JPH027458B2 - - Google Patents
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- JPH027458B2 JPH027458B2 JP169782A JP169782A JPH027458B2 JP H027458 B2 JPH027458 B2 JP H027458B2 JP 169782 A JP169782 A JP 169782A JP 169782 A JP169782 A JP 169782A JP H027458 B2 JPH027458 B2 JP H027458B2
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Description
本発明は電子写真感光体、特に光を吸収して荷
電キヤリアを発生する物質層と組合せられるキヤ
リア輸送層を有する電子写真感光体に関するもの
である。 現在までに、可視光を吸収して荷電キヤリア
(以下単に「キヤリア」という。)を発生するキヤ
リア発生物質(以下「CGM」という。)を含有し
て成るキヤリア発生層(以下「CGL」という。)
と、このCGLにおいて発生した正又は負のキヤ
リアの何れか一方又は両方を輸送するキヤリア輸
送物質(以下「CTM」という。)を含有して成る
キヤリア輸送層(以下「CTL」という。)とを組
合せることにより、電子写真感光体の感光層を構
成せしめることが提案されている。このように、
キヤリアの発生と、その輸送という感光層におい
て必要な2つの基礎的機能を、別個の層に分担せ
しめることにより、感光層の構成に用い得る物質
の選択範囲が広範となる上、各機能を最適に果す
物質又は物質系を独立に選定することが可能とな
り、又そうすることにより、電子写真プロセスに
おいて要求される諸特性、例えば帯電せしめたと
きの表面電位が高く、電荷保持能が大きく、光感
度が高く、又反復使用における安定性が大きい等
の優れた特性を有する電子写真感光体を構成せし
めることが可能となる。 従来このような感光層としては、例えば次のよ
うなものが知られている。 (1) 無定形セレン又は硫化カドミウムより成る
CGLと、ポリ―N―ビニルカルバゾールより
成るCTLとを積層せしめた構成。 (2) 無定形セレン又は硫化カドミウムより成る
CGLと、2,4,7―トリニトロ―9―フル
オレノンを含有するCTLとを積層せしめた構
成。 (3) ペリレン誘導体より成るCGLと、オキサジ
アゾール誘導体を含有するCTLとを積層せし
めた構成(米国特許第3871882号明細書参照)。 (4) クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウ
ムより成るCGLと、ピラゾリン誘導体を含有
するCTLとを積層せしめた構成(特開昭51−
90827号公報参照)。 (5) 無定形セレン又はその合金より成るCGLと、
ポリアリールアルカン系芳香族アミノ化合物を
含有するCTLとを積層せしめた構成(特願昭
52−147251号明細書)。 (6) ペリレン誘導体を含有するCGLと、ポリア
リールアルカン系芳香族アミノ化合物を含有す
るCTLとを積層せしめた構成(特願昭53−
19907号明細書)。 このようにこの種の感光層としては多くものが
知られているが、斯かる感光層を有する従来の電
子写真感光体においては、メンテナンス或いはペ
ーパージヤム処理等において当該感光体が日光或
いは螢光灯の光に晒されることがあり、この場合
には感光体が日光或いは螢光灯の光に含まれてい
る紫外線を受けて特性が劣化し、画質が低下する
欠点を有している。 このようなことから、紫外線による特性の劣化
を防止する目的で例えば特開昭56−33652号公報
にはトリアリールメタンとベンゾトリアゾールを
含有して成る電子写真感光体、特開昭56−35140
号公報にはビフエニルアミンとベンゾトリアゾー
ルを含有して成る電子写真感光体、特開昭56−
52756号公報にはビフエニルアミンとジアリール
メタン又はトリアリールメタンを含有して成る電
子写真感光体が開示されており、これらの例にお
いては、紫外線による特性の劣化を防止する効果
を認めることはできるが、その程度が小さいため
実用性に乏しい欠点がある。 本発明は以上の如き欠点を除き、紫外線の照射
を受けても特性の劣化が小さく、従つて実用的に
大きな耐久性を有する電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。 本発明電子写真感光体の特徴とするところは、
導電性支持体と、この導電性支持体上に設けた、
CGL及びCTLの積層体より成る感光層とを具え、
前記CTLが下記一般式〔〕で示されるカルバ
ゾール誘導体を含有し、且つ前記CTL若しくは
CGLの少なくとも一方が下記一般式〔〕で示
されるベンゾトリアゾール誘導体を含有する点に
ある。 一般式〔〕 (式中、R1は置換若しくは非置換のアリール
基を表わし、R2は水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換アミノ基又は水酸基を表わし、
R3は置換若しくは非置換のアリール基、置換若
しくは非置換のチエニル基又は置換若しくは非置
換のカルバゾリル基を表わす。) 一般式〔〕 (式中、R4は水素原子、ハロゲン原子、置換
若しくは非置換のアルキル基、アリール基又はニ
トロ基を表わし、R5,R6は各々水素原子、置換
若しくは非置換のアルキル基又はアリール基を表
わす。) 即ち本発明においては、前記一般式〔〕で示
されるカルバゾール誘導体をCTMとして用いて
感光層のCTLに含有せしめると共に、紫外線吸
収剤として前記一般式〔〕で示されるベンゾト
リアゾール誘導体をCTLならびにCGLの一方ま
たは両方に含有せしめ、CGMと組合せることに
より、キヤリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の
物質で行なういわゆる機能分離型感光体の感光層
を形成せしめる。そしてこのことにより、紫外線
に対する耐久性の大きな電子写真感光体を提供す
ることができる。 前記一般式〔〕で示される、本発明において
有効に用いられるカルバゾール誘導体の具体例と
しては、例えば次に示す構造式を有するものを挙
げることができるが、勿論これらに限定されるも
のではない。 構造式 前記一般式〔〕で示される、本発明において
有効に用いられるベンゾトリアゾール誘導体の具
体例としては、例えば次に示す構造式を有するも
のを挙げることができるが、勿論これらに限定さ
れるものではない。 構造式 次に本発明電子写真感光体の機械的構成につい
て説明する。 本発明の一例においては、第1図に示すよう
に、導電性支持体1上に後述するCGMを主成分
として含有して成るCGT2を形成せしめ、この
CGL2上に後述するCTMを主成分として含有し
て成るCTL3を積層して形成せしめ、前記CGL
2とCTL3とにより感光層4を構成せしめる。 ここに前記導電性支持体1の材質としては、例
えばアルミニウム、ニツケル、銅、亜鉛、パラジ
ウム、銀、インジウム、錫、白金、金、ステンレ
ス鋼、真鍮等の金属のシートを用いることができ
る。しかしこれらに限定されるものではなく、例
えば第2図に示すように、絶縁性基体1A上に導
電層1Bを設走けて導電性支持体1を構成せしめ
ることもでき、この場合において基体1Aとして
