JPH0789720A - 着色膜形成用塗布液、着色膜、着色帯電防止膜、および着色低反射帯電防止膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】酸窒化チタンと、Ｓｎ有機酸塩および／または
Ｃｏ有機酸塩とを含む着色膜形成用塗布液、および該塗
布液を塗布し、加熱および／または紫外線を照射して得
られる着色膜。 【効果】低温熱処理が可能であり、全可視光領域におい
て均一な吸収を有するため低反射特性がすぐれている。
また、窒素を含有してなる酸化チタン自体は導電性を有
しているため帯電防止能を発現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は陰極線管用パネル等に適
用される着色膜形成用塗布液、着色膜、着色帯電防止膜
および着色低反射帯電防止膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】帯電防止膜、着色膜、着色帯電防止膜、
低反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーティン
グ方法は従来より光学機器においてはいうまでもなく、
民生用機器特にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し多くの検討がなされてきた。

【０００３】帯電防止に関しては、例えば特開昭６３−
７６２４７号にはブラウン管パネル表面を３５０℃程度
に加熱してＣＶＤ法により酸化スズおよび酸化インジウ
ム等の導電性酸化物層を設ける方法が提案されている。

【０００４】膜の着色に関しては、特開平１−２７５６
６４号に水溶性フタロシアニン化合物を用いる方法が提
案されている。帯電防止性能をもつ着色膜については特
開平１−２５１５４５号にメチルバイオレットを用いた
帯電防止膜の記載がある。

【０００５】低反射性に関しては例えば特開昭６１−１
１８９３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をも
たせるため、表面に微細な凹凸を有するＳｉＯ₂ 層を付
着させたり、弗酸により表面をエッチングして凹凸を設
ける等の方法が採られてきた。しかし、これらの方法
は、外部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質
的に低反射層を設ける方法ではないため、反射率の低減
には限界があり、またブラウン管等においては解像度を
低下させる原因ともなっていた。

【０００６】低反射帯電防止膜については、特開平３−
９３１３６号にイオンプレーティング法による光学多層
膜を設ける方法が記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述の方法のうち、Ｃ
ＶＤ法による帯電防止膜を付与させる手法は、装置コス
トがかかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱す
るためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精
度が低下する等の問題があった。またこの場合通常４０
０℃程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合充分低
抵抗な膜が得られない欠点があった。

【０００８】また上記着色膜の水溶性フタロシアニン化
合物を用いる方法は、有機染料を用いるため耐熱性、耐
候性に乏しく特定波長に吸収をもつため可視光全波長領
域にわたって均一な吸収を得ることが難しいという欠点
がある。特開平１−２５１５４５号記載のメチルバイオ
レットを含む帯電防止膜も同様な理由より耐熱性、耐候
性に乏しく可視光全波長領域にわたって均一な吸収を得
ることが難しい。

【０００９】またイオンプレーティングによる方法は工
業的に安価とはいえず、また可視光波長領域にわたって
の均一な吸収を得られないため陰極線管に成膜したとき
コントラストの向上も望めない。また溶液の基体への塗
布方法は、スピンコート法、ディップコート法、ロール
コーター法、メニスカスコーター法等、種々考えられる
が、特にスピンコート法は量産性、再現性に優れ、好ま
しく用いられる。かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ
程度の膜が形成可能である。しかし液中に粒子を分散し
た溶液でスピンコート塗布をする際は塗膜時に生じる液
の流れ跡、粒子の流れた跡、膜乾燥時の粒子の凝集、乾
燥むら、膜厚差による色むら等の問題があり外観良好な
膜を成膜することは難しく、さらに塗布液の基体に対す
る濡れ性の善し悪し、外気の変動による影響の受け易さ
は生産性を悪くする原因となるため、溶液中の溶媒の選
択および組成比が重要であった。

【００１０】本発明は従来技術の前述の欠点を解決し、
低温熱処理により膜形成が可能な着色膜形成用塗布液、
着色膜、着色帯電防止膜および着色低反射帯電防止膜を
新規に提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、酸窒化チタン
と、Ｓｎ有機酸塩および／またはＣｏ有機酸塩とを含む
着色膜形成用塗布液、また、酸窒化チタンと、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）_m Ｒ’_n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、
Ｒ、Ｒ’＝Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基）またはその加水分
解物と、Ｓｎ有機酸塩と、β−ジケトンとを含み、さら
に、プロピレングリコールエーテル、その誘導体、プロ
ピレングリコールエーテルアセテートおよびその誘導体
からなる群から選ばれる少なくとも１種と、メタノー
ル、エタノール、およびプロパノールからなる群から選
ばれる少なくとも１種と、ジアセトンアルコールとを含
むことを特徴とする前記の着色膜形成用塗布液、さら
に、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａのうち少
なくとも１種からなる導電性酸化物を含むことを特徴と
する前記の着色膜形成用塗布液を提供する。

