JPH0272549A - 表示装置の反射帯電防止膜および陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、表示装置の反射帯電防止膜および内面に蛍
光体スクリーンが形成されたガラスバルブの外表面に反
射帯電防止膜が形成された陰極線管に関する。

（従来の技術） 陰極線管の蛍光体スクリーンに高圧を印加するとき、過
渡的にこの蛍光体スクリーンに対向するガラスバルブの
外表面が帯電する。この帯電を防止するために、その外
表面に透明導電膜からなる帯電防止膜を形成した陰極線
管があることは既知である。また、その透明導電膜材料
として、ＳｎＯ□やｓｂをドープしたＳｎＯ，（ＳｎＯ
，：　Ｓｂ）、あるいはＩｎ２Ｏ３やＳｎをドープした
Ｉｎ２Ｏ，（Ｉｎ２Ｏ３：　Ｓｎ）　（ＩＴＯ）などが
あることは古くから知られている。

しかし、これら透明導電膜材料は、屈折率が約２．０と
高いため、　これを屈折率が約１．５２であるガラス面
上に形成すると、正反射率が増大する。

第８図および第９図は、その正反射率の増大を説明する
ために示した図面であり、第８図（ａ）乃至（ｈ）の曲
線のおよび■は、それぞれ透明導電膜ＳｎＯ２について
、その膜厚ｄを変化させたときの入射角Ｏ°および３０
°の平面波入射光（入射角３０゜の場合はＳ波とｐ波の
平均値）の反射スペクトルＲ（λ）を計算で求めたもの
であり、第９図の曲線■は、第８図の垂直入射（入射角
０”）の反射スペクトルＲ（λ）から下記０式で求めら
れる視感正反射率ＲＪｕ１ｍを膜厚ｄの関数として表し
たものであり、この曲線■上の点（ａ）〜（ｈ）は、膜
厚ｄに関し第８図の（ａ）乃至（ｈ）図に対応している
。

」２．。　　　　　Ｊ３１゜ ただしｉ（λ）は標準比視感度 λは波長（単位：　ｎｍ） この第９図の曲線■かられかるように視感正反射率ＲＪ
ｕ１１は。

ｎｄ　＝　園λ／２ ・・・■ ただしｎは屈折率（Ｓｎｏｗの場合ｎ＝２．０）ｍは正
の整数（ｍ＝ｔ＋ｚｔ３ｔ”’）のとき極小値となるが
、その値は、ガラス面のみ（ｄ　＝　Ｏ）の場合のＲｊ
ｕｍ＝４．３％より高く、反射特性は必ず劣化する。

この反射特性の劣化を解決する手段として、特開昭４９
−７４８７９号公報、特公昭５３−２８２１４号公報、
実開昭６１−３８１号公報、特開昭６０−１６８１０２
号公報、特開昭６０−１６８８９９号公報などには、多
層反射防止膜の少なくとも一層にＩｎ、０３やＩＴＯな
どの透明導電膜を用いて、反射防止と帯電防止を両立さ
せたものが示されている。これらの各公報の開示技術の
共通点は、いずれも真空蒸着やスパッタリングで平滑膜
を成膜し、干渉効果のみによって反射防止を実現させて
いること、また、透明導電膜の膜厚は。

ｎｄ　＝　ａλ／４ ・・・■ を基調としており、膜厚ｄが数百Å以上と厚いことであ
る。

これらのなかで、特に実開昭６１−３８１号公報の開示
技術について述べると、この公報では、第１０図に示す
ように、透明プラスチック基板四の一方の面に反応性マ
グネトロンスパッタリング法によって、厚さ１２００人
（ｎｄｙ議λ／２）の透明導電膜■（ＩＴＯ）を成膜し
、　その上に同様の方法により厚さ７５０人（ｎ’　ｄ
　ｃｗ　鵬λ／４）のＳｉｎ、層■を形成している。

この場合、ＩＴＯの抵抗率ρは約１０″″１Ω１である
ので、透明導電膜■の表面抵抗ｒは、 ｒ＝１０”　〜１０”Ω／ｄ となり、十分な導電性をもつ、また１反射率についても
透明導電膜■およびＳｉＯ□層（へ）の膜厚を適正に制
御すれば−ＲＪＩＩＩＩ＜　１％と十分な反射防止特性
を示すことが予測できる。しかし、一般的にこのような
多層平滑膜は干渉色を生ずるという問題がある。すなわ
ちこの第１０図示の膜構造では、膜厚が最適のときの反
射色は青色であるが、たとえばＳｉｎ、層（へ）の膜厚
がわずか１００人程度薄くなっただけでも、反射色はマ
ゼンダ乃至赤色へと大きく変化する。したがって、膜厚
制御が不十分であると。

