JPH0273979A - 薄膜形成法 - Google Patents
薄膜形成法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ア）技術分野
この発明は、大気圧近傍の圧力下でプラズマＣＶＤ法に
より、アモルファスシリコン（ａ−５ｌ：ａｎ＋。
より、アモルファスシリコン（ａ−５ｌ：ａｎ＋。
ｒｐｈｏｕｓ ５ｌｌＩｃｏｎ）などの薄膜を形成する
方法に関する。
方法に関する。
例えば、通常膜中に数ａｔ％〜数十ａｔ％（アトミック
バーセント）のＨを含んだアモルファスシリコンａ−Ｓ
ｌ膜は、低コスト太陽電池の材料とじて有望視されてい
る。このほかにイメージセンサ、光センサ、薄膜トラン
ジスタ、複写機の感光材料などの用途もある。単結晶Ｓ
１よりも安価で、大面積のものが得やすいという利点が
ある。
バーセント）のＨを含んだアモルファスシリコンａ−Ｓ
ｌ膜は、低コスト太陽電池の材料とじて有望視されてい
る。このほかにイメージセンサ、光センサ、薄膜トラン
ジスタ、複写機の感光材料などの用途もある。単結晶Ｓ
１よりも安価で、大面積のものが得やすいという利点が
ある。
このような薄膜形成法として、熱ＣＶＤ法、プラズマＣ
ＶＤ法等が知られている。
ＶＤ法等が知られている。
熱ＣＶＤ法は、基板を加熱しなければならないので、耐
熱性のある材料にしか用いる事ができない。
熱性のある材料にしか用いる事ができない。
一方、プラズマＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法よりも低温で薄膜
を形成することができる。
を形成することができる。
このため、耐熱性の乏しい低コストガラス基板、高分子
フィルムなどの上に薄膜を形成する事ができ、広く使用
されている。
フィルムなどの上に薄膜を形成する事ができ、広く使用
されている。
プラズマＣＶＤ法では、励起エネルギーが、熱ではなく
、プラズマ中のエレクトロン、イオンの運動エネルギー
、中性のラデイカルの化学エネルギーの形で与えられる
。このため、基板の温度を熱ＣＶＤ法より低く出来るの
である。
、プラズマ中のエレクトロン、イオンの運動エネルギー
、中性のラデイカルの化学エネルギーの形で与えられる
。このため、基板の温度を熱ＣＶＤ法より低く出来るの
である。
−例として、アモルファスシリコンａ−５ｌは、５ｐｅ
ａｒによりグロー放電による薄膜形成方法が発明され、
膜中に適量のＨを取り込む事ができ、膜中欠陥密度を低
減する事ができたので、太陽電池やセンサ等のデバイス
用途に耐えうるちのが作られるようになった。
ａｒによりグロー放電による薄膜形成方法が発明され、
膜中に適量のＨを取り込む事ができ、膜中欠陥密度を低
減する事ができたので、太陽電池やセンサ等のデバイス
用途に耐えうるちのが作られるようになった。
Ｗ、Ｅ、５ｐｅａｒ、Ｐ、Ｇ、Ｌｅｃｏｍｂｅｒ：５ｏ
ｌｌｄ Ｃｏｍｎ＋ｕｎ、、１７．ｐＨ９これは、平行
平板型の電極に、１００ｋｌＨｚ Ｎ１３．５６Ｍｆｌ
ｚの交流電圧を印加し、０．１〜２ Ｔｏｒｒの低圧で
５ＩＨ４／ Ｈ２，５ＩＨ４−ＳｉＦ４／ Ｈ２などの
混合ガス中で、グロー放電を起こさせるものである。
ｌｌｄ Ｃｏｍｎ＋ｕｎ、、１７．ｐＨ９これは、平行
平板型の電極に、１００ｋｌＨｚ Ｎ１３．５６Ｍｆｌ
ｚの交流電圧を印加し、０．１〜２ Ｔｏｒｒの低圧で
５ＩＨ４／ Ｈ２，５ＩＨ４−ＳｉＦ４／ Ｈ２などの
混合ガス中で、グロー放電を起こさせるものである。
もちろん、ドーパントを入れる事もある。これは、Ｐ■
ａ ／ Ｈ２、ＢＪ８／ Ｈ２などのガスを混ぜること
によって行う。
ａ ／ Ｈ２、ＢＪ８／ Ｈ２などのガスを混ぜること
によって行う。
（イ）従来技術
５ｐｅａｒの発明以来、ａ−Ｓｌの製造装置は、改良を
重ねているが、基本的には、低圧でグロー放電を行うも
のであった。