は紙、プラスチツクシート等のの可撓性を有し、
しかも曲げ、引張り等の応力に対して十分な強度
を有するものが適当である。又導電層1Bは金属
シートをラミネートし或いは金属を真空蒸着せし
めることにより、又はその他の方法によつて設け
ることができる。 前記CGL2は、後述するCGM単独により、又
はこれに適当なバインダー樹脂を加えたものによ
り、或いは更に特定又は非特定の極性のキヤリア
に対する移動度の大きい物質即ちCTMを添加し
たものにより形成することができる。 具体的な方法としては、前記支持体上にCGM
を真空蒸着せしめる方法、CGMを適当な溶剤に
溶解若しくは分散せしめたものを塗布して乾燥せ
しめる方法を挙げることができる。 この後者の方法においては、CGL2に本発明
において紫外線吸収剤として用いるベンゾトリア
ゾール誘導体を含有せしめることができる。この
場合CGL2に対するベンゾトリアゾール誘導体
の含有割合は0.1〜20重量%、特に1〜10重量%
であることが好ましく、こうすることにより紫外
線吸収効果を大きなものとすることができ、
CGMの紫外線による劣化を確実に防止すること
ができる。ベンゾトリアゾール誘導体の含有割合
が0.1重量%未満のときは充分な紫外線劣化防止
効果が得られず、又20重量%を越える場合には感
度が低下する。又この場合CGMにバインダー樹
脂若しくはCTMを添加してもよく、その場合に
おける、CGM:バインダー樹脂:CTMの割合は
重量比で1:0〜100:0〜500、特に1:0〜
10:0〜50であることが好ましい。 CGMとしては可視光を吸収してフリーキヤリ
アを発生するものであれば、無機顔料及び有機色
素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン―砒素合金、セレン
―テルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミ
ウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、酸化
鉛、硫化鉛等の無機顔料の外、次の代表例で示さ
れるような有機色素を用いてもよい。 (1) モノアゾ色素、ポリアゾ色素、金属錯塩アゾ
色素、ピラゾロンアゾ色素、スチルベンアゾ色
素及びチアゾールアゾ色素等のアゾ系色素 (2) ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等の
ペリレン系色素 (3) アントラキノン誘導体、アントアントロン誘
導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラント
ロン誘導体、ビオラントロン誘導体及びイソビ
オラントロン誘導体等のアントラキノン系又は
多環キノン系色素 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系色素 (5) 金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系色素 (6) ジフエニルメタン色素、トリフエニルメタン
色素、キサンテン色素及びアクリジン色素等の
カルボニウム系色素 (7) アジン色素、オキサジン色素及びチアジン色
素等のキノンイミン系色素 (8) シアニン色素及びアゾメチン色素等のメチン
系色素 (9) キノリン系色素 (10) ニトロ系色素 (11) ニトロソ系色素 (12) ベンゾキノン及びナフトキノン系色素 (13) ナフタルイミド系色素 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系色素 (15) キナクリドン系色素 これらの有機色素のうち、特に多環キノン系色
素は本発明においてCTMとして用いるカルバゾ
ール誘導体との接合が良好で、しかも高い感度を
付与するため好ましい。 またCGLに含有せしめることができるバイン
ダー樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン樹脂、フエノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキツド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれら
の樹脂の繰返し単位のうちの2つ以上を含む共重
合体樹脂、例えば塩化ビニル―酢酸ビニル共重合
体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン
酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ―N―
ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げ
ることができる。 前記CGLに加えることのできる特定又は非特
定の極性のキヤリアに対する移動度の大きい
CTMとしては、本発明においてCTL3等の構成
に用いるCTMをその一部又は全部として用いる
こともできるが、電子写真感光体としての性能を
考慮して他のCTMを用いてもよい。 更にこのCGLには感度の向上、残留電位又は
反復使用時の疲労低減等を目的として一種又は二
種以上のルイス酸を含有せしめることができる。
このようなルイス酸としては例えば、無水コハク
酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、
無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テト
ラプロム無水フタル酸、3―ニトロ無水フタル
酸、4―ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリツト
酸、無水メリツト酸、テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、o―ジニトロベンゼ
ン、m―ジニトロベンゼン、1,3,5―トリニ
トロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピク
リルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニ
ル、ブロマニル、ジクロロジシアノパラベンゾキ
ノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、2,7―ジニトロフルオレノン、2,4,7
―トリニトロフルオレノン、2,4,5,7―テ
トラニトロフルオレノン、9―フルオレニリデン
―〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポリ
ニトロ―9―フルオレニリデン―〔ジシアノメチ
レンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、o―ニト
ロ安息香酸、p―ニトロ安息香酸、3,5―ジニ
トロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5―ニ
トロサリチル酸、3,5―ジニトロサリチル酸、
フタル酸、メリツト酸、その他の電子親和力の大
きい化合物等を挙げることができる。 以上のようにして形成される前記CGL2の厚
さは、好ましくは0.005〜20ミクロン、特に好ま
しくは0.05〜5ミクロンである。0.005ミクロン
