JPH0274558A - セラミック基板 - Google Patents
セラミック基板Info
- Publication number
- JPH0274558A JPH0274558A JP63227724A JP22772488A JPH0274558A JP H0274558 A JPH0274558 A JP H0274558A JP 63227724 A JP63227724 A JP 63227724A JP 22772488 A JP22772488 A JP 22772488A JP H0274558 A JPH0274558 A JP H0274558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- powder
- alumina
- acid resistance
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は耐酸性が高く、800〜1000℃の低温で
焼結できるセラミック基板に関するものである。
焼結できるセラミック基板に関するものである。
従来セラミック基板の主流はアルミナ基板であった。し
かし、アルミナ基板は1600℃のような高温で焼成し
なければ焼結せず、このため、多層基板とする場合には
、内部の配線導体として高抵抗の耐火性金属粉末が使わ
れてきた。これに対し、1000℃以下で焼結できる基
板を作ることができるならば、低抵抗の貴金属あるいは
銅などを内部配線導体として使用することができる。こ
のためアルミナに多層のガラスを添加する方法が用いら
れてきた。
かし、アルミナ基板は1600℃のような高温で焼成し
なければ焼結せず、このため、多層基板とする場合には
、内部の配線導体として高抵抗の耐火性金属粉末が使わ
れてきた。これに対し、1000℃以下で焼結できる基
板を作ることができるならば、低抵抗の貴金属あるいは
銅などを内部配線導体として使用することができる。こ
のためアルミナに多層のガラスを添加する方法が用いら
れてきた。
セラミックの多層基板を作る場合、まず最初に原料粉末
に有機系の結合剤として例えばポリビニルブチラール樹
脂、可塑剤として例えばトリオレイン等が加えられ、こ
れらに有機物の溶剤として例えばトルエンを加えてスラ
リーを作成し、シート成形方法によってセラミックのグ
リーンシートが作成される。次に、このシートを切断し
、スルーホール、ピアホールをあけ、導体ペーストによ
って配線が印刷され、多層に重ねられた後、加熱によっ
て多層に積層され、その後焼成される。このような手法
で多層配線のセラミック基板をつくる場合、導体ペース
トとして貴金属あるいは銅を使用したい場合には、10
00℃以下で焼結されなければならず、このため低温で
焼結できるガラスをアルミナ粉末に50%程度添加した
ものを原料粉末とする方法が用いられるようになってき
た。
に有機系の結合剤として例えばポリビニルブチラール樹
脂、可塑剤として例えばトリオレイン等が加えられ、こ
れらに有機物の溶剤として例えばトルエンを加えてスラ
リーを作成し、シート成形方法によってセラミックのグ
リーンシートが作成される。次に、このシートを切断し
、スルーホール、ピアホールをあけ、導体ペーストによ
って配線が印刷され、多層に重ねられた後、加熱によっ
て多層に積層され、その後焼成される。このような手法
で多層配線のセラミック基板をつくる場合、導体ペース
トとして貴金属あるいは銅を使用したい場合には、10
00℃以下で焼結されなければならず、このため低温で
焼結できるガラスをアルミナ粉末に50%程度添加した
ものを原料粉末とする方法が用いられるようになってき
た。
このように低温焼結性のガラスはPbOを多量に含むガ
ラス、B20.を多量に含むガラスが多い。また、低融
性のガラスとしてはアルカリを多く含むガラスも考えら
れる。
ラス、B20.を多量に含むガラスが多い。また、低融
性のガラスとしてはアルカリを多く含むガラスも考えら
れる。
このように、PbOを多量に含むガラスは耐酸性は高い
が、基板誘電率の増加を招き、B2O3を多量に含むガ
ラスは耐酸性を悪くする等の問題があった。また、アル
カリを多く含むガラスは、基板材料として使用すると、
電圧をかけている間にアルカリがマイグレーションする
問題があった。
が、基板誘電率の増加を招き、B2O3を多量に含むガ
ラスは耐酸性を悪くする等の問題があった。また、アル
カリを多く含むガラスは、基板材料として使用すると、
電圧をかけている間にアルカリがマイグレーションする
問題があった。
このため低温焼結性のガラスとしてMgO−CaO−8