重ねているが、基本的には、低圧でグロー放電を行うも
のであった。
０．１−１０Ｔｏｒｒ程度の低圧でなければ、グロー放
電が起こらない。これよりも高い圧力になると、放電が
局所的なアーク放電に移行してしまい、耐熱性の乏しい
基板上への成膜や、大面積への均一な成膜が行えなかっ
た。それで、このような圧力が選ばれる。
電が起こらない。これよりも高い圧力になると、放電が
局所的なアーク放電に移行してしまい、耐熱性の乏しい
基板上への成膜や、大面積への均一な成膜が行えなかっ
た。それで、このような圧力が選ばれる。
従って、容器は高価な真空チャンバを必要としまた真空
排気装置が設置されていなければならなかった。
排気装置が設置されていなければならなかった。
特に、ａ−Ｓｌなどを用いた太陽電池等の光電変換材料
の場合、大面積の薄膜が一挙に形成できる、という事が
コスト面から強く要求される。
の場合、大面積の薄膜が一挙に形成できる、という事が
コスト面から強く要求される。
ところが、プラズマＣＶＤ法は、グロー放電を維持して
プラズマを安定に保つ。グロー放電は、真空中（０，１
〜１０Ｔｏｒｒ程度）でしか安定に維持できない。
プラズマを安定に保つ。グロー放電は、真空中（０，１
〜１０Ｔｏｒｒ程度）でしか安定に維持できない。
真空中でしか成膜出来ないのであるから、大面積のもの
を作ろうとすると、真空容器の全体を大きくしなければ
ならない。
を作ろうとすると、真空容器の全体を大きくしなければ
ならない。
真空排気装置も大出力のものが必要になる。
そうすると、設備が著しく高価なものになってしまう。
（つ）大気圧下プラズマＣＶＤ法
ａ−５ｌ膜などの薄膜の実用化のためには、低コスト化
が重要な因子であるが、従来の減圧下でのプラズマＣＶ
Ｄ法では、設備費が高いという大きな問題があった。
が重要な因子であるが、従来の減圧下でのプラズマＣＶ
Ｄ法では、設備費が高いという大きな問題があった。
ところが、最近になって、大気圧下で、プラズマＣＶＤ
法を可能とするような発明がなされた。
法を可能とするような発明がなされた。
例えば、
ｉ 特開昭８３−５０４７８号（Ｓ、８３．３．３公開
）がある。
）がある。
本発明者らは、
ｉｉ特願昭８３−１９９６４７号（Ｓ、６３．８．１０
出願）１ｉｉ特願昭８３−１９９８４８号（Ｓ、ｌ１ｆ
３．８．ＩＯ出願）ｉｖ特願昭８３−１９９６４９号（
Ｓ、８３．８．１０出願）などの発明をしている。
出願）１ｉｉ特願昭８３−１９９８４８号（Ｓ、ｌ１ｆ
３．８．ＩＯ出願）ｉｖ特願昭８３−１９９６４９号（
Ｓ、８３．８．１０出願）などの発明をしている。
第２図にｉｖで示されたものを少し修正したものを示す
。
。
成膜室１の中には、互いに対向する電極２．３が設けら
れる。一方が接地されており、これを接地電極３と呼ぶ
。他方を非接地電極２といって区別する。
れる。一方が接地されており、これを接地電極３と呼ぶ
。他方を非接地電極２といって区別する。
電極２の上に高抵抗体４を配置する。又、電極３の上に
試料基板５を置く。ここで電極２及び高抵抗体４は、放
電空間へのガス供給口を兼ねてお、高抵抗体４は多孔板
となっている。
試料基板５を置く。ここで電極２及び高抵抗体４は、放
電空間へのガス供給口を兼ねてお、高抵抗体４は多孔板
となっている。
ここで、高抵抗体４を入れるのは、グロー放電が局所的
に起こるのではなく、電極板全体で広く起こるようにす
るためであり、電極３と試料基板５の間に高抵抗体を入
れてもよい。
に起こるのではなく、電極板全体で広く起こるようにす
るためであり、電極３と試料基板５の間に高抵抗体を入
れてもよい。
又、高抵抗体４を多孔板とし、ガス供給口とするのは、
プラズマ中央部でのガス置換を有効に行い、均一な成膜
を得るためである。ここで、試料基板５と高抵抗体４と
の距離ｇは１０ｍｍ〜０．１ｍｍとなるようにする。
