JPH0273065A - Ｎ−フェニルテトラヒドロフタルイミド誘導体、その製造方法及びそれを有効成分として含有する除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は新規なＮ−フェニルテトラヒドロフタルイミ
ド誘導体、その製造方法及びそれを有効成分として含有
する除り剤に関する。

〔従来の技術］ 従来より、テトラヒドロフタルイミド誘導体の除草活性
はよく知られており、例えば特開昭５７−１６：１３６
５号には、下記式［１Ｆで示される化合物か、特開昭５
８−１１０５６６には下記式［ＩＩ］て示される化合物
か開示されている。

ＣＩ＋□ ［従来の技術の欠点］ しかしなから、従来のテトラヒドロフタルイミド誘導体
は除苧活性が必ずしも十分てはないか又は作物、雑Ｉ’
Ｊ間の選択性か十分てなく、従って、作物に対する安全
性に問題かある。

［発１１か解決しようとする問題点］ 従って、この発明の目的は、除り剤として用いた場合に
除Ｉ′Ｉ！活性か高くかつ作物に対する安全性のρ；い
新規化合物、その製造方法及びそれを有効成分として含
有する新規な除草剤を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは、鋭意研究の結果、Ｎ−アリール基の５位
に特定の置換基を有する新規なＮ−アリールテトラヒド
ロフタルイミド誘導体が極めて優れた除々活性と選択性
を有し、特に広葉雑草を選択的に防除し、かつ作物に対
する安全性か高いことを見出しこの発明を完成した。

すなわち、この発明は、 一般式［ｍｌ （たたし１式中、Ｒは低級アルキル基、ハロアルキル基
、低級アルケニル基、低級アルキニル基、置換されてい
てもよいフェニル基又はベンジル基を表わす） て示されるＮ−フェニルテトラヒドロフタルイミド誘導
体を提供する。

また、この発明は、 一般式［■コ Ｘ−５ｏ２　Ｒ［■コ （たたし、式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは低級アルキル
基、ハロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
ル基、置換されていてもよいフェニルノ人又はペンシル
基を表わす） て示されるスルホニルハロゲナイ１−とＮ−（４−クロ
ロ−２−フルオロ−５−ヒドロキシフェニル）−３，４
，Ｓ、Ｇ−テトラヒドロフタルイミドとを塩基存在−ド
て反応させることからなるヒ記一般式［ｍｌて示される
この発明の化合物の製造方法を提供する。

さらにまた、この発明は上記−軟式［Ｉ１１］で示され
るこの発明の化合物を有効成分として含有する除り剤を
提供する。

［発明の効果］ 本発明により、除ｑ剤として優れた除草活性及び安全性
を有する新規化合物及びその製造方法が提供された。ま
たその化合物を有効成分として含有する本発明の除草剤
は、後述する実施例で明らかになるように、種々の雑位
を的確に駆除することかてきる除Ｉ′１７活性の高いも
のであり、それていて種／（の作物、特にイネや畑作物
であるコムギ等には、極めて安全に使用てきる安全性の
高いものである。

［発明の詳細な説明］ Ｌ述したように１本発明のＮ−フェニルテトラヒドロフ
タルイミド１″Ａ導体は、上記−軟式［Ｉ１１］て示さ
れる。−軟式［Ｉ］１］中、Ｒは低級アルキル店、ハロ
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、置
換されていてもよいフェニル基又はベンジル基（この場
合、δ換基としてはハロゲン又は低級アルキル基か好ま
しい）を表わす。凡の好ましい例としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、メチル基などの低級アルキル基、
クロロメチル基、アリル基、フェニル基又はクロロペン
シル基等を挙げることかてきる。