□0.またはP2O,−Ag2O,−5iO□系ガラス
が提案された(特開昭62−128961号)。 この
ガラスはガラス単独としての耐酸性は高いが、Ag2O
,粉末とともに焼成すると、ガラスが熱処理されるため
2相に分離する傾向にあり、ガラス単独の場合より耐酸
性を悪化させるという問題点があった。
□0.またはP2O,−Ag2O,−5iO□系ガラス
が提案された(特開昭62−128961号)。 この
ガラスはガラス単独としての耐酸性は高いが、Ag2O
,粉末とともに焼成すると、ガラスが熱処理されるため
2相に分離する傾向にあり、ガラス単独の場合より耐酸
性を悪化させるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、耐火性の粉末とガラスを用いて850〜10
00℃の低温で焼結できる耐酸性の高いセラミック基板
を得ることを目的とする。
たもので、耐火性の粉末とガラスを用いて850〜10
00℃の低温で焼結できる耐酸性の高いセラミック基板
を得ることを目的とする。
この発明に係るセラミック基板は、アルミナおよびムラ
イトから選ばれる少なくとも1種類の粉末と、5in2
、An2O3、B2O3、MgO,CaO1BaOおよ
びZnOを主成分としたガラスとから焼結したものであ
る。
イトから選ばれる少なくとも1種類の粉末と、5in2
、An2O3、B2O3、MgO,CaO1BaOおよ
びZnOを主成分としたガラスとから焼結したものであ
る。
この発明に用いるガラスはSin、を基本構成要素とし
、PbOを含まず、無アルカリで8203を含む組成と
し、アルミナおよびアルカリ金属酸化物の混合比を選択
して、低温焼結性と耐酸性を高くしたものである。
、PbOを含まず、無アルカリで8203を含む組成と
し、アルミナおよびアルカリ金属酸化物の混合比を選択
して、低温焼結性と耐酸性を高くしたものである。
すなわちこの発明において要求されるガラスの主成分は
、耐酸性および焼結性からSiO□、AR20,、B2
0)、 MgO1CaO5Bad、 ZnOから構成さ
れるものである。そのガラスの組成範囲は、SiO□が
48〜56重量%、 Al2203が12〜18重量%
、B2O3が8〜19重址%、 MgO+ CaO+
BaO+ ZnOの合計が20±5重量%であり1合計
で100重厘%となるものが好ましい。
、耐酸性および焼結性からSiO□、AR20,、B2
0)、 MgO1CaO5Bad、 ZnOから構成さ
れるものである。そのガラスの組成範囲は、SiO□が
48〜56重量%、 Al2203が12〜18重量%
、B2O3が8〜19重址%、 MgO+ CaO+
BaO+ ZnOの合計が20±5重量%であり1合計
で100重厘%となるものが好ましい。
この組成において、5in2がこの範囲より少ないと耐
酸性が悪くなり、この範囲を越えると焼結性が悪くなる
。Ag2O,がこの範囲より少ないと相分離を起し、多
いと溶解しにくい。B20.はこの範囲より少ないと焼
結性が悪くなり、この範囲より多いと耐酸性が悪くなる
。BaOはこれが多いほど焼結性は高くなるが、多すぎ
ると耐酸性が悪くなる。
酸性が悪くなり、この範囲を越えると焼結性が悪くなる
。Ag2O,がこの範囲より少ないと相分離を起し、多
いと溶解しにくい。B20.はこの範囲より少ないと焼
結性が悪くなり、この範囲より多いと耐酸性が悪くなる
。BaOはこれが多いほど焼結性は高くなるが、多すぎ
ると耐酸性が悪くなる。
ZnOは耐酸性を向上させるのに特に顕著な効果がある
が、多すぎると焼結性が悪くなる。
が、多すぎると焼結性が悪くなる。
上記のガラスはアルミナおよびムライトから選ばれる1
種類の耐火性粉末とともに原料粉末として用いられ、従
来法と同様にグリーンシートを形成した後、 850
−1000℃で焼結することにより耐酸性の高いセラミ
ック基板が得られる。
種類の耐火性粉末とともに原料粉末として用いられ、従
来法と同様にグリーンシートを形成した後、 850
−1000℃で焼結することにより耐酸性の高いセラミ
ック基板が得られる。
この発明におけるガラス成分は、 Sin、およびB2
O3によりネットワークが形成され、他の成分は修飾酸
化物であるが、 B20.、MgO1CaO1BaO
により低温焼結性が付与され、AQz 03 、 Zn
Oにより耐酸性が付与される。すなわち特開昭62−1
28961号において、Sin、、 AQ、O,、B2
O3、MgO,CaOより構成されていたガラスのCa
Oの一部をBaOに変えることにより、B2O3を減少
させても低温焼結性が高まり、さらにMgOをZnOに