【００１２】また本発明は、前記の塗布液を塗布した
後、加熱および／または紫外線を照射することにより得
られたことを特徴とする３８０ｎｍから７００ｎｍの波
長領域において透過率が低下された着色膜を提供する。
さらに本発明は、基体表面に、酸窒化チタンを含み、さ
らにＳｎ有機酸塩およびＣｏ有機酸塩のうち少なくとも
１種を含む溶液を塗布した後加熱および／または紫外線
を照射してなることを特徴とする着色膜、基体表面に、
酸窒化チタンを含み、さらにＳｎ有機酸塩、さらにＳ
ｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａのうち少なくとも１
種の酸化物を含む溶液を塗布した後加熱および／または
紫外線を照射してなることを特徴とする着色帯電防止
膜、当該着色帯電防止膜の上に低屈折率を有する膜を形
成することを特徴とする着色低反射帯電防止膜、および
基体上に多層膜からなり、そのうち少なくとも１層が上
記着色帯電防止膜であることを特徴とする着色低反射帯
電防止膜を提供する。

【００１３】本発明はディスプレイ用途に供されるガラ
ス物品の表面へのコーティングに対し最適である。かか
るガラス物品としての陰極線管は近年コンピューターの
端末表示等に使用される場合、高解像度の要求とともに
ハイコントラストの要求も高まりつつある。しかしコン
トラストの向上を期してガラス自体の透過率を低下させ
た場合、ディスプレイの大型化に伴ってフェイスプレー
トの肉厚も厚くなっていることから、特に大型ディスプ
レイでは透過率の著しい低下が問題となる。本発明では
ガラス自体の透過率を下げることなくその表面に膜を形
成しこの膜で光吸収を生じさせることによりコントラス
トの向上を図ることができる。

【００１４】したがって、種々の肉厚をもつディスプレ
イ用ガラスパネルへの適用が極めて容易に可能となる。
陰極線管の発光スペクトルは複数のスペクトルで構成さ
れるが、発光スペクトルのバランスを崩さずにコントラ
ストの向上を図るには特定の光吸収を持つ着色膜よりも
可視光領域にわたって均一の光吸収を持つ着色膜が好ま
しい。このような観点より鋭意研究を行った結果、酸窒
化チタンを含む着色膜を構成することにより、可視光領
域において均一な光吸収を可能とし上記の問題点を解決
できた。

【００１５】しかし一方で酸窒化チタンは比較的耐熱性
に優れるが空気中等酸化雰囲気中で長時間高温焼成した
場合、酸化退色することにより可視光域での均一な吸収
が損なわれ、陰極線管上に成膜した際も所定のコントラ
スト向上効果が望めない場合がある。本発明では酸窒化
チタンの対酸化性向上にＳｎ有機酸塩やＣｏ有機酸塩が
効果を有することを見いだした。

【００１６】また、ナフテン酸第一スズ、２−エチルヘ
キサン酸スズ等の有機酸スズは加水分解し易く、水分を
含む溶媒と混合すると沈澱を生じるため、外観良好な膜
を得るための溶媒が、および導電性酸化物と酸窒化チタ
ン粒子の分散媒が限定されるため、また空気中の水分と
も反応する可能性があり、塗布液の安定性という点で問
題があった。本発明ではβ−ジケトンにより有機酸スズ
を安定化することにより加水分解が抑制され、膜特性が
向上し、さらに液の安定性も向上することが見いだされ
た。

【００１７】また本発明においては塗布をする際に塗膜
時に生じる液の流れ跡、粒子の流れた跡、膜乾燥時の粒
子の凝集、乾燥むら、膜厚差等が少ない外観良好な膜を
成膜するために塗布液中に水、Ｃ₁ 〜Ｃ₄ の低級アルコ
ールの他にプロピレングリコールエーテル、その誘導
体、プロピレングリコールエーテルアセテートおよびそ
の誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種を０．
１〜７０ｗｔ％と、ジアセトンアルコールを０．１〜３
０ｗｔ％加えており、それによって基体に対する濡れ性
がよく外気の影響を受けにくい塗布液が得られる。

【００１８】さらに本発明ではこの着色膜にＳｎ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａのうち少なくとも１種
の酸化物を含有することによりディスプレイのオン・オ
フ時に生起する静電気を抑える帯電防止性能も付与さ
せ、ほこり等の付着を抑制することも可能とした。さら
には上記着色帯電防止膜上に当該被膜よりも低屈折率を
有する膜を構成し解像度を損なうことなく蛍光灯の映り
込み等を抑制する低反射性能をも付与することも可能と
した。

【００１９】本発明で用いる酸窒化チタン粒子は還元処
理した酸化チタンを用いる。還元処理にはＮ₂ ガス、Ｎ
Ｈ₃ ガス等を用いることができる。酸窒化チタン自体導
電性を有しているため、帯電防止膜を構成する場合導電
補助成分として機能する。酸窒化チタンは、Ｎを０. １
〜３０ｗｔ％含有するＴｉＯ_x （１．０≦ｘ＜２．０）
であることが好ましい。また、酸窒化チタンの溶液中で
の含有量は、着色膜の場合溶液中の全固型分量に対し１
〜９０ｗｔ％が好ましく、これ以下の場合着色性能が充
分でなく、これ以上の場合は膜の強度が低下し好ましく
ない。着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜の場合は
１〜８０ｗｔ％が好ましい。酸窒化チタン量が少なすぎ
ると着色性能が充分で、また多すぎると帯電防止能およ
び膜の透過率が悪化し好ましくない。

