JPH0273301A - 光学式エンハンサ - Google Patents
光学式エンハンサInfo
- Publication number
- JPH0273301A JPH0273301A JP22610088A JP22610088A JPH0273301A JP H0273301 A JPH0273301 A JP H0273301A JP 22610088 A JP22610088 A JP 22610088A JP 22610088 A JP22610088 A JP 22610088A JP H0273301 A JPH0273301 A JP H0273301A
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- Japan
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- Granted
Links
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 title claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、例えば被測定レンズを通したレーザビーム
スポットの回折像の光強度分布等の測定に用いるエンハ
ンサに関する。
スポットの回折像の光強度分布等の測定に用いるエンハ
ンサに関する。
従来の技術
レーザビームスポットの回折像の光強度は、第2図に示
すように、その0次回折像(図のa)と高次の回折リン
グ(図のC等)との差が著しく、これらを撮像装置によ
り同時に測定するには精度上の困難さがある。
すように、その0次回折像(図のa)と高次の回折リン
グ(図のC等)との差が著しく、これらを撮像装置によ
り同時に測定するには精度上の困難さがある。
そこで、撮像装置内に二次元配列された各撮像素子の増
幅器のゲインを部分的に上、下、すなわち光強度の小さ
い部分のゲインを上げ、大きい部分のゲインを下げる電
気的なエンハンサが採用されていた。
幅器のゲインを部分的に上、下、すなわち光強度の小さ
い部分のゲインを上げ、大きい部分のゲインを下げる電
気的なエンハンサが採用されていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、これにおいては構成が複雑化することが
避けられず、また、個々の増幅器のドリフトの差異等安
定性にも問題があった。
避けられず、また、個々の増幅器のドリフトの差異等安
定性にも問題があった。
課題を解決するための方法
この発明は、予め撮像装置に入る前段階において光強度
の大きい部分の光強度を光学的に低下させるようにした
ものであり、多数個の撮像素子が二次元配列されIこ撮
像装置の前部に、所定の透光率パターンを有するフィル
タを配置し、上記撮像装置の撮像素子出力を画像処理装
置に導入し、上記透光率パターンの各対応する透光率に
より補正するものである。
の大きい部分の光強度を光学的に低下させるようにした
ものであり、多数個の撮像素子が二次元配列されIこ撮
像装置の前部に、所定の透光率パターンを有するフィル
タを配置し、上記撮像装置の撮像素子出力を画像処理装
置に導入し、上記透光率パターンの各対応する透光率に
より補正するものである。
制能
これにおいて、光強度の大きい部分、例えばビームスポ
ットのO次回折像と対応する部分の透光率を下げたフィ
ルタを用いると、それと対応する部分の光強度はそれだ
け低下されて撮像素子に導かれ、電気的出力に変換され
る。そして、次にはその出力を各対応するフィルタの透
過率に基づいて補正することにより真の光強度分布が求
められる。
ットのO次回折像と対応する部分の透光率を下げたフィ
ルタを用いると、それと対応する部分の光強度はそれだ
け低下されて撮像素子に導かれ、電気的出力に変換され
る。そして、次にはその出力を各対応するフィルタの透
過率に基づいて補正することにより真の光強度分布が求
められる。
尚、このフィルタの透過率を実験的に求めるには、光強
度が−様な光をフィルタを介して撮像素子に導き、各撮
像素子の出力の大きさを比較すればよい。
度が−様な光をフィルタを介して撮像素子に導き、各撮
像素子の出力の大きさを比較すればよい。
犬m%J
PIS1図において、10は内部にCCD撮像素子が二
次元配列されたCCDカメラであり、その前部にはフィ
ルタ20とコリメートレンズ30を有する保持筒40が
装着され、また上記CCDカメラ10の出力は演算器5
0に送出され、そこに予め記憶されている透過率に基づ
き補正演算が行なわれている。レーザビームスポットの
回折像の光強度分布の測定に際しては、上記フィルタ2
0は第3図に示すように、0次回折像と対向する部分に
インツーネル22を蒸着したガラス板21よりなる。こ
のフィルタ20の透過率パターンは、ハロゲンランプと
光フアイバー束を用いて形成した一様強度の光をフィル
タ20を介してCCDカメラ10に導入することにより
予め測定されており、その特性は第4図に示すように、
インツーネル蒸着部22の透過率はガラス板21のみの
部分の略1/4であって、これが各対応するCCD番号
に合わせて画像処理装置50のメモリに格納されている
。
次元配列されたCCDカメラであり、その前部にはフィ
ルタ20とコリメートレンズ30を有する保持筒40が
装着され、また上記CCDカメラ10の出力は演算器5
0に送出され、そこに予め記憶されている透過率に基づ
き補正演算が行なわれている。レーザビームスポットの
回折像の光強度分布の測定に際しては、上記フィルタ2
0は第3図に示すように、0次回折像と対向する部分に
インツーネル22を蒸着したガラス板21よりなる。こ
のフィルタ20の透過率パターンは、ハロゲンランプと
光フアイバー束を用いて形成した一様強度の光をフィル
タ20を介してCCDカメラ10に導入することにより
予め測定されており、その特性は第4図に示すように、
インツーネル蒸着部22の透過率はガラス板21のみの
部分の略1/4であって、これが各対応するCCD番号
に合わせて画像処理装置50のメモリに格納されている
。
これによりCCDカメラ10には、第2図に破線すで示
すようにO次回折像部分の光量aが1/4にされて導か
れ、またその外方の高次リング像はその光量のまま導か
れてCCDにより電気出力に変換される。そして、その
出力は画像処理装置50において、上記したフィルタ2
0の実測透過率パターンに基づいて補正され、真の光強
度分布の再現が行なわれる。
すようにO次回折像部分の光量aが1/4にされて導か
れ、またその外方の高次リング像はその光量のまま導か
れてCCDにより電気出力に変換される。そして、その
出力は画像処理装置50において、上記したフィルタ2
0の実測透過率パターンに基づいて補正され、真の光強
度分布の再現が行なわれる。
尚、上記実施例は、レーザビームスポットに対するもの
であるが、これに限らず種々の回折像に対し、その強度
分布に応じたフィルタを用いることにより実施し得る。
であるが、これに限らず種々の回折像に対し、その強度
分布に応じたフィルタを用いることにより実施し得る。
CCDカメラ
フィルタ
レンズ
保持筒
画像処理装置
Claims (1)
- 1、多数個の撮像素子が二次元配列された撮像装置の前
部に、所定の透光率パターンを有するフィルタを配置し
、上記撮像装置の撮像素子出力を画像処理装置に導入し
、上記透光率パターンの各対応する透光率により補正す
るところの光学式エンハンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22610088A JPH0743442B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光学式エンハンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22610088A JPH0743442B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光学式エンハンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273301A true JPH0273301A (ja) | 1990-03-13 |
| JPH0743442B2 JPH0743442B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16839828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22610088A Expired - Fee Related JPH0743442B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 光学式エンハンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743442B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008238247A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザエネルギ測定装置とレーザ加工装置 |
| JP2023003383A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | Tdk株式会社 | 光検知素子、受信装置及び光センサー装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22610088A patent/JPH0743442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008238247A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザエネルギ測定装置とレーザ加工装置 |
| US7929127B2 (en) | 2007-03-28 | 2011-04-19 | Hitachi Via Mechanics | Laser energy measuring unit and laser machining apparatus |
| JP2023003383A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | Tdk株式会社 | 光検知素子、受信装置及び光センサー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743442B2 (ja) | 1995-05-15 |
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