変えることにより、耐酸性を高めることができる。第1
図はその例を示すもので、5in254、AR20,1
5、D−Oz 11. Mg0(10−y)、Ca05
゜BaO3、ZnOy(いずれも重量%)の組成のガラ
スを用いて、アルミナ粉末とともに焼結して基板を作成
した場合の耐酸性(5%HCQ、60℃水溶液に60分
間浸漬した場合の減量)を示す。
O3によりネットワークが形成され、他の成分は修飾酸
化物であるが、 B20.、MgO1CaO1BaO
により低温焼結性が付与され、AQz 03 、 Zn
Oにより耐酸性が付与される。すなわち特開昭62−1
28961号において、Sin、、 AQ、O,、B2
O3、MgO,CaOより構成されていたガラスのCa
Oの一部をBaOに変えることにより、B2O3を減少
させても低温焼結性が高まり、さらにMgOをZnOに
変えることにより、耐酸性を高めることができる。第1
図はその例を示すもので、5in254、AR20,1
5、D−Oz 11. Mg0(10−y)、Ca05
゜BaO3、ZnOy(いずれも重量%)の組成のガラ
スを用いて、アルミナ粉末とともに焼結して基板を作成
した場合の耐酸性(5%HCQ、60℃水溶液に60分
間浸漬した場合の減量)を示す。
以下、この発明の詳細な説明する。
実施例1
まず初めにSiO□54、AQ、O□■5、B20.1
1. Mg08、CaO5,Ba05、ZnO2(重量
比)の組成のガラスを作成した。このガラスを粉砕した
粉末とアルミナ粉末を50 : 50の重量比で混合し
、混合粉100に対して、ポリビニルブチラール樹脂、
フタル酸デイブチル、トリオレインを各10:8:1の
重量比で混合し、トルエンとエタノールの溶液を85c
cの割合で混合してスラリーを作成した。このスラリ−
を脱泡した後、ドクターブレードを通してポリエチレン
テレフタレートの膜に流し出し、アルミナ粉末とガラス
粉末からなるグリーンシートを作成した。このグリーン
シートから5011I11角を切り取り、アルミナ系の
レンガの上に載せて、電気炉でlO℃/時間の速度で加
熱し、900℃で4時間保持した後、昇温速度と同じ速
度で降温し、セラミックの基板とした。これをまず重量
を測定し1次に5%塩酸水溶液を60℃にし、60分間
浸漬した後、水洗し、乾燥して重量を再度測定した。そ
の結果0.2mg/cJの重量減少が測定された。また
吸水率を測定し、焼結程度の目安とした。al’l定方
法は、まず基板重量を測定し、ビー力に入れた後、蒸留
水を入れて1時間煮沸した。その後、ビー力を冷却して
、基板を蒸留水ごと室温まで冷却し、基板を取り出して
濡れた布でよく基板表面の水をふき取り、再び基板重量
を測定した。この時の重量と吸水前の重量との差を吸水
前の重量で割った値が吸水率である。この実施例では吸
水率は0.1%以下であった。吸水率は濡れた布でのふ
き取り方の誤差があるため、0.1%以下は実質的に0
とみなせる。
1. Mg08、CaO5,Ba05、ZnO2(重量
比)の組成のガラスを作成した。このガラスを粉砕した
粉末とアルミナ粉末を50 : 50の重量比で混合し
、混合粉100に対して、ポリビニルブチラール樹脂、
フタル酸デイブチル、トリオレインを各10:8:1の
重量比で混合し、トルエンとエタノールの溶液を85c
cの割合で混合してスラリーを作成した。このスラリ−
を脱泡した後、ドクターブレードを通してポリエチレン
テレフタレートの膜に流し出し、アルミナ粉末とガラス
粉末からなるグリーンシートを作成した。このグリーン
シートから5011I11角を切り取り、アルミナ系の
レンガの上に載せて、電気炉でlO℃/時間の速度で加
熱し、900℃で4時間保持した後、昇温速度と同じ速
度で降温し、セラミックの基板とした。これをまず重量
を測定し1次に5%塩酸水溶液を60℃にし、60分間
浸漬した後、水洗し、乾燥して重量を再度測定した。そ
の結果0.2mg/cJの重量減少が測定された。また
吸水率を測定し、焼結程度の目安とした。al’l定方
法は、まず基板重量を測定し、ビー力に入れた後、蒸留
水を入れて1時間煮沸した。その後、ビー力を冷却して
、基板を蒸留水ごと室温まで冷却し、基板を取り出して
濡れた布でよく基板表面の水をふき取り、再び基板重量
を測定した。この時の重量と吸水前の重量との差を吸水
前の重量で割った値が吸水率である。この実施例では吸
水率は0.1%以下であった。吸水率は濡れた布でのふ
き取り方の誤差があるため、0.1%以下は実質的に0
とみなせる。
実施例2
ガラス組成としてSLn、 54、AI2.0.15、
B20311、Mg06. CaO5、Ba05、Zn