未満では充分な光感度が得られず、また20ミクロ
ンを越えると充分な電荷保持性が得られない。 又CTL3は、既述の一般式〔〕で示される
カルバゾール誘導体をCTMとして用い、必要に
応じて適当なバインダー樹脂と共に適当な溶剤に
溶解若しくは分散せしめて得られる塗布液を塗布
し乾燥する方法、その他の方法によつて形成する
ことができる。 本発明においてCTLに含有せしめることがで
きるバインダー樹脂としては、例えばポリエチレ
ン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂、フエノール樹脂、ポ
リエステル樹脂、アルキツド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加
重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びに
これらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル―酢酸ビニ
ル共重合体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水
マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポ
リ―N―ビニルカルバゾール等の高分子有機半導
体を挙げることができる。 このCTL3に、本発明において紫外線吸収剤
として用いるベンゾトリアゾール誘導体を含有せ
しめることができる。この場合CTL3における
ベンゾトリアゾール誘導体の前記カルバゾール誘
導体に対する含有割合は0.1〜20重量%、特に1
〜10重量%であることが好ましく、こうすること
により紫外線吸収効果を大きなものとすることが
でき、CTMの紫外線による劣化を確実に防止で
きる。このベンゾトリアゾール誘導体の含有割合
が0.1重量%未満である場合には充分な紫外線劣
化防止効果が得られず、又20重量%を越えた場合
には感度が低下する。 本発明においてCTLに用いるバインダー樹脂
とカルバゾール誘導体の含有割合は、バインダー
樹脂100重量部に対してカルバゾール誘導体20〜
400重量部であり、好ましくは50〜200重量部であ
る。 本発明においては、CTLに感度の向上、残留
電位及び反復使用時の疲労を更に低減する目的で
既述と同様のルイス酸を含有せしめることもでき
る。この場合、その含有割合は、CTM100重量部
に対してルイス酸0.001〜10重量部、好ましくは
0.01〜5重量部である。0.001重量部未満では画
像地肌電位(白紙電位)の上昇が大きく、また10
重量部を越えると画像電位(黒紙電位)の低下が
大きく何れも安定した繰り返し特性が得られな
い。このようにして形成されるCTL3の厚さは
2〜100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンで
ある。 以上本発明を第1図又は第2図に示した具体的
構成例に従つて説明したが、本発明においては、
CGLと組合せられるCTLにカルバゾール誘導体
を含有せしめると共にCGL若しくはCTLの少な
くとも一方にベンゾトリアゾール誘導体を含有せ
しめればよく、電子写真感光体として機械的構成
は任意に選定できる。 例えば第3図に示すように、導電性支持体1上
に適当な中間層5を設け、これを介してCGL2
を形成し、このCGL2上にCTL3を形成するよ
うにしてもよい。この中間層5には、感光層4の
帯電時において導電性支持体1から感光層4にフ
リーキヤリアが注入されることを阻止する機能、
或いは感光層4を導電性支持体に対して一体的に
接着せしめる接着層としての機能を有せしめるこ
とができる。斯かる中間層5の材質としては、酸
化アルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化
物、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フエノール樹脂、ポリエステル樹脂、
アルキツド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコ
ン樹脂、メラミン樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル
共重合体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マ
レイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用いるこ
とができる。 又第4図に示すように、導電性支持体1上に、
前記中間層5を介して又は介さずに、CTL3を
形成し、このCTL3上にCGL2を形成して感光
層4を構成せしめてもよい。 以上において、CGL2及びCTL3の両層にベ
ンゾトリアゾール誘導体を含有せしめることも勿
論有効である。 本発明電子写真感光体は以上のような構成であ
るから、後述する実施例からも理解されるよう
に、ベンゾトリアゾール誘導体が紫外線吸収剤と
して作用するためCGM及びCTMの紫外線による
劣化を確実に防止することができ、従つてCTM
として用いるカルバゾール誘導体の特性が良好に
発揮され、優れた電子写真特性を得ることができ
る。即ち本発明電子写真感光体によれば、メンテ
ナンス或いはペーパージヤム処理等において当該
感光体に紫外線が照射されるようなことがあつて
も、高品位の画像を長期間に亘り安定して得るこ
とができ、極めて大きな耐久性を得ることができ
る。 このように本発明電子写真感光体が長期間に亘
り安定して良好な特性が得られる理由は明らかで
はないが、ベンゾトリアゾール誘導体とカルバゾ
ール誘導体の紫外線吸収スペクトルの重なりが大
きく、しかもベンゾトリアゾール誘導体はキヤリ
アのトラツプ剤として作用しないからであると推
擦される。 第5図は本発明にかかる構造式〔−14〕で示
されるカルバゾール誘導体及び構造式〔−6〕
で示されるベンゾトリアゾール誘導体、並びに従
来使用のトリアリールメタン(後述の比較例5を
参照)の各々における紫外部吸収スペクトルを示
したものであり、曲線f1が構造式〔−14〕で示
されるカルバゾール誘導体、曲線f2が構造式〔
−6〕で示されるベンゾトリアゾール誘導体、曲
線f3がトリアリールメタンによるものである。こ
の図より、構造式〔−14〕で示されるカルバゾ
ール誘導体と構造式〔−6〕で示されるベンゾ
トリアゾール誘導体の紫外部吸収スペクトルはよ
く一致していることから、前記カルバゾール誘導
体の劣化は前記ベンゾトリアゾール誘導体の添加
によつて効果的に防止され得ることが判る。これ
に対してトリアリールメタンの場合には前記カル
バゾール誘導体との吸収帯の重なりが小さく劣化
の防止効果は小さい。 以下本発明の実施例について説明するが、これ
らによつて本発明が限定されるものではない。 実施例 1 アルミニウムを蒸着した厚さ100ミクロンのポ
リエチレンテレフタレートより成る導電性支持体
上に、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10」(積水化学工業
社製)より成る厚さ約0.05ミロクンの中間層を設
け、2〜3×10-4Torrの真空雰囲気下で、多環
キノン系色素である4.10―ジブロムアントアント
ロン「モノライトレツド2Y」(C.I.No.59300 I.C.I.
