JPH0273605A - 積層型バリスタ - Google Patents
積層型バリスタInfo
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- JPH0273605A JPH0273605A JP22585188A JP22585188A JPH0273605A JP H0273605 A JPH0273605 A JP H0273605A JP 22585188 A JP22585188 A JP 22585188A JP 22585188 A JP22585188 A JP 22585188A JP H0273605 A JPH0273605 A JP H0273605A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電圧非直線性抵抗として機能する積層型バリ
スタに関し、特に内部電極近傍領域での酸素濃度低下に
よる漏れ電流を低減して、部品の信鯨性を向上できるよ
うにした構造に関する。
スタに関し、特に内部電極近傍領域での酸素濃度低下に
よる漏れ電流を低減して、部品の信鯨性を向上できるよ
うにした構造に関する。
一般に、バリスタは、印加電圧に応じて抵抗値が非直線
的に変化する抵抗体素子であり、電子回路に過電圧が加
わるのを防止するためのサージ吸収素子として採用され
ている。このようなバリスタとして、従来、第４図に示
すような直方体状の積層型バリスタがある（特公昭５８
−２３９２１号公報参照）、この積層型バリスタ１０は
、バリスタ層１１と内部電極１２とを交互に積層して一
体焼結するとともに、該焼結体１３の左、右端面１３ａ
。
的に変化する抵抗体素子であり、電子回路に過電圧が加
わるのを防止するためのサージ吸収素子として採用され
ている。このようなバリスタとして、従来、第４図に示
すような直方体状の積層型バリスタがある（特公昭５８
−２３９２１号公報参照）、この積層型バリスタ１０は
、バリスタ層１１と内部電極１２とを交互に積層して一
体焼結するとともに、該焼結体１３の左、右端面１３ａ
。
１３ｂに外部電極１４を形成して構成されている。
またこの外部電極１４には、上記焼結体１３の左。
右端面１３ａ、１３ｂに交互に露出された内部電極１２
の一端面１２ａが接続されている。
の一端面１２ａが接続されている。
ところで、積層型バリスタにおいては、焼成する際の降
温過程でバリスタ層内に酸素を供給する必要がある。と
ころが上記従来のバリスタでは、バリスタ層と内部電極
層とが積層状態であり、バリスタ層の厚みが薄い状態で
あるという条件と相まってバリスタ層の内部電極の近傍
領域部分の酸素濃度を低下させるという問題点がある。
温過程でバリスタ層内に酸素を供給する必要がある。と
ころが上記従来のバリスタでは、バリスタ層と内部電極
層とが積層状態であり、バリスタ層の厚みが薄い状態で
あるという条件と相まってバリスタ層の内部電極の近傍
領域部分の酸素濃度を低下させるという問題点がある。
その結果、漏れ電流が大きくなり、ひいては消費電力が
増加し、また熱暴走の原因となるという問題が生・しる
、また、しきい値電圧をＩＯＶ以下とする場合のように
、バリスタ層が薄いものほど酸素欠乏の割合が大きくな
るため、漏れ電流が増大する。
増加し、また熱暴走の原因となるという問題が生・しる
、また、しきい値電圧をＩＯＶ以下とする場合のように
、バリスタ層が薄いものほど酸素欠乏の割合が大きくな
るため、漏れ電流が増大する。
本発明の目的は、焼成時における酸素欠乏を防止して、
漏れ電流を低減でき、信鯨性を向上できる積層型バリス
タを提供することにある。
漏れ電流を低減でき、信鯨性を向上できる積層型バリス
タを提供することにある。
本件発明者らは、上記降温時における酸素欠乏を回避す
るために種々検討したところ、上記内部電極内に、該電
極の拡散を阻止できる物質を含存させればよいことに着
目し、このような物質としてガラス成分が最適であるこ