表１に１本発明の好ましい具体例を示すか１本発明の化
合物はこれらに限定されるものてはない。

表　　１ 上記の本発明化合物は上記式［ＩＶ］で示されるスルホ
ニルハロゲナイトとＮ−（４−クロロ−２−フルオロ−
５−ヒドロキシフェニル）−３，４，５，６−チトラヒ
ドロフタルイミトとを溶媒中、ｋＭ基存在下で一１０℃
以上加熱まで任意に設定できるが、好ましくは０℃ない
し１００℃、特に好ましくは５°Ｃないし６０°Ｃで数
分から１０時間反応させることにより製造することかで
きる。但し、−軟式［＋７］中のＸはハロゲン原子、好
ましくはＪ′１！素原Ｔ素側は臭素原子を表わし、Ｒは
一軟式ｒＩｌｌ］と同じ意味を表わす。

反応に用いられる溶媒の好ましい例として、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類：ベンゼン、トルエン
、キシレン算の芳香族炭化水素類；エチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、クロロ
ベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン
、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類及びアセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、リン酸へキサメチルトリアミド等の極性溶媒を挙げ
ることかてきる。

また、反応に用いられる好ましい１！！基の例として、
トリエチルアミン、ピリジン、１．８−ジアザビシクロ
［５，４，Ｏｌ−７−ウンデセン、ジメチルアニリン等
の第三級アミン：水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の水酸化アルカリ及び炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸アルカ
リ塩等を挙げることがてきる。

反応に供される試剤の量は、通常、Ｎ−（４−クロロ−
２−フルオロ−５−ヒドロキシフェニル）−３，４，５
，６−チトラヒドロフタルイミト１ｆｉにに対して一般
式［ＩＶ］て示されるスルホニルハロゲナイトは０．７
出漬から２当場、好ましくは００ｇ当量から１．４当量
てあり、塩基の量は過剰縫か好ましく１通常１．１当量
から５当量である。

上記した本発明の化合物を有効成分として含む本発明の
除は剤は、種々の雑草に対して除草活性を有するか、特
に広葉雑草に対して優れた除草活性を有する。そのよう
な雑草としては１例えばアサガオ、ハコベ、シロザ、ア
オビユ、ノビエ、メヒシバ、ジョンソングラス等を挙げ
ることができる。また、本発明の除草剤はイネ、コムギ
等のイネ科作物に対してほとんど薬害を与えることがな
く、安全性の高いものである。

本発明の除草剤は、上記した本発明の化合物である有効
成分と、この分野において通常用いられている農薬補助
剤を用いて、農薬製剤上一般に行なわれＣいる方法によ
り製剤された、例えば乳剤、水和剤、油剤１粒剤等の製
剤形態にある。これら種々の製剤は実際の使用に際して
は、そのまま使用するか、又は木で所定のａ度に希釈し
て使用することかできる。

農薬補助剤の例としては、希釈剤、界面活性剤、安定剤
、固着剤、エアゾール用噴霧剤、共力剤、増騒剤、固体
担体、効力延長剤、分散安定剤等を挙げることができる
。晶釈剤の例としては水、炭化水素類、アルコール類、
エーテル類、アルコールエーテル類、ケトン類、エステ
ル類、アミド類、スルホキシド類を挙げることかてきる
。

またｔｅａ剤、固体担体としては無ａｌｊｌ！Ｉ粉粒体
、例えば生石灰、マグネシウム石灰、石膏、炭酸カルシ
ウム、畦土、パーライト、軽石、珪藻上、アルミナ、ゼ
オライト、粘土鉱物（滑石、バーミキュライト、カオリ
ナイト）、植物粉粒体（例えばデン粉、穀物、ブドウ糖
）、合成樹脂粉体く例えばフェノール樹脂、炭素樹脂、
塩化ビニール樹脂）等を挙げることかてきる。界面活性
剤としては、アニオン界面活性剤（例えばアルキル硫酸
ニスデル類、アリールスルホン酸類、コハク酸塩類、ポ
リエチレンクリコールアルキルアリールニーデル硫酸塩
類）、カチオン界面活性剤（例えばアルキルアミン類、
ポリオキシエチレンアルキルアミン類）、非イオン界面
活性剤（例えばポリオキシエチレングリコールエーテル
類、ポリオキシエチレングリコールエステル類、多価ア
ルコールエステル類）、両性界面活性剤等を挙げること
かできる。

