JPH027246A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH027246A JPH027246A JP63157595A JP15759588A JPH027246A JP H027246 A JPH027246 A JP H027246A JP 63157595 A JP63157595 A JP 63157595A JP 15759588 A JP15759588 A JP 15759588A JP H027246 A JPH027246 A JP H027246A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl Chemical group 0.000 description 1
- LOPFACFYGZXPRZ-UHFFFAOYSA-N [Si].[As] Chemical class [Si].[As] LOPFACFYGZXPRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分¥f]
この発明は、コンパクトディスク、ビデオディスク、追
記型ディスク、書き換え可能型ディスク等の呼称で利用
される光ディスクの製造方法に関し、記録膜を保護する
誘電体薄膜と透明樹脂基板間の密着性改善に関する。
記型ディスク、書き換え可能型ディスク等の呼称で利用
される光ディスクの製造方法に関し、記録膜を保護する
誘電体薄膜と透明樹脂基板間の密着性改善に関する。
[従来の技1ネi]
光ディスクのなかで光磁気ディスクを例に説明すると、
光磁気ディスクは磁性体の磁気光学的な特性を利用して
情報の記録再生を行う情報記録媒体であり、透明樹脂基
板上にアモルファス合金等の磁性体薄膜を形成した構造
であるが、その磁気光学的な効果を高めるために、第1
図に示すように多Will造とすることが行われている
0例えば図示の光磁気ディスク1は、透明樹脂基板2上
に透明な誘電体薄膜3、磁性体薄膜4、透明な誘電体薄
WA5、および保護樹脂層6が順に成膜されている。従
来はこの種の光磁気ディスクの製造において、透明樹脂
基板2に接する誘電体薄膜3は、何ら処理を施さない成
形したままの透明樹脂基板2の表面にスパッタリング等
により直接形成していた。
光磁気ディスクは磁性体の磁気光学的な特性を利用して
情報の記録再生を行う情報記録媒体であり、透明樹脂基
板上にアモルファス合金等の磁性体薄膜を形成した構造
であるが、その磁気光学的な効果を高めるために、第1
図に示すように多Will造とすることが行われている
0例えば図示の光磁気ディスク1は、透明樹脂基板2上
に透明な誘電体薄膜3、磁性体薄膜4、透明な誘電体薄
WA5、および保護樹脂層6が順に成膜されている。従
来はこの種の光磁気ディスクの製造において、透明樹脂
基板2に接する誘電体薄膜3は、何ら処理を施さない成
形したままの透明樹脂基板2の表面にスパッタリング等
により直接形成していた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、透明樹脂基板2はポリカーボネート等の有機高
分子であり、その上に形成される誘電体薄膜3は窒化ケ
イ素や酸化イツトリウム等の無機セラミックスであるた
め、透明樹脂基板2と誘電体薄膜3との間の密着力は弱
く、剥離が発生し易かった。
分子であり、その上に形成される誘電体薄膜3は窒化ケ
イ素や酸化イツトリウム等の無機セラミックスであるた
め、透明樹脂基板2と誘電体薄膜3との間の密着力は弱
く、剥離が発生し易かった。
本発明は上記従来の欠点を解消するためになされたもの
で、透明IA脂基板と誘電体薄膜との間の密着力が強く
両者間に剥離の生じない光ディスクを得ることができる
光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
で、透明IA脂基板と誘電体薄膜との間の密着力が強く
両者間に剥離の生じない光ディスクを得ることができる
光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決する本発明方法は、透明樹脂基板上にシ
ランカップリング剤を塗布し反応させることによりケイ
素化合物のmVを形成し、その上に前記誘電体Fill
を形成するものである。
ランカップリング剤を塗布し反応させることによりケイ
素化合物のmVを形成し、その上に前記誘電体Fill
を形成するものである。
なお、シランカップリング剤とは、2種以上の官能基を
持つ有機ケイ素化合物を意味し、一般式としては次のよ
うに表される。
持つ有機ケイ素化合物を意味し、一般式としては次のよ
うに表される。
なお、Rはアルキル基、Xは種々の有機官能基である。
[作用]
シランカップリング剤を有機高分子からなる透明樹脂基
板に塗布すると、この透明樹脂基板の表面は後述するよ
うにケイ素と酸素とが結合した網目状分子構造のケイ素
化合物で覆われる。この網目状分子構造のケイ素化合物
はその上に形成される窒化物や酸化物に対して極めて良
