電極
と、接地電位に接続される第２の電極を設け、ガスをそ
の電極の間を通すものである。

【０００９】また、第２の手段として、筒状でガス導入
経路を囲むようにガス導入用の第１の配管の配管の内部
に配置された第２の電極と、第２の電極の中央に配置さ
れた第１の電極とよりなるものである。さらに、第１な
いし第２の電極を有し、真空容器とガス貯蔵容器を接続
する第１の配管において、ガス貯蔵容器とリークバルブ
の間に第１のバルブを、前記第１のバルブとリークバル
ブの間に真空容器の真空排気を行う真空ポンプの間を接
続する第２の配管を設け、その第２の配管に第２のバル
ブを設ける。

【００１０】また、真空容器底部に堆積した塵が舞い上
がらないようにするために、真空容器底部に集塵器を持
つ構成とする。以上の構成において、第１の電極に負極
性の高電圧を印加し、第２の電極を接地電位に接続す
る。このとき、第１の電極表面に微小な突起があると、
コロナ放電が発生し、電極間にコロナイオンが生成され
る。導入されるガスに混入している塵にこのコロナイオ
ンが付着し、塵は負に帯電する。その結果、電極間に形
成されている電界によって塵は第２の電極に吸着され、
ガスに混入している塵が真空容器に進入することがなく
なる。

【００１１】また、第１の電極を細い導線とし、第２の
電極で囲む構成にすると、ガスに混入している塵を負に
帯電させて第２の電極に吸着させるが、このとき、第１
の電極に細い導線を用いることによりコロナ放電が容易
に発生して電極間に生成されるコロナイオンの数が多く
なる。また、第１の配管の管内にあるガスの導入経路を
第２の電極で囲むことにより、ガスに混入している全て
の塵を確実に捕捉することができる。

【００１２】更に、真空状態を保持している真空容器に
ガスを導入する場合、第１のバルブを開放、第２のバル
ブを閉鎖する。第１の電極に負極性の高電圧を印加し、
第２の電極に接地電位を接続し、ガスに混入している塵
を第２の電極で捕捉する。次に、大気状態になっている
真空容器を真空状態にする場合、前記真空ポンプで排気
するが、その時、第１のバルブを閉鎖し、第２のバルブ
を開放する。そして、第１の電極、第２の電極共に接地
電位に接続する。一定時間この状態を保持することによ
り、第２の電極に捕捉されている塵を真空排気と一緒に
除去しクリーンアップする。

【００１３】真空容器底部に集塵器を持つことを特徴と
する構成において、集塵器は、負極性の高電圧を印加す
る第１の電極と、接地電位に接続する第２の電極からな
り、第１の電極を上に、第２の電極を下に真空容器の底
部に設置する。第１の電極には貫通孔を設け、真空容器
内を落下した塵が電極間に入るようにし、このとき、電
極間にコロナイオンを生成し、電極間に存在する塵は第
２の電極に吸着されるようにすることによって、一旦集
塵器内に進入した塵が再び舞い上がることはなくなる。

【００１４】

【実施例】図２に第１の実施例を示す。真空容器１１内
には、試料２１が試料台２１ａに載置されている。真空
容器１１に取り付けられた又は真空容器１１内に配置さ
れた図示しない試料加工用、又は試料検査用装置により
試料は加工又は観察される。所謂、これらは真空装置で
ある。このことは、図３、図４に示した主真空容器２１
もこの真空容器１１と同様に、試料加工用、又は試料検
査用装置が取り付けられている。

【００１５】真空容器１１には、真空容器１１に備えら
れた排気孔１１ａを介して真空ポンプ３０が取り付けら
れており、真空容器１１内は、所定圧力の真空、低圧雰
囲気になるように排気される。また、真空容器１１は、
ガス導入管２０を介してガス貯蔵容器１６に流体的に接
続されている。ガス貯蔵容器１６には、不活性ガス又は
試料２１を加工するのに必要な活性ガスが充填されてい
る。ガス導入管２０には、真空容器１１の内部へガス貯
蔵容器１６内のガスを導入する量を制御するリークバル
ブ１７が備えられている。勿論リークバルブ１７は、真
空容器１１とガス貯蔵容器１６との流体的な接続を完全
に切ることもできるものである。ガス導入管２０の真空
容器１１側先端には、真空容器１１へのガスを吹き出す
ノズル１２が設けられている。