以Ｆに具体的な製剤の例を示す。

製剤例　ｌ（乳剤） 有効成分２０玉ｊ詐部、キシシン６０重鼠部及びツルポ
ール２８０６Ｂ　（商品名：東邦化学工業製界面活性剤
）２０玉礒部を均一に攪拌混合して２０％乳剤とする。

製剤例　２（水和剤） ホワイトカーボン１０ｉ１ｉ部、シークライト６５重量
部、ツルポール５０３９　（商品名：東邦化学Ｔ業製界
面活性剤）５用徴部及び有効成分２０玉量部を混合粉砕
して２０％永和剤とする。

製剤例　３（粒剤） 有効成分３屯量部、クレー６７重ｒ正部及びベントナイ
ト２６重縫部に助剤としてアルキルベンゼンスルホネー
ト０．５１ｆｆｉ部及びリグニンスルホン酸ナトリウム
３．５重量部を加えて均一に攪拌混合する。更に水を加
えて混合し、造粒乾燥後整粒して３％粒剤とする。

本発明の除草剤は、通常の除草剤と同様にして使用する
ことかでき、例えば畑地雑草の発芽前または発芽初期の
土壌処理に使用することかできる。また、水田雑草に対
しては、例えば水稲の移植活着後に雑草の発生前または
発生直後に本発明の除草剤を用いて土壌処理を行なうこ
とかてきる。

本発明の除草剤の施用値は、施用する方法、目的、待期
、雑草の発生状況により適宜選釈することかてきるが１
通常、１ヘクタール当たり有効成分騒で０．０１ｋｇか
らｌ０ｋｇ、好ましくは０．０５ｋｇから５ｋｇである
。

以ド、本発明を実施例をあげて具体的に説明するか１本
発明はこれらの例のみに限定されるものてはない。

［実施例］ 実施例１ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−メチルスルホニ
ルオキシフェニル）−：ｌ、４．Ｓ、５−テトラヒドロ
フタルイミド（化合物番号ｌ（表１参照））の製造Ｎ−
（４−クロロ−２−フルオロ−５−ヒドロキシフェニル
）−３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミド２．９
６．とトリエチルアミン１．ｓ（Ｉｇをテトラハイドロ
フラン３０１に加え、室温で攪拌しながらメタンスルホ
ニルクロライド１．２０ｇを含むテトラハイドロフラン
溶液１０１を滴下した。４０〜４５℃て１時間反応させ
１反応液は冷却後、２％炭酸ナトリウム水溶液に加え析
出した沈殿をろ別、水洗後。

得られた沈殿をベンゼン−ヘキサン混合溶媒（１／１　
（Ｖ／Ｖ））テ攪拌洗浄して精製し、目的物２．５０ｇ
を得た。

融点：　　１２：１．５〜１２５℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） １７８２　（ｃ＋＊−’）　　（イミドＩＭ−針）１７
２２　（ｃｍ−’）　　（イミド環−９−）ｌコア１　
（ａｍ−’）　（スルホニル基）１１５５　（ｃｍ−’
）　（スルホニル、ＡＳｉ）実施例２ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−クロロメチルス
ルホニルオキシフェニル）−３，４，５，６−チトラヒ
トロフタルイミ・ト（化合物番号２）の製造スルホニル
クロライドとしてクロロメタンスルホニルクロライドを
用いることを除き実施例１と同様な操作を行ない目的物
２−６０ｇを得た。

融点：ｌ１４〜１１６℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） １７１９　（ｃｍ−’）　　（イミド環−９−）１３７
４　（ｃｍ−’）　（スルホニル基）１１５５　（ｃ＠
−’）　（スルホニル基）実施例３ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−エチルスルホニ
ルオキシフェニル）−：ｌ、４，５．６−テトラヒト口
フタルイミド（化合物番号３）の製造 スルホニルクロライドとしてエタンスルホニルクロライ
ドを用いることを除き実施例１と同様な操作を行ない目
的物２．５０ｇを得た。