【００２０】また本発明で用いるＳｎ有機酸塩やＣｏ有
機酸塩としては、酢酸塩、酒石酸塩、カルボン酸塩等種
々の化合物が使用可能であるが、溶解性、酸窒化チタン
に対する耐酸化性向上効果の点からそれぞれナフテン酸
第１スズ、 ２−エチルヘキサン酸スズ、およびナフテン
酸第１コバルト、２−エチルヘキサン酸コバルトを用い
ることが好ましい。Ｓｎ有機酸塩やＣｏ有機酸塩の溶液
中での含有量はそれぞれＳｎＯ₂ 、Ｃｏ₃ Ｏ₄ 換算で前
固形分量に対し１〜６０ｗｔ％の範囲にあることが好ま
しい。これ以下であると酸窒化チタンの耐酸化性向上効
果、および色調が劣り、これ以上であると膜強度の低下
が起こるため好ましくない。

【００２１】また本発明では液中にＳｉ（ＯＲ）_m Ｒ’
_n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ、Ｒ’＝
Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基）、またはその加水分解物を加
えることにより溶液中の粒子の安定性が向上し、アルコ
ール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、アルコー
ルエステル類、ケトンエステル類、エーテルアルコール
類、ケトンエーテル類、エステルエーテル類のうちの１
種または２種以上の混合物からなる有機溶剤で希釈した
場合でも凝集沈澱を生じることがない。その含有量につ
いては酸化物換算で全固形分に対して０．５〜６５ｗｔ
％が好ましく、これ以下であると粒子を含む溶液に有機
溶剤を混合させたときに沈澱を生じることがあり、これ
以上であると着色性能および帯電防止性能が悪化してし
まう。

【００２２】また本発明で用いるβ−ジケトンとしては
種々のものが使用可能であり特に限定されないが、アセ
チルアセトンが特に好ましく用いられる。溶液中のの含
有量はＳｎ有機酸塩の０．１〜１０倍モルが好ましい。
これ以下であると液の安定性に寄与せず、これ以上であ
ると膜強度の低下が起こるため好ましくない。

【００２３】本発明におけるプロピレングリコールエー
テル、その誘導体、プロピレングリコールエーテルアセ
テートおよびその誘導体からなる群から選ばれる少なく
とも１種は特に限定されるものではなく、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピル
エーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモのプロピルエーテルアセテート
等いずれも使用可能である。

【００２４】本発明で用いる導電性酸化物には、Ｓｂを
ドープしたＳｎＯ₂ 、ＩＴＯ、ＡｌをドープしたＺｎ
Ｏ、ＧａをドープしたＺｎＯを用いることができる。こ
れらの酸化物は導電性を有しており、形成された膜に導
電性を付与することができ、帯電防止性能を付与するこ
とができる。これらの酸化物は塗布液中に微粒子として
分散させて用いることも可能であり、また溶液として用
いて基体上で酸化物化させることも可能である。

【００２５】これらの粒子あるいは塩の分散媒、分散法
も特に限定されるものではなく種々の溶媒および分散法
が使用可能である。好ましくは、水あるいはアルコール
等の有機溶媒中に粒子を添加し、酸あるいはアルカリを
添加しｐＨを調整し、コロイドボールミル、サンドミ
ル、ホモジナイザー、等の市販の粉砕器で分散させて得
ることができる。この場合、分散中の粒子の平均粒径は
３００ｎｍ以下となっていることが好ましい。溶液を用
いる場合、キレート錯体のような有機化合物、硝酸塩の
ような無機化合物を用い上記の粒子を分散した液と混合
して用いる。

【００２６】また、溶液の基体への塗布方法は、スピン
コート法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター
法、メニスカスコーター法等種々考えられるが、特にス
ピンコート法は量産性、再現性に優れ、好ましく採用可
能である。かかる方法によって１００Å〜１μｍ程度の
膜が形成可能である。

【００２７】一般に、薄膜の光学的性能はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
_s を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ₀ の媒質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
時、極小値をとり、このとき、Ｒ＝（（ｎ₂ −ｎ₀ n_S）
／（ｎ₂ ＋ｎ₀ ｎ_S ））² ・・・（１）式となる。

【００２８】無反射条件を満たすには、（１）式におい
て、Ｒ＝０とおき、

【００２９】ｎ＝（ｎ₀ ｎ_S ）^1/2 ・・・（２）式が必
要とされる。

【００３０】（２）式を２層構成に拡張した場合、ｎ_S
ｎ₁ ²＝ｎ₂ ²ｎ₀ ・・・（３）式となる（ｎ₁ ：媒質側
層、ｎ₂ ：基体側層）。

【００３１】ここでｎ₀ ＝１（空気）、ｎ_S ＝１. ５２
（ガラス）を（３）式に適用した場合、ｎ₂ ／ｎ₁ ＝
１．２３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射
性が得られる。勿論ｎ₂ ／ｎ₁ ＝１．２３を満たさなく
ても、２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低
反射性が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折
率層と媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比がで
きるだけ１．２３に近い値を選択するのが望ましい。

【００３２】本発明において、所望の低反射膜を得るに
は、多層膜間の屈折率差とあわせて膜厚も重要な要素で
ある。反射防止性能を有する多層の低反射膜の構成とし
ては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側より高
屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／２−λ／４で構成
した低反射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層−低
屈折率層を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４で形成した
３層の低反射膜、基体側より低屈折率層−中屈折率層−
高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／４−λ／４−λ
／２−λ／４で形成した４層の低反射膜等が典型的な例
として知られている。