社製)を温度350℃で3分間加熱して蒸発せしめ、
これを前記中間層上に付着堆積せしめて厚さ約
0.5ミクロンのCGLを形成した。 一方、構造式〔−24〕で示されるカルバゾー
ル誘導体11.25gと構造式〔−6〕で示されるベ
ンゾトリアゾール誘導体0.24gとポリカーボネー
ト樹脂「パンライトL―1250」(帝人化成社製)
15gとを1,2―ジクロルエタン100ml中に溶解
し、得られたCTL形成溶液を前記CGL上にドク
ターブレードにより塗布し、温度80℃で1時間に
亘り乾燥させて厚さ12ミクロンのCTLを形成し、
以つて本発明電子写真感光体を作製した。これを
「試料1」とする。 更に前記CTL形成溶液に1,2―ジクロルエ
タンを加えて10倍に希釈し、得られた溶液を回転
塗布法により石英ガラス板上に塗布して厚さ約
0.1ミクロンの吸収スペクトル測定用試料を作製
した。これを「測定試料1」とする。 実施例 2 ベンゾトリアゾール誘導体として構造式〔−
7〕に示されるものを用いた他は実施例1と同様
にして厚さ12ミクロンのCTLを形成し、以つて
本発明電子写真感光体を作製した。これを「試料
2」とする。 更に実施例1と同様にして吸収スペクトル測定
用試料を作製した。これを「測定試料2」とす
る。 実施例 3 カルバゾール誘導体として構造式〔−14〕に
示されるものを用いた他は実施例1と同様にして
厚さ12ミクロンのCTLを形成し、以つて本発明
電子写真感光体を作製した。これを「試料3」と
する。 更に実施例1と同様にして吸収スペクトル測定
用試料を作製した。これを「測定試料3」とす
る。 実施例 4 実施例1と同様の中間層を設けて成る導電性支
持体上に、実施例1と同様のCTL形成溶液によ
り厚さ12ミクロンのCTLを形成した。 一方、ポリカーボネート樹脂「パンライトL―
1250」(帝人化成社製)2gと構造式〔−24〕で
示されるカルバゾール誘導体1gと構造式〔−
6〕で示されるベンゾトリアゾール誘導体0.2gと
を1,2―ジクロルエタン100ml中に溶解し、得
られた溶液に4,10―ジブロムアントアントロン
0.6gを加えて超音波分散を行ない、得られた分散
液を前記CTL上に塗布して厚さ2ミクロンの
CGLを形成し、以つて本発明電子写真感光体を
作製した。これを「試料4」とする。 比較例 1〜4 実施例1〜4の各々においてベンゾトリアゾー
ル誘導体を用いない他は実施例1〜4におけると
同様にしてそれぞれ比較用電子写真感光体を作製
した。これらをそれぞれ「比較試料1」〜「比較
試料4」とする。 比較例 5 実施例1におけるカルバゾール誘導体に代えて
下記の構造式で示されるトリアリールメタンを用
いた他は実施例1と同様にして比較用電子写真感
光体を作製した。これを「比較試料5」とする。 更に実施例1〜3におけると同様にしてそれぞ
れ吸収スペクトル測定用試料を作製した。これら
をそれぞれ「比較測定試料1」〜「比較測定試料
3」とする。 以上の実施例及び比較例による試料1〜4及び
比較試料1〜5を「エレクトロメーターSP−428
型」(川口電機製作所製)に装着し、ダイナミツ
ク方式で電子写真特性を測定した。即ち、帯電電
位―6.0kVで帯電せしめたときの表面電位VA
(V)、表面電位VAを500(V)から50(V)まで減
衰せしめるのに必要な露光量E500 50(lux・sec)及
び30(lux・sec)露光後の残留電位VR(V)を測
定した。 次に紫外線に対する安定性を調べるために、試
料1〜4及び比較試料1〜5の各々に超高圧水銀
灯「SHL−100UV」(東京芝浦電気社製)により
離間距離5cmで60秒間に亘り光を照射し、その後
再び上述と同様の測定を行なつた。結果は第1表
に示す通りである。
電キヤリアを発生する物質層と組合せられるキヤ
リア輸送層を有する電子写真感光体に関するもの
である。 現在までに、可視光を吸収して荷電キヤリア
(以下単に「キヤリア」という。)を発生するキヤ
リア発生物質(以下「CGM」という。)を含有し
て成るキヤリア発生層(以下「CGL」という。)
と、このCGLにおいて発生した正又は負のキヤ
リアの何れか一方又は両方を輸送するキヤリア輸
送物質(以下「CTM」という。)を含有して成る
キヤリア輸送層(以下「CTL」という。)とを組
合せることにより、電子写真感光体の感光層を構
成せしめることが提案されている。このように、
キヤリアの発生と、その輸送という感光層におい
て必要な2つの基礎的機能を、別個の層に分担せ
しめることにより、感光層の構成に用い得る物質
の選択範囲が広範となる上、各機能を最適に果す
物質又は物質系を独立に選定することが可能とな
り、又そうすることにより、電子写真プロセスに
おいて要求される諸特性、例えば帯電せしめたと
きの表面電位が高く、電荷保持能が大きく、光感
度が高く、又反復使用における安定性が大きい等
の優れた特性を有する電子写真感光体を構成せし
めることが可能となる。 従来このような感光層としては、例えば次のよ
うなものが知られている。 (1) 無定形セレン又は硫化カドミウムより成る
CGLと、ポリ―N―ビニルカルバゾールより
成るCTLとを積層せしめた構成。 (2) 無定形セレン又は硫化カドミウムより成る
CGLと、2,4,7―トリニトロ―9―フル
オレノンを含有するCTLとを積層せしめた構
成。 (3) ペリレン誘導体より成るCGLと、オキサジ
アゾール誘導体を含有するCTLとを積層せし
めた構成(米国特許第3871882号明細書参照)。 (4) クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウ
ムより成るCGLと、ピラゾリン誘導体を含有
するCTLとを積層せしめた構成(特開昭51−
90827号公報参照)。 (5) 無定形セレン又はその合金より成るCGLと、
ポリアリールアルカン系芳香族アミノ化合物を
含有するCTLとを積層せしめた構成(特願昭
52−147251号明細書)。 (6) ペリレン誘導体を含有するCGLと、ポリア
リールアルカン系芳香族アミノ化合物を含有す
るCTLとを積層せしめた構成(特願昭53−
19907号明細書)。 このようにこの種の感光層としては多くものが
知られているが、斯かる感光層を有する従来の電
子写真感光体においては、メンテナンス或いはペ
ーパージヤム処理等において当該感光体が日光或
いは螢光灯の光に晒されることがあり、この場合
には感光体が日光或いは螢光灯の光に含まれてい
る紫外線を受けて特性が劣化し、画質が低下する
欠点を有している。 このようなことから、紫外線による特性の劣化
を防止する目的で例えば特開昭56−33652号公報
にはトリアリールメタンとベンゾトリアゾールを
含有して成る電子写真感光体、特開昭56−35140
号公報にはビフエニルアミンとベンゾトリアゾー
ルを含有して成る電子写真感光体、特開昭56−
52756号公報にはビフエニルアミンとジアリール
メタン又はトリアリールメタンを含有して成る電
子写真感光体が開示されており、これらの例にお
いては、紫外線による特性の劣化を防止する効果
を認めることはできるが、その程度が小さいため
実用性に乏しい欠点がある。 本発明は以上の如き欠点を除き、紫外線の照射
を受けても特性の劣化が小さく、従つて実用的に
大きな耐久性を有する電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。 本発明電子写真感光体の特徴とするところは、