【００１６】ガス導入管２０の内部には、第１の電極１
３が設置されている。第１の電極の外周部分には、第２
の電極１４が設けられている。第１の電極は高電圧電源
１５に接続されており、高負電圧が印加されている。第
２の電極は接地電位に接続されている。高電圧電源１５
は、直流の高電圧を発生するものであり、第１の電極１
３と第２の電極１４との間に直流の高電圧をかけるもの
であり、極性は逆でも効果があり、真空装置等と電気的
に浮遊してても（一方が接地されていなくても）よい。
ただし、前述した実施例のほうが、コロナ放電の発生の
観点から、より効果がよい。このとき、真空容器１１や
ガス導入管２０が導電性材料、例えば鉄やステンレスで
製作されている場合、その電位を接地電位にするのが普
通であるから、第２の電極１４を真空容器１１やガス導
入管２０に電気的に接続した状態で設置することによ
り、第２の電極１４に接続される配線を削除することも
可能である。さらに、第１および第２の電極は、リーク
バルブ１７とガス貯蔵容器１６の間のガス導入管２０内
部に設置されている。ここで、第１及び第２の電極１
３、１４の働きについては、〔課題を解決するための手
段〕の項に記載されているので説明を省略する。

【００１７】リークバルブ１７、高電圧電源１５及び真
空ポンプ３０は、制御系３１により制御される。図３に
第２の実施例を示す。図３に示した装置は、試料２１に
対し所定の処理を施すための主真空容器２２と、主真空
容器２２の真空度を劣化させることなく試料を主真空容
器２２に導入するための予備真空容器２３とからなる真
空装置である。ここに於ける予備真空容器２３は、真空
容器内に塵の発生を防ぐためのもの（本発明の概念）と
しては、図２で示した真空容器１１に相当するものであ
る。主真空容器２２と予備真空容器２３との間には、試
料２１を通過させることができ、かつ密閉もできるゲー
トバルブ３５が備えられている。また、予備真空装置２
３には試料２１を載置している試料台２１ａを外から導
入し、外気とも遮断することのできる図示しない試料導
入用ゲートバルブが備えられている。

【００１８】予備真空容器２３には、図２で示したもの
と同様な構成であるガス導入管２０が取り付けられてい
る。つまりガス導入管２０には、リークバルブ１７と第
１の電極と第２の電極が備えられており、一方の端は、
ガス貯蔵容器１６と流体的に接続されている。第１の電
極１３とガス貯蔵容器１６との間のガス導入管２０には
第１のバルブ２７が設置されている。

【００１９】また、リークバルブ１７と第１及び第２の
電極１３、１４を介さず、第１の電極１３と第１のバル
ブ２７との間のガス導入管２０と予備真空容器２３とを
直接流体的に接続する第２の配管２８が設けられてい
る。また、第２のガス導入管２８には、第２のバルブ２
９が設けられている。更には、真空ポンプ３０が、予備
真空室３０内の雰囲気を排気するため、直接又は第２の
配管２８を介して予備真空室２３に取り付けられてい
る。

【００２０】第２の配管２８は第２のバルブ２９を介し
て予備真空容器の排気を行う真空ポンプ３０に接続され
ている。さらに、リークバルブ１７および第１および第
２のバルブ２７、２９、ゲートバルブ３５の開閉、高圧
電源１５のオン・オフ、真空ポンプ３０、３０のオン・
オフなどを制御する制御系３１からなる。