【００３３】本発明の着色膜を高屈折率膜として用い、
その上層に低屈折率膜を設ける場合は、ＭｇＦ₂ ゾルを
含む溶液や、加熱によりＳｉＯ₂ となるＳｉアルコキシ
ド等のＳｉ化合物を含む溶液のうちから選ばれる少なく
とも１種よりなる溶液を用いて形成する。屈折率の面か
らみると該材料のうちＭｇＦ₂ が最も低く反射率低減の
ためにはＭｇＦ₂ ゾルを含む溶液を用いることが好まし
いが、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ₂ を主成分と
する膜が好ましい。

【００３４】低屈折率膜形成用のＳｉ化合物を含む溶液
としては、Ｓｉ（ＯＲ）_m Ｒ’_n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１
〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ、Ｒ’＝Ｃ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル
基）で示される化合物あるいは部分加水分解物を用いる
ことが好ましく、例えば、シリコンエトキシド、シリコ
ンメトキシド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブ
トキシドのモノマーあるいは重合体が好ましく使用可能
であるが、珪弗化水素酸、硼酸を含む水溶液に二酸化珪
素粉末を飽和させてなる溶液より析出させてできるＳｉ
化合物も使用可能である。Ｓｉ（ＯＲ）_m Ｒ’_n で示さ
れる化合物あるいは部分加水分解物の着色帯電防止膜上
への塗布方法としては、前述した方法と同様に種々の方
法が好ましく採用可能である。

【００３５】本発明の着色帯電防止膜は酸窒化チタンを
含有するため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層
で構成した場合前述の低反射性能が容易に発現される。

【００３６】本発明において、着色膜、着色帯電防止
膜、着色低反射帯電防止膜を形成する基体としは特に限
定されるものではなく、目的に応じてソーダライムシリ
ケートガラス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸塩ガ
ラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス
等のガラス、鋼玉等の単結晶、マグネシア、サイアロン
等の透光性セラミックス、ポリカーボネイト等のプラス
チックも使用できる。また、その用途はブラウン管フェ
イスパネル用、複写機用、計算機用、クリーンルーム
用、ＣＲＴやＬＣＤなどの表示装置用、など各種用途に
及ぶものである。

【００３７】

【作用】本発明においてＳｎ有機酸塩やＣｏ有機酸塩に
よる酸窒化チタンの耐酸化性向上効果のメカニズムにつ
いては明確ではないが、Ｓｎ、Ｃｏが２価で存在するこ
とにより酸化雰囲気中で高温焼成した際、Ｓｎ、Ｃｏや
有機酸の還元効果により酸窒化チタンの耐酸化性が向上
するものと思われる。

【００３８】またβ−ジケトンの効果も明確ではないが
Ｓｎ有機酸塩、Ｃｏ有機酸塩に配位することにより液の
安定性が増すものと思われる。全可視光領域において均
一な吸収に起因して低反射特性も向上する。更には窒素
を含有してなる酸化チタン自体も導電性を有しているた
め酸窒化チタンも帯電防止能を発現させる成分として機
能している。

【００３９】

【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。得られた膜の評価結果は下記のとおりである。

【００４０】透過率評価：日立製作所製スペクトロフォ
トメータＵ−３５００により３８０ｎｍ、５５０ｎｍ、
７８０ｎｍの透過率を測定した。

【００４１】ヘーズ評価：スガ試験機製直読ヘーズコン
ピューターにより膜自体のヘーズを測定した。

【００４２】導電性評価：着色帯電防止膜、低反射帯電
防止膜について三菱油化製ハイレスタ抵抗測定器により
相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面抵抗値を
測定した。

【００４３】耐擦傷性：１ｋｇ重の荷重下で（ＬＩＯＮ
製５０−５０）、消しゴムで膜表面を５０回往復後、そ
の表面の傷の付きを目視で判断した。評価基準は以下の
通りとした。○：傷が全く付かない、△：傷が多少付
く、×：多くの傷が付くか剥離。

【００４４】鉛筆硬度：１ｋｇ重の荷重下、鉛筆で膜表
面を走査し、その後目視により表面の傷の生じ始める鉛
筆の硬度を膜の鉛筆硬度と判断した。

【００４５】視感反射率：着色低反射帯電防止膜につい
てＧＡＭＭＡ分光反射スペクトル測定器により膜の３８
０〜７００ｎｍの視感反射率を測定した。

【００４６】液中の粒子の分散安定性の評価：大塚電子
製レーザー粒径解析システムＬＡＰ−３１００により液
合成直後および５℃で４週間静置保存したのち液中の粒
子の平均粒径を測定した。

【００４７】［実施例１］酸窒化チタン粉末１５ｇをあ
らかじめｐＨ３．０に調整した水溶液８５ｇ中に添加し
てサンドミルで４時間粉砕して９０℃で１時間加熱した
のち、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒径９０ｎｍのゾ
ルを得た（Ａ液）。Ｓｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール溶液
（酸化物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）₄
に対してｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を８ｍｏ
ｌ比添加し、８０℃で２時間撹拌下で還流を行った（Ｂ
液）。２−エチルヘキサン酸スズを酸化物換算で固形分
３ｗｔ％になるようにエタノールで希釈した（Ｃ液）。

