JPH0271631A - 雑音量検出回路 - Google Patents
雑音量検出回路Info
- Publication number
- JPH0271631A JPH0271631A JP22380788A JP22380788A JPH0271631A JP H0271631 A JPH0271631 A JP H0271631A JP 22380788 A JP22380788 A JP 22380788A JP 22380788 A JP22380788 A JP 22380788A JP H0271631 A JPH0271631 A JP H0271631A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noise
- input signal
- voltage
- components
- neighborhood
- Prior art date
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- Pending
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- Noise Elimination (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
例えば、入力信号を識別する識別回路に使用する雑音量
検出回路に関し、 入力信号に雑音が重畳されていても常に最適しきい値電
圧で識別できる様にすることを目的とし、予め定められ
たしきい値電圧ＶＨ＋ＶＤ ＋ＶＬが印加された識別部
分で、入力信号中の該しきい値電圧ＶＨ＋ＶＭ 、ＶＬ
近傍の雑音成分と信号成分とを増幅する識別手段と、・
該識別手段から出力される該しきい値電圧ｖ８近傍の雑
音成分と信号成分とを利用して、該しきい値電圧ＶＭお
よびＶＬ近傍の雑音成分を抽出する雑音成分抽出手段と
、該雑音成分抽出手段の出力を平均化し、差を取って出
力する平均化手段とを有する様に構成する。
検出回路に関し、 入力信号に雑音が重畳されていても常に最適しきい値電
圧で識別できる様にすることを目的とし、予め定められ
たしきい値電圧ＶＨ＋ＶＤ ＋ＶＬが印加された識別部
分で、入力信号中の該しきい値電圧ＶＨ＋ＶＭ 、ＶＬ
近傍の雑音成分と信号成分とを増幅する識別手段と、・
該識別手段から出力される該しきい値電圧ｖ８近傍の雑
音成分と信号成分とを利用して、該しきい値電圧ＶＭお
よびＶＬ近傍の雑音成分を抽出する雑音成分抽出手段と
、該雑音成分抽出手段の出力を平均化し、差を取って出
力する平均化手段とを有する様に構成する。
本発明は例えば、入力信号を識別する識別回路に使用す
る雑音量検出回路に関するものである。
る雑音量検出回路に関するものである。
一般に、伝送路を通って減衰し、劣化した入力信号は信
号の有無が判定できる程度まで増幅された後、定められ
たタイミングでしきい値電圧よりも大きいか、小さいか
を識別して１または０の識別結果を出力している。
号の有無が判定できる程度まで増幅された後、定められ
たタイミングでしきい値電圧よりも大きいか、小さいか
を識別して１または０の識別結果を出力している。
この時、人力信号に雑音が重畳されていても。
最適しきい値電圧で識別できる様にすることが望ましい
、。
、。
第４図は従来の識別回路のブロック図の一例を示す。
図に示す様に、雑音を含む入力信号は低域通過形フィル
タ１２で雑音が除去された後、比較器１１の＋端子に加
えられる。一方、一端子には電圧Ｖを抵抗Ｒ，，Ｒ２で
分圧して生成した固定のしきい値電圧ＶＬｋが加えられ
ている。そこで、入力した信号のレベルとしきい値電圧
ＶＬｋとの大小が比較され。
タ１２で雑音が除去された後、比較器１１の＋端子に加
えられる。一方、一端子には電圧Ｖを抵抗Ｒ，，Ｒ２で
分圧して生成した固定のしきい値電圧ＶＬｋが加えられ
ている。そこで、入力した信号のレベルとしきい値電圧
ＶＬｋとの大小が比較され。
比較結果が出力される。
ここで、入力信号のＨレベル側とＬレベル側に重畳され
る雑音量は第５図に示す様に両者がほぼ等しくなること
は少なく１例えばＨレベル側の方が大きい。
る雑音量は第５図に示す様に両者がほぼ等しくなること
は少なく１例えばＨレベル側の方が大きい。
この為、入力信号に雑音が重畳しない時の比較器の最適
しきい値電圧をＶい、とすると、雑音が重畳する時の最
適しきい値電圧ＶＬｈ！はＶｔｈｌよりも低（なる。ま
た、雑音量は時間や温度と共に変化する為に最適しきい
値電圧も変化する。
しきい値電圧をＶい、とすると、雑音が重畳する時の最
適しきい値電圧ＶＬｈ！はＶｔｈｌよりも低（なる。ま
た、雑音量は時間や温度と共に変化する為に最適しきい