【００２１】制御系３１は、予備真空容器２３の内部圧
力を大気圧にするために、リークバルブ１７および第１
のバルブ２７を開放してガス貯蔵容器１６に貯蔵されて
いるガスを予備真空容器２３に導入する信号を出力し、
第１の電極１３と第２の電極１４との間に高電圧を印加
するための信号を高電圧電源１５に出力する。予備真空
容器２３の内部圧力を大気圧より低くするためには、制
御系３１は、真空ポンプ３０で排気する信号と、第１の
バルブ２７を閉鎖し、第２のバルブ２９とリークバルブ
１７を開放する信号と、第１の電極１３と第２の電極１
４との間に印加する電圧を解除する信号を高電圧電源１
５に出力する。

【００２２】ゲートバルブ３５が閉じられた状態で、予
備真空容器２３に保管されているウエハーなどの試料２
１を取り出したり、予備真空容器２３に試料２１を導入
するために、予備真空容器２３を真空状態から大気状態
にする場合、予備真空容器２３に取り付けられた真空ポ
ンプ３０をオフにし、高圧電源１５をオンにする信号を
制御部３１から出力する。続いて、第１のバルブ２７お
よびリークバルブ１７を開放することによって予備真空
容器２３にガスを導入する。ガスに混入している塵は、
第２の電極１４に捕捉されるため、予備真空容器２３内
は塵の無い清浄なガスで満たされる。予備真空装置２３
の試料の導入口を開放して試料台２１ａ及び試料２１を
予備真空容器２３より取り出しまたは導入する。このと
き、予備真空容器２３内の圧力が大気圧より高くなった
状態で試料の導入口を開放することによって装置の設置
されている環境において浮遊している塵が試料の導入口
を通過して予備真空室２３内に進入することを防止する
ことができる。

【００２３】次に、試料２１の出し入れ作業が終了し、
予備真空容器２３を再び真空状態に戻す場合、第１のバ
ルブ２７を閉状態にする。リークバルブ１７および第２
のバルブを開放して予備真空容器に取り付けられている
真空ポンプ３０をオンにする。続いて、高圧電源１５を
オフにする。あらかじめ決められた時間この状態を保持
することによって第２の電極１４に吸着していた塵をガ
スと共に排気して第２の電極１４をクリーンアップす
る。

【００２４】次に、リークバルブ１７および第２のバル
ブ２９を閉鎖し、第１のバルブ２７を開放する。これに
よって、第１のバルブ２７からリークバルブ１７にいた
る領域をガス貯蔵容器１６の圧力と同じにし、大気圧よ
り高い圧力状態にして配管部に塵などが進入することを
防止する。ここで、ガス貯蔵容器１６内の圧力が非常に
高い場合は、第１のバルブ２７からリークバルブ１７に
いたる領域が大気圧より高い所定の圧力になったところ
で、第２のバルブ２７を閉じる。

【００２５】ここで、試料２１を加工や検査を行う場合
（試料を導入する場合）予備真空容器２３内を真空ポン
プ３０にて真空に排気し、所定の真空度になってからゲ
ートバルブ３５を開け、試料台２１ａと試料２１を主真
空容器２１の所定位置に移動する。そして、汚れ塵の少
ない雰囲気にて試料の加工や検査・観察が主真空容器２
１にて行われる。

【００２６】図４に予備真空容器２３とそれに取り付け
られた真空ポンプ３０の間に第３のバルブ３２を設けた
例を示す。予備真空容器２３を真空状態にする場合、第
１のバルブ２７を閉鎖し、リークバルブ１７および第２
のバルブ２７を開放し、真空ポンプ３０をオンにする。
そして、高圧電源１５をオフにして第２の電極１４に付
着した塵を除去する過程において、第３のバルブ３２を
閉鎖することにより、リークバルブを通過して排気され
るガスの量を増加させることにより、第２の電極に付着
している塵を確実に除去できるようにすることができ
る。あらかじめ決められた時間を経過した後に第３のバ
ルブ３２を開放することにより予備真空容器２３の雰囲
気を排気することができる。

【００２７】なお、図３および図４の説明で示した手順
をプログラミング化し、制御部に実行させることによ
り、一連の動作を自動的に行わせることができる。ま
た、図３および図４では、主真空容器２２と予備真空容
器２３の排気を行う真空ポンプ３０、３０を独立に用意
したが、新たにバルブと配管を用意することにより１つ
の真空ポンプ３０を用いることによって同じ効果を実現
できることは明らかである。