好な密着性を持つ。
板に塗布すると、この透明樹脂基板の表面は後述するよ
うにケイ素と酸素とが結合した網目状分子構造のケイ素
化合物で覆われる。この網目状分子構造のケイ素化合物
はその上に形成される窒化物や酸化物に対して極めて良
好な密着性を持つ。
上記の網目状分子構造のケイ素化合物が生成される反応
について述べる。透明樹脂基板の表面には、通常の環境
中にある多くの固体が水を含んでいるのと同様に、通常
わずかではあるが水を含んでいる。したがって、透明樹
脂基板はその表面に水酸基(−0H)を持つ、また、透
明樹脂基板が例えばポリカーボネート系樹脂やポリメチ
ルメタクリレート系樹脂等である場合、通常、この基板
材料の分子の中の割合としてはごく一部分ではあるが、
分解により生じたカルボキシル基(−COoll)が実
際には存在する。
について述べる。透明樹脂基板の表面には、通常の環境
中にある多くの固体が水を含んでいるのと同様に、通常
わずかではあるが水を含んでいる。したがって、透明樹
脂基板はその表面に水酸基(−0H)を持つ、また、透
明樹脂基板が例えばポリカーボネート系樹脂やポリメチ
ルメタクリレート系樹脂等である場合、通常、この基板
材料の分子の中の割合としてはごく一部分ではあるが、
分解により生じたカルボキシル基(−COoll)が実
際には存在する。
一方、上記■で示したtM 造のシランカップリング剤
に水が加えられると、加水分解により下記のごとき水酸
基 (−01−1)を持つ構造のシランカップリング剤
が生じる。
に水が加えられると、加水分解により下記のごとき水酸
基 (−01−1)を持つ構造のシランカップリング剤
が生じる。
したがって、水酸基あるいはカルボキシル基等を持つ透
明樹脂基板表面に上述のシラン力・ンプリング剤を塗布
すると、主として上記シラン力・ンブリング剤の水酸基
が透明樹脂基板の水酸基あるいはカルボキシル基等と反
応し脱水縮合し、さらに、シランカップリング剤どうし
でも脱水縮合が起こり、第2図に示すようなケイ素と酸
素とが結合した網目状構造のケイ素化合物が生成される
。
明樹脂基板表面に上述のシラン力・ンプリング剤を塗布
すると、主として上記シラン力・ンブリング剤の水酸基
が透明樹脂基板の水酸基あるいはカルボキシル基等と反
応し脱水縮合し、さらに、シランカップリング剤どうし
でも脱水縮合が起こり、第2図に示すようなケイ素と酸
素とが結合した網目状構造のケイ素化合物が生成される
。
この網目状分子構造のケイ素fヒ金物が透明樹脂基板表
面を覆い、誘電体薄膜に対する密着力を向上させる。
面を覆い、誘電体薄膜に対する密着力を向上させる。
[実施例]
以下、本発明の詳細な説明する。
第1実施例
ポリカーボネート系樹脂の透明樹脂基板のグループiF
に、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピル)
・リメ1へキシシランの10〜1重址%メタノール17
I液に前ε己N−(2−アミンエチル)−3−アミノプ
ロピルトリメトキシシランのモル旦の6・〜15倍のモ
ル量の水を加えたものをスピンコード法で塗布し、80
℃〜100℃中で5〜30分間熱処理した。その上にス
パッタリングにより窒化ケイ素薄膜(すなわち誘電体薄
膜)を形成した。
に、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピル)
・リメ1へキシシランの10〜1重址%メタノール17
I液に前ε己N−(2−アミンエチル)−3−アミノプ
ロピルトリメトキシシランのモル旦の6・〜15倍のモ
ル量の水を加えたものをスピンコード法で塗布し、80
℃〜100℃中で5〜30分間熱処理した。その上にス
パッタリングにより窒化ケイ素薄膜(すなわち誘電体薄
膜)を形成した。
上記スピンコード法とは、回転する基板の内周部に塗布
液を垂らし、遠心力により塗布液を基板外周側に広げて
基板全体に塗布する方法である。
液を垂らし、遠心力により塗布液を基板外周側に広げて
基板全体に塗布する方法である。
第2実施例
ポリメチルメタクリレート系樹脂による透明樹脂基板の
グループ面に、3−アミノプロピルトリエトキシシラン
の10〜1重景%エタノール溶液に3−アミノプロピル
トリエトキシシラン量の6〜15倍のモル旦の水を加え
たものをスピンコード法で塗布し、80〜100℃中で
5〜30分間熱処理した.その」二にスパッタリングに
よって酸化イツトリウム薄j模(ずなわぢ銹電体薄1模
)を形成した。
グループ面に、3−アミノプロピルトリエトキシシラン
の10〜1重景%エタノール溶液に3−アミノプロピル
トリエトキシシラン量の6〜15倍のモル旦の水を加え
たものをスピンコード法で塗布し、80〜100℃中で
5〜30分間熱処理した.その」二にスパッタリングに
よって酸化イツトリウム薄j模(ずなわぢ銹電体薄1模
)を形成した。
第3実施例
上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中でスピ
ンコード法により塗布した.つまり、別途熱処理する代