値電圧も変化する。
一方、第４図に示す低域通過形フィルタ１２は遮断周波
数以上の雑音成分を減衰させる為のもので。
数以上の雑音成分を減衰させる為のもので。
雑音量は検出しない。
そこで、上記の様に変化する雑音量に対応してしきい値
電圧を常に最適値に設定して置くことは困難であると云
う問題がある。
電圧を常に最適値に設定して置くことは困難であると云
う問題がある。
本発明は入力信号に雑音が重畳されていても常に最適し
きい値電圧で識別できる様にすることを目的とする。
きい値電圧で識別できる様にすることを目的とする。
〔￥５Ｂを解決する為の手段〕
第１図は本発明の原理ブロック図を示す。
図中、２は予め定められたしきい値電圧ＶＨ，ＶＭ ＋
ＶＬが印加された識別部分で、入力信号中の該しきい値
電圧ＶＨ＋νＭ ＋ＶＬ近傍の雑音成分と信号成分とを
増幅する識別手段で、３は該識別手段から出力される該
しきい値電圧ＶＭ近傍の雑音成分と信号成分とを利用し
て、該しきい値電圧ｖ、ｌ近傍およびＶＬ近傍の雑音成
分を抽出する雑音成分抽出手段である。
ＶＬが印加された識別部分で、入力信号中の該しきい値
電圧ＶＨ＋νＭ ＋ＶＬ近傍の雑音成分と信号成分とを
増幅する識別手段で、３は該識別手段から出力される該
しきい値電圧ＶＭ近傍の雑音成分と信号成分とを利用し
て、該しきい値電圧ｖ、ｌ近傍およびＶＬ近傍の雑音成
分を抽出する雑音成分抽出手段である。
また、４は該雑音成分抽出手段の出力を平均化し、差を
取って出力する平均化手段である。
取って出力する平均化手段である。
本発明はＨレベルおよびＬレベルを持つ入力信号を識別
手段２の中のしきい値電圧ＶＨ＋ＶＭ ＋ＶＬを持つ識
別部分で増幅して、しきい値電圧ＶＨ近傍の信号成分と
雑音成分ｖ０．シきい値電圧ＶＭ付近の信号成分と雑音
成分ｖ２．シきい値ＶＬ近傍の信号成分と雑音成分ＶＭ
を出力する。尚、しきい値電圧ＶＨ，ＶＭ 、ＶＬは入
力信号のＨレベル付近、中央付近、Ｌレベル付近に設定
する。
手段２の中のしきい値電圧ＶＨ＋ＶＭ ＋ＶＬを持つ識
別部分で増幅して、しきい値電圧ＶＨ近傍の信号成分と
雑音成分ｖ０．シきい値電圧ＶＭ付近の信号成分と雑音
成分ｖ２．シきい値ＶＬ近傍の信号成分と雑音成分ＶＭ
を出力する。尚、しきい値電圧ＶＨ，ＶＭ 、ＶＬは入
力信号のＨレベル付近、中央付近、Ｌレベル付近に設定
する。
一方、入力信号に重畳される雑音は第５図に示す様にＨ
レベル側、Ｌレベル側に重畳され、ＨレベルとＬレベル
との中央付近は最小となるので。
レベル側、Ｌレベル側に重畳され、ＨレベルとＬレベル
との中央付近は最小となるので。
識別手段の出力ｖ２は雑音成分が最小な信号成分である
。そこで、雑音成分抽出手段３で上記のｖ２を利用して
ｖｌおよびｖ３の中の信号成分を除去すると。
。そこで、雑音成分抽出手段３で上記のｖ２を利用して
ｖｌおよびｖ３の中の信号成分を除去すると。
しきい値電圧ＶＭ近傍の雑音成分ｖ４．シきい値電圧Ｖ
ｔ近傍の雑音成分ｖ５が得られる。
ｔ近傍の雑音成分ｖ５が得られる。
この２つの雑音成分を平均化手段４で平均化すると、し
きい値電圧ＶＭ近傍の平均化された雑音成分ＶＭと、し
きい値電圧ＶＬ近傍の平均化された雑音成分ｖ７が得ら
れる。
きい値電圧ＶＭ近傍の平均化された雑音成分ＶＭと、し
きい値電圧ＶＬ近傍の平均化された雑音成分ｖ７が得ら
れる。
そこで、ＶＭとＶＭの差を取るとしきい値電圧Ｖ□近傍
としきい値ＶＬ近傍の雑音成分の差、即ち入力信号のＨ
レベル付近とＬレベル付近の雑音差に対応する直流電圧
が得られるので、これを利用して最適しきい値電圧で入
力信号を識別することができる。
としきい値ＶＬ近傍の雑音成分の差、即ち入力信号のＨ
レベル付近とＬレベル付近の雑音差に対応する直流電圧
が得られるので、これを利用して最適しきい値電圧で入
力信号を識別することができる。
第２図は本発明を適用した識別回路のブロック図の一例
、第３図は第２図の動作説明図を示す。
、第３図は第２図の動作説明図を示す。
ここで、第３図中の左側の符号は第２図中の同じ符号の
部分の波形を示す。また、第３図中の右下り斜線はＨレ
ベル側の雑音、左下りの雑音はＬレベル側の雑音を示す
。尚、比較器２１〜２３は識別手段２の構成部分、ＯＲ
ゲー）３１．３２は雑音成分抽出手段３の構成部分、抵
抗Ｒ３１Ｒ４１コンデンサＣは平均化手段４の構成部分
を示す、以下、第３図を参照して第２図の動作を説明す
る。
部分の波形を示す。また、第３図中の右下り斜線はＨレ
ベル側の雑音、左下りの雑音はＬレベル側の雑音を示す
。尚、比較器２１〜２３は識別手段２の構成部分、ＯＲ
ゲー）３１．３２は雑音成分抽出手段３の構成部分、抵
抗Ｒ３１Ｒ４１コンデンサＣは平均化手段４の構成部分
を示す、以下、第３図を参照して第２図の動作を説明す