プラズマ中央部でのガス置換を有効に行い、均一な成膜
を得るためである。ここで、試料基板５と高抵抗体４と
の距離ｇは１０ｍｍ〜０．１ｍｍとなるようにする。
非接地電極２には、高周波電源７を接続する。
これは、例えば１３．５８ ＭＨｚのＲＦ発振器と増幅
器とを用いることができる。
器とを用いることができる。
原料ガスをＢｅガスで大量に希釈した混合ガスはガス導
入口６から導入され、電極２、高抵抗体４を介して放電
空間に供給され、ガス排出口９より成膜室１の外に排出
される。また、放電空間の体積Ｓに対して、混合ガスの
流量Ｑは、Ｑ／Ｓが１５ｅｃ−” 〜ｌ０２ｓｅｃ−’
となるようにする。
入口６から導入され、電極２、高抵抗体４を介して放電
空間に供給され、ガス排出口９より成膜室１の外に排出
される。また、放電空間の体積Ｓに対して、混合ガスの
流量Ｑは、Ｑ／Ｓが１５ｅｃ−” 〜ｌ０２ｓｅｃ−’
となるようにする。
Ｃケン発明が解決しようとする問題点
大気圧下でのプラズマＣＶＤ法による薄膜形成は、低コ
スト化にとって極めて有望な方法であるが、デバイスへ
の応用を考えた場合、その膜特性が悪くては何にもなら
ない。例えば、ａ−Ｓｌ膜の場合、太陽電池、イメージ
センサ、光センサ、薄膜トランジスタ、電子写真感光体
などへの応用が進みつつあるが、膜特性としては、光電
気伝導度（Δσｐｈ）が高く、光感度（光電気伝導度と
暗電気伝導度（σｄ）との比：Δσａｈ／σｄ）が高い
事が望ましく、また、デバイス特性に大きな影響を及ぼ
す膜中欠陥密度（Ｎ、）が低いことが好ましい。
スト化にとって極めて有望な方法であるが、デバイスへ
の応用を考えた場合、その膜特性が悪くては何にもなら
ない。例えば、ａ−Ｓｌ膜の場合、太陽電池、イメージ
センサ、光センサ、薄膜トランジスタ、電子写真感光体
などへの応用が進みつつあるが、膜特性としては、光電
気伝導度（Δσｐｈ）が高く、光感度（光電気伝導度と
暗電気伝導度（σｄ）との比：Δσａｈ／σｄ）が高い
事が望ましく、また、デバイス特性に大きな影響を及ぼ
す膜中欠陥密度（Ｎ、）が低いことが好ましい。
従来の大気圧プラズマＣＶＤ法で作製した薄膜、例えば
ａ−Ｓｌ膜は、Δσ２ゎ、Δσ２ｔ、／σ６については
減圧プラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｌｌｉと同等の値が
得られている。しかし、ＮｓがＩ Ｘ １０１８ｓｐｌ
ｎ／ｃｃと、減圧プラズマＣＶＤ法により形成され、太
陽電池などのデバイスに用いられているａ−５ｌ膜の値
（Ｎｓ＜ ５ Ｘ １０１５ｓｐｌｎ／ｃｃ ）に比べ
高く、デバイスへの応用上問題であった。
ａ−Ｓｌ膜は、Δσ２ゎ、Δσ２ｔ、／σ６については
減圧プラズマＣＶＤ法によるａ−Ｓｌｌｉと同等の値が
得られている。しかし、ＮｓがＩ Ｘ １０１８ｓｐｌ
ｎ／ｃｃと、減圧プラズマＣＶＤ法により形成され、太
陽電池などのデバイスに用いられているａ−５ｌ膜の値
（Ｎｓ＜ ５ Ｘ １０１５ｓｐｌｎ／ｃｃ ）に比べ
高く、デバイスへの応用上問題であった。
この問題点を解決するため、発明者等は、従来の大気圧
プラズマＣＶＤ法によるａ −５ｌｌｌ！のＨａが高い
原因について種々検討を加えた。
プラズマＣＶＤ法によるａ −５ｌｌｌ！のＨａが高い
原因について種々検討を加えた。
その結果、成膜用基板とプラズマを介して対向する電極
、もしくは高抵抗体から、大気圧近傍という高密度プラ
ズマにより、電極もしくは高抵抗体の構成元素がスパッ
タされ、多量にａ−Ｓｌ膜中に不純物として取り込まれ
ることを見い出し、本発明に至った。
、もしくは高抵抗体から、大気圧近傍という高密度プラ
ズマにより、電極もしくは高抵抗体の構成元素がスパッ
タされ、多量にａ−Ｓｌ膜中に不純物として取り込まれ
ることを見い出し、本発明に至った。
（コ）目 的
本発明の目的は、低コスト化に有望な大気圧下でのプラ