とを見出した。ここで、積層型セラミクスコンデンサに
おいては、ガラス成分を添加するとこれがセラミクス部
分に拡散して誘電率を低下させる等の悪影響を与えるこ
とが知られている。この点から積層型バリスタにおいて
も、内部電極にガラス成分を混合添加すると何らかの悪
影響が生じると考えられ、従って従来内部電極にガラス
成分を添加するという発想はなかった。ところが、本件
発明者らが検討を重ねたところ、上記積層型バリスタに
ガラス成分を採用しても、悪影響を与えることはなく、
かつ内部電極の拡散を防止できることが判明し、これに
より本発明を成したものである。
るために種々検討したところ、上記内部電極内に、該電
極の拡散を阻止できる物質を含存させればよいことに着
目し、このような物質としてガラス成分が最適であるこ
とを見出した。ここで、積層型セラミクスコンデンサに
おいては、ガラス成分を添加するとこれがセラミクス部
分に拡散して誘電率を低下させる等の悪影響を与えるこ
とが知られている。この点から積層型バリスタにおいて
も、内部電極にガラス成分を混合添加すると何らかの悪
影響が生じると考えられ、従って従来内部電極にガラス
成分を添加するという発想はなかった。ところが、本件
発明者らが検討を重ねたところ、上記積層型バリスタに
ガラス成分を採用しても、悪影響を与えることはなく、
かつ内部電極の拡散を防止できることが判明し、これに
より本発明を成したものである。
そこで本発明は、バリスタ層と内部電極とを交互に積層
してなる積層型バリスタにおいて、上記内部電極内にガ
ラス粉末を添加したことを特徴としている。
してなる積層型バリスタにおいて、上記内部電極内にガ
ラス粉末を添加したことを特徴としている。
ここで、ガラス粉末としては、Ｂ、Ｓｉ及びＰｂ、Ｂｌ
、Ｚｎのうち少なくとも２種類以上含むものを採用する
のが望ましい、また、上記ガラス粉末の添加量としては
、内部電極用に採用される金属に対して０．１〜２０ｗ
ｔ％の範囲が望ましく、これは上記範囲以下では漏れ
電流低減の効果が得られ難く、またこれ以上添加すると
非直線係数の低下を招くからである。
、Ｚｎのうち少なくとも２種類以上含むものを採用する
のが望ましい、また、上記ガラス粉末の添加量としては
、内部電極用に採用される金属に対して０．１〜２０ｗ
ｔ％の範囲が望ましく、これは上記範囲以下では漏れ
電流低減の効果が得られ難く、またこれ以上添加すると
非直線係数の低下を招くからである。
本発明に係る積層型バリスタによれば、内部電極にガラ
ス粉末を混合したので、焼成降温時における酸素濃度の
低下を回避できる。即ち、上記ガラス粉末は焼成温度よ
り軟化温度が低いことから、焼成する際にガラス粉末が
内部電極の金属を極薄い膜で包むこととなる。従って、
降温工程では、上記ガラス粉末が電極金属に酸素を与え
ることとなり、従って該金属がセラミクスから酸素を奪
うことはな（、その結果セラミクス粒界相が還元される
のを防止でき、これによりバリスタ層への酸素供給が補
償され、酸素欠乏を回避できる。その結果、漏れ電流を
低減でき、ひいては消費電力熱暴走の問題等を回避でき
る。
ス粉末を混合したので、焼成降温時における酸素濃度の
低下を回避できる。即ち、上記ガラス粉末は焼成温度よ
り軟化温度が低いことから、焼成する際にガラス粉末が
内部電極の金属を極薄い膜で包むこととなる。従って、
降温工程では、上記ガラス粉末が電極金属に酸素を与え
ることとなり、従って該金属がセラミクスから酸素を奪
うことはな（、その結果セラミクス粒界相が還元される
のを防止でき、これによりバリスタ層への酸素供給が補
償され、酸素欠乏を回避できる。その結果、漏れ電流を
低減でき、ひいては消費電力熱暴走の問題等を回避でき
る。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するための図である。
リスタを説明するための図である。
図において、１は本実施例の積層型バリスタであり、こ
れは直方体状のもので、ＺｎＯ系セラミクスからなるバ