【００２８】さらに、図３および図４に示した主真空容
器２２において、予備真空容器２３とは別に雰囲気ガス
導入系を持つとき、ここで紹介したリークバルブ１７を
用いることもできる。つまり、図３又は図４に示した実
施例は、主に予備真空容器２３を介して主真空容器に試
料１２を導入する際に、主真空容器２１内を塵の少ない
雰囲気にするためのものである。そして、図３又は図４
に示した実施例の主真空容器２２を、図１の実施例の真
空容器１１と見なして、リークバルブ１７や第１及び第
２の電極１３、１４及び加工用雰囲気ガスを貯蔵したガ
ス貯蔵容器１６を備えた別の（図１に示した）配管を備
えることも更に効果がある。これにより、試料加工の際
に必要な雰囲気ガスを導入するに際しても、塵の少ない
雰囲気用ガスを主真空容器１１に導入することができ
る。

【００２９】図１、図３及び図４に示されている第１の
電極１３と第２の電極１４からなる集塵機構部分、つま
り、第１の電極１３と第２の電極１４を備えている配管
部分のみを交換可能にすることも可能であり、より継続
的に試料２１に塵を排除することができる。

【００３０】図５に、集塵器を底部に持つ真空容器１１
の例を示す。高電圧電源１４の不電圧端子側に接続され
る第１の電極１３は、細線によってなるメッシュ構造と
なっている。接地電位に接続される第２の電極１４は第
１の電極１３と平行に下側に配置されている。真空容器
１１内で発生または、真空容器１１外より進入した塵３
は、真空容器１１内のガスの対流がなくなれば真空容器
１１の底部に沈殿する。このとき、塵３は第１の電極１
３のメッシュを通過し、第２の電極１４に進入する。第
１の電極１３には高圧の直流電圧が印加されているた
め、コロナ放電を繰り返し、表面（第１の電極１３の）
には、負性コロナ４６が発生する。第１の電極１３は細
線よりなるため、負性コロナは十分電極間に存在し、進
入した塵３はコロナ４６により負性に帯電し、第２の電
極１４に吸着される。これによって、一旦、第１及び第
２の電極１３、１４よりなる集塵器に進入した塵は、高
圧電源１５を切らない限り、再び舞い上がることはな
い。

【００３１】以上説明した真空装置として、イオン注入
装置、減圧ＣＶＤ装置、イオンエッチング装置、スパッ
タリング装置、エピタキシャル成長装置、電子顕微鏡、
集束イオンビーム装置などがある。

【００３２】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、真空容器にＩＣ製造に有害な塵が進入することを防
止できる。このとき、特定の大きさの穴を持つフィルタ
ーを用いていないため、捕捉する塵の大きさに制限はな
い。今後、ＩＣ製造で要求される清浄度がより厳しいも
のになっても対応することができる。さらに、捕捉した
塵を自動的に除去することができるため、継続使用して
も性能が劣化することがない。

【００３３】また、真空容器内に進入した塵は真空容器
の底部に設置された集塵器に捕捉され再び舞い上がるこ
とはない。これらの結果、真空容器を用いる製造装置、
検査装置の清浄度を向上し、ＩＣの生産歩留向上に効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来真空容器に用いられていたフィルターの斜
視図を示す。