融点：１０１〜１０３℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） １７２５　（ｃｍ−’）　　（イミド環　−９−）１３
６８　（ｃｍ−’）　（スルホニル基）＋１５５　（ｃ
ｍ−’）　（スルホニル基）実施例４ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−プロピルスルホ
ニルオキシフェニル）−：Ｉ、４，５．５−テトラヒド
ロフタルイミド（化合物番号４）の製造スルホニルクロ
ライドとして１−プロパンスルホニルクロライドを用い
ることを除き実施例１と同様な操作を行ない目的物２．
７０ｇを得た。

融点・１１２〜１１３℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） ＋７７９　　（ｃ＠−’）　　（イミド環　−９−）１
７２５　（ｃｍ−’）　　（イミド環　−Ｃ−）＋３７
４　（ｃｍ−’）　（スルホニル）Ａ　）１！５５　（
（ｊ−’）　（スルホニル基）実施例５ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−ブチルスルホニ
ルオキシフェニル）−１，４，５，６−テトラヒドロフ
タルイミド（化合物番号５）の製造 スルホニルクロライドとしてｌ−ツタンスルホニルクロ
ライトを用いることを除き実施例１と同様に反応を行な
い１反応液は冷却後、２％炭酸ナトリウム水溶液に加え
、遊離したアメ状物はベンゼン抽出を行なった。抽出液
は薄い水酸化ナトリウム水溶液及び水て洗い、無水硫酸
マグネシウムで脱水後、溶媒を減圧留去し残渣をカラム
クロマトクラフィー（担体ニジリカゲル、展開溶媒：ベ
ンゼン／酢酸エチルエステル＝　９５／Ｓ（Ｖ／Ｖ））
で精製し、［１的物２．９０ｇを得た。

融点＝８８〜８９℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） １７８２　（ｃｍ−’）　（イミド環　−Ｑ−）１７コ
ｌ　　（ｃｍ−’）　　（イミド環　−智　　）１：１
７１　（ｃｍ−’）　（スルホニル基）１１５５　（ｃ
ｍ−’）　（スルホニル基）実Ｍ［６ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−（ｏ−クロロベ
ンジルスルホニルオキシ）フェニル）−：ｌ、４．Ｓ、
６−テトラヒドロフタルイミド（化合物番号６）の製造 Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−ヒドロキシフェ
ニル）−３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミド２
．９６ｇ及び炭酸カリウム４．５０ｇにジメチルホルム
アミド３０１を加え、１５℃て攪拌しながら。−クロロ
−ベンジルスルホニルクロライド粉末２．００ｇを少量
ずつ加えた。室温て３時間反応させた後。

反応液を１％炭酸カリウム水溶液に加え、遊離した粘性
油状物はベンゼン抽出を行なった。抽出液は薄い水酸化
ナトリウム水溶液及び水で洗い、無水硫酸マグネシウム
で脱水後、溶媒を減圧留去し残渣をカラムクロマトグラ
フィー（担体ニジリカゲル、展開溶媒：ベンゼン）で精
製し、無色のガラス状口的物３．００ｇを得た。

ＩＲ吸収スペクトル（サンドイツチ法）＋７８２　（ｃ
ｍ−’）　（イミド環　１−　　）１７２２　（ｅｌｌ
−’）　（イミド環　−Ｃ−）１３７１　（ｃｍ−’）
　（スルホニル基）＋１５２　（Ｃ＠−’）　（スルホ
ニル基）７：１５　（ｃｍ−Ｉ）（［相］、４Ｈ）実施
例７ Ｎ−（４−クロロ−２−フルオロ−５−アリルスルホニ
ルオキシフェニル）−１，４，Ｓ、６−テトラヒドロフ
タルイミド（化合物番号７）の製造 スルホニルクロライドとして３−（ｌ−プロペン）スル
ホニルクロライドを用いることを除き実施例１と同様に
反応を行ない、反応液は実施例６と同様に処理精製し、
目的物２．３０ｇを得た。

