JPH027310B2 - - Google Patents
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- JPH027310B2 JPH027310B2 JP15339281A JP15339281A JPH027310B2 JP H027310 B2 JPH027310 B2 JP H027310B2 JP 15339281 A JP15339281 A JP 15339281A JP 15339281 A JP15339281 A JP 15339281A JP H027310 B2 JPH027310 B2 JP H027310B2
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- Indole Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インドリン系化合物よりインドール
系化合物を製造する方法に関する。 従来、インドリン核よりインドール核への酸化
には、二酸化マンガン、塩化第二銅−ピリジン、
クロラニル、パラジウム黒などによる方法があ
る。しかしながら、インドール核は酸化に弱いの
で、反応条件を十分考慮しなければならない煩わ
しさがあるとともに、また核上の官能基が酸化さ
れるおそれも存在する。しかも、大量生産する場
合には、使用された無機性酸化剤の廃棄処理も重
大な問題となる。 本発明者らは、これら従来技術の欠点を解消す
べく種々研究の結果、きわめて穏和な条件でイン
ドリン系化合物を脱水素することによりインドー
ル系化合物を得ることに成功し、本発明を完成し
た。 本発明は、インドリン系化合物とスルフイドと
を、有機塩基の存在下、−40〜−80℃で第3級ブ
チルヒポクロライドを加えて反応させた後、更に
これに有機塩基を加えることにより、対応するイ
ンドール系化合物を製造する方法である。 本発明において、インドリン系化合物とはイン
ドリンまたは「インドリン核の窒素原子に置換基
が存在していないインドリン誘導体」を意味す
る。インドリン核の窒素原子とスルフイドとの反
応の妨げとならない限り、前記インドリン核の1
位以外にいかなる置換基が存在してもよい。 インドール系化合物とは、前記インドリン系化
合物にそれぞれ対応する化合物を意味する。 スルフイドとは、硫黄原子の隣にメチル基また
はメチレン基を有するスルフイドを意味し、ジメ
チルスルフイドなどが好ましい。 有機塩基とは、有機アミン、ナトリウムアルコ
ラートなどの塩基性有機物質を意味する。 本反応は−40〜−80℃で行なうことができ、−
60℃前後の冷却がよい結果を与える。 本発明を実施するには、次のようにして行な
う。 すなわち、インドリン系化合物と、それとほぼ
等モルの有機塩基と小過剰モルのスルフイドとを
非プロトン性有機溶媒(たとえば、塩化メチレ
ン、アセトニトリル、ジメトキシエタンなど)に
溶解した溶液を−40〜−80℃に冷却し、これにほ
ぼ等モルの第3級ブチルヒポクロライドを滴下
し、前記温度に保ちながら1〜2時間撹拌をつづ
けて反応させ、アザスルホニウム塩を生成する。
これに約5倍モルの有機塩基のアルコール溶液を
加えた後冷却を停止し、この反応系の温度を室温
にもどす。 この所要時間は2時間前後である。この反応液
を常法により後処理してインドール系化合物を好
収率で得ることができる。 本発明の製法は、反応条件がきわめて穏和なた
め、原料化合物に他の官能基が存在していてもそ
れらは影響を受けることがなく、光学活性化合物
であつてもその活性がそこなわれることはない。
また、その反応操作も、冷却下ただ混合するだけ
であるからきわめて簡単である。 次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 1 インドリン(3mmol)、ジメチルスルフイド
(4.5mmol)およびトリエチルアミン(3mmol)
を塩化メチレン(10ml)に溶解し、−65℃で第3
級ブチルヒポクロライド(3.9mmol)の塩化メ
チレン溶液(10ml)をこれに滴下した。この反応
液をそのまま2時間保ち、次いでメタノール(5
ml)および金属ナトリウム(15mmol)から調製
したナトリウムエチラートを10分かけて加えた後
冷却を停止し、そのまま撹拌をつづけて室温にも
どした。この間2時間を要した。反応液に水(20
ml)を加え、水層を塩化メチレン(2ml)で30回
抽出し、この抽出液を合せて飽和食塩水(20ml)
で洗浄し、芒硝で乾燥した。この乾燥抽出液を減
圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイー(展開溶媒ベンゼン−ヘキサン
1:1)により精製し、水から再結晶してインド
ールを収率82%で得た。 m.P.52〜53℃ 実施例 2 それぞれ対応する原料化合物を、実施例1と同
様に処理することにより、次表に示す化合物を得
ることができた。 【表】
系化合物を製造する方法に関する。 従来、インドリン核よりインドール核への酸化
には、二酸化マンガン、塩化第二銅−ピリジン、
クロラニル、パラジウム黒などによる方法があ
る。しかしながら、インドール核は酸化に弱いの
で、反応条件を十分考慮しなければならない煩わ
しさがあるとともに、また核上の官能基が酸化さ
れるおそれも存在する。しかも、大量生産する場
合には、使用された無機性酸化剤の廃棄処理も重
大な問題となる。 本発明者らは、これら従来技術の欠点を解消す
べく種々研究の結果、きわめて穏和な条件でイン
ドリン系化合物を脱水素することによりインドー
ル系化合物を得ることに成功し、本発明を完成し