O4(重量比)のものを用意し、粉末を作成した。この
ガラス粉末を50重量%、アルミナ粉末を50重量%で
用意し、混合した後、実施例1と同様にしてグリーンシ
ートを作成し、切断後焼成してセラミックの基板とした
。次にこの基板の重量を測定し、5%の塩酸水溶液を6
0℃にし、60分間浸漬した後、水洗し、乾燥して再び
重量を測定した。その結果、0.02mg/cJの重量
減少がill’l定された。また、吸水率を実施例1と
同様にして測定したところ、0.1%以下であった。
B20311、Mg06. CaO5、Ba05、Zn
O4(重量比)のものを用意し、粉末を作成した。この
ガラス粉末を50重量%、アルミナ粉末を50重量%で
用意し、混合した後、実施例1と同様にしてグリーンシ
ートを作成し、切断後焼成してセラミックの基板とした
。次にこの基板の重量を測定し、5%の塩酸水溶液を6
0℃にし、60分間浸漬した後、水洗し、乾燥して再び
重量を測定した。その結果、0.02mg/cJの重量
減少がill’l定された。また、吸水率を実施例1と
同様にして測定したところ、0.1%以下であった。
従って実施例1と同様に吸水率はOとみなせ、焼結は充
分行われていると考えられる。
分行われていると考えられる。
実施例3
ガラス組成としてSin、 50、Af120.15、
B20.15、Mg010、Ca08、ZnO2(重量
比)のものを用意し、この粉末とアルミナ粉末を50
: 50の比にして準備し、実施例1の方法と同様の工
程を通してセラミック基板を作成した。この基板の耐酸
性を実施例1の方法と同様にして測定したところ、5m
g/aJ以下の減少があった。またこの基板の吸水率は
0.1%以下であった。
B20.15、Mg010、Ca08、ZnO2(重量
比)のものを用意し、この粉末とアルミナ粉末を50
: 50の比にして準備し、実施例1の方法と同様の工
程を通してセラミック基板を作成した。この基板の耐酸
性を実施例1の方法と同様にして測定したところ、5m
g/aJ以下の減少があった。またこの基板の吸水率は
0.1%以下であった。
実施例4
ガラス組成トシテSjO□52、AQ20.15、B、
0.13、MgO6、CaO5,[3a05、Zn04
(重量比)を準備し、粉末とした。この粉末とアルミナ
粉末を60 : 40の比にして混合し、実施例1と同
様の工程を通してセラミックスの基板を作成し、耐酸性
を測定したところ、減少量は1mg/a#であった。ま
た、吸水率を測定したところ、0.1%以下であった。
0.13、MgO6、CaO5,[3a05、Zn04
(重量比)を準備し、粉末とした。この粉末とアルミナ
粉末を60 : 40の比にして混合し、実施例1と同
様の工程を通してセラミックスの基板を作成し、耐酸性
を測定したところ、減少量は1mg/a#であった。ま
た、吸水率を測定したところ、0.1%以下であった。
なお、この発明の実施例において、アルミナ粉末とガラ
ス粉末の比を50 : 50としたが、これよりガラス
を多くしても、問題はない。また、アルミナ粉末の代り
にムライト粉末を用いても同様の結果が得られる。
ス粉末の比を50 : 50としたが、これよりガラス
を多くしても、問題はない。また、アルミナ粉末の代り
にムライト粉末を用いても同様の結果が得られる。
以上のように、この発明によればアルミナ粉末またはム
ライト粉末との焼結性が高く、焼結後の耐酸性が高くな
るガラス組成を選択したので、信頼性の高い1000℃
以下の低温で焼結でき、耐酸性の高いセラミック基板を
得ることができる。
ライト粉末との焼結性が高く、焼結後の耐酸性が高くな
るガラス組成を選択したので、信頼性の高い1000℃
以下の低温で焼結でき、耐酸性の高いセラミック基板を
得ることができる。
第1図は本発明のセラミック基板の耐酸性に及ぼすZn
Oの効果を示すグラフである。
Oの効果を示すグラフである。
Claims (1)
- (1)アルミナおよびムライトから選ばれる少なくとも
1種類の粉末と、SiO_2、Al_2O_3、B_2
O_3、MgO、CaO、BaOおよびZnOを主成分
としたガラスとを焼結したことを特徴とするセラミック
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227724A JPH0274558A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227724A JPH0274558A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | セラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274558A true JPH0274558A (ja) | 1990-03-14 |