表示面の各部で反射色が相違したり１表示装置ごとに反
射色が異なるなどの問題を生ずる。そのため、このよう
な多層平滑膜を用いる場合は、真空蒸着やスパッタリン
グなどの高精度の膜厚制御が可能な方法でおこなわれな
ければならず、製造能率の低下や製造コストの高騰をま
ねくことになる。

比較的低いコストで同様の透明導電膜を形成する例が特
開昭５９−１６８９５１号公報に示されている。

これは、真空蒸着のほかにデイツプ法でも第１０図示の
構造と類似構造の透明導電膜が得られ、膜厚を２００〜
１０００人に抑えることによって、干渉色を制御できる
としている。しかし、膜厚を薄くしても、デイツプ法の
ような簡便な成膜法で膜厚を制御しながら二層平滑層の
干渉色を抑制することは容易でなく、実際上はとんど不
可能に近い。

また、透明導電膜の膜厚をｎｄ＝ｍλ／４より薄くして
、干渉色のばらつきを軽減しようとする技術がある０例
えば特開昭５９−９０８０１号公報には、反射防止多層
膜上にｎｄ＝１０〜３００人のＩＴＯ膜を蒸着すること
により、反射特性を損なうことなく導電性を付与できる
ことが示されている。しかし、この場合も、下層の反射
防止多層膜は、良好な反射率や反射色特性を得るために
は、真空蒸着やスパッタリングなどで形成する必要があ
り、コスト高となる。

上述の各方法は１反射防止特性を干渉効果のみにより得
ようとするものであるが、このほかに、反射防止手段と
しては１表示面に凹凸を設けて、拡散効果により反射像
をぼかす方法がある。しかし、　このように単純に凹凸
面上にＳｎＯ，やＩＴＯなどの透明導電膜を形成すると
いう容易に考えられる方法には限界がある。

すなわち、凹凸面によって反射を抑制する場合は、相当
する平滑面の視感正反射率が５．５％を越えるときは、
極端な凹凸をつける必要があり、結果的に表示画面の解
像度を劣化させるなどの問題をおこす、そのため、透明
導電膜の膜厚ｄは、第９図より、 ｎｄｘ　１１λ／２（第９図の点（ｆ））または。

４６１００人（第９図の点（ｂ）） とせざるを得なくなる。ｎｄｗｍ　Ｌ　／　２の場合は
、平滑面の場合と同様に膜厚制御のため、コストのがか
る成膜法が必要となる。また、４６１００人の場合は、
導電膜が島構造となりやすく、良好な導電性をもつ透明
導電膜とすることがむつかしい。

また、高屈折率の導電膜を用いずに、凹凸面に導電性を
付与する方法がある。たとえば特開昭６２−３７８５０
号公報には、凹凸面上に５ｉＣｊｔ、やアルキルシケー
ト類のアルコール溶液を、デイツプ、ロールコート、ス
ピナーコートなどの方法により平滑に塗布したのち、常
温で自然乾燥する方法が示されている。しかし、この導
電膜は、　Ｓｉｎ、内に存在するシラノール基（−３Ｌ
・・・０１１）の吸湿性に基づく導電機構を利用してい
るため、導電性能に湿度依存性があったり、あるいはシ
ラノール基が湿度環境に対して不安定であるなどの問題
がある。

また、実公昭４９−２４２１１号公報には、第１１図に
示すように、ブラウン管のガラスバルブのフェースプレ
ート■の外表面に透明導電膜■を形成し。

この透明導電膜■上にアルカリけい酸塩の保護被膜（ハ
）を形成したものが示されている。この透明導電膜■は
スプレィなどで形成され、その上に、たとえばＳｉｎ、
　／　Ｋ、　０のモル比が３．４の１０％アルカリけい
酸塩水溶液をノズル内径０．４ｍｍ　のスプレィガンに
よりスプレィして保護被膜０を形成し、被膜形成後、約
４５０℃の温度で３０分熱処理して固化したものである
。