た。 本発明は、インドリン系化合物とスルフイドと
を、有機塩基の存在下、−40〜−80℃で第3級ブ
チルヒポクロライドを加えて反応させた後、更に
これに有機塩基を加えることにより、対応するイ
ンドール系化合物を製造する方法である。 本発明において、インドリン系化合物とはイン
ドリンまたは「インドリン核の窒素原子に置換基
が存在していないインドリン誘導体」を意味す
る。インドリン核の窒素原子とスルフイドとの反
応の妨げとならない限り、前記インドリン核の1
位以外にいかなる置換基が存在してもよい。 インドール系化合物とは、前記インドリン系化
合物にそれぞれ対応する化合物を意味する。 スルフイドとは、硫黄原子の隣にメチル基また
はメチレン基を有するスルフイドを意味し、ジメ
チルスルフイドなどが好ましい。 有機塩基とは、有機アミン、ナトリウムアルコ
ラートなどの塩基性有機物質を意味する。 本反応は−40〜−80℃で行なうことができ、−
60℃前後の冷却がよい結果を与える。 本発明を実施するには、次のようにして行な
う。 すなわち、インドリン系化合物と、それとほぼ
等モルの有機塩基と小過剰モルのスルフイドとを
非プロトン性有機溶媒(たとえば、塩化メチレ
ン、アセトニトリル、ジメトキシエタンなど)に
溶解した溶液を−40〜−80℃に冷却し、これにほ
ぼ等モルの第3級ブチルヒポクロライドを滴下
し、前記温度に保ちながら1〜2時間撹拌をつづ
けて反応させ、アザスルホニウム塩を生成する。
これに約5倍モルの有機塩基のアルコール溶液を
加えた後冷却を停止し、この反応系の温度を室温
にもどす。 この所要時間は2時間前後である。この反応液
を常法により後処理してインドール系化合物を好
収率で得ることができる。 本発明の製法は、反応条件がきわめて穏和なた
め、原料化合物に他の官能基が存在していてもそ
れらは影響を受けることがなく、光学活性化合物
であつてもその活性がそこなわれることはない。
また、その反応操作も、冷却下ただ混合するだけ
であるからきわめて簡単である。 次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 1 インドリン(3mmol)、ジメチルスルフイド
(4.5mmol)およびトリエチルアミン(3mmol)
を塩化メチレン(10ml)に溶解し、−65℃で第3
級ブチルヒポクロライド(3.9mmol)の塩化メ
チレン溶液(10ml)をこれに滴下した。この反応
液をそのまま2時間保ち、次いでメタノール(5
ml)および金属ナトリウム(15mmol)から調製
したナトリウムエチラートを10分かけて加えた後
冷却を停止し、そのまま撹拌をつづけて室温にも
どした。この間2時間を要した。反応液に水(20
ml)を加え、水層を塩化メチレン(2ml)で30回
抽出し、この抽出液を合せて飽和食塩水(20ml)
で洗浄し、芒硝で乾燥した。この乾燥抽出液を減
圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイー(展開溶媒ベンゼン−ヘキサン
1:1)により精製し、水から再結晶してインド
ールを収率82%で得た。 m.P.52〜53℃ 実施例 2 それぞれ対応する原料化合物を、実施例1と同
様に処理することにより、次表に示す化合物を得
ることができた。 【表】
Claims (1)
- 1 インドリン系化合物とスルフイドとを、有機
塩基の存在下、−40〜−80℃で第3級ブチルヒポ
クロライドを加えて反応させた後、さらにこれに
有機塩基を加えることを特徴とするインドール系
化合物の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339281A JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15339281A JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855458A JPS5855458A (ja) | 1983-04-01 |
| JPH027310B2 true JPH027310B2 (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=15561481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15339281A Granted JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855458A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH078104B2 (ja) * | 1987-03-02 | 1995-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 零相計測装置 |
| JPH01206269A (ja) * | 1988-02-13 | 1989-08-18 | Energy Support Corp | 零相電流検出装置及び零相電流電圧検出装置 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15339281A patent/JPS5855458A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855458A (ja) | 1983-04-01 |
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