JPH027246A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents

光ディスクの製造方法

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JPH027246A
JPH027246A JP63157595A JP15759588A JPH027246A JP H027246 A JPH027246 A JP H027246A JP 63157595 A JP63157595 A JP 63157595A JP 15759588 A JP15759588 A JP 15759588A JP H027246 A JPH027246 A JP H027246A
Authority
JP
Japan
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resin substrate
transparent resin
silane coupling
coupling agent
thin film
Prior art date
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Pending
Application number
JP63157595A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Kurosawa
黒沢 文夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
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Publication of JPH027246A publication Critical patent/JPH027246A/ja
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分¥f] この発明は、コンパクトディスク、ビデオディスク、追
記型ディスク、書き換え可能型ディスク等の呼称で利用
される光ディスクの製造方法に関し、記録膜を保護する
誘電体薄膜と透明樹脂基板間の密着性改善に関する。
[従来の技1ネi] 光ディスクのなかで光磁気ディスクを例に説明すると、
光磁気ディスクは磁性体の磁気光学的な特性を利用して
情報の記録再生を行う情報記録媒体であり、透明樹脂基
板上にアモルファス合金等の磁性体薄膜を形成した構造
であるが、その磁気光学的な効果を高めるために、第1
図に示すように多Will造とすることが行われている
0例えば図示の光磁気ディスク1は、透明樹脂基板2上
に透明な誘電体薄膜3、磁性体薄膜4、透明な誘電体薄
WA5、および保護樹脂層6が順に成膜されている。従
来はこの種の光磁気ディスクの製造において、透明樹脂
基板2に接する誘電体薄膜3は、何ら処理を施さない成
形したままの透明樹脂基板2の表面にスパッタリング等
により直接形成していた。
[発明が解決しようとする課題] しかし、透明樹脂基板2はポリカーボネート等の有機高
分子であり、その上に形成される誘電体薄膜3は窒化ケ
イ素や酸化イツトリウム等の無機セラミックスであるた
め、透明樹脂基板2と誘電体薄膜3との間の密着力は弱
く、剥離が発生し易かった。
本発明は上記従来の欠点を解消するためになされたもの
で、透明IA脂基板と誘電体薄膜との間の密着力が強く
両者間に剥離の生じない光ディスクを得ることができる
光ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決する本発明方法は、透明樹脂基板上にシ
ランカップリング剤を塗布し反応させることによりケイ
素化合物のmVを形成し、その上に前記誘電体Fill
を形成するものである。
なお、シランカップリング剤とは、2種以上の官能基を
持つ有機ケイ素化合物を意味し、一般式としては次のよ
うに表される。
なお、Rはアルキル基、Xは種々の有機官能基である。
[作用] シランカップリング剤を有機高分子からなる透明樹脂基
板に塗布すると、この透明樹脂基板の表面は後述するよ
うにケイ素と酸素とが結合した網目状分子構造のケイ素
化合物で覆われる。この網目状分子構造のケイ素化合物
はその上に形成される窒化物や酸化物に対して極めて良
好な密着性を持つ。
上記の網目状分子構造のケイ素化合物が生成される反応
について述べる。透明樹脂基板の表面には、通常の環境
中にある多くの固体が水を含んでいるのと同様に、通常
わずかではあるが水を含んでいる。したがって、透明樹
脂基板はその表面に水酸基(−0H)を持つ、また、透
明樹脂基板が例えばポリカーボネート系樹脂やポリメチ
ルメタクリレート系樹脂等である場合、通常、この基板
材料の分子の中の割合としてはごく一部分ではあるが、
分解により生じたカルボキシル基(−COoll)が実
際には存在する。
一方、上記■で示したtM 造のシランカップリング剤
に水が加えられると、加水分解により下記のごとき水酸
基 (−01−1)を持つ構造のシランカップリング剤
が生じる。
したがって、水酸基あるいはカルボキシル基等を持つ透
明樹脂基板表面に上述のシラン力・ンプリング剤を塗布
すると、主として上記シラン力・ンブリング剤の水酸基
が透明樹脂基板の水酸基あるいはカルボキシル基等と反
応し脱水縮合し、さらに、シランカップリング剤どうし
でも脱水縮合が起こり、第2図に示すようなケイ素と酸
素とが結合した網目状構造のケイ素化合物が生成される
この網目状分子構造のケイ素fヒ金物が透明樹脂基板表
面を覆い、誘電体薄膜に対する密着力を向上させる。
[実施例] 以下、本発明の詳細な説明する。
第1実施例 ポリカーボネート系樹脂の透明樹脂基板のグループiF
に、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピル)
・リメ1へキシシランの10〜1重址%メタノール17
I液に前ε己N−(2−アミンエチル)−3−アミノプ
ロピルトリメトキシシランのモル旦の6・〜15倍のモ
ル量の水を加えたものをスピンコード法で塗布し、80
℃〜100℃中で5〜30分間熱処理した。その上にス
パッタリングにより窒化ケイ素薄膜(すなわち誘電体薄
膜)を形成した。
上記スピンコード法とは、回転する基板の内周部に塗布
液を垂らし、遠心力により塗布液を基板外周側に広げて
基板全体に塗布する方法である。
第2実施例 ポリメチルメタクリレート系樹脂による透明樹脂基板の
グループ面に、3−アミノプロピルトリエトキシシラン
の10〜1重景%エタノール溶液に3−アミノプロピル
トリエトキシシラン量の6〜15倍のモル旦の水を加え
たものをスピンコード法で塗布し、80〜100℃中で
5〜30分間熱処理した.その」二にスパッタリングに
よって酸化イツトリウム薄j模(ずなわぢ銹電体薄1模
)を形成した。
第3実施例 上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中でスピ
ンコード法により塗布した.つまり、別途熱処理する代
わりに熱風中で塗布した。
第4実施例 上記第1および第2実施例ばおいて、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上にスプレーにて塗布し、熱処理し
た。
第5実施例 上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100’Cの熱風中でス
プレーにより塗布した。
第6実施例 上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に刷毛にて塗布し、熱処理した。
第7実施例 上記第1および第2実施例において、シランカップリン
グ剤を透明樹脂基板上に80〜100℃の熱風中で刷毛
にて塗布した。
第8実施例 上記第1〜第7実施例において、透明樹脂基板に低圧水
銀ランプによる紫外線を5〜30分間照射し、その後シ
ランカップリング剤を塗布した。
第9実施例 上記第1〜第7実施例において、シランカップリング剤
を透明樹脂基板上に低圧水銀ランプによ以上の各実施例
方法により透明樹脂基板表面に形成された窒化ケイ素薄
膜あるいは酸化イツトリウム薄膜1について、および従
来方法に従い透明樹脂基板上に直接形成した窒化ケイ素
薄膜あるいは酸化イツトリウムN JB!について、そ
れぞれビールテスト(剥離試験)を行い、本発明各実施
例と従来例との両者を比較した.このビールテストは、
試料表面の1 0 m m X 1 0 m r口の範
囲にナイフで縦横1 m in間隔の格子状のキズをっ
け、その表面にスコッチテープを貼り、次いで引きはが
す試験である。
」二足ピールテストの結果について述べると、従来方法
による誘電体薄膜は完全に剥離したのに対し、本発明方
法による誘電体薄膜は、全く剥離が生じない場合がほと
んどであり、ごくわずかの例で、数%程度以下の剥離が
生じた.このように、密着力が向上したことを明確に示
す結果が得られた。
なお、上記の各実施例は光磁気ディスクの製造D)等の
光ディスクの製造にも速用可能である。
すなわち、CDの場合、透明樹脂基板のピッl、面に反
射膜としてアルミニウム薄膜等を形成しその上に保護層
を形成するが、アルミニウムの保護のために第3目に示
すように透明樹脂基板12とアルミニウム薄膜14との
間にセラミックスすなわち誘電体薄膜13を形成するこ
とも考えられる。
これは、有機高分子である透明樹脂基板は長期間にわた
って外部からの水分や酸素の浸透を完べきに防止するこ
とは通常できないから、これらの浸透によるアルミニウ
ムの腐食を防止するためである。なお、11は光ディス
ク、15は保護層を示す、この場合における誘電体重J
Bi13と透明樹脂基板12との間の密着力を向上させ
るために、上述した本発明を適用することが考えられる
[発明の効果] 上記の通り、透明樹脂基板にシランカップリング剤処理
を施した後に窒化物や酸化物等の誘電体薄膜を形成する
本発明によれば、透明樹脂基板と誘電体r!JJg!と
の密着力が向上し、誘電体薄膜が容易に剥離しない光デ
ィスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的な光磁気ディスクの断面構成図、第2図
は綱目状構造のケイ素化合物のtlll造説明[2+、
第3図は光ディスクの断面構成図である。 1・・・光磁気ディスク、2.12・・・透明樹脂基板
、3.13・・・誘電体重nり、11・・・光ディスク