この例では、成膜法としてスプレィ法を採用しているの
で、膜表面は、平滑でなく、ある程度の凹凸面をもった
反射防止膜となることが予測され、しかも、比較的低コ
ストで反射帯電防止膜が得られる可能性がある。しかし
、この方法は、アルカリけい酸塩水溶液を使用し、かつ
その溶液粘度が比較的高いことから、スプレィ方法を如
何に工夫しても、解像度などの光学特性を良好にする微
細凹凸膜とすることが容易でない、また、アルカリを含
むＳｉｎ、の屈折率は、一般に５ｉｎ３のみの屈折率（
約１．４６）よりも高いので、二層構造による反射防止
効果を軽減する。さらに、スプレィ法で膜厚２００人前
後の透明導電膜■を形成することは不可能に近い。

（発明が解決しようとする課題） 上記のように、従来より反射帯電防止膜の反射防止特性
を干渉効果のみにより得ようとしたもの、および凹凸面
とすることにより反射を抑制するようにしたものとがあ
る。しかし、いずれの反射帯電防止膜も反射率が低く、
したがって、反射干渉色を生ぜず、解像度の劣化が少な
く、かつ耐湿性のよい反射帯電防止膜を容易に低コスト
で得ることが困難である。

特に凹凸面によって反射を抑制するものとして、透明導
電膜上にアルカリけい酸塩の保護被膜を形成したものが
あるが、この保護被膜は、比較的粘度の高いアルカリけ
い酸塩水溶液をスプレィして形成するものであるため、
そのスプレィ方法を如何に工夫しても、解像度などの光
学特性を良好にする微細凹凸構造とすることかむつがし
い、また。

アルカリを含むＳｉｎ、の屈折率は、一般に５ｉＯｚ　
（石英ガラス）のみの屈折率よりも高いことから、二層
構造による反射防止効果を軽減する。さらに、スプレィ
法で膜厚２００人前後の透明導電膜を形成することがほ
とんど不可能であるなどの問題がある。

この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
従来の反射帯電防止膜の問題点を解決して５反射防止特
性と帯電防止特性の双方を実用上満足する凹凸膜からな
る表示装置の反射帯電防止膜を得ること、およびかかる
反射帯電防止膜を形成された陰極線管を得ることを目的
とする。

〔発明の構成〕

（１１１題を解決するための手段） 表示装置の反射帯電防止膜にお・いて、その表示面のガ
ラス基体の外表面にＳｎＯ□またはＩｎ、０．を主成分
とする膜厚１００〜２５０人の透明導電膜を形成し、こ
の透明導電膜上に５ｉｎｓを主成分とする微細凹凸膜を
形成して反射帯電防止膜とした。

また、特に内面に蛍光体スクリーンが形成された陰極線
管のガラスバルブの外表面にその反射帯電防止膜を形成
したものである。

（作用） 上記のように、反射帯電防止膜をＳｎＯ，またはＩｒ＋
、　ｏ、を主成分とする膜厚１００〜２５０人の透明導
電膜と、その上に形成されたＳｉＯ□を主成分とする微
細凹凸膜とから構成すると、上記膜厚の透明導電膜は、
干渉により反射率が激しく変化する。したがって、その
上にＳｉＯ２を主成分とする平滑膜を形成するときは、
その透明導電膜の膜厚を高精度に制御することが必要で
あるが、このＳｉＯ□を主成分とする微細凹凸膜を形成
すると、その膜厚がランダムとなることから、その凹凸
膜の平均化作用によって、高精度の膜厚制御をおこなわ
ないでも。

実用上満足できる反射防止特性と帯電防止特性とを備え
る反射１ｆｉ電防止膜とすることができる。

（実施例） 以下１図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。

第１図にこの発明の一実施例である表示装置の反射帯電
防止膜を示す、この反射帯電防止膜は。

表示装置の表示面であるガラス基板（１０）上に、たと
えばＣＶＤ　（Ｃｈａ＋ａｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜したＳｎＯ，、ＳｎＯ
，：　Ｓｂ、　Ｉｎ２０＝またはＩＴＯを主成分とする
透明導電膜（１１）と、この透明導電膜（１１）上に５
Ｌ（ＯＲ）４（けい素のアルコレート）（Ｒはアルキル
基）またはその多量体を主成分とするアルコール溶液を
スプレィし、その後、約２００℃で焼成して得られたＳ
ｉＯ２を主成分とする微細な凹凸膜（１２）とからなる
二層構造に形成されている。

