JPH0274040A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0274040A
JPH0274040A JP63226737A JP22673788A JPH0274040A JP H0274040 A JPH0274040 A JP H0274040A JP 63226737 A JP63226737 A JP 63226737A JP 22673788 A JP22673788 A JP 22673788A JP H0274040 A JPH0274040 A JP H0274040A
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JP
Japan
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semiconductor device
insulating film
bonding pad
metal bonding
semiconductor
Prior art date
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Application number
JP63226737A
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English (en)
Inventor
Shiyuuichirou Oouchi
大内　収一郎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置、詳しくは、同装置の入出力部構
造に関するものである。
従来の技術 従来の半導体装置の入出力部は、金属ボンディングパッ
ドの下には、絶縁膜しか存在しなかった。
発明が解決しようとする課題 前記のような構造では、ワイヤーポンディングの際に、
大きなストレスが金属ボンディングパッドに加わった場
合、金属ボンディングパッドの下の絶縁膜にクラックが
発生し、長時間、この半導体装置を使用すると、半導体
基板に電流がリークし、誤動作を起こすという問題点を
有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので。
金属ボンディングパッドの下の絶縁膜のクラックによる
誤動作を防止することができる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段 この問題点を解決するために、本発明は、半導体基板表
面に作り込まれた半導体装置の入出力部において、多結
晶シリコンの上に、絶縁膜を隔てて、金属ボンディング
パッドを形成した構造の半導体装置である。
作用 上記の構成によって、ワイヤーボンディングの際のスト
レスを多結晶シリコンが吸収し、また、金属ボンディン
グパッドと半導体基板との距離が大きくなることにより
、金属ボンディングパッドの下で発生するクラックが半
導体装置基板まで到達することが可能である。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図は、半導体回路の入出力部の断面図で
ある。図中１は例えばＰ型シリコン基板、２は厚い絶縁
膜、３は多結晶シリコン、４は層間絶縁膜、５は金属ボ
ンディングパッドで例えばアルミニウムなどである。６
は外部接続用ビンと半導体回路とを接続する金属細線、
７は保護膜である。第１図のように、多結晶シリコン３
の上に層間絶縁膜４を隔てて、金属ボンディングパッド
５を形成した構造としている。
なお、本発明は、Ｐ型シリコン基板にかかわらず、Ｎ型
シリコン基板または、ＭＯ３ｈランジスタ回路に限らず
「ダイオード、バイポーラＩＣ等他の半導体装置の入出
力部にも運用出来ることはいうまでもない。
発明の詳細 な説明してきたように、本発明のかかる半導体装置は、
ワイヤーボンディングの際に加わるストレスを多結晶シ
リコンで吸収し、なおかつ、金属ボンディングパッドと
半導体基板との距離を大きくすることによって、金属ボ
ンディングパッドの下で発生するクラックが半導体基板
まで到達することにより、半導体基板に電流がリークす
ることによる半導体回路の誤動作を防止する効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の半導体装置の要部断面図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・厚い
絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコン、４・・・・・
・層間絶縁膜、５・・・・・・金属ボンディングパッド
、６・・・・・・金属細線、７・・・・・・保護膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面上に作り込まれた半導体回路の入出力部
    において、多結晶シリコンの上に、絶縁膜を隔てて、金
    属ボンディングパッドを形成したことを特徴とする半導
    体装置。
JP63226737A 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置 Pending JPH0274040A (ja)

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JP63226737A JPH0274040A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置

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JP63226737A JPH0274040A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置

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JPH0274040A true JPH0274040A (ja) 1990-03-14

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JP63226737A Pending JPH0274040A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5773899A (en) * 1993-09-30 1998-06-30 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Bonding pad for a semiconductor chip

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5773899A (en) * 1993-09-30 1998-06-30 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Bonding pad for a semiconductor chip
US5869357A (en) * 1993-09-30 1999-02-09 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Metallization and wire bonding process for manufacturing power semiconductor devices

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