る。
先ず＋Ｖｌｌ ＋ＶＭ ＋ＶＬはしきい値電圧で、（人
力信号のＨレベル）＞ＶＨ＞ν８〉ν、〉（入力信号の
Ｌレベル）の関係を満足する様に基準電圧発生器５から
比較器２１．２２．２３の一端子に印加する。
力信号のＨレベル）＞ＶＨ＞ν８〉ν、〉（入力信号の
Ｌレベル）の関係を満足する様に基準電圧発生器５から
比較器２１．２２．２３の一端子に印加する。
次に、第３図−■に示す入力信号が比較器２１゜２２、
２３の子端子に入力すると、比較器２１は入力信号中の
ｖＨ近傍成分を、比較器２２は入力信号のＶＷ近傍成分
を、比較器２３はＶＭ近傍成分をそれぞれ増幅して第３
図−■〜■に示す様な出力が得られる。尚、比較器２２
の出力の一部、比較器２３の出力は反転出力となる。
２３の子端子に入力すると、比較器２１は入力信号中の
ｖＨ近傍成分を、比較器２２は入力信号のＶＷ近傍成分
を、比較器２３はＶＭ近傍成分をそれぞれ増幅して第３
図−■〜■に示す様な出力が得られる。尚、比較器２２
の出力の一部、比較器２３の出力は反転出力となる。
そして、ＯＲゲート３１で比較器２１の出力と比較器２
２の反転出力との和を取り、 ＯＲゲート３２で比較器
２２の出力と比較器２３の反転出力との和を取るとＯＲ
ゲート３１．３２の出力に信号分が相殺され＋ＶＨ近傍
。
２の反転出力との和を取り、 ＯＲゲート３２で比較器
２２の出力と比較器２３の反転出力との和を取るとＯＲ
ゲート３１．３２の出力に信号分が相殺され＋ＶＨ近傍
。
Ｖｔ近傍の雑音成分のみが残る（第３図−■、■参照）
。
。
これは、上記の様に比較器２２の出力は入力信号の変化
点のために殆ど信号成分のみで、且つ増幅した信号成分
のレベルが同一となる様に比較器２１〜２３の動作点が
設定されている為である。
点のために殆ど信号成分のみで、且つ増幅した信号成分
のレベルが同一となる様に比較器２１〜２３の動作点が
設定されている為である。
−ＯＲゲー）３１．３２の出力は抵抗Ｒ３＋ Ｒ４＋
コンデンサＣで構成される積分回路で平均化され、差動
増幅器で差が取られてＶＭ近傍＋ＶＬ近傍の雑音成分。
コンデンサＣで構成される積分回路で平均化され、差動
増幅器で差が取られてＶＭ近傍＋ＶＬ近傍の雑音成分。
即ち入力信号のＨレベル側、Ｌレベル側の雑音成分の差
に対応ずにる直流電位差が基準電圧発生器５に加えられ
る（第３図−■、■参照）。
に対応ずにる直流電位差が基準電圧発生器５に加えられ
る（第３図−■、■参照）。
そこで、基準電圧発生器５は入力した直流電位差に対応
する量だけ３つのしきい値電圧をシフトしてこの直流電
位差が０になる様にるが、これは比較器２１〜２３、Ｏ
Ｒゲート、積分回路、差動増幅器６、基準電圧発生器５
が負帰還ループを構成して形成している為である。尚、
識別された結果は比較器２２より出力される（第３図−
〇参照）。
する量だけ３つのしきい値電圧をシフトしてこの直流電
位差が０になる様にるが、これは比較器２１〜２３、Ｏ
Ｒゲート、積分回路、差動増幅器６、基準電圧発生器５
が負帰還ループを構成して形成している為である。尚、
識別された結果は比較器２２より出力される（第３図−
〇参照）。
即ち、入力信号に雑音が重畳されていても常に最適しき
い値電圧で識別できる。
い値電圧で識別できる。
以上詳細に説明した様に本発明によれは入力信号に雑音
が重畳されていても常に最適しきい値電圧で識別できる
と云う効果がある。
が重畳されていても常に最適しきい値電圧で識別できる
と云う効果がある。
第１図は本発明の原理ブロック図、
第２図は本発明を適用した識別回路のブロック図、第３
図は第２図の動作説明図、 第４図は従来例の識別回路のブロック図の一例、苓Ｊ笥
Ｂ月の原理フパＯツフ！ 第 １ 図 シ２ 図
図は第２図の動作説明図、 第４図は従来例の識別回路のブロック図の一例、苓Ｊ笥
Ｂ月の原理フパＯツフ！ 第 １ 図 シ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 予め定められたしきい値電圧Ｖ＿Ｈ、Ｖ＿Ｍ、Ｖ＿Ｌが
印加された識別部分で、入力信号中の該しきい値電圧Ｖ
＿Ｈ、Ｖ＿Ｍ、Ｖ＿Ｌ近傍（入力信号のＨレベル＞Ｖ＿
Ｈ＞Ｖ＿Ｍ＞Ｖ＿Ｌ＞入力信号のＬレベル）の雑音成分
と信号成分とを増幅する識別手段（２）と、該識別手段
から出力される該しきい値電圧Ｖ＿Ｍ近傍の雑音成分と
信号成分とを利用して、該しきい値電圧Ｖ＿ＨおよびＶ
＿Ｌ近傍の雑音成分を抽出する雑音成分抽出手段（３）
と、 該雑音成分抽出手段の出力を平均化し、差を取って出力
する平均化手段（４）とを有することを特徴とする雑音
量検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22380788A JPH0271631A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 雑音量検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22380788A JPH0271631A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 雑音量検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271631A true JPH0271631A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16804029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22380788A Pending JPH0271631A (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 雑音量検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271631A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136997A (en) * | 1989-08-31 | 1992-08-11 | Fujitsu Ten Limited | Idle speed control apparatus for an internal combustion engine |
| US5459353A (en) * | 1991-02-12 | 1995-10-17 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device including interlayer dielectric film layers and conductive film layers |
| US5675186A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Construction that prevents the undercut of interconnect lines in plasma metal etch systems |
| US5759915A (en) * | 1993-11-11 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming semiconductor device having an improved buried electrode formed by selective CVD |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP22380788A patent/JPH0271631A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136997A (en) * | 1989-08-31 | 1992-08-11 | Fujitsu Ten Limited | Idle speed control apparatus for an internal combustion engine |
| US5459353A (en) * | 1991-02-12 | 1995-10-17 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor device including interlayer dielectric film layers and conductive film layers |
| US5759915A (en) * | 1993-11-11 | 1998-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming semiconductor device having an improved buried electrode formed by selective CVD |
| US5675186A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Construction that prevents the undercut of interconnect lines in plasma metal etch systems |
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