導電性支持体と、この導電性支持体上に設けた、
CGL及びCTLの積層体より成る感光層とを具え、
前記CTLが下記一般式〔〕で示されるカルバ
ゾール誘導体を含有し、且つ前記CTL若しくは
CGLの少なくとも一方が下記一般式〔〕で示
されるベンゾトリアゾール誘導体を含有する点に
ある。 一般式〔〕 (式中、R1は置換若しくは非置換のアリール
基を表わし、R2は水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換アミノ基又は水酸基を表わし、
R3は置換若しくは非置換のアリール基、置換若
しくは非置換のチエニル基又は置換若しくは非置
換のカルバゾリル基を表わす。) 一般式〔〕 (式中、R4は水素原子、ハロゲン原子、置換
若しくは非置換のアルキル基、アリール基又はニ
トロ基を表わし、R5,R6は各々水素原子、置換
若しくは非置換のアルキル基又はアリール基を表
わす。) 即ち本発明においては、前記一般式〔〕で示
されるカルバゾール誘導体をCTMとして用いて
感光層のCTLに含有せしめると共に、紫外線吸
収剤として前記一般式〔〕で示されるベンゾト
リアゾール誘導体をCTLならびにCGLの一方ま
たは両方に含有せしめ、CGMと組合せることに
より、キヤリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の
物質で行なういわゆる機能分離型感光体の感光層
を形成せしめる。そしてこのことにより、紫外線
に対する耐久性の大きな電子写真感光体を提供す
ることができる。 前記一般式〔〕で示される、本発明において
有効に用いられるカルバゾール誘導体の具体例と
しては、例えば次に示す構造式を有するものを挙
げることができるが、勿論これらに限定されるも
のではない。 構造式 前記一般式〔〕で示される、本発明において
有効に用いられるベンゾトリアゾール誘導体の具
体例としては、例えば次に示す構造式を有するも
のを挙げることができるが、勿論これらに限定さ
れるものではない。 構造式 次に本発明電子写真感光体の機械的構成につい
て説明する。 本発明の一例においては、第1図に示すよう
に、導電性支持体1上に後述するCGMを主成分
として含有して成るCGT2を形成せしめ、この
CGL2上に後述するCTMを主成分として含有し
て成るCTL3を積層して形成せしめ、前記CGL
2とCTL3とにより感光層4を構成せしめる。 ここに前記導電性支持体1の材質としては、例
えばアルミニウム、ニツケル、銅、亜鉛、パラジ
ウム、銀、インジウム、錫、白金、金、ステンレ
ス鋼、真鍮等の金属のシートを用いることができ
る。しかしこれらに限定されるものではなく、例
えば第2図に示すように、絶縁性基体1A上に導
電層1Bを設走けて導電性支持体1を構成せしめ
ることもでき、この場合において基体1Aとして
は紙、プラスチツクシート等のの可撓性を有し、
しかも曲げ、引張り等の応力に対して十分な強度
を有するものが適当である。又導電層1Bは金属
シートをラミネートし或いは金属を真空蒸着せし
めることにより、又はその他の方法によつて設け
ることができる。 前記CGL2は、後述するCGM単独により、又
はこれに適当なバインダー樹脂を加えたものによ
り、或いは更に特定又は非特定の極性のキヤリア
に対する移動度の大きい物質即ちCTMを添加し
たものにより形成することができる。 具体的な方法としては、前記支持体上にCGM
を真空蒸着せしめる方法、CGMを適当な溶剤に
溶解若しくは分散せしめたものを塗布して乾燥せ
しめる方法を挙げることができる。 この後者の方法においては、CGL2に本発明
において紫外線吸収剤として用いるベンゾトリア
ゾール誘導体を含有せしめることができる。この
場合CGL2に対するベンゾトリアゾール誘導体
の含有割合は0.1〜20重量%、特に1〜10重量%
であることが好ましく、こうすることにより紫外
線吸収効果を大きなものとすることができ、
CGMの紫外線による劣化を確実に防止すること
ができる。ベンゾトリアゾール誘導体の含有割合
が0.1重量%未満のときは充分な紫外線劣化防止
効果が得られず、又20重量%を越える場合には感
度が低下する。又この場合CGMにバインダー樹
脂若しくはCTMを添加してもよく、その場合に
おける、CGM:バインダー樹脂:CTMの割合は
重量比で1:0〜100:0〜500、特に1:0〜
10:0〜50であることが好ましい。 CGMとしては可視光を吸収してフリーキヤリ
アを発生するものであれば、無機顔料及び有機色
素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン―砒素合金、セレン
―テルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミ
ウム、硫セレン化カドミウム、硫化水銀、酸化
鉛、硫化鉛等の無機顔料の外、次の代表例で示さ
れるような有機色素を用いてもよい。 (1) モノアゾ色素、ポリアゾ色素、金属錯塩アゾ
色素、ピラゾロンアゾ色素、スチルベンアゾ色
素及びチアゾールアゾ色素等のアゾ系色素 (2) ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等の
ペリレン系色素 (3) アントラキノン誘導体、アントアントロン誘
導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラント
ロン誘導体、ビオラントロン誘導体及びイソビ
オラントロン誘導体等のアントラキノン系又は
多環キノン系色素 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系色素 (5) 金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系色素 (6) ジフエニルメタン色素、トリフエニルメタン
色素、キサンテン色素及びアクリジン色素等の
カルボニウム系色素 (7) アジン色素、オキサジン色素及びチアジン色
素等のキノンイミン系色素 (8) シアニン色素及びアゾメチン色素等のメチン
系色素 (9) キノリン系色素 (10) ニトロ系色素 (11) ニトロソ系色素 (12) ベンゾキノン及びナフトキノン系色素 (13) ナフタルイミド系色素 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系色素 (15) キナクリドン系色素 これらの有機色素のうち、特に多環キノン系色
素は本発明においてCTMとして用いるカルバゾ
ール誘導体との接合が良好で、しかも高い感度を
付与するため好ましい。 またCGLに含有せしめることができるバイン
ダー樹脂としては、例えばポリエチレン、ポリプ
ロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン樹脂、フエノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキツド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれら
の樹脂の繰返し単位のうちの2つ以上を含む共重
合体樹脂、例えば塩化ビニル―酢酸ビニル共重合