ズマＣＶＤ法による薄膜形成法において、デバイス用途
に使用できるような膜特性の良好な薄膜を形成する方法
を提供する事である。
ズマＣＶＤ法による薄膜形成法において、デバイス用途
に使用できるような膜特性の良好な薄膜を形成する方法
を提供する事である。
（１）発明の構成、問題点を解決する手段本発明は、プ
ラズマスパッタによる不純物混入を防止するために、試
料基板とプラズマを介して対向する電極、もしくは、試
料基板とプラズマを介して対向する高抵抗体として、成
膜しようとする薄膜の構成元素の内、少なくともひとつ
の元素からなる材料を用いる。
ラズマスパッタによる不純物混入を防止するために、試
料基板とプラズマを介して対向する電極、もしくは、試
料基板とプラズマを介して対向する高抵抗体として、成
膜しようとする薄膜の構成元素の内、少なくともひとつ
の元素からなる材料を用いる。
または、その電極、もしくは高抵抗体の、試料基板に対
向する面に、成膜しようとする薄膜の構成元素のうち、
少なくともひとつの元素からなる材料をコーティングま
たは、貼り付ける。
向する面に、成膜しようとする薄膜の構成元素のうち、
少なくともひとつの元素からなる材料をコーティングま
たは、貼り付ける。
この試料基板と対向する材料としては、成膜しようとす
る薄膜と同じ材料、或は、成膜しようとする薄膜の主構
成材料を用いることが好ましい。
る薄膜と同じ材料、或は、成膜しようとする薄膜の主構
成材料を用いることが好ましい。
第１図は、本発明の一興体例として、試料基板５と対向
する高抵抗体４の対向面に、成膜しようとする薄膜１０
をコーティングした例を示す。
する高抵抗体４の対向面に、成膜しようとする薄膜１０
をコーティングした例を示す。
試料基板と対向する面に成膜材料をコーティングしたと
いう事態外は、第２図のものと同じである。
いう事態外は、第２図のものと同じである。
成膜室１の中には、互いに対向する電極２．３が設けら
れる。一方が接地されており、これを接他電極３と呼ぶ
。他方を非接地電極２といって区別する。
れる。一方が接地されており、これを接他電極３と呼ぶ
。他方を非接地電極２といって区別する。
電極２の上に高抵抗体４を配置する。又、電極３の上に
試料基板５を置く。ここで電極２及び高抵抗体４は、放
電空間へのガス供給口を兼ねてお、高抵抗体４は多孔板
となっている。
試料基板５を置く。ここで電極２及び高抵抗体４は、放
電空間へのガス供給口を兼ねてお、高抵抗体４は多孔板
となっている。
ここで、高抵抗体４を入れるのは、グロー放電が局所的
に起こるのではなく、電極板全体で広く起こるようにす
るためであり、試料基板５が導電性の場合、電極３と試
料基板５の間にも高抵抗体を入れることが好ましい。
に起こるのではなく、電極板全体で広く起こるようにす
るためであり、試料基板５が導電性の場合、電極３と試
料基板５の間にも高抵抗体を入れることが好ましい。
又、高抵抗体４を多孔板とし、ガス供給口とするのは、
プラズマ中央部でのガス置換を有効に行い、均一な成膜
を得るためである。
プラズマ中央部でのガス置換を有効に行い、均一な成膜
を得るためである。
ここで、試料基板５と高抵抗体４との距離ｇは１０ｖ＋
＋ 〜０．１ｍｍとなるようにする。
＋ 〜０．１ｍｍとなるようにする。
非接地電極２には、高周波電源７を接続する。
これは、例えば１３．５８ ＭＨｚのＲＦ発振器と増幅
器とを用いることができる。
器とを用いることができる。
原料ガスをＨｅガスで大量に希釈した混合ガスはガス導
入口６から導入され、電極２、高抵抗体４を介して放電
空間に供給され、ガス排出口９より成膜室１の外に排出
される。また、放電空間の体積Ｓに対して、混合ガスの
流量Ｑは、Ｑ／Ｓが１５ｅｃ−’ 〜１０２ｓｅｃ−’
となるようにする。
入口６から導入され、電極２、高抵抗体４を介して放電