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、透明樹脂基板上に誘電体薄膜を有する光ディスクの
    製造方法において、前記透明樹脂基板上にシランカップ
    リング剤を塗布し反応させることによりケイ素化合物の
    薄膜を形成し、その上に前記誘電体薄膜を形成すること
    を特徴とする光ディスクの製造方法。 2、上記透明樹脂基板としてポリカーボネート系樹脂ま
    たはポリメチルメタクリレート系樹脂、若しくはそれら
    の共重合体を用い、上記シランカップリング剤としてア
    ミノ系シランカップリング剤を用い、前記誘電体薄膜の
    材料として窒化物または酸化物を用いることを特徴とす
    る請求項1記載の光ディスクの製造方法。 3、上記シランカップリング剤がN−(2−アミノエチ
    ル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランを含むも
    のであることを特徴とする請求項2記載の光ディスクの
    製造方法。4、上記シランカップリング剤がN−(2−
    アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラ
    ンの10〜1重量%エタノールまたはメタノール溶液に
    前記N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルト
    リメトキシシランのモル量の6〜15倍のモル量の水を
    加えてかく拌したものであることを特徴とする請求項3
    記載の光磁気ディスクの製造方法。 5、上記シランカップリング剤が3−アミノプロピルト
    リエトキシシランを含むものであることを特徴とする請
    求項2記載の光ディスクの製造方法。 6、上記シランカップリング剤が3−アミノプロピルト
    リエトキシシランの10〜1重量%エタノールまたはメ
    タノール溶液に前記3−アミノプロピルトリエトキシシ
    ランのモル量の6〜15倍のモル量の水を加えてかく拌
    したものであることを特徴とする請求項5記載の光ディ
    スクの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242731A (en) * 1990-03-29 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin composition for an optical disc and an optical disc using it

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242731A (en) * 1990-03-29 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin composition for an optical disc and an optical disc using it

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