上記透明導電膜（１１）の膜厚ｄ２は、所望の反射特性
および導電特性を確保するために、　１００〜２００人
と比較的薄く抑えである。また、凹凸膜（１２）の膜厚
ｄ１は、平均膜厚ｄ工＾Ｖで１０００人程度であり、そ
の凹凸ピッチＰは１５〜２０１ｍ、凹凸高さは、表面粗
さＲＺで０．５μｓ程度である。

なお、上記透明導電膜（１１）の成膜は、　　ＣＶＤ法
のほか、加水分解法（ゾル−ゲル法）や真空蒸着法でも
おこなうことができる。

この反射帯電防止膜は、上層のＳｉＯ□を主成分とする
凹凸膜（１２）の屈折率ｎ□が約１．４６と純粋のＳｉ
Ｏ□に近く、下層のＳｎＯ□を主成分とする透明導電膜
（１１）（屈折率ｎ２が約２．０）とともに二層の反射
防止膜を形成して、干渉効果により反射率を低減すると
ともに、　５ｉｎ２膜の凹凸構造による拡散効果によっ
て反射像をぼかす作用効果をもつ。

この反射帯電防止膜の作用効果をさらに詳しく説明する
と下記のとおりである。

第３図の曲線（１４）および（１５）は、それぞれガラ
ス基板（屈折率ｎ、１．５２）上に５ｎｏ２（屈折率ｎ
、２．０）およびＳｉｎ、　（屈折率ｎ、１．４６）か
らなる二層平滑膜を形成し、そのＳｎＯ２の膜厚ｄ２を
２００人とし、　　ＳｉＯ□の膜厚ｄ１を変化させたと
きの入射角０″および３０’の平面波入射光の反射スペ
クトルＲ（λ）の計算値を示したものであり、（ａ）は
Ｓｕｎ、膜がない場合（膜厚ｄ、＝＝Ｏ）、（ｂ）乃至
（ｄ）はガラス基板上にＳｎＯ，を下層、　ＳｉＯ２を
上層にして二層平滑膜（ガラス／ＳｎＯ□／　ＳｉＯ□
構造）を形成した場合、（ｅ）乃至（ｇ）はガラス基板
上にＳｉＯ２を下層、　ＳｎＯ２を上層にして二層平滑
膜（ガラス／ＳｉＯ□／　Ｓ　ｎ　Ｏｚ構造）を形成し
た場合である。上記第１図に示した反射帯電防止膜は、
上記ＳｉＯ２を上層とする（ｂ）乃至（ｄ）の膜構造に
対応する。第４図は、第３図の垂直入射（入射角０°）
の反射スペクトルＲ（λ）から前記■式により求めた視
感正反射率Ｒｊｕｌｌをｄ、の関数として示したもので
あり、曲Ｍ（１６）はガラス／　Ｓ　ｎ　０２　／　Ｓ
　ｘ　Ｏ＠構造の視感正反射率ＲＪｕ１１を、また１曲
線（１７）はガラス／　Ｓ　ｉＯｚ　／　Ｓ　ｎ　Ｏ□
膜構造視感正反射率ＲＪｕｌｌを示している。なお、各
曲線（１６）、　（１７）上の点（ａ）〜（ｇ）は、膜
厚ｄ１に関して第３図（ａ）〜（ｇ）図に対応している
。

この第４図の曲線（１７）かられかるように、ガラス／
　Ｓｕｎ、　／　ＳｎＯ，構造の視感正反射率ＲＪｕｌ
ｌは、常にガラス基板の反射率（約４．３％）より高く
、同図面中に直線（１７ａ）で示したように平均的にも
ＲｊｕｍＡＶ＝７．６％であり、反射特性が悪いことが
わかる。

これに対し、ガラス／ＳｎＯ，／Ｓｉｎ、構造の視感正
反射率Ｒは−ＲＪｕｍ＝０．６〜９．６％と干渉による
反射率の変化が激しく、たとえば膜厚ｄ１を点（ｃ）で
示した１２００人とすると、ＲＪＬＩヨ＝０．６％とな
り、　前記第１θ図に示した膜構造の反射防止特性に類
似した特性を示す、したがって、所要の反射防止膜とす
るためには、高精度の膜厚制御が必要となる。しかし、
第１図に示した反射帯電防止膜のように表面積のＳｉｎ
、膜を微細な凹凸膜（２１）とし、その膜厚ｄ０をラン
ダムとすると、その凹凸膜（１２）の平均化作用により
高精度の膜厚制御が不必要となる。この場合、平均的な
反射率ＲＪｕｍＡＶは、直線（１６ａ）で示したように
５．１％となり、　ガラス基板のそれよりもやや高い値
となるが、凹凸膜（１２）の拡散効果により実用的に必
要とする反射防止特性ＲＪｕｍ＜５．５％を満足するも
のとなる。