【００４８】Ａ液とＢ液、Ｃ液を各酸化物換算で１．２
ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ
液：Ｃ液＝６５：２０：１５重量比となるように混合
し、ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で
６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱し約１
００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００４９】［実施例２］実施例１におけるＡ液とＣ液
を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノール
で希釈した後、Ａ液：Ｃ液＝６５：３５重量比となるよ
うに混合した以外は実施例１と同様に行い、約１００ｎ
ｍの厚さの膜を得た。

【００５０】［実施例３］Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープされ
たＳｎＯ₂ 粉末（１次粒径１００Å）１５ｇを水８５ｇ
中に添加してサンドミルで１６時間粉砕して９０℃で１
時間加熱した後、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒径５
０ｎｍのゾルを得た（Ｄ液）。

【００５１】Ｄ液および実施例１におけるＡ液とＢ液と
Ｃ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノ
ールで希釈した後、Ａ液：Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液＝４５：２
０：１５：２０重量比となるように混合し、ブラウン管
パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後１６０℃で３０分間加熱し約９０ｎｍの厚さ
の膜を得た。

【００５２】［実施例４］２−エチルヘキサン酸コバル
トを酸化物換算で固形分３ｗｔ％になるようにエタノー
ルで希釈した（Ｅ液) 。

【００５３】実施例１におけるＡ液、Ｂ液、Ｃ液および
実施例３におけるＤ液およびＥ液を各酸化物換算で１．
２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：
Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液：Ｅ液＝３５：２０：１５：２０：１
０重量比となるように混合し、ブラウン管パネル表面に
１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後１６
０℃で３０分間加熱し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００５４】［実施例５］Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープされ
たＳｎＯ₂ 粉末（１次粒径１００Å）１５ｇを水８５g
中に添加してサンドミルで４時間粉砕して９０℃で１時
間加熱した後、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒径５０
ｎｍのゾルを得た（Ｄ液）。

【００５５】Ｄ液および実施例１におけるＡ液とＢ液と
Ｃ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノ
ールで希釈した後、Ａ液：Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液＝４５：２
０：１５：２０重量比となるように混合し、ブラウン管
パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後６０℃で１０分間加熱し約１００ｎｍの厚さ
の膜を得た。この膜上にＳｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール
溶液（酸化物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥ
ｔ）₄ に対してｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を
８ｍｏｌ比添加し、８０℃で２時間撹拌を行った後、エ
タノールで酸化物換算０．９ｗｔ％に希釈した溶液（Ｅ
液）を１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３８０℃で３０分間加熱し２層構成の着色低反射帯電
防止膜を得た。

【００５６】［実施例６］２−エチルヘキサン酸コバル
トを酸化物換算で固形分３ｗｔ％になるようにエタノー
ルで希釈した（Ｆ液）。

【００５７】Ｆ液および実施例１におけるＡ液、Ｂ液、
Ｃ液および実施例３におけるＤ液を各酸化物換算で１．
２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：
Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液：Ｆ液＝３５：２０：１５：２０：１
０重量比となるように混合し、ブラウン管パネル表面に
１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後６０
℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。こ
の膜上にＳｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール溶液（酸化物換
算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）₄ に対してｐ
Ｈ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を８ｍｏｌ比添加
し、８０℃で２時間撹拌を行った後、エタノールで酸化
物換算０．９ｗｔ％に希釈した溶液（Ｅ液）を１００ｒ
ｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３
０分間加熱し２層構成の着色低反射帯電防止膜を得た。

【００５８】［実施例７］ＩＴＯ粉末（Ｓｎ／I ｎ（ｍ
ｏｌ比）＝１０／９０、１次粒径３００Å）１５g を水
８５ｇ中に添加してサンドミルで４時間粉砕して９０℃
で１時間加熱した後、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒
径９０ｎｍのゾルを得た（Ｇ液）。

【００５９】Ｇ液および実施例１におけるＡ液とＢ液と
Ｃ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノ
ールで希釈した後、Ｇ液：Ａ液：Ｂ液：Ｃ液＝２０：４
５：２０：１５重量比となるように混合し、ブラウン管
パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さ
の膜を得た。この膜上にＳｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール
溶液（酸化物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥ
ｔ）₄ に対してｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を
８ｍｏｌ比添加し、８０℃で２時間撹拌を行った後、エ
タノールで酸化物換算０．９ｗｔ％に希釈した溶液(E
液) を１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３８０℃で３０分間加熱し２層構成の着色低反射帯電
防止膜を得た。

【００６０】［実施例８］酸窒化チタン１４ｇおよびＳ
ｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 粉末（１次粒径１
００Å）６．０ｇをあらかじめｐＨ１３に調整した水８
０ｇ中に添加してサンドミルで１６時間粉砕して９０℃
で１時間加熱した後、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均粒
径９０ｎｍのゾルを得た（Ｈ液) 。

【００６１】Ｈ液および実施例１におけるＡ液とＢ液と
Ｃ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノ
ールで希釈した後、Ａ液：Ｂ液：Ｃ液：Ｈ液＝４５：２
０：１５：２０重量比となるように混合し、ブラウン管
パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さ
の膜を得た。この膜上にＳｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール
溶液（酸化物換算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥ
ｔ）₄ に対してｐＨ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を
８ｍｏｌ比添加し、８０℃で２時間撹拌を行った後、エ
タノールで酸化物換算０．９ｗｔ％に希釈した溶液(E
液) を１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３８０℃で３０分間加熱し２層構成の着色低反射帯電
防止膜を得た。