リスタ層２と、ガラス粉末が混合されたＡｇ−Ｐｄ合金
からなる内部電極３とを交互に積層し、これを一体焼結
してなる焼結体４の左、右端面４ａ、４ｂに外部電極５
を形成して構成されている。また、上記内部電極３の一
端面３ａは、交互に上記焼結体４の両端面４ａ、４ｂに
露出して上記外部電極５に接続されており、他の部分は
焼結体４内に封入されている。
れは直方体状のもので、ＺｎＯ系セラミクスからなるバ
リスタ層２と、ガラス粉末が混合されたＡｇ−Ｐｄ合金
からなる内部電極３とを交互に積層し、これを一体焼結
してなる焼結体４の左、右端面４ａ、４ｂに外部電極５
を形成して構成されている。また、上記内部電極３の一
端面３ａは、交互に上記焼結体４の両端面４ａ、４ｂに
露出して上記外部電極５に接続されており、他の部分は
焼結体４内に封入されている。
次に本実施例の積層型バリスタ１を製造する方法につい
て説明する。
て説明する。
■ まず、Ｚ ｎ Ｏ（９６，０＋ｍｏ １１％）、
Ｂ ｌ ｘ Ｏｓ （１゜５−０１％）、Ｍｎ０（１，
０ｍｏｊ！％）、 Ｃｏ ｔ ０ｓ（０＋５ ｎ。
Ｂ ｌ ｘ Ｏｓ （１゜５−０１％）、Ｍｎ０（１，
０ｍｏｊ！％）、 Ｃｏ ｔ ０ｓ（０＋５ ｎ。
１％）、Ｔ ｉ ０ｘ（１，０ｓｏｎ％）を混合してな
るセラミクス材料に、Ｂｔ Ｏｓ 、Ｓ ｌｏｚ 、Ｐ
ｂＯ，ＺｎＯからなるガラス成分を５ｗｔ％加えて原料
とし、これに有機バインダーを混合して、ドクターブレ
ード法により厚さ３０μ−のグリーンシートを形成した
後、該グリーンシートを矩形状に切断して、多数のバリ
スタ層２を作成する。
るセラミクス材料に、Ｂｔ Ｏｓ 、Ｓ ｌｏｚ 、Ｐ
ｂＯ，ＺｎＯからなるガラス成分を５ｗｔ％加えて原料
とし、これに有機バインダーを混合して、ドクターブレ
ード法により厚さ３０μ−のグリーンシートを形成した
後、該グリーンシートを矩形状に切断して、多数のバリ
スタ層２を作成する。
■ 一方、ｐｔにビヒクルを混合してなるベーストに、
Ｂｔ ０ｓ＝Ｓ ｉ Ｏｘ等からなるガラス粉末を添加
して電極ペーストを作成する。次に、上記バリスタ層２
の上面にこの電極ペーストをスクリーン印刷して内部電
極３を形成する。この場合、該内部電極３の一端面３ａ
のみがバリスタ層２の外縁まで延び、他の端面ば内方に
位置するようにする。
Ｂｔ ０ｓ＝Ｓ ｉ Ｏｘ等からなるガラス粉末を添加
して電極ペーストを作成する。次に、上記バリスタ層２
の上面にこの電極ペーストをスクリーン印刷して内部電
極３を形成する。この場合、該内部電極３の一端面３ａ
のみがバリスタ層２の外縁まで延び、他の端面ば内方に
位置するようにする。
■ 次に、第３図に示すように、上記バリスタ層２と内
部電極３とが交互に重なり、かつ内部電極３の一端面３
ａがバリスタ層２の両端面に交互に露出するように積層
し、さらにこの積層体の上。
部電極３とが交互に重なり、かつ内部電極３の一端面３
ａがバリスタ層２の両端面に交互に露出するように積層
し、さらにこの積層体の上。
下面にダミーとしてのセラミクスＪＷ７を重ね、これを
プレスで加圧、圧着して積層体を形成する。
プレスで加圧、圧着して積層体を形成する。
するとこれにより、第１図に示すように、内部電極３の
一端面３ａのみが積層体の左、右側面の外方に露出し、
残りの部分はバリスタ層２内に完全に埋設されることと
なる。
一端面３ａのみが積層体の左、右側面の外方に露出し、
残りの部分はバリスタ層２内に完全に埋設されることと
なる。
■ そして、上記積層体を空気中にて９００−１３００
℃で加熱焼成し、焼結体４を得る。この焼成工程におい
て、内部電８ｉ＋３内のガラス粉末が軟化して該電極３
を構成する金属粒子の表面部分を覆うこととなり、従っ
て降温時に上記金属の粒子がセラミクス中の酸素を奪う
ことはなく、セラミクスへの酸素供給を補償し、内部電
極３近傍領域の変質を防止することとなる。
℃で加熱焼成し、焼結体４を得る。この焼成工程におい
て、内部電８ｉ＋３内のガラス粉末が軟化して該電極３
