JPH0274373U - - Google Patents
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- JPH0274373U JPH0274373U JP15080788U JP15080788U JPH0274373U JP H0274373 U JPH0274373 U JP H0274373U JP 15080788 U JP15080788 U JP 15080788U JP 15080788 U JP15080788 U JP 15080788U JP H0274373 U JPH0274373 U JP H0274373U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- molecular beam
- electromagnets
- crystal growth
- electromagnet
- Prior art date
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- Pending
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の内４個の電磁石を備えたシヤ
ツター装置の実施例を示す断面構成図、第２図は
１対の電磁石を備えた従来のシヤツター装置の断
面構成図である。 １……電磁石、２……電磁石、１Ａ……電磁石
、１Ｂ……電磁石、２Ａ……電磁石、２Ｂ……電
磁石、３……浮動片、４……シヤツター、５……
分子線源るつぼ、６……分子線源材料、７……成
長用基板、８……蒸発分子線、９……ストツパー
。
ツター装置の実施例を示す断面構成図、第２図は
１対の電磁石を備えた従来のシヤツター装置の断
面構成図である。 １……電磁石、２……電磁石、１Ａ……電磁石
、１Ｂ……電磁石、２Ａ……電磁石、２Ｂ……電
磁石、３……浮動片、４……シヤツター、５……
分子線源るつぼ、６……分子線源材料、７……成
長用基板、８……蒸発分子線、９……ストツパー
。
Claims (1)
- 電磁石による吸引力を利用した、分子線エピタ
キシヤル結晶成長装置用シヤツター装置において
、シヤツターの移動軸方向に３個以上の互いに分
離した電磁石を設置し、これらの各電磁石に次々
に電流を印加し、シヤツターを駆動することを特
徴とする分子線エピタキシヤル結晶成長装置用シ
ヤツター装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15080788U JPH0274373U (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15080788U JPH0274373U (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274373U true JPH0274373U (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=31424280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15080788U Pending JPH0274373U (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0274373U (ja) |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP15080788U patent/JPH0274373U/ja active Pending
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