第５図の各曲線（１８ａ）　〜（１８ｄ）は、ガラス／
ＳｎＯ□／５ｉｏｔ構造について、　ＳｎＯ□膜の膜厚
ｄ２をパラメーターとして、ｄｉ　＝　０　、１００人
、２００人、３００人の場合の視感正反射率ＲＪ工をＳ
ｉｎ、の膜厚ｄ１の関数として求めたものである。また
、第６図（ａ）および（ｂ）の各曲線（１９ａ）　〜（
１９ｄ）および（２０ａ）　〜（２０ｄ）は、それぞれ
同じくガラス／ＳｎＯ，／ＳｉＯ□構造について、反射
色（Ｘ＊ｙ）のｄ１依存性を求めたものである。

上記第５図かられかるようにガラス／ＳｎＯ，／ＳｉＯ
□構造の膜は、　ＳｎＯ□膜の膜厚ｄ２の増加にともな
い、干渉効果が急激に増大して反射率が増加する。また
、第６図かられかるように、ＳｎＯ□膜の膜厚ｄ２の増
加にともない、膜厚ｄ１による反射色の変化が急激に増
大する。この二層平滑膜における反射色の膜厚依存性は
、実用上致命的であり、ｄ２またはｄ。

が設計値かられずかにずれただけで１反射色は可視域の
一端から他端へと大きく変化する。

しかし、第１図に示したこの例の反射帯電防止膜は、ガ
ラス／　ＳｎＯ，／　５ｉＯ１構造のｓｉｏ、ｌＩを凹
凸構造として膜厚をランダムとすることにより、反射色
もまた膜厚ｄ１の平均的な値となり、略白色（Ｘ＝ｙα
０．３）とすることができる。

また、この例の反射帯電防止膜の形成に用いられるＳｉ
（ＯＲ）４のアルコール溶液は、低粘度であるため、ス
プレィガンの空気圧や液圧、スプレィ量。

基板温度などを適宜制御することにより、凹凸ピッチＰ
を約５ａｍまで容易に微細化できる。一般に。

凹凸ピッチがｐ＞ｉｏｏＩｍのとき、眼の分解能上。

反射光に凹凸構造の色縞が観測されることがあるが、ｐ
く５０μｓの場合は観測されることはなく、観測者には
、平均的な反射色として白色に感知されるようになる。

すなわち、第１図に示した反射帯電防止膜のようにＳｎ
Ｏ，膜の凹凸ピッチをｐ（５０４とすることにより、色
縞の微細構造の観測を防止できる。

第７図の曲線（２１ａ）〜（２ｉｃ）は、それぞれ第５
図から求められるＳｉｎ、の膜厚ｄ１に対する視感正反
射率Ｒｊｕｌｌの最大値、最小値および平均値をＳｎＯ
□の膜厚ｄ２の関数として求めたものである。なお、曲
線（２２）は参考のために示したｄ＝０．すなわちＳｉ
ｎ。

膜をもたないＳｎＯ，のみの場合の計算値である。

ＳｌＯ□膜をもたないＳｎＯ，のみの場合は、前述した
ようにガラス基体の凹凸構造の拡散効果によって反射像
をぼかしても、実用的な反射防止効果を得るためには、 ＲｊＬｌ園≦５・５％ すなわち。

ｄ８≦１１０人 とする必要がある。また、透明導電膜が島構造とならず
に１表面抵抗をｒ≦１０１Ω／ｄとして十分な帯電防止
効果を得るためには。

ｄ、２１００人 とする必要がある。したがって、第７図に曲線（２２）
で示したＳｎＯ，−層の場合には。

１００人≦ｄ２　≦１１０人 が必要となり、この膜厚ｄ８の制御上、反射防止と帯電
防止とを両立させることがいちじるしく困難である。

これに対し、第１図に示したこの例の反射帯電防止膜の
場合は、第７図の曲線（２１Ｃ）から。

１００人≦ｄ２≦２２０人　　　　　　　　　　・・・
に）が必要条件となって、この範囲で反射帯電防止膜を
形成すればよく、したがって、所要の反射帯電防止膜を
容易に形成することができる。