空間に供給され、ガス排出口９より成膜室１の外に排出
される。また、放電空間の体積Ｓに対して、混合ガスの
流量Ｑは、Ｑ／Ｓが１５ｅｃ−’ 〜１０２ｓｅｃ−’
となるようにする。
（シ）作 用
第１図に示したように、本発明では、試料基板と対向す
る高抵抗体の対向面に、例えば、ａ−５１を成膜する場
合ならば、ａ−５ｌ（水素を含んでも含まなくてもよい
）或は結晶Ｓｌを、ａ−Ｃを成膜する場合ならａ−Ｃ或
はグラファイトなどの膜をそれぞれ成膜しているので、
プラズマスパッタが生じても、スパッタされる元素は、
目的とする薄膜の構成元素であり、膜中への不純物混入
を防止する事ができ、膜中欠陥密度を低減し、デバイス
用途として有望な薄膜を形成する事ができる。
る高抵抗体の対向面に、例えば、ａ−５１を成膜する場
合ならば、ａ−５ｌ（水素を含んでも含まなくてもよい
）或は結晶Ｓｌを、ａ−Ｃを成膜する場合ならａ−Ｃ或
はグラファイトなどの膜をそれぞれ成膜しているので、
プラズマスパッタが生じても、スパッタされる元素は、
目的とする薄膜の構成元素であり、膜中への不純物混入
を防止する事ができ、膜中欠陥密度を低減し、デバイス
用途として有望な薄膜を形成する事ができる。
さらに、Ｂをドープしたｐ型ａ−５ｌ、或はＰをドープ
したｎ型ａ−Ｓ＋膜を形成する場合は、試料基板と対向
する材料としてドーピング元素を含まないノンドープの
ＳＩＮ！Ｅを使用しても良い。ａ−ＳｌＧｅ膜を形成す
る場合は、試料基板と対向する材料として、ａｓＩＧｅ
膜、或は結晶５ＩＧｅ材でも良いしａ−５ｔ膜（水素を
含んでも含まなくても良い）、結晶Ｓｌ、ａ−Ｇｅ膜（
水素を含んでも含まなくても良い）或は、結晶Ｇｅ材で
も良い。何故なら試料基板と対向する材料から形成され
る膜に混入する元素は形成される膜の構成元素であるか
らである（ス）実施例 第１図（本発明）及び、第２図（比較例）を用い、第１
表に示す条件で、ａ−５ｌ膜を形成し、膜特性の比較を
行った。なお、高抵抗体４としては５ＩＯ３を用い、高
抵抗体の表面コーテイング材１０はａ−５ｆ膜（膜厚５
ｇｍ）とした。
したｎ型ａ−Ｓ＋膜を形成する場合は、試料基板と対向
する材料としてドーピング元素を含まないノンドープの
ＳＩＮ！Ｅを使用しても良い。ａ−ＳｌＧｅ膜を形成す
る場合は、試料基板と対向する材料として、ａｓＩＧｅ
膜、或は結晶５ＩＧｅ材でも良いしａ−５ｔ膜（水素を
含んでも含まなくても良い）、結晶Ｓｌ、ａ−Ｇｅ膜（
水素を含んでも含まなくても良い）或は、結晶Ｇｅ材で
も良い。何故なら試料基板と対向する材料から形成され
る膜に混入する元素は形成される膜の構成元素であるか
らである（ス）実施例 第１図（本発明）及び、第２図（比較例）を用い、第１
表に示す条件で、ａ−５ｌ膜を形成し、膜特性の比較を
行った。なお、高抵抗体４としては５ＩＯ３を用い、高
抵抗体の表面コーテイング材１０はａ−５ｆ膜（膜厚５
ｇｍ）とした。
ＲＦパワー
ＲＦ周波数
電極面積
高抵抗体、基板間距離
基 板
成膜時間
００ Ｗ
１３．５ｆ膜ＭＨｚ
１０ｃａＸ ｌ０ｃｍ
３ｎ＋ｍ
石英ガラス
０ ｍｌｎ
得られた膜の特性を第２表に示す。
第２表 膜特性
本発明
Ｅｇ （ｅＶ） １．７８
Δσａｈ（Ｓ／Ｃｍ） ７ Ｘ １０−５σｄ（Ｓ／
Ｃｍ） ８ Ｘ １０−’Ｎ５（ｓｐｌｎ／ｃｃ）
８ Ｘ １０”比較例 ■、８９ Ｘｌ０−５ ５ Ｘ １０−’。
Ｃｍ） ８ Ｘ １０−’Ｎ５（ｓｐｌｎ／ｃｃ）
８ Ｘ １０”比較例 ■、８９ Ｘｌ０−５ ５ Ｘ １０−’。
Ｉ Ｘ １０ＩＱ
原料ガス流量
Ｈｅガス流量
基板温度
圧 力
第１表 成膜条件
ＳＩＨ４１０ｓｅｃｍ
５０００ｓｅｃｍ
２ＳＯ’Ｃ
大気圧
バンドギャップ（Ｅｇ）は、可視光域の透過率を測定し
、測定値をタウクプロットする事により算出した値であ
る。
、測定値をタウクプロットする事により算出した値であ