【００６２】［実施例９］実施例１におけるＡ液および
Ｃ液を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノ
ールで希釈した後、Ａ液：Ｃ液＝８０：２０重量比とな
るように混合し、ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍ
の回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分
間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００６３】［実施例１０］実施例１におけるＡ液、Ｂ
液、Ｃ液および実施例３におけるＤ液を各酸化物換算で
１．２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ
液：Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液＝４０：１８：２：４０重量比と
なるように混合し、ブラウン管パネル表面に１００ｒｐ
ｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０
分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００６４】［実施例１１］ナフテン酸コバルトを酸化
物換算で３ｗｔ％になるようにエタノールで希釈した
（Ｈ液）。

【００６５】実施例１におけるＡ液、Ｂ液、実施例３に
おけるＤ液およびＨ液をＡ液：Ｂ液：Ｄ液：Ｈ液＝４
５：２０：２０：１５重量比となるように混合し、ブラ
ウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間
塗布し、その後６０℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの
厚さの膜を得た。この膜上に実施例７におけるＥ液を１
００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後３８０
℃で３０分間加熱し２層構成の着色低反射帯電防止膜を
得た。

【００６６】［比較例１］実施例１におけるＡ液とＢ液
を各酸化物換算で１．２ｗｔ％となるようにエタノール
で希釈した後、Ａ液：Ｂ液＝８０：２０重量比となるよ
うに混合し、ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後１６０℃で３０分間加
熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００６７】［比較例２］実施例１におけるＡ液とＢ液
および実施例３におけるＤ液を各酸化物換算で１．２ｗ
ｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ液：Ｂ
液：Ｄ液＝４０：２０：４０重量比となるように混合
し、ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で
６０秒間塗布し、その後６０℃で３０分間加熱し約１０
０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００６８】［比較例３］実施例１におけるＡ液、Ｂ
液、Ｃ液および実施例３におけるＤ液を各酸化物換算で
１．２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ａ
液：Ｂ液：Ｃ液：Ｄ液＝４０：１９．５：０．５：４０
重量比となるように混合し、ブラウン管パネル表面に１
００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後１６０
℃で３０分間加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。こ
の膜上にＳｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール溶液（酸化物換
算で固形分２０ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）₄ に対してｐ
Ｈ３．０に調整した塩酸酸性水溶液を８ｍｏｌ比添加
し、８０℃で２時間撹拌を行った後、エタノール酸化物
換算０．９ｗｔ％に希釈した溶液（Ｅ液）を１００ｒｐ
ｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０
分間加熱し２層構成の着色低反射帯電防止膜を得た。

【００６９】以上の結果を表１に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】［実施例１２］酸窒化チタン１５ｇをあら
かじめｐＨ３．０に調整した水溶液８５ｇ中に添加して
サンドミルで４時間粉砕して９０℃、１時間加熱したの
ち、濃度５ｗｔ％に調整し、平均粒径９０ｎｍのゾルを
得た（Ｉ液）。Ｓｉ（ＯＥｔ）₄ のエタノール溶液（酸
化物換算で固形分５ｗｔ％）にＳｉ（ＯＥｔ）₄ に対し
てｐＨ３．０に調整した硝酸酸性水溶液を８ｍｏｌ比添
加し、８０℃で２時間還流した（Ｊ液）。エタノール１
００ｇ中にアセチルアセトン７．５ｇを添加し、２−エ
チルヘキサン酸スズ１６ｇを加え、１時間撹拌した（Ｋ
液）。

【００７２】Ｉ液とＪ液とＫ液をＩ液：Ｊ液：Ｋ液＝
６：３：１重量比となるように混合した。この混合液１
２．６ｇにエタノール８．４ｇ、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート２７．３ｇ、イソプロピ
ルアルコール７．８ｇ、ジアセトンアルコール３．９ｇ
を混合し、着色膜用コート液とした。

【００７３】［実施例１３］Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープさ
れたＳｎＯ₂ 微粒子（１次粒径１０ｎｍ）１５ｇをＫＯ
ＨであらかじめｐＨ８．０とした水８５ｇ中に添加して
サンドミルで１６時間粉砕して９０℃で１時間加熱した
後、濃度５ｗｔ％に調整しゾルを得た（Ｌ液）。

【００７４】Ｉ液とＪ液とＫ液とＬ液をＩ液：Ｊ液：Ｋ
液：Ｌ液＝１５：３０：１０：４５重量比となるように
混合した。この混合液１２．６ｇにエタノール８．４
ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト２７．３ｇ、イソプロピルアルコール７．８ｇ、ジア
セトンアルコール３．９ｇを混合し、着色帯電防止膜用
コート液とした。

【００７５】［実施例１４］実施例１３におけるＳｂが
８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 微粒子のかわりにＩＴ
Ｏ微粒子（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ比、１次粒径
３０ｎｍ）を用いた以外は実施例１３と同様に行った。

【００７６】［実施例１５］実施例１３におけるＳｂが
８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 微粒子のかわりにＡｌ
が１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ微粒子（１次粒径２
０ｎｍ）を用いた以外は実施例１３と同様に行った。

【００７７】［実施例１６］実施例１３におけるＳｂが
８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 微粒子のかわりにＧａ
が８ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ微粒子（１次粒径４０
ｎｍ）を用いた以外は実施例１３と同様に行った。