Family
ID=16865365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227724A Pending JPH0274558A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0274558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259406B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-06-15 | 김종수 | 저온소결용 기판재료분말 및 그 제조방법 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63227724A patent/JPH0274558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259406B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-06-15 | 김종수 | 저온소결용 기판재료분말 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000319066A (ja) | 低温同時焼成誘電体セラミック組成物 | |
| JP2002187768A (ja) | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 | |
| JPS63107838A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPS62278145A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPH0274558A (ja) | セラミック基板 | |
| JPS6379739A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPS62252340A (ja) | ガラス焼結体およびガラスセラミツク焼結体 | |
| JPH0232587A (ja) | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 | |
| JPH01166599A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3315182B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JPH0260236B2 (ja) | ||
| JPH02212336A (ja) | ガラスセラミック組成物及びその用途 | |
| JP3315233B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JPH0312357A (ja) | 抵温焼成セラミック基板材料 | |
| JPS61242950A (ja) | セラミツク基板用組成物 | |
| JPH04359810A (ja) | 誘電体磁器組成物ならびに誘電体磁器組成物を用いた誘電体フィルタおよびその製造方法 | |
| JPH0676255B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPH09235155A (ja) | セラミック基板組成物、それを用いたセラミック基板及びその製造方法 | |
| JPH0578165A (ja) | セラミツク基板用組成物 | |
| JPH0738214A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JPS59137343A (ja) | 絶縁層用組成物 | |
| JPH06326429A (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JPH02288106A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
| JPS62171943A (ja) | ガラス粉末焼結体 | |
| JPS62252341A (ja) | ガラス焼結体 |