以上、この例の反射帯電防止膜の作用効果を透明導電膜
を屈折率ｎｉ＝　２．０のＳｎＯ□で形成する場合につ
いて述べたが、この反射帯電防止膜の作用効果は、透明
導電膜がＳｎＯ，：　Ｓｂ、　Ｉｎ、Ｑｉ　、　ＩＴＱ
の場合も略同じように得られる。これら透明導電膜の場
合は、屈折率がｎ２＝２．０±０．１の範囲にあるため
、この範囲で実用的な反射帯電防止膜を得るために必要
な膜厚範囲は一般的に １００人≦４≦２５０人　　　　　　　　　　・・・（
ハ）と定めることができる。

つぎに、上記表示装置の具体例として、陰極線管につい
て述べる。この陰極線管は、第２図に示すように、ガラ
スバルブ（２４）のフェースプレート（２５）の外表面
に、その内面の高電圧が印加される蛍光体スクリーン（
２６）に対向して反射帯電防止膜（２７）が形成されて
いる。この反射帯電防止膜（２７）は、　Ｓｎｏｗ　：
　Ｓｂを主成分とする透明導電膜（１１）と、この透明
導電膜（１１）上に形成されたＳｉＯ□を主成分とする
微細凹凸膜（１２）とからなる二層構造であることは、
前記表示装置と同じである。

この陰極線管の反射帯電防止膜の形成は、まず、ガラス
バルブ（２４）を約４６０’Ｃに加熱し、　これにＣＶ
Ｄ法により、気化器中で２００℃に加熱された（ＣＨ，
）、５ｎＣＱ、とｓｂｃらの混合蒸気（ｓｂＣＬを約１
ｖｔ％混合）をスプレィして、膜厚約１００〜２００人
のＳｎＯ，：ｓｂからなる透明導電膜（１１）を形成す
る。つぎに。

通常の陰極線管の製造方法にしたがって、この透明導電
膜（１１）の形成されたフェースプレート（２５）の内
面に所定の蛍光体スクリーン（２６）を形成し。

さらに電子銃（２８）封止、排気、防爆処理などを経て
陰極線管を製造する。その後、この陰極線管のフェース
プレート（２５）外表面を洗浄し、６０℃に加熱したの
ち、　ノズル径０．４醜の２流体噴霧スプレィガンによ
り、５ｉ（ｏｃ２Ｈｚ）４多量体のアルコール溶液をス
プレィし、２５０℃、３０分焼成して、　　ＳｉＯ２を
９０％＋１％含む微細凹凸膜（１２）を形成した。

この凹凸５（１２）は、平均膜厚ｄ１が約１０００人、
凹凸ピッチＰが約１５〜２０μ、表面粗さＲ２が約０．
５−であり、また、表示面の光沢度Ｇｓ　（ＪＩＳ　Ｚ
８７４１の６０度鏡面光沢法による）が約５５％となっ
ている。

この陰極線管フェースプレート（２５）の外表面に形成
された反射帯電防止膜（２７）の特性測定結果を表１に
示す。この特性測定に使用したサンプルは、フェースプ
レートとして１５インチカラー受像管用の視感透過率が
約５５％のティンテッド・ガラスパネルを用い、上述の
製造工程から陰極線管本来の製造工程を省略して製作し
たものである１表１に示したＳｎＯ，：　Ｓｂ単層の特
性は、上記製造工程でＳｎＯ，：　Ｓｂ膜を成膜した段
階での測定値であり、Ｓｎｏｗ　：　Ｓｂ＋ＳｉＯ＊　
（凹凸）二層、すなわちコノ例の反射帯電防止膜（２７
）の特性は、上記ＳｎＯ２：　Ｓｂ膜上にＳｉＯ□の凹
凸膜を形成したときの測定値である。

なお、５ｎＯｘ　：　Ｓｂ　＋　Ｓｉｎｇ二層の視感正
反射率ＲＪｕｌｌｉは、透過スペクトルなどの測定から
下記（０式により算出した値で、拡散効果がない場合の
仮想的な反射率を表している。