る。
Δσｐｂは、ＡＭｌ、５１００１ｍＷ／ｃｍ”の光源を
使用して測定した値である。
使用して測定した値である。
Ｎｓは電子スピン共鳴（ＥＳＲ）により求めた膜中の不
対電子対（未結合手であり膜中欠陥のひとつ）の値であ
る。
対電子対（未結合手であり膜中欠陥のひとつ）の値であ
る。
酸素不純物濃度は二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によ
り求めた値である。
り求めた値である。
本発明では、高抵抗体４として用いたＳＩＯ□からのＯ
のプラズマスパッタがなく、膜中酸素量が減少しており
、Ｎｓが減少し、Δσｐｈも向上していることがわかる
。
のプラズマスパッタがなく、膜中酸素量が減少しており
、Ｎｓが減少し、Δσｐｈも向上していることがわかる
。
（１）効 果
本発明によれば、設備コストの低減が期待できる大気圧
プラズマＣＶＤ法を用いて、ａ−５ｌ膜などの薄膜の膜
中不純物を低減でき、太陽電池、イメージセンサ、光セ
ンサ、薄膜トランジスタ、電子写真感光体などのデバイ
ス応用に有望な膜特性の良好な薄膜を形成することがで
きる。
プラズマＣＶＤ法を用いて、ａ−５ｌ膜などの薄膜の膜
中不純物を低減でき、太陽電池、イメージセンサ、光セ
ンサ、薄膜トランジスタ、電子写真感光体などのデバイ
ス応用に有望な膜特性の良好な薄膜を形成することがで
きる。
第１図は、本発明の薄膜形成法に用いられる装置の概略
断面図。 第２図は、本発明者になる特願昭８３−１９９６４９号
に示された薄膜形成法に用いられる装置の概略断面図。 １゜ ２゜ ３゜ ４゜ ５゜ ６゜ ７゜ ８゜ ９゜ １０゜ 、成膜室 非接地電極 接地電極 多孔板高抵抗体 試料基板 ガス導入口 高周波電源 ヒ − タ ガス排出口 成膜目的とする薄膜 発 明 者 富 川 唯 司 藤 １） 順 彦
断面図。 第２図は、本発明者になる特願昭８３−１９９６４９号
に示された薄膜形成法に用いられる装置の概略断面図。 １゜ ２゜ ３゜ ４゜ ５゜ ６゜ ７゜ ８゜ ９゜ １０゜ 、成膜室 非接地電極 接地電極 多孔板高抵抗体 試料基板 ガス導入口 高周波電源 ヒ − タ ガス排出口 成膜目的とする薄膜 発 明 者 富 川 唯 司 藤 １） 順 彦
Claims (1)
- 互いに対向したふたつの電極の対向面の少なくとも一方
に抵抗率が１０＾１＾１Ωｃｍ以上の高抵抗体を設置し
、この高抵抗体に対向した電極もしくは高抵抗体上に、
試料基板を設置し、上記試料基板とその試料基板と対向
する電極との間の距離、もしくは、上記試料基板とその
試料基板と対向する高抵抗体との間の距離を１０ｍｍ以
下、０．１ｍｍ以上とし、膜形成用ガスとＨｅからなる
混合ガスを、ガス流量Ｑを放電空間の体積Ｓで割った値
Ｑ／Ｓが、１〜１０＾２ｓｅｃ＾−＾１になるように、
試料基板上の放電空間に供給し、大気圧近傍の圧力下で
、対向電極に与えた高周波電圧により、試料基板とその
試料基板に対向する電極との間、もしくは試料基板とそ
の試料基板に対向する高抵抗体との間にグロー放電を起
こさせ、試料基板上に薄膜を形成する方法に於いて、薄
膜を形成すべき試料基板に対向する電極、または、薄膜
を形成すべき試料基板に対向する高抵抗体の表面に、成
膜しようとする薄膜の構成元素のうち、少なくともひと
つの元素からなる材料が被覆されている事、もしくは、
薄膜を形成すべき試料基板に対向する電極、または、薄
膜を形成すべき試料基板に対向する高抵抗体が、成膜し
ようとする薄膜の構成元素のうち、少なくともひとつの
元素からなる材料からなる事を特徴とする薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712188A JP2650050B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22712188A JP2650050B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273979A true JPH0273979A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2650050B2 JP2650050B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=16855809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22712188A Expired - Fee Related JP2650050B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2650050B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280578A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成法 |
| US6406590B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-06-18 | Sharp Kaubushiki Kaisha | Method and apparatus for surface treatment using plasma |
| WO2006004045A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及びヒーターユニット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3230315B2 (ja) | 1993-01-29 | 2001-11-19 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22712188A patent/JP2650050B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280578A (ja) * | 1988-09-17 | 1990-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜形成法 |
| US6406590B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-06-18 | Sharp Kaubushiki Kaisha | Method and apparatus for surface treatment using plasma |
| WO2006004045A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及びヒーターユニット |
| JP4732351B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びヒーターユニット |
| US8106335B2 (en) | 2004-07-05 | 2012-01-31 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and heater unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2650050B2 (ja) | 1997-09-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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