を構成する金属粒子の表面部分を覆うこととなり、従っ
て降温時に上記金属の粒子がセラミクス中の酸素を奪う
ことはなく、セラミクスへの酸素供給を補償し、内部電
極３近傍領域の変質を防止することとなる。
■ しかる後、上記焼結体４の、内部電極３の一端面３
ａが露出された左、右端面４ａ、４ｂにＡｇを主体とし
てＰｄを添加してなるペーストを塗布した後焼き付けて
外部電極５を形成する。
ａが露出された左、右端面４ａ、４ｂにＡｇを主体とし
てＰｄを添加してなるペーストを塗布した後焼き付けて
外部電極５を形成する。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例の積層型バリスタ１によれば、内部電極３に降
温時の金属粒子によるセラミクス粒界相の還元を阻止す
るガラス粉末を混合したので、酸素濃度の低下を防止で
き、その結果、漏れ電流を大幅に低減でき、消費電力の
増大を回避できるとともに、熱暴走の危険性を小さくで
きる。
温時の金属粒子によるセラミクス粒界相の還元を阻止す
るガラス粉末を混合したので、酸素濃度の低下を防止で
き、その結果、漏れ電流を大幅に低減でき、消費電力の
増大を回避できるとともに、熱暴走の危険性を小さくで
きる。
次に、本実施例の効果をｆ！認するために行った実験結
果について説明する。
果について説明する。
この実験では、第１表に示すように、ＢｔＯｓＳｉＯｚ
ＰｂＯ系（第１欄Ａ） 、Ｂｔ Ｏ。
ＰｂＯ系（第１欄Ａ） 、Ｂｔ Ｏ。
５ｔｏｔ ＢｉｔＯｓ系（第２欄Ｂ） 、Ｂ、○。
−３ｉ Ｏｘ −Ｐ ｂｏ−Ｂ ｉｔ○、系（第３欄Ｃ
）、Ｂｘ Ｏｓ Ｓ ｉｏｚ ＺｎＯ系（第４欄Ｄ
）からなる４種類のガラス粉末を採用し、この各ガラス
粉末を上記ｐｔペースト内にそれぞれ０．０１〜３０ｗ
ｔ％の範囲内で添加し、上述の製造方法により積層型
バリスタを作成した。そして、各積層型バリスタのＶ＋
−Ａ （素子そのもののバリスタ電圧）、非直線係数α
（α−１／ １ｏｇＣＶｌ＠Ａ ／ Ｖ＠、ＩＩＩＡ
）により求めた）、及び漏れ電流（Ｄ、Ｃ，３Ｖを印加
したときに流れる電流値）を測定した。また、比較する
ために従来の内部ｔｉにガラス粉末を添加していない積
層型バリスタについても同様の測定を行った。
）、Ｂｘ Ｏｓ Ｓ ｉｏｚ ＺｎＯ系（第４欄Ｄ
）からなる４種類のガラス粉末を採用し、この各ガラス
粉末を上記ｐｔペースト内にそれぞれ０．０１〜３０ｗ
ｔ％の範囲内で添加し、上述の製造方法により積層型
バリスタを作成した。そして、各積層型バリスタのＶ＋
−Ａ （素子そのもののバリスタ電圧）、非直線係数α
（α−１／ １ｏｇＣＶｌ＠Ａ ／ Ｖ＠、ＩＩＩＡ
）により求めた）、及び漏れ電流（Ｄ、Ｃ，３Ｖを印加
したときに流れる電流値）を測定した。また、比較する
ために従来の内部ｔｉにガラス粉末を添加していない積
層型バリスタについても同様の測定を行った。
第２表にその結果を示す、同表からも明らがなように、
従来試料ではＶＩＩＩＡ＋ αは本来の特性が得られ
ているものの、漏れ電流は２μＡと大きくなっている。
従来試料ではＶＩＩＩＡ＋ αは本来の特性が得られ
ているものの、漏れ電流は２μＡと大きくなっている。
また、本実施例試料Ａ−Ｄにおいてもガラス粉末の添加
量が０．０１ｗｔ％と少ない場合は、漏れ電流は２μＡ
と大きく低減効果が得られていない、ところが、この添
加量が０．１ ｗｔ％を越えると、いずれの実施例試料
Ａ−Ｄにおいても漏れ電流は０．５μ八以下と大幅に低
減していることがわかる。一方、上記添加量が３Ｑｗｔ
％を越えると、漏れ電流低減効果は得られているものの
、αが１０〜１５と低下している。従って、この実験か
ら、上記ガラス粉末の添加量は０．１〜２０ＩＩｌｔ％
内にすることが望ましいといえる。
量が０．０１ｗｔ％と少ない場合は、漏れ電流は２μＡ
と大きく低減効果が得られていない、ところが、この添
加量が０．１ ｗｔ％を越えると、いずれの実施例試料
Ａ−Ｄにおいても漏れ電流は０．５μ八以下と大幅に低