わりに熱風中で塗布した。
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中でスピ
ンコード法により塗布した.つまり、別途熱処理する代
わりに熱風中で塗布した。
第4実施例
上記第1および第2実施例ばおいて、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上にスプレーにて塗布し、熱処理し
た。
グ剤を透明樹脂基板上にスプレーにて塗布し、熱処理し
た。
第5実施例
上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100’Cの熱風中でス
プレーにより塗布した。
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100’Cの熱風中でス
プレーにより塗布した。
第6実施例
上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に刷毛にて塗布し、熱処理した。
グ剤を透明樹脂基板上に刷毛にて塗布し、熱処理した。
第7実施例
上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中で刷毛
にて塗布した。
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中で刷毛
にて塗布した。
第8実施例
上記第1〜第7実施例において、透明樹脂基板に低圧水
銀ランプによる紫外線を5〜30分間照射し、その後シ
ランカップリング剤を塗布した。
銀ランプによる紫外線を5〜30分間照射し、その後シ
ランカップリング剤を塗布した。
第9実施例
上記第1〜第7実施例において、シランカップリング剤
を透明樹脂基板上に低圧水銀ランプによ以上の各実施例
方法により透明樹脂基板表面に形成された窒化ケイ素薄
膜あるいは酸化イツトリウム薄膜1について、および従
来方法に従い透明樹脂基板上に直接形成した窒化ケイ素
薄膜あるいは酸化イツトリウムN JB!について、そ
れぞれビールテスト(剥離試験)を行い、本発明各実施
例と従来例との両者を比較した.このビールテストは、
試料表面の1 0 m m X 1 0 m r口の範
囲にナイフで縦横1 m in間隔の格子状のキズをっ
け、その表面にスコッチテープを貼り、次いで引きはが
す試験である。
を透明樹脂基板上に低圧水銀ランプによ以上の各実施例
方法により透明樹脂基板表面に形成された窒化ケイ素薄
膜あるいは酸化イツトリウム薄膜1について、および従
来方法に従い透明樹脂基板上に直接形成した窒化ケイ素
薄膜あるいは酸化イツトリウムN JB!について、そ
れぞれビールテスト(剥離試験)を行い、本発明各実施
例と従来例との両者を比較した.このビールテストは、
試料表面の1 0 m m X 1 0 m r口の範
囲にナイフで縦横1 m in間隔の格子状のキズをっ
け、その表面にスコッチテープを貼り、次いで引きはが
す試験である。
」二足ピールテストの結果について述べると、従来方法
による誘電体薄膜は完全に剥離したのに対し、本発明方
法による誘電体薄膜は、全く剥離が生じない場合がほと
んどであり、ごくわずかの例で、数%程度以下の剥離が
生じた.このように、密着力が向上したことを明確に示
す結果が得られた。
による誘電体薄膜は完全に剥離したのに対し、本発明方
法による誘電体薄膜は、全く剥離が生じない場合がほと
んどであり、ごくわずかの例で、数%程度以下の剥離が
生じた.このように、密着力が向上したことを明確に示
す結果が得られた。
なお、上記の各実施例は光磁気ディスクの製造D)等の
光ディスクの製造にも速用可能である。
光ディスクの製造にも速用可能である。
すなわち、CDの場合、透明樹脂基板のピッl、面に反
射膜としてアルミニウム薄膜等を形成しその上に保護層
を形成するが、アルミニウムの保護のために第3目に示
すように透明樹脂基板12とアルミニウム薄膜14との
間にセラミックスすなわち誘電体薄膜13を形成するこ
とも考えられる。
射膜としてアルミニウム薄膜等を形成しその上に保護層
を形成するが、アルミニウムの保護のために第3目に示
すように透明樹脂基板12とアルミニウム薄膜14との
間にセラミックスすなわち誘電体薄膜13を形成するこ
とも考えられる。
これは、有機高分子である透明樹脂基板は長期間にわた
って外部からの水分や酸素の浸透を完べきに防止するこ
とは通常できないから、これらの浸透によるアルミニウ
ムの腐食を防止するためである。なお、11は光ディス
ク、15は保護層を示す、この場合における誘電体重J
Bi13と透明樹脂基板12との間の密着力を向上させ
るために、上述した本発明を適用することが考えられる
。
って外部からの水分や酸素の浸透を完べきに防止するこ
とは通常できないから、これらの浸透によるアルミニウ
ムの腐食を防止するためである。なお、11は光ディス
ク、15は保護層を示す、この場合における誘電体重J
Bi13と透明樹脂基板12との間の密着力を向上させ