体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン
酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ―N―
ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げ
ることができる。 前記CGLに加えることのできる特定又は非特
定の極性のキヤリアに対する移動度の大きい
CTMとしては、本発明においてCTL3等の構成
に用いるCTMをその一部又は全部として用いる
こともできるが、電子写真感光体としての性能を
考慮して他のCTMを用いてもよい。 更にこのCGLには感度の向上、残留電位又は
反復使用時の疲労低減等を目的として一種又は二
種以上のルイス酸を含有せしめることができる。
このようなルイス酸としては例えば、無水コハク
酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、
無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テト
ラプロム無水フタル酸、3―ニトロ無水フタル
酸、4―ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリツト
酸、無水メリツト酸、テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、o―ジニトロベンゼ
ン、m―ジニトロベンゼン、1,3,5―トリニ
トロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピク
リルクロライド、キノンクロルイミド、クロラニ
ル、ブロマニル、ジクロロジシアノパラベンゾキ
ノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、2,7―ジニトロフルオレノン、2,4,7
―トリニトロフルオレノン、2,4,5,7―テ
トラニトロフルオレノン、9―フルオレニリデン
―〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポリ
ニトロ―9―フルオレニリデン―〔ジシアノメチ
レンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、o―ニト
ロ安息香酸、p―ニトロ安息香酸、3,5―ジニ
トロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5―ニ
トロサリチル酸、3,5―ジニトロサリチル酸、
フタル酸、メリツト酸、その他の電子親和力の大
きい化合物等を挙げることができる。 以上のようにして形成される前記CGL2の厚
さは、好ましくは0.005〜20ミクロン、特に好ま
しくは0.05〜5ミクロンである。0.005ミクロン
未満では充分な光感度が得られず、また20ミクロ
ンを越えると充分な電荷保持性が得られない。 又CTL3は、既述の一般式〔〕で示される
カルバゾール誘導体をCTMとして用い、必要に
応じて適当なバインダー樹脂と共に適当な溶剤に
溶解若しくは分散せしめて得られる塗布液を塗布
し乾燥する方法、その他の方法によつて形成する
ことができる。 本発明においてCTLに含有せしめることがで
きるバインダー樹脂としては、例えばポリエチレ
ン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン樹脂、フエノール樹脂、ポ
リエステル樹脂、アルキツド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加
重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びに
これらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル―酢酸ビニ
ル共重合体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水
マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポ
リ―N―ビニルカルバゾール等の高分子有機半導
体を挙げることができる。 このCTL3に、本発明において紫外線吸収剤
として用いるベンゾトリアゾール誘導体を含有せ
しめることができる。この場合CTL3における
ベンゾトリアゾール誘導体の前記カルバゾール誘
導体に対する含有割合は0.1〜20重量%、特に1
〜10重量%であることが好ましく、こうすること
により紫外線吸収効果を大きなものとすることが
でき、CTMの紫外線による劣化を確実に防止で
きる。このベンゾトリアゾール誘導体の含有割合
が0.1重量%未満である場合には充分な紫外線劣
化防止効果が得られず、又20重量%を越えた場合
には感度が低下する。 本発明においてCTLに用いるバインダー樹脂
とカルバゾール誘導体の含有割合は、バインダー
樹脂100重量部に対してカルバゾール誘導体20〜
400重量部であり、好ましくは50〜200重量部であ
る。 本発明においては、CTLに感度の向上、残留
電位及び反復使用時の疲労を更に低減する目的で
既述と同様のルイス酸を含有せしめることもでき
る。この場合、その含有割合は、CTM100重量部
に対してルイス酸0.001〜10重量部、好ましくは
0.01〜5重量部である。0.001重量部未満では画
像地肌電位(白紙電位)の上昇が大きく、また10
重量部を越えると画像電位(黒紙電位)の低下が
大きく何れも安定した繰り返し特性が得られな
い。このようにして形成されるCTL3の厚さは
2〜100ミクロン、好ましくは5〜30ミクロンで
ある。 以上本発明を第1図又は第2図に示した具体的
構成例に従つて説明したが、本発明においては、
CGLと組合せられるCTLにカルバゾール誘導体
を含有せしめると共にCGL若しくはCTLの少な
くとも一方にベンゾトリアゾール誘導体を含有せ
しめればよく、電子写真感光体として機械的構成
は任意に選定できる。 例えば第3図に示すように、導電性支持体1上
に適当な中間層5を設け、これを介してCGL2
を形成し、このCGL2上にCTL3を形成するよ
うにしてもよい。この中間層5には、感光層4の
帯電時において導電性支持体1から感光層4にフ
リーキヤリアが注入されることを阻止する機能、
或いは感光層4を導電性支持体に対して一体的に
接着せしめる接着層としての機能を有せしめるこ
とができる。斯かる中間層5の材質としては、酸
化アルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化
物、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フエノール樹脂、ポリエステル樹脂、
アルキツド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコ
ン樹脂、メラミン樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル
共重合体樹脂、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マ
レイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用いるこ
とができる。 又第4図に示すように、導電性支持体1上に、
前記中間層5を介して又は介さずに、CTL3を
形成し、このCTL3上にCGL2を形成して感光
層4を構成せしめてもよい。 以上において、CGL2及びCTL3の両層にベ
ンゾトリアゾール誘導体を含有せしめることも勿
論有効である。 本発明電子写真感光体は以上のような構成であ
るから、後述する実施例からも理解されるよう
に、ベンゾトリアゾール誘導体が紫外線吸収剤と
して作用するためCGM及びCTMの紫外線による
劣化を確実に防止することができ、従つてCTM
として用いるカルバゾール誘導体の特性が良好に
発揮され、優れた電子写真特性を得ることができ
る。即ち本発明電子写真感光体によれば、メンテ
ナンス或いはペーパージヤム処理等において当該
感光体に紫外線が照射されるようなことがあつて
も、高品位の画像を長期間に亘り安定して得るこ
とができ、極めて大きな耐久性を得ることができ
る。 このように本発明電子写真感光体が長期間に亘
り安定して良好な特性が得られる理由は明らかで
はないが、ベンゾトリアゾール誘導体とカルバゾ
ール誘導体の紫外線吸収スペクトルの重なりが大
きく、しかもベンゾトリアゾール誘導体はキヤリ
アのトラツプ剤として作用しないからであると推
擦される。 第5図は本発明にかかる構造式〔−14〕で示
されるカルバゾール誘導体及び構造式〔−6〕
で示されるベンゾトリアゾール誘導体、並びに従
来使用のトリアリールメタン(後述の比較例5を
参照)の各々における紫外部吸収スペクトルを示
したものであり、曲線f1が構造式〔−14〕で示
されるカルバゾール誘導体、曲線f2が構造式〔
−6〕で示されるベンゾトリアゾール誘導体、曲
線f3がトリアリールメタンによるものである。こ
の図より、構造式〔−14〕で示されるカルバゾ
ール誘導体と構造式〔−6〕で示されるベンゾ
トリアゾール誘導体の紫外部吸収スペクトルはよ
く一致していることから、前記カルバゾール誘導
体の劣化は前記ベンゾトリアゾール誘導体の添加
によつて効果的に防止され得ることが判る。これ
に対してトリアリールメタンの場合には前記カル
バゾール誘導体との吸収帯の重なりが小さく劣化
の防止効果は小さい。 以下本発明の実施例について説明するが、これ
らによつて本発明が限定されるものではない。 実施例 1 アルミニウムを蒸着した厚さ100ミクロンのポ
リエチレンテレフタレートより成る導電性支持体
上に、塩化ビニル―酢酸ビニル―無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10」(積水化学工業
社製)より成る厚さ約0.05ミロクンの中間層を設
け、2〜3×10-4Torrの真空雰囲気下で、多環
キノン系色素である4.10―ジブロムアントアント
ロン「モノライトレツド2Y」(C.I.No.59300 I.C.I.
社製)を温度350℃で3分間加熱して蒸発せしめ、
これを前記中間層上に付着堆積せしめて厚さ約
0.5ミクロンのCGLを形成した。 一方、構造式〔−24〕で示されるカルバゾー
ル誘導体11.25gと構造式〔−6〕で示されるベ
ンゾトリアゾール誘導体0.24gとポリカーボネー
ト樹脂「パンライトL―1250」(帝人化成社製)
15gとを1,2―ジクロルエタン100ml中に溶解
し、得られたCTL形成溶液を前記CGL上にドク
ターブレードにより塗布し、温度80℃で1時間に
亘り乾燥させて厚さ12ミクロンのCTLを形成し、
以つて本発明電子写真感光体を作製した。これを
「試料1」とする。 更に前記CTL形成溶液に1,2―ジクロルエ
タンを加えて10倍に希釈し、得られた溶液を回転
塗布法により石英ガラス板上に塗布して厚さ約
0.1ミクロンの吸収スペクトル測定用試料を作製
した。これを「測定試料1」とする。 実施例 2 ベンゾトリアゾール誘導体として構造式〔−
7〕に示されるものを用いた他は実施例1と同様
にして厚さ12ミクロンのCTLを形成し、以つて
本発明電子写真感光体を作製した。これを「試料
2」とする。 更に実施例1と同様にして吸収スペクトル測定
用試料を作製した。これを「測定試料2」とす
る。 実施例 3 カルバゾール誘導体として構造式〔−14〕に
示されるものを用いた他は実施例1と同様にして
厚さ12ミクロンのCTLを形成し、以つて本発明
電子写真感光体を作製した。これを「試料3」と
する。 更に実施例1と同様にして吸収スペクトル測定
用試料を作製した。これを「測定試料3」とす
る。 実施例 4 実施例1と同様の中間層を設けて成る導電性支
持体上に、実施例1と同様のCTL形成溶液によ
り厚さ12ミクロンのCTLを形成した。 一方、ポリカーボネート樹脂「パンライトL―
1250」(帝人化成社製)2gと構造式〔−24〕で
示されるカルバゾール誘導体1gと構造式〔−
6〕で示されるベンゾトリアゾール誘導体0.2gと
を1,2―ジクロルエタン100ml中に溶解し、得
られた溶液に4,10―ジブロムアントアントロン
0.6gを加えて超音波分散を行ない、得られた分散
液を前記CTL上に塗布して厚さ2ミクロンの
CGLを形成し、以つて本発明電子写真感光体を
作製した。これを「試料4」とする。 比較例 1〜4 実施例1〜4の各々においてベンゾトリアゾー
ル誘導体を用いない他は実施例1〜4におけると
同様にしてそれぞれ比較用電子写真感光体を作製
した。これらをそれぞれ「比較試料1」〜「比較
試料4」とする。 比較例 5 実施例1におけるカルバゾール誘導体に代えて
下記の構造式で示されるトリアリールメタンを用
いた他は実施例1と同様にして比較用電子写真感
光体を作製した。これを「比較試料5」とする。 更に実施例1〜3におけると同様にしてそれぞ
れ吸収スペクトル測定用試料を作製した。これら
をそれぞれ「比較測定試料1」〜「比較測定試料
3」とする。 以上の実施例及び比較例による試料1〜4及び
比較試料1〜5を「エレクトロメーターSP−428
型」(川口電機製作所製)に装着し、ダイナミツ
ク方式で電子写真特性を測定した。即ち、帯電電
位―6.0kVで帯電せしめたときの表面電位VA
(V)、表面電位VAを500(V)から50(V)まで減
衰せしめるのに必要な露光量E500 50(lux・sec)及
び30(lux・sec)露光後の残留電位VR(V)を測
定した。 次に紫外線に対する安定性を調べるために、試
料1〜4及び比較試料1〜5の各々に超高圧水銀
灯「SHL−100UV」(東京芝浦電気社製)により
離間距離5cmで60秒間に亘り光を照射し、その後
再び上述と同様の測定を行なつた。結果は第1表
に示す通りである。
【表】
第1表の結果より、本発明に係る試料1〜4に
ついては、紫外線の照射を受けても特性が殆ど変
化せず、初期の良好な特性が安定に維持された
が、比較試料1〜5については何れも紫外線の照
射を受けると特性が大きく変化し、初期の良好な
特性を維持することはできなかつた。 更に「330型分光光度計」(日立製作所製)を用
い、実施例1〜3及び比較例1〜3において得ら
れた測定試料1〜3及び比較測定試料1〜3の
各々について紫外部吸収スペクトルを測定し、波
長338nmにおける吸光度ABS1を求めた。次に前
述と同様の超高圧水銀灯を用い前述と同様にして
光を照射し、その後再び紫外部吸収スペクトルを