減していることがわかる。一方、上記添加量が３Ｑｗｔ
％を越えると、漏れ電流低減効果は得られているものの
、αが１０〜１５と低下している。従って、この実験か
ら、上記ガラス粉末の添加量は０．１〜２０ＩＩｌｔ％
内にすることが望ましいといえる。
以上のように本発明に係る積層型バリスタによれば、内
部電極内にガラス粉末を添加したので、焼成降温時にお
ける酸素欠乏を防止でき、漏れ電流を低減して信鯨性を
向上できる効果がある。
部電極内にガラス粉末を添加したので、焼成降温時にお
ける酸素欠乏を防止でき、漏れ電流を低減して信鯨性を
向上できる効果がある。
第
表
第１図ないし第３図は本発明の一実施例による積層型バ
リスタを説明するためのものであり、第１図はその断面
図、第２図はその斜視図、第３図はその分解斜視図、第
４図は従来の積層型バリスタを示す断面図である。 図において、１は積層型バリスタ、２はバリスタ層、３
は内部電極である。
リスタを説明するためのものであり、第１図はその断面
図、第２図はその斜視図、第３図はその分解斜視図、第
４図は従来の積層型バリスタを示す断面図である。 図において、１は積層型バリスタ、２はバリスタ層、３
は内部電極である。
Claims (1)
- （１）バリスタ層と内部電極とを交互に積層してなり、
電圧非直線性抵抗として機能する積層型バリスタにおい
て、上記内部電極内にガラス粉末を添加したことを特徴
とする積層型バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585188A JPH0273605A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 積層型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22585188A JPH0273605A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 積層型バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273605A true JPH0273605A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16835836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22585188A Pending JPH0273605A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 積層型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273605A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147406A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing laminated voltage nonlinear resistor |
| JPS63119504A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP22585188A patent/JPH0273605A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147406A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing laminated voltage nonlinear resistor |
| JPS63119504A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
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