るために、上述した本発明を適用することが考えられる
。
[発明の効果]
上記の通り、透明樹脂基板にシランカップリング剤処理
を施した後に窒化物や酸化物等の誘電体薄膜を形成する
本発明によれば、透明樹脂基板と誘電体r!JJg!と
の密着力が向上し、誘電体薄膜が容易に剥離しない光デ
ィスクを得ることができる。
を施した後に窒化物や酸化物等の誘電体薄膜を形成する
本発明によれば、透明樹脂基板と誘電体r!JJg!と
の密着力が向上し、誘電体薄膜が容易に剥離しない光デ
ィスクを得ることができる。
第1図は一般的な光磁気ディスクの断面構成図、第2図
は綱目状構造のケイ素化合物のtlll造説明[2+、
第3図は光ディスクの断面構成図である。 1・・・光磁気ディスク、2.12・・・透明樹脂基板
、3.13・・・誘電体重nり、11・・・光ディスク
。
は綱目状構造のケイ素化合物のtlll造説明[2+、
第3図は光ディスクの断面構成図である。 1・・・光磁気ディスク、2.12・・・透明樹脂基板
、3.13・・・誘電体重nり、11・・・光ディスク
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、透明樹脂基板上に誘電体薄膜を有する光ディスクの
製造方法において、前記透明樹脂基板上にシランカップ
リング剤を塗布し反応させることによりケイ素化合物の
薄膜を形成し、その上に前記誘電体薄膜を形成すること
を特徴とする光ディスクの製造方法。 2、上記透明樹脂基板としてポリカーボネート系樹脂ま
たはポリメチルメタクリレート系樹脂、若しくはそれら
の共重合体を用い、上記シランカップリング剤としてア
ミノ系シランカップリング剤を用い、前記誘電体薄膜の
材料として窒化物または酸化物を用いることを特徴とす
る請求項1記載の光ディスクの製造方法。 3、上記シランカップリング剤がN−(2−アミノエチ
ル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランを含むも
のであることを特徴とする請求項2記載の光ディスクの
製造方法。4、上記シランカップリング剤がN−(2−
アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの10〜1重量%エタノールまたはメタノール溶液に
前記N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルト
リメトキシシランのモル量の6〜15倍のモル量の水を
加えてかく拌したものであることを特徴とする請求項3
記載の光磁気ディスクの製造方法。 5、上記シランカップリング剤が3−アミノプロピルト
リエトキシシランを含むものであることを特徴とする請
求項2記載の光ディスクの製造方法。 6、上記シランカップリング剤が3−アミノプロピルト
リエトキシシランの10〜1重量%エタノールまたはメ
タノール溶液に前記3−アミノプロピルトリエトキシシ
ランのモル量の6〜15倍のモル量の水を加えてかく拌
したものであることを特徴とする請求項5記載の光ディ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157595A JPH027246A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157595A JPH027246A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027246A true JPH027246A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15653146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63157595A Pending JPH027246A (ja) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242731A (en) * | 1990-03-29 | 1993-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin composition for an optical disc and an optical disc using it |
-
1988
- 1988-06-25 JP JP63157595A patent/JPH027246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242731A (en) * | 1990-03-29 | 1993-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin composition for an optical disc and an optical disc using it |
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