測定し、波長338nmにおける吸光度ABS2を求め
た。これよりABS2とABS1の比ABS2/ABS1を
求めた。結果は第2表に示す通りである。
ついては、紫外線の照射を受けても特性が殆ど変
化せず、初期の良好な特性が安定に維持された
が、比較試料1〜5については何れも紫外線の照
射を受けると特性が大きく変化し、初期の良好な
特性を維持することはできなかつた。 更に「330型分光光度計」(日立製作所製)を用
い、実施例1〜3及び比較例1〜3において得ら
れた測定試料1〜3及び比較測定試料1〜3の
各々について紫外部吸収スペクトルを測定し、波
長338nmにおける吸光度ABS1を求めた。次に前
述と同様の超高圧水銀灯を用い前述と同様にして
光を照射し、その後再び紫外部吸収スペクトルを
測定し、波長338nmにおける吸光度ABS2を求め
た。これよりABS2とABS1の比ABS2/ABS1を
求めた。結果は第2表に示す通りである。
【表】
以上の実施例及び比較例から明らかな如く、本
発明の電子写真感光体試料は比較試料に比べ紫外
光照射による受容電位、感度、残留電位等の特性
変化が少なく更に吸収スペクトルの変化も少なく
優れた安定性を示すことが理解される。
発明の電子写真感光体試料は比較試料に比べ紫外
光照射による受容電位、感度、残留電位等の特性
変化が少なく更に吸収スペクトルの変化も少なく
優れた安定性を示すことが理解される。
第1図は本発明電子写真感光体の構成の一例を
示す説明用断面図、第2図は本発明電子写真感光
体の他の構成例を示す説明用断面図、第3図及び
第4図はそれぞれ本発明電子写真感光体の更に他
の構成例を示す説明用断面図、第5図は本発明に
かかるカルバゾール誘導体及びベンゾトリアゾー
ル誘導体、並びに従来使用のトリアリールメタン
の各々における紫外部吸収スペクトルを示す曲線
図である。 1…導電性支持体、2…キヤリア発生層
(CGL)、3…キヤリア輸送層(CTL)、4…感光
層、5…中間層、1A…絶縁性基体、1B…導電
層。
示す説明用断面図、第2図は本発明電子写真感光
体の他の構成例を示す説明用断面図、第3図及び
第4図はそれぞれ本発明電子写真感光体の更に他
の構成例を示す説明用断面図、第5図は本発明に
かかるカルバゾール誘導体及びベンゾトリアゾー
ル誘導体、並びに従来使用のトリアリールメタン
の各々における紫外部吸収スペクトルを示す曲線
図である。 1…導電性支持体、2…キヤリア発生層
(CGL)、3…キヤリア輸送層(CTL)、4…感光
層、5…中間層、1A…絶縁性基体、1B…導電
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体と、この導電性支持体上に設け
た、キヤリア発生層及びキヤリア輸送層の積層体
より成る感光層とを具え、前記キヤリア輸送層が
下記一般式〔〕で示されるカルバゾール誘導体
を含有し、且つ前記キヤリア輸送層若しくはキヤ
リア発生層の少なくとも一方が下記一般式〔〕
で示されるベンゾトリアゾール誘導体を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。 一般式〔〕 (式中、R1は置換若しくは非置換のアリール
基を表わし、R2は水素原子、ハロゲン原子、置
換若しくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基、置換アミノ基又は水酸基を表わし、
R3は置換若しくは非置換のアリール基、置換若
しくは非置換のチエニル基又は置換若しくは非置
換のカルバゾリル基を表わす。) 一般式〔〕 (式中、R4は水素原子、ハロゲン原子、置換
若しくは非置換のアルキル基、アリール基又はニ
トロ基を表わし、R5,R6は各々水素原子、置換
若しくは非置換のアルキル基又はアリール基を表
わす。) 2 前記キヤリア輸送層が前記ベンゾトリアゾー
ル誘導体を含有し、当該キヤリア輸送層における
前記ベンゾトリアゾール誘導体の前記カルバゾー
ル誘導体に対する含有割合が0.1〜20重量%であ
る特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。 3 前記キヤリア発生層が前記ベンゾトリアゾー
ル誘導体を含有し、当該キヤリア発生層における
前記ベンゾトリアゾール誘導体の含有割合が0.1
〜20重量%である特許請求の範囲第1項記載の電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP169782A JPS58120260A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP169782A JPS58120260A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120260A JPS58120260A (ja) | 1983-07-18 |
| JPH027458B2 true JPH027458B2 (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=11508719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP169782A Granted JPS58120260A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120260A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2534476B2 (ja) * | 1985-07-30 | 1996-09-18 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
| JP2573222B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1997-01-22 | 三田工業株式会社 | 有機感光体 |
| JPS63305361A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US7358015B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-04-15 | Lexmark International, Inc. | Plasticized photoconductor |
| JP5233687B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2013-07-10 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、並びにそれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
-
1982
- 1982-01-11 JP JP169782A patent/JPS58120260A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58120260A (ja) | 1983-07-18 |
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