【図２】本発明の真空容器の一実施例の断面図である。

【図３】本発明の真空容器の他の実施例の断面図であ
る。

【図４】本発明の真空容器の別の実施例の断面図であ
る。

【図５】図５ａは本発明の別の実施例である集塵機の斜
視図であり、図５ｂはその正面図である。

【符号の説明】

１１真空容器１２ノズル１３第１の電極１４第２の電極１５高電圧電源１６ガス貯蔵容器１７リークバルブ２０ガス導入管２１試料２２主真空容器２３予備真空容器２７第１のバルブ２８第２の配管２９第２のバルブ３０真空ポンプ３１制御系３２第３のバルブ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空雰囲気に試料を配置する真空容器
と、前記真空容器に導入するガスを貯蔵するガス貯蔵容
器と、前記真空容器と前記ガス貯蔵容器とを流体的に接
続するガス導入管と、前記ガス導入管に設けられ、前記
ガス貯蔵容器から前記真空容器に導入されるガスの量を
調節するリークバルブと、前記ガス導入管の内部に設け
られた第１の電極と、前記ガス導入管の内部に設けられ
た第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との
間に直流高電圧を印加する高電圧電源と、からなること
を特徴とする集塵機能を有する真空装置。
【請求項２】前記第２の電極は、筒状の形状をしてお
り、前記ガス導入管の軸と平行に配置され、前記第１の
電極は、前記第２の電極の実質的に軸位置に配置されて
いる請求項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項３】前記配管の前記第１の電極と前記第２の
電極を内部に備えている部分が交換可能な構造である請
求項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項４】大気圧より低い圧力の状態を保持する真
空容器と、前記真空容器に備えられた真空ポンプを接続
するための排気孔と、前記真空容器の内部圧力を大気圧
にするためにガスを導入するガス導入管と、前記ガス導
入管に接続され前記真空容器に導入するガスを貯蔵する
ガス貯蔵容器と、前記ガス導入管内部に設けられた第１
の電極と第２の電極と、前記第１と第２の電極との間に
直流高電圧を印加する高電圧電源と、前記ガス導入管の
前記真空容器側と前記第１及び第２の電極との間に設け
られ前記ガス貯蔵容器から前記真空容器に導入されるガ
スの流れを制御するリークバルブと、前記ガス貯蔵容器
と前記リークバルブの間に設けられた第１のバルブと、
前記リークバルブと前記第１のバルブの間と前記真空ポ
ンプに接続された前記排気孔とを接続する第２の配管
と、前記第２の配管に備えられた第２のバルブを持つこ
とを特徴とする集塵機能を有する真空装置。
【請求項５】前記第２の電極が筒状の形状をしてお
り、前記ガス導入管の軸と平行に配置され、前記第１の
電極は、前記第２の電極の実質的に軸位置に配置されて
いる請求項４記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項６】前記高電圧電源は、前記真空容器の内部
圧力を大気圧にするために、前記リークバルブおよび前
記第１のバルブを開放して前記ガス貯蔵容器に貯蔵され
ているガスを前記真空容器に導入する信号を出力し、前
記第１の電極と前記第２の電極との間に高電圧を印加す
る電圧を出力し、前記真空容器の内部圧力を大気圧より
低くするために、前記真空ポンプで排気する信号と、前
記第１のバルブを閉鎖し、前記第２のバルブと前記リー
クバルブを開放する信号と、前記第１の電極と前記第２
の電極との間に印加する電圧を解除する信号を出力する
請求項４記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項７】前記第２の電極が前記ガス導入管の内径
部であるガス導入経路を囲み、前記第１の電極が前記第
２の電極の内側にあることを特徴とする請求項６記載の
集塵機能を有する真空装置。
【請求項８】前記真空装置は荷電粒子照射装置である
請求項４記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項９】前記真空装置は荷電粒子照射装置である
請求項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１０】前記真空装置は集束イオンビーム装置
である請求項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１１】前記真空装置は電子顕微鏡である請求
項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１２】前記真空装置はイオン注入装置である
請求項１記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１３】試料を載置する試料台と、前記試料台
を真空雰囲気にて配置するための真空容器と、前記真空
容器内の底部分に配置され、メッシュ状の第１の電極
と、前記前記真空容器内の底部と前記第１の電極との間
に設けられた第２の電極と、前記第１及び第２の電極に
高直流電圧を印加するための高電圧電源よりなる真空装
置。
【請求項１４】前記真空装置は荷電粒子照射装置であ
る請求項１３記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１５】前記真空装置は集束イオンビーム装置
である請求項１４記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１６】前記真空装置は電子顕微鏡である請求
項１４記載の集塵機能を有する真空装置。
【請求項１７】前記真空装置はイオン注入装置である
請求項１４記載の集塵機能を有する真空装置。