融点：１１５〜１１７℃ ＩＲ吸収スペクトル（ＫＢｒ法） １７７９　（ｃｍ−’）　（イミド環　−Ｃ−）♂ １７２２　（ｃｍ−’）　（イミド環−９−）１３７７
　（ｃｍ−’）　（スルホニル基）１１５２　（ｃ１柑
）（スルホニル基）見上■Ｊ　畑地におけるＬｔｉ処理
試験２２ｃｍＸ　１６ｃｍのプラスチンクハットに畑上
壌を詰め、ダイズ、レタス、イネ及びコムギの種子を一
定Ｈ，Ｈ播種し、その上にアサガオ、ハコへ、シロザ、
アオビユ、メヒシバ、ノビエ、ジョンソンクラス等の３
１　ｉ’、’種子を含む＋壌を約１ｃｍの厚さに覆土し
た。播種翌日に、ヒ記の化合物を所定！−の木で希釈し
、下記表２に示すｌｊ、を土壌表面に散布した。また比
較剤として、Ｎ−（４−クロロフェニル）−１，４，５
，５−テトラヒドロフタルイミドを用いた。散布後１４
日［１に雑草及び作物の生育状１ムを観察し、表２に示
す結果を得た。なお、除々効力の評価は下記に示すよう
にＯ〜５の数字て表わした。また５作物に対する薬害も
除々効力と同じ基憎て示した。

０・・・抑草−Ｖ １・・・抑り率 ２・・・抑！′ｙ＊ ３・・・仰々率 ４・・・抑へ！率 ０〜９　％ ｌ　Ｏ〜　２９　％ ３０〜４９　％ ５０〜６９　％ ７０〜８９　％ ・抑表＋１７率 ９０〜１００　％ １五ＡＪ　茎葉処理試験 ２２ｃｍＸ　１６ｃｍのプラスチックバットに畑土壌を
詰め、レタス、イネ１コムギの種子を一定量播種し、そ
の−トにアサガオ、ハコベ、シロザ、アオビユ等の雑・
７種子を含む土壌を約１ｃｍの厚さに覆土した。ノビエ
か２．０葉期になった時に、上記の化合物を所定驕の水
で冷釈し下記表３に示す置数布した。散布後１４０目に
雑草及び作物の生育状態を観察し、表３に示す結果を得
た。

なお、比較剤は実施例８と同一のものを使用し、除１°
、！効果及び薬害の評価は実施例８と同様に行なった。

笈五侃ユ瓜　木Ｉｌｌにおける土壌処理試験１００ｃｍ
’のプラスチウクボ・シトに水［１１上壌を詰め１代掻
き後１表４に示す３１　’：’−の種子を播き、更に２
．５葉期の本積（品種　コシヒカリ）を移植し、約４．
０ｃ１１の湛水状態て管理した。雑値の発生初期に、本
発明の化合物を所定！正の水で希釈し、表４にボすｌＩ
ｌを水ｌ７７ｉに均一に処理した。薬剤処理後、１４１
１１１に雑４℃及び作物の生ｆｆ状態を１ｌｌｌ寮し１
表４の結果を得た。なお、比較剤は実施例８と同一のも
のを使用し、除は効果及び薬害のＪｆ価は実施例８と同
様に行なった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中、Ｒは低級アルキル基、ハロアルキル基
   、低級アルケニル基、低級アルキニル基、置換されてい
   てもよいフェニル基又はベンジル基を表わす） で示されるＮ−フェニルテトラヒドロフタルイミド誘導
   体。
2. （２）一般式 Ｘ−ＳＯ＿２Ｒ （ただし、式中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは低級アルキル
   基、ハロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
   ル基、置換されていてもよいフェニル基又はベンジル基
   を表わす）で示されるスルホニルハロゲナイドとＮ−（
   ４−クロロ−２−フルオロ−５−ヒドロキシフェニル）
   −３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドとを塩基
   存在下で反応させることを特徴とする請求項１記載のＮ
   −フェニルテトラヒドロフタルイミド誘導体の製造方法
   。
3. （３）請求項１記載のＮ−フェニルテトラヒドロフタル
   イミド誘導体を有効成分として含有する除草剤。