ＲＪｕｍ＊　＝　１−　（ＴＪｕｍ＊　／　Ｔ、ｕｓ、
）（１−ＲＪＬＩＩｌ、）　　−（６）（以下余白） 表　　１ ＳｎＯ２：Ｓｂの翻□ １００人 ２００人 釦へ＝５単層 視感正反射率ＲＪｕｌｌｉ 正反射色　　Ｘｌ 視感透過率　Ｔ膓 表面抵抗　　ｒｌ ５．１％　　　　　８．６％ ０．３２　　　　　０．３１ ０．３２　　　　　０．３２ ４９．７％　　　　　４７．５％ １デ〜１０”Ω／ａＪ　　１デル１デΩ／ｄ視感正反射
率Ｒｊ、４−５　　　　５．３％正反射色　　！２　　
　　０，３３　　　　　　０．３２聾へ：Ｓｂ＋Ｓｉへ
　　　　　　　　ｙ、　　　　　０．３３　　　　　　
０．３２（凹凸）二層　視感透過率　ＴＪＬｌｍ　　　
５０．厚　　　　　４９．５表面抵抗　　ｒ２１０”　
〜１０ｉｚΩ／ｄ　　１（７’　〜１０”Ω／ａＪこの
表１かられかるように、二層構造とすることより、反射
率は低減し、ＳｎＯ□：Ｓｂの膜厚ｄ、　＝　２００人
でも、視感正反射率Ｒ１□、は５．３％と十分に低い値
を示す、この表１のＲｊｕｌＨｅ　ＲＪｕ□を第７図に
プロットすると−ＲＪｕｍｌについては点（３０ａ）、
　（３０ｂ）、Ｒｊｕｌｌｔについては点（３１ａ）、
　（３１ｂ）となり、計算値とよく一致している。また
、反射色は、Ｘ、αｙ１伽０．３で略白色である。　こ
の反射色は、サンプルの観察結果では若干青味がかって
みえるが、色縞の微細構造は全くみられず、−様な白色
反射を示した。導電性については、ＳｎＯ，：Ｓｂの膜
厚ｄ、　＝　１００人では、ｒ１＝　１０”　〜１０”
Ω／ｄと高い抵抗値を示し、また、抵抗値のばらつきも
大きいが、ｄ、　＝　２００人では、ｒ１＝１０＠〜１
０＠Ω／ｃｄと十分に低い抵抗値を示し、表示面内にお
ける抵抗値の一様性も良好であった。これは、要するに
、ｄ、〜１００人では帯電防止効果がやや不十分である
が、ｄ、　＝　２００人にすると、反射防止および帯電
防止効果がともに良好となり、計算により予測したと同
じ結果が得られることを示している。

なお、上記陰極線管の具体例では、透明導電膜をＳｎＯ
，を用いて、ＣＶＤ法で成膜したが、　この透明導電膜
は、他の透明導電膜材料でもよく、また、他の方法によ
り成膜してもよい。

たとえば電子ビーム照射によってＩＴＯを昇華させてフ
ェースプレート上に真空蒸着させ、３００〜４００℃の
温度で熱処理すると、膜厚ｄ、　＝　２００人で表面抵
抗が１０３〜１０４Ω／ｄの均質な透明導電膜とするこ
とができる。したがって、これを上記具体例と同様に陰
極線管製造工程を経て、その後、その上にＳＩＯ□の凹
凸膜を形成すると、同様の反射防止および帯電防止効果
をもつ陰極線管とすることができる。特にこの方法は、
真空蒸着により透明導電膜を形成するため、製造コスト
が比較的高くなるという問題はあるが１反面、良質かつ
一様性のよい透明導電膜を形成し得る利点がある。

また、　ＩｎやＳｎのアルコレートのアルコール溶液を
用いて加水分解法で透明導電膜を形成することもできる
。この方法では、ＩｎやＳｎのアルコレートのアルコー
ル溶液を高速回転スピナーでフェースプレート上に塗布
し、１化させたのち、その上に３１（ＱＣ，Ｈｓ）４の
多量体のアルコール溶液をスプレィし、４００〜５００
℃の温度で３０分以上焼成して、凹凸構造のＩｎ、０３
／ＳｉＯ，またはＳｎＯ，／　Ｓｉｎ、膜を形成する。