【００７８】［比較例４］エタノール１００ｇ中に、２
−エチルヘキサン酸スズ１５ｇを加え、１時間撹拌した
（Ｍ液）。実施例１３におけるＫ液のかわりにＭ液を用
いた以外は実施例１３と同様に行った。

【００７９】実施例１２〜１６および比較例４において
作製された塗布液の評価結果を表２に示す。

【００８０】

【表２】

【００８１】［実施例１７］実施例１２において得られ
たコート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱
し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８２】［実施例１８］実施例１３において得られ
たコート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱
し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８３】［実施例１９］実施例１４において得られ
たコート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱
し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８４】［実施例２０］実施例１５において得られ
たコート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱
し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８５】［実施例２１］実施例１６において得られ
たコート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回
転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱
し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８６】［実施例２２］酸窒化チタン１５ｇおよび
Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ₂ 粒子（１次粒径
１０ｎｍ）５．０ｇをあらかじめｐＨ１３に調整した水
８０ｇ中に添加してサンドミルで１６時間粉砕して９０
℃で１時間加熱した後、濃度１０ｗｔ％に調整し、平均
粒径９０ｎｍのゾルを得た（Ｎ液）。Ｎ液および実施例
１２におけるＪ液とＫ液をＪ：Ｋ：Ｎ＝３：１：６重量
比となるように混合した（Ｐ液）。Ｐ液１２．６ｇにエ
タノール８．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート２７．３ｇ、イソプロピルアルコール
７．８ｇ、ジアセトンアルコール３．９ｇを混合し、着
色帯電防止膜用コート液とした。ブラウン管パネル表面
に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後３
８０℃で３０分加熱し約９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８７】［実施例２３］実施例２２におけるＰ液１
２．６ｇにエタノール８．４ｇプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート１９．５ｇ、イソプロピル
アルコール１５．６ｇ、ジアセトンアルコール３．９ｇ
を混合し、着色帯電防止膜用コート液とした。ブラウン
管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後３８０℃で３０分加熱し約９０ｎｍの厚さの
膜を得た。

【００８８】［実施例２４］実施例２２におけるＰ液１
２．６ｇにエタノール８．４ｇプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート３５．１ｇ、ジアセトンア
ルコール３．９ｇを混合し、着色帯電防止膜用コート液
とした。ブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速
度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱し約
９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００８９】［実施例２５］実施例２２におけるＰ液１
２．６ｇにエタノール８．４ｇプロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル２７．３ｇ、イソプロピルアルコー
ル７．８ｇ、ジアセトンアルコール３．９ｇを混合し、
着色帯電防止膜用コート液とした。ブラウン管パネル表
面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後
３８０℃で３０分加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得
た。

【００９０】［実施例２６］Ｊ液２０ｇにプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート５２．５ｇ、イ
ソプロピルアルコール４２．０ｇ、ジアセトンアルコー
ル１０．５ｇを混合した（Ｑ液）。実施例２２における
３８０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処
理に変更し、約１００ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の
上に、Ｈ液を実施例１７記載のスピンコート法で塗布
し、３８０℃で３０分加熱処理し着色低反射帯電防止膜
を得た。

【００９１】［実施例２７］実施例２３における３８０
℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変
更し、約１００ｎｍの厚さの膜を得た。この膜の上に、
Ｈ液を実施例１７記載のスピンコート法で塗布し、３８
０℃で３０分加熱処理し着色低反射帯電防止膜を得た。

【００９２】［比較例５］比較例４において得られたコ
ート液をブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速
度で６０秒間塗布し、その後３８０℃で３０分加熱し約
９０ｎｍの厚さの膜を得た。

【００９３】［比較例６］Ｐ液１２．６ｇにエタノール
８．４ｇ、メチルエチルケトン２７．３ｇ、イソプロピ
ルアルコール７．８ｇ、ジアセトンアルコール３．９ｇ
を混合し、着色帯電防止膜用コート液とした。ブラウン
管パネル表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布
し、その後３８０℃で３０分加熱し約１００ｎｍの厚さ
の膜を得た。

【００９４】［比較例７］Ｐ液１２．６ｇにエタノール
８．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート７．８ｇ、イソプロピルアルコール２３．４
ｇ、ジアセトンアルコール７．８ｇを混合し、着色帯電
防止膜用コート液とした。ブラウン管パネル表面に１０
０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その後３８０℃
で３０分加熱し約１００ｎｍの厚さの膜を得た。

【００９５】実施例１７〜２７および比較例５〜７にお
いて着色膜、着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜の
外観についての評価結果および膜特性の評価結果をそれ
ぞれ表３、表４に示す。

【００９６】

【表３】

【００９７】

【表４】

【００９８】

【発明の効果】本発明の着色膜、着色帯電防止膜、着色
低反射帯電防止膜は、低温熱処理が可能であり、全可視
光領域において均一な吸収を有するため低反射特性がす
ぐれている。また、窒素を含有してなる酸化チタン自体
は導電性を有しているため帯電防止能を発現することが
できる。

【００９９】本発明の塗布液は長期安定性に優れ、かつ
スピンコート法で塗布する際に液の流れ跡、粒子の流れ
た跡、膜乾燥時の粒子の凝集、乾燥むら、膜厚差等の少
ない、全可視光領域において均一な吸収を有する優れた
着色膜、着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜を提供
することが可能となる。本発明は生産性に優れ、かつ真
空を必要としないので装置も比較的安価なものでよい。
特にＣＲＴのパネルフェイス面等の大面積の基体にも充
分適用でき、量産も可能であるため工業的価値は非常に
高い。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｄ 5/00 ＰＰＱ 183/04 ＰＭＳ Ｈ０１Ｊ 29/89 // Ｇ０２Ｂ 1/10 (72)発明者 大橋 恵子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 河里 健 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸窒化チタンと、Ｓｎ有機酸塩および／ま
   たはＣｏ有機酸塩とを含む着色膜形成用塗布液。
2. 【請求項２】酸窒化チタンと、Ｓｉ（ＯＲ）_m Ｒ’_n
   （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ、Ｒ’＝Ｃ
   ₁ 〜Ｃ₄ のアルキル基）またはその加水分解物と、Ｓｎ
   有機酸塩と、β−ジケトンとを含み、さらに、プロピレ
   ングリコールエーテル、その誘導体、プロピレングリコ
   ールエーテルアセテートおよびその誘導体からなる群か
   ら選ばれる少なくとも１種と、メタノール、エタノー
   ル、およびプロパノールからなる群から選ばれる少なく
   とも１種と、ジアセトンアルコールとを含むことを特徴
   とする請求項１記載の着色膜形成用塗布液。
3. 【請求項３】Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａ
   のうち少なくとも１種からなる導電性酸化物を含むこと
   を特徴とする請求項１または２記載の着色膜形成用塗布
   液。
4. 【請求項４】前記Ｓｎ有機酸塩が、ナフテン酸第１スズ
   および２−エチルヘキサン酸スズの少なくとも１種であ
   ることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の着
   色膜形成用塗布液。
5. 【請求項５】前記Ｃｏ有機酸塩が、ナフテン酸第１コバ
   ルトおよび２−エチルヘキサン酸コバルトの少なくとも
   １種であることを特徴とする請求項１または３記載の着
   色膜形成用塗布液。
6. 【請求項６】前記酸窒化チタンが、Ｎを０. １〜３０ｗ
   ｔ％含有するＴｉＯ_x （１．０≦ｘ＜２．０）であるこ
   とを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の着色膜
   形成用塗布液。
7. 【請求項７】請求項１〜６いずれか１項記載の塗布液を
   塗布した後、加熱および／または紫外線を照射すること
   により得られたことを特徴とする３８０ｎｍから７００
   ｎｍの波長領域において透過率が低下された着色膜。
8. 【請求項８】基体表面に、酸窒化チタンを含み、さらに
   Ｓｎ有機酸塩およびＣｏ有機酸塩のうち少なくとも１種
   を含み、さらにＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧ
   ａのうち少なくとも１種からなる導電性酸化物を含む溶
   液を塗布した後、加熱および／または紫外線を照射する
   ことにより得られたことを特徴とする３８０ｎｍから７
   ００ｎｍの波長領域において透過率が低下され、かつ帯
   電防止能を有する着色帯電防止膜。
9. 【請求項９】基体表面に、酸窒化チタンを含み、さらに
   Ｓｎ有機酸塩およびＣｏ有機酸塩のうち少なくとも１種
   を含み、さらにＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧ
   ａのうち少なくとも１種からなる導電性酸化物を含む溶
   液を塗布した後、加熱および／または紫外線を照射する
   ことに被膜を形成し、さらにこの上に当該被膜よりも低
   屈折率を有する膜を形成したことを特徴とする３８０ｎ
   ｍから７００ｎｍの波長領域において透過率が低下さ
   れ、かつ帯電防止能および低反射能を有する着色低反射
   帯電防止膜。
10. 【請求項１０】基体上に形成された多層膜からなり、そ
    のうち少なくとも１層が酸窒化チタンを含み、さらにＳ
    ｎ有機酸塩およびＣｏ有機酸塩のうち少なくとも１種を
    含み、さらにＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａのう
    ち少なくとも１種の導電性酸化物を含む溶液を塗布した
    ことにより得られる被膜であることを特徴とする着色低
    反射帯電防止膜。
11. 【請求項１１】前記Ｓｎ有機酸塩が、ナフテン酸第１ス
    ズおよび２−エチルヘキサン酸スズの少なくとも１種で
    あることを特徴とする請求項８〜１０いずれか１項記載
    の着色膜、着色帯電防止膜および着色低反射帯電防止
    膜。
12. 【請求項１２】前記Ｃｏ有機酸塩が、ナフテン酸第１コ
    バルトおよび２−エチルヘキサン酸コバルトの少なくと
    も１種であることを特徴とする請求項８〜１０いずれか
    １項記載の着色膜、着色帯電防止膜および着色低反射帯
    電防止膜。
13. 【請求項１３】前記酸窒化チタンが、Ｎを０. １〜３０
    ｗｔ％含有するＴｉＯ_x （１．０≦ｘ＜２．０）である
    ことを特徴とする請求項８〜１２いずれか１項記載の着
    色膜、着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜。
14. 【請求項１４】請求項７〜１３いずれか１項記載の着色
    膜、着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜を形成した
    陰極線管。
15. 【請求項１５】請求項７〜１３いずれか１項記載の着色
    膜、着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜を形成した
    ガラス物品。