そして、その後に陰極線管製造工程を経て陰極線管を製
造することができる。

この方法は、薄く均一な透明導電膜を形成することがむ
つかしいが、製造コストを安くできる利点がある。

以上１表示装置の反射帯電防止膜、特にその陰極線管へ
の適用について述べたが、この発明は。

ガラスからなる表示面を備える表示装置の全てに適用で
きるものである。

〔発明の効果〕

反射帯電防止膜をＳｎＯ，またはＩｎｋ、を主成分とす
る膜厚１００〜２５０人の透明導電膜と、その上に形成
されたＳｉＯ２を主成分とする微細凹凸膜とで構成する
と、　ＳｉＯ２を主成分とする微細凹凸膜の平均化作用
によって、干渉による反射色の問題を解消でき、実用上
満足できる反射防止特性と帯電防止特性とを備える反射
帯電防止膜を簡単かつ低コストで実現でき、特に陰極線
管を適用してすぐれた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第７図はこの発明の詳細な説明図で、第１
図はその一実施例である表示装置の反射帯電防止膜の構
成を示す図、第２図は上記反射帯電防止膜の形成された
陰極線管の構成図、第３図（ａ）乃至（ｇ）はそれぞれ
ＳｎＯ，−ＳｉＯ２二層平滑膜について、　　ＳｎＯ，
の膜厚を２００人としてＳｉｎ、の膜厚を変えたときの
反射スペクトルの図、第４図はＳｎＯ，−Ｓｉｎ、二層
平滑膜の視感正反射率の図、第５図はガラス／　ＳｎＯ
，／　ＳｉＯ□の構造の二層平滑膜の視感正反射率をＳ
ｎＯ，の膜厚をパラメーターとし。 Ｓｉｎ、の膜厚の関数として示した図、第６図（ａ）お
よび（ｂ）はそれぞれガラス／ＳｎＯ，／ＳｉＯ□構造
の二層平滑膜の反射色のｙ値およびｙ値をＳｎＯ□の膜
厚をパラメーターとし、　ＳｉＯ□の膜厚の関数として
示した図、第７図はガラス／　ＳｎＯ２／　Ｓｉｎ、構
造の二層平滑膜の視感正反射率の最大値、最小値および
平均値をＳｎＯ２膜厚の関数としてポした図、第８図（
ａ）乃至（ｈ）はそれぞれＳｎＯ□膜の膜厚を変化させ
たときの反射スペクトルの図、第９図はＳｎＯ，膜の視
感正反射率の図、第１０図は透明プラスチック基板上に
ＩＴＯ／ＳｉＯ□二層平滑膜が形成された従来の表示装
置の表示面の構成を示す図、第１１図はガラスバルブの
フェースプレート上に透明導電膜、アルカリけい酸塩の
保護膜が形成された従来の陰極線管である。 ＩＯ・・・ガラス基板　　１１・・・透明導電膜１２・
・・凹凸膜　　　　２４・・・ガラスバルブ２５・・・
フェースプレート ２６・・・蛍光体スクリーン 代理人　弁理士　大　胡　典　夫 ２奈 →を瓜−＆（ル凰） 一丁ｌＸ１（ｎ几） 第２図 第 図 →溝長（ｒＵｎ） 第 因 （−１イ茨〕 一護、厚ｃＬ（ん 一腋、Ａ　ａ　ｔＡン 第 図 一月莫Ａ　ｉｔ　　□わ 一護浸 ｃＬｔＡ） 第 図 膜厚ｅｉｚ（Ａ＞ 第 図 仝 第 図 ″′４７反＆（１爪） 一我ね几爪） 第 図 第 図 ＝Ｖ瓜長（九ｍ−） →深長（ｒＬＪｒＬ） −中ｒ皮ｉ＜九九） 第　　８ 図 →波−８ｔｔｒＬＷＬ） （−Ｉイさ） 手 続 補 正 書（方式） １、事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２２４０２３号 ２、発明の名称 表示装置の反射帯電防止膜および陰極線管３、補正をす
る者 事件との関係

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表示面のガラス基体の外表面に形成されたＳｎＯ
   ＿２またはＩｎ＿２Ｏ＿３を主成分とする膜厚１００Å
   乃至２５０Åの透明導電膜と、この透明導電膜上に形成
   されたＳｉＯ＿２を主成分とする微細凹凸膜とからなる
   ことを特徴とする表示装置の反射帯電防止膜。
2. （２）内面に蛍光体スクリーンが形成されたガラスバル
   ブの外表面に上記蛍光体スクリーンに対向して反射帯電
   防止膜が形成されてなる陰極線管において、 上記反射帯電防止膜を上記ガラスバルブの外表面に形成
   されたＳｎＯ＿２またはＩｎ＿２Ｏ＿３を主成分とする
   膜厚１００Å乃至２５０Åの透明導電膜と、この透明導
   電膜上に形成されたＳｉＯ＿２を主成分とする微細凹凸
   膜とから構成したことを特徴とする請求